EVG®810LT LowTemp?等離子基活系統(tǒng) 適用于SOI,MEMS,化合物半導(dǎo)體和先進(jìn)基板鍵合的低溫等離子體活化系統(tǒng) 特色 技術(shù)數(shù)據(jù) EVG810LTLowTemp?等離子活化系統(tǒng)是具有手動(dòng)操作的單腔獨(dú)力單元。處理室允許進(jìn)行異位處理(晶圓被一一基活并結(jié)合在等離子體基活室外部)。 特征 表面等離子體活化,用于低溫粘結(jié)(熔融/分子和中間層粘結(jié)) 晶圓鍵合機(jī)制中蕞快的動(dòng)力學(xué) 無需濕工藝 低溫退火(蕞/高400°C)下的蕞/高粘結(jié)強(qiáng)度 適用于SOI,MEMS,化合物半導(dǎo)體和gao級(jí)基板鍵合 高度的材料兼容性(包括CMOS)對(duì)于無夾層鍵合工藝,材料和表面特征利于鍵合,但為了與夾層結(jié)合,鍵合材料沉積和組成決定了鍵合線的材質(zhì)。GEMINI鍵合機(jī)可以免稅嗎
EVG320技術(shù)數(shù)據(jù)晶圓直徑(基板尺寸)200、100-300毫米清潔系統(tǒng)開室,旋轉(zhuǎn)器和清潔臂腔室:由PP或PFA制成(可選)清潔介質(zhì):去離子水(標(biāo)準(zhǔn)),其他清潔介質(zhì)(可選)旋轉(zhuǎn)卡盤:真空卡盤(標(biāo)準(zhǔn))和邊緣處理卡盤(選件),由不含金屬離子的清潔材料制成旋轉(zhuǎn):蕞高3000rpm(5秒內(nèi))超音速噴嘴頻率:1MHz(3MHz選件)輸出功率:30-60W去離子水流量:蕞高1.5升/分鐘有效清潔區(qū)域:?4.0mm材質(zhì):聚四氟乙烯兆聲區(qū)域傳感器可選的頻率:1MHz(3MHz選件)輸出功率:蕞大2.5W/cm2有效面積(蕞大輸出200W)去離子水流量:蕞高1.5升/分鐘有效的清潔區(qū)域:三角形,確保每次旋轉(zhuǎn)時(shí)整個(gè)晶片的輻射均勻性材質(zhì):不銹鋼和藍(lán)寶石刷的參數(shù):材質(zhì):PVA可編程參數(shù):刷子和晶圓速度(rpm)可調(diào)參數(shù)(刷壓縮,介質(zhì)分配)自動(dòng)化晶圓處理系統(tǒng)掃描區(qū)域兼容晶圓處理機(jī)器人領(lǐng)域EVG320,使24小時(shí)自動(dòng)化盒對(duì)盒或FOUP到FOUP操作,達(dá)到蕞高吞吐量。與晶圓接觸的表面不會(huì)引起任何金屬離子污染。可選功能:ISO3mini-environment(根據(jù)ISO14644)奧地利鍵合機(jī)有哪些應(yīng)用我們的服務(wù)包括通過安全的連接,電話或電子郵件,對(duì)包括現(xiàn)場(chǎng)驗(yàn)證,進(jìn)行實(shí)時(shí)遠(yuǎn)程診斷和設(shè)備/工藝排除故障。
該技術(shù)用于封裝敏感的電子組件,以保護(hù)它們免受損壞,污染,濕氣和氧化或其他不良化學(xué)反應(yīng)。陽極鍵合尤其與微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)行業(yè)相關(guān)聯(lián),在該行業(yè)中,陽極鍵合用于保護(hù)諸如微傳感器的設(shè)備。陽極鍵合的主要優(yōu)點(diǎn)是,它可以產(chǎn)生牢固而持久的鍵合,而無需粘合劑或過高的溫度,而這是將組件融合在一起所需要的。陽極鍵合的主要缺點(diǎn)是可以鍵合的材料范圍有限,并且材料組合還存在其他限制,因?yàn)樗鼈冃枰哂蓄愃频臒崤蛎浡氏禂?shù)-也就是說,它們?cè)诩訜釙r(shí)需要以相似的速率膨脹,否則差異膨脹可能會(huì)導(dǎo)致應(yīng)變和翹曲。而EVG的鍵合機(jī)所提供的技術(shù)能夠比較有效地解決陽極鍵合的問題,如果需要了解,請(qǐng)點(diǎn)擊:鍵合機(jī)。
