芯片納米壓印技術(shù)原理

來源: 發(fā)布時間:2024-07-23

HERCULESNIL300mm提供了市場上蕞先近的納米壓印功能,具有較低的力和保形壓印,快速的高功率曝光和平滑的壓模分離。該系統(tǒng)支持各種設(shè)備和應(yīng)用程序的生產(chǎn),包括用于增強/虛擬現(xiàn)實(AR/VR)頭戴式耳機的光學設(shè)備,3D傳感器,生物醫(yī)學設(shè)備,納米光子學和等離激元學。HERCULES®NIL特征:全自動UV-NIL壓印和低力剝離蕞多300毫米的基材完全模塊化的平臺,具有多達八個可交換過程模塊(壓印和預(yù)處理)200毫米/300毫米橋接工具能力全區(qū)域烙印覆蓋批量生產(chǎn)蕞小40nm或更小的結(jié)構(gòu)支持各種結(jié)構(gòu)尺寸和形狀,包括3D適用于高地形(粗糙)表面*分辨率取決于過程和模板在納米電子器件中,納米壓印可以用于制備納米線、納米點陣等結(jié)構(gòu),用于制備納米級的電子器件。芯片納米壓印技術(shù)原理

芯片納米壓印技術(shù)原理,納米壓印

納米壓印設(shè)備哪個好?預(yù)墨印章用于將材料以明顯的圖案轉(zhuǎn)移到基材上。該技術(shù)用于表面化學的局部修飾或捕獲分子在生物傳感器制造中的精確放置。納米壓印設(shè)備可以進行熱壓花、加壓加熱、印章、聚合物、基板、附加沖壓成型脫模。將聚合物片或旋涂聚合物加熱到其玻璃化轉(zhuǎn)變溫度以上,從而將材料轉(zhuǎn)變?yōu)檎承誀顟B(tài)。然后以足夠的力將壓模壓入聚合物中。岱美作為EVG在中國區(qū)的代理商,歡迎各位聯(lián)系我們,探討納米壓印光刻的相關(guān)知識。我們愿意與您共同進步。北京納米壓印摩擦學應(yīng)用EVG?720/EVG?7200/EVG?7200LA是自動化的全場域納米壓印解決方案,適用于第三代基材。

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HERCULES®NIL完全集成SmartNIL®的UV-NIL紫外光納米壓印系統(tǒng)。EVG的HERCULES®NIL產(chǎn)品系列HERCULES®NIL完全集成SmartNIL®UV-NIL系統(tǒng)達200毫米對于大批量制造的完全集成的納米壓印光刻解決方案,具有EVG's專有SmartNIL®印跡技術(shù)HERCULESNIL是完全集成的UV納米壓印光刻跟蹤解決方案,適用于ZUI大200mm的晶圓,是EVG的NIL產(chǎn)品組合的ZUI新成員。HERCULESNIL基于模塊化平臺,將EVG專有的SmartNIL壓印技術(shù)與清潔,抗蝕劑涂層和烘烤預(yù)處理步驟相結(jié)合。這將HERCULESNIL變成了“一站式服務(wù)”,將裸露的晶圓裝載到工具中,然后將經(jīng)過完全處理的納米結(jié)構(gòu)晶圓退回。

EVG®720特征:體積驗證的壓印技術(shù),具有出色的復(fù)制保真度專有SmartNIL®技術(shù),多使用聚合物印模技術(shù)集成式壓印,UV固化脫模和工作印模制造盒帶到盒帶自動處理以及半自動研發(fā)模式可選的頂部對準可選的迷你環(huán)境適用于所有市售壓印材料的開放平臺從研發(fā)到生產(chǎn)的可擴展性系統(tǒng)外殼,可實現(xiàn)ZUI佳過程穩(wěn)定性和可靠性技術(shù)數(shù)據(jù)晶圓直徑(基板尺寸)75至150毫米解析度:≤40nm(分辨率取決于模板和工藝)支持流程:SmartNIL®曝光源:大功率LED(i線)>400mW/cm2對準:可選的頂部對準自動分離:支持的迷你環(huán)境和氣候控制:可選的工作印章制作:支持的EVG ? 6200 NT是SmartNIL UV紫外光納米壓印光刻系統(tǒng)。

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納米壓印微影技術(shù)有望優(yōu)先導(dǎo)入LCD面板領(lǐng)域原本計劃應(yīng)用在半導(dǎo)體生產(chǎn)制程的納米壓印微影技術(shù)(Nano-ImpLithography;NIL),現(xiàn)將率先應(yīng)用在液晶顯示器(LCD)制程中。NIL為次世代圖樣形成技術(shù)。據(jù)ETNews報導(dǎo),南韓顯示器面板企業(yè)LCD制程研發(fā)小組,未確認NIL設(shè)備實際圖樣形成能力,直接參訪海外NIL設(shè)備廠。該制程研發(fā)小組透露,若引進相關(guān)設(shè)備,將可提升面板性能。并已展開具體供貨協(xié)商。NIL是以刻印圖樣的壓印機,像蓋章般在玻璃基板上形成圖樣的制程。在基板上涂布UV感光液后,再以壓印機接觸施加壓力,印出面板圖樣。之后再經(jīng)過蝕刻制程形成圖樣。NIL可在LCD玻璃基板上刻印出偏光圖樣,不需再另外貼附偏光薄膜。雖然在面板制程中需增加NIL、蝕刻制程,但省落偏光膜貼附制程,可維持同樣的生產(chǎn)成本。偏光膜會吸收部分光線降低亮度。若在玻璃基板上直接形成偏光圖樣,將不會發(fā)生降低亮度的情況。通常面板分辨率越高,因配線較多,較難確保開口率(ApertureRatio)。納米壓印是一種利用納米技術(shù)進行壓印的方法。實驗室納米壓印報價

EVG提供不同的整面壓印系統(tǒng),大面積壓印機,微透鏡成型設(shè)備以及用于高 效母版制作的分步重復(fù)系統(tǒng)。芯片納米壓印技術(shù)原理

納米壓印光刻設(shè)備-處理結(jié)果:新應(yīng)用程序的開發(fā)通常與設(shè)備功能的提高緊密相關(guān)。EVG的NIL解決方案能夠產(chǎn)生具有納米分辨率的多種不同尺寸和形狀的圖案,并在顯示器,生物技術(shù)和光子應(yīng)用中實現(xiàn)了許多新的創(chuàng)新。HRISmartNIL®壓印上的單個像素的1.AFM圖像壓印全息結(jié)構(gòu)的AFM圖像資料來源:EVG與SwissLithoAG合作(歐盟項目SNM)2.通過熱壓花在PMMA中復(fù)制微流控芯片資料來源:EVG3.高縱橫比(7:1)的10μm柱陣列由加拿大國家研究委員會提供4.L/S光柵具有優(yōu)化的殘留層,厚度約為10nm資料來源:EVG5.紫外線成型鏡片300μm資料來源:EVG6.光子晶體用于LED的光提取多晶硅的蜂窩織構(gòu)化(mc-Si)由FraunhoferISE提供7.金字塔形結(jié)構(gòu)50μm資料來源:EVG8.蕞小尺寸的光模塊晶圓級封裝資料來源:EVG9.光子帶隙傳感器光柵 資料來源:EVG(歐盟Saphely項目)10.在強光照射下對HRISmartNIL®烙印進行完整的晶圓照相 資料來源:EVG芯片納米壓印技術(shù)原理