BONDSCALE?自動(dòng)化生產(chǎn)熔融系統(tǒng)啟用3D集成以獲得更多收益特色技術(shù)數(shù)據(jù)EVGBONDSCALE?自動(dòng)化生產(chǎn)熔融系統(tǒng)旨在滿足廣fan的熔融/分子晶圓鍵合應(yīng)用,包括工程化的基板制造和使用層轉(zhuǎn)移處理的3D集成方法,例如單片3D(M3D)。借助BONDSCALE,EVG將晶片鍵合應(yīng)用于前端半導(dǎo)體處理中,并幫助解決內(nèi)部設(shè)備和系統(tǒng)路線圖(IRDS)中確定的“超摩爾”邏輯器件擴(kuò)展的長期挑戰(zhàn)。結(jié)合增強(qiáng)的邊緣對(duì)準(zhǔn)技術(shù),與現(xiàn)有的熔融鍵合平臺(tái)相比,BONDSCALE大幅提高了晶圓鍵合生產(chǎn)率,并降低了擁有成本(CoO)。EVG鍵合機(jī)頂部和底部晶片的獨(dú)li溫度控制補(bǔ)償了不同的熱膨脹系數(shù),實(shí)現(xiàn)無應(yīng)力鍵合和出色的溫度均勻性。
對(duì)準(zhǔn)晶圓鍵合是晶圓級(jí)涂層,晶圓級(jí)封裝,工程襯底zhizao,晶圓級(jí)3D集成和晶圓減薄方面很有用的技術(shù)。反過來,這些工藝也讓MEMS器件,RF濾波器和BSI(背面照明)CIS(CMOS圖像傳感器)的生產(chǎn)迅速增長。這些工藝也能用于制造工程襯底,例如SOI(絕緣體上硅)。 主流鍵合工藝為:黏合劑,陽極,直接/熔融,玻璃料,焊料(包括共晶和瞬態(tài)液相)和金屬擴(kuò)散/熱壓縮。采用哪種鍵合工藝取決于應(yīng)用。EVG500系列可靈活配置選擇以上的所有工藝。 鍵合機(jī)廠家EVG擁有超過25年的晶圓鍵合機(jī)制造經(jīng)驗(yàn),擁有累計(jì)2000多年晶圓鍵合經(jīng)驗(yàn)的員工。同時(shí),EVG的GEMINI是使用晶圓鍵合的HVM的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。旋涂模塊-適用于GEMINI和GEMINI FB用于在晶圓鍵合之前施加粘合劑層。山西熔融鍵合鍵合機(jī)
EVG鍵合機(jī)可以使用適合每個(gè)通用鍵合室的zhuan用卡盤來處理各種尺寸晶圓和鍵合工藝。GEMINI鍵合機(jī)可以免稅嗎
EVG的晶圓鍵合機(jī)鍵合室配有通用鍵合蓋,可快速排空,快速加熱和冷卻。通過控制溫度,壓力,時(shí)間和氣體,允許進(jìn)行大多數(shù)鍵合過程。也可以通過添加電源來執(zhí)行陽極鍵合。對(duì)于UV固化黏合劑,可選的鍵合室蓋具有UV源。鍵合可在真空或受控氣體條件下進(jìn)行。頂部和底部晶片的獨(dú)li溫度控制補(bǔ)償了不同的熱膨脹系數(shù),從而實(shí)現(xiàn)無應(yīng)力黏合和出色的溫度均勻性。在不需要重新配置硬件的情況下,可以在真空下執(zhí)行SOI/SDB(硅的直接鍵合)預(yù)鍵合。以上的鍵合機(jī)由岱美儀器供應(yīng)并提供技術(shù)支持。GEMINI鍵合機(jī)可以免稅嗎
岱美儀器技術(shù)服務(wù)(上海)有限公司成立于2002-02-07年,在此之前我們已在半導(dǎo)體工藝設(shè)備,半導(dǎo)體測(cè)量設(shè)備,光刻機(jī) 鍵合機(jī),膜厚測(cè)量儀行業(yè)中有了多年的生產(chǎn)和服務(wù)經(jīng)驗(yàn),深受經(jīng)銷商和客戶的好評(píng)。我們從一個(gè)名不見經(jīng)傳的小公司,慢慢的適應(yīng)了市場(chǎng)的需求,得到了越來越多的客戶認(rèn)可。公司業(yè)務(wù)不斷豐富,主要經(jīng)營的業(yè)務(wù)包括:半導(dǎo)體工藝設(shè)備,半導(dǎo)體測(cè)量設(shè)備,光刻機(jī) 鍵合機(jī),膜厚測(cè)量儀等多系列產(chǎn)品和服務(wù)??梢愿鶕?jù)客戶需求開發(fā)出多種不同功能的產(chǎn)品,深受客戶的好評(píng)。公司與行業(yè)上下游之間建立了長久親密的合作關(guān)系,確保半導(dǎo)體工藝設(shè)備,半導(dǎo)體測(cè)量設(shè)備,光刻機(jī) 鍵合機(jī),膜厚測(cè)量儀在技術(shù)上與行業(yè)內(nèi)保持同步。產(chǎn)品質(zhì)量按照行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行研發(fā)生產(chǎn),絕不因價(jià)格而放棄質(zhì)量和聲譽(yù)。岱美儀器技術(shù)服務(wù)(上海)有限公司依托多年來完善的服務(wù)經(jīng)驗(yàn)、良好的服務(wù)隊(duì)伍、完善的服務(wù)網(wǎng)絡(luò)和強(qiáng)大的合作伙伴,目前已經(jīng)得到儀器儀表行業(yè)內(nèi)客戶認(rèn)可和支持,并贏得長期合作伙伴的信賴。