半導體設備輪廓儀技術(shù)服務

共聚焦顯微鏡方法共聚焦顯微鏡包括LED光源、旋轉(zhuǎn)多真孔盤、帶有壓電驅(qū)動器的物鏡和CCD相機。LED光源通過多真孔盤（MPD）和物鏡聚焦到樣品表面上，從而反射光。反射光通過MPD的真孔減小到聚焦的部分落在CCD相機上。傳統(tǒng)光學顯微鏡的圖像包含清晰和模糊的細節(jié)，但是在共焦圖像中，通過多真孔盤的操作濾除模糊細節(jié)（未聚焦），只有來自聚焦平面的光到達CCD相機。因此，共聚焦顯微鏡能夠在納米范圍內(nèi)獲得高分辨率。每個共焦圖像是通過樣品的形貌的水平切片，在不同的焦點高度捕獲圖像產(chǎn)生這樣的圖像的堆疊，共焦顯微鏡通過壓電驅(qū)動器和物鏡的精確垂直位移來實現(xiàn)。200到400個共焦圖像通常在幾秒內(nèi)被捕獲，之后軟件從共焦圖像的堆棧重建精確的三維高度圖像。NanoX-8000的XY光柵分辨率 0.1um，定位精度 5um，重復精度 1um。半導體設備輪廓儀技術(shù)服務

白光干涉輪廓儀對比激光共聚焦輪廓儀白光干涉3D顯微鏡：干涉面成像，多層垂直掃描蕞好高度測量精度：<1nm高度精度不受物鏡影響性價比好。激光共聚焦3D顯微鏡：點掃描合成面成像，多層垂直掃描Keyence（日本）蕞好高度測量精度：～10nm高度精度由物鏡決定，1um精度@10倍90萬-130萬三維光學輪廓儀采用白光軸向色差原理（性能優(yōu)于白光干涉輪廓儀與激光干涉輪廓儀）對樣品表面進行快速、重復性高、高分辨率的三維測量，測量范圍可從納米級粗糙度到毫米級的表面形貌，臺階高度，給MEMS、半導體材料、太陽能電池、醫(yī)療工程、制藥、生物材料，光學元件、陶瓷和先進材料的研發(fā)和生產(chǎn)提供了一個精確的、價格合理的計量方案。（來自網(wǎng)絡）半導體輪廓儀廠家輪廓儀在晶圓的IC封裝中的應用。

1）白光輪廓儀的典型應用：對各種產(chǎn)品，不見和材料表面的平面度，粗糙度，波溫度，面型輪廓，表面缺陷，磨損情況，腐蝕情況，孔隙間隙，臺階高度，完全變形情況，加工情況等表面形貌特征進行測量和分析。2）共聚焦顯微鏡方法共聚焦顯微鏡包括LED光源、旋轉(zhuǎn)多珍孔盤、帶有壓電驅(qū)動器的物鏡和CCD相機。LED光源通過多珍孔盤（MPD）和物鏡聚焦到樣品表面上，從而反射光。反射光通過MPD的珍孔減小到聚焦的部分落在CCD相機上。傳統(tǒng)光學顯微鏡的圖像包含清晰和模糊的細節(jié)，但是在共焦圖像中，通過多珍孔盤的操作濾除模糊細節(jié)（未聚焦），只有來自聚焦平面的光到達CCD相機。因此，共聚焦顯微鏡能夠在納米范圍內(nèi)獲得高分辨率。每個共焦圖像是通過樣品的形貌的水平切片，在不同的焦點高度捕獲圖像產(chǎn)生這樣的圖像的堆疊，共焦顯微鏡通過壓電驅(qū)動器和物鏡的精確垂直位移來實現(xiàn)。200到400個共焦圖像通常在幾秒內(nèi)被捕獲，之后軟件從共焦圖像的堆棧重建精確的三維高度圖像。

關(guān)于三坐標測量輪廓度及粗糙度三坐標測量機是不能測量粗糙度的，至于測量零件的表面輪廓，要視三坐標的測量精度及零件表面輪廓度的要求了，如果你的三坐標測量機精度比較高，但零件輪廓度要求不可，是可以用三坐標來代替的。一般三坐標精度都在2-3um左右，而輪廓儀都在2um以內(nèi)，還有就是三坐標可以測量大尺寸零件的輪廓，因為它有龍門式三坐標和關(guān)節(jié)臂三坐標，而輪廓儀主要是用來測量一些小的精密零件輪廓尺寸的，加上粗糙度模塊也可以測量粗糙度。NanoX-8000的VSI/CSI：垂直分辨率 < 0.5nm ；準確度<1% ；重復性<0.1% (1σ，10um臺階高)。

NanoX-8000系統(tǒng)主要性能?菜單式系統(tǒng)設置，一鍵式操作，自動數(shù)據(jù)存儲?一鍵式系統(tǒng)校準?支持連接MES系統(tǒng)，數(shù)據(jù)可導入SPC?具備異常報警，急停等功能，報警信息可儲存?MTBF≥1500hrs?產(chǎn)能:45s/點（移動+聚焦+測量）（掃描范圍50um）?具備Globalalignment&Unitalignment?自動聚焦范圍：±0.3mm?XY運動速度蕞快表面三維微觀形貌測量的意義在生產(chǎn)中，表面三維微觀形貌對工程零件的許多技術(shù)性能的評家具有蕞直接的影響，而且表面三維評定參數(shù)由于能更權(quán)面，更真實的反應零件表面的特征及衡量表面的質(zhì)量而越來越受到重視，因此表面三維微觀形貌的測量就越顯重要。通過兌三維形貌的測量可以比較權(quán)面的評定表面質(zhì)量的優(yōu)劣，進而確認加工方法的好壞以及設計要求的合理性，這樣就可以反過來通過知道加工，優(yōu)化加工工藝以及加工出高質(zhì)量的表面，確保零件使用功能的實現(xiàn)。表面三位微觀形貌的此類昂方法非常豐富，通?？煞譃榻佑|時和非接觸時兩種，其中以非接觸式測量方法為主。三維表面輪廓儀是精密加工領(lǐng)域必不可少的檢測設備，它既保障了生產(chǎn)加工的準確性，又提高了成品的出產(chǎn)效率。半導體設備輪廓儀技術(shù)服務

測量模式：移相干涉（PSI），白光垂直掃描干涉（VSI），單色光垂直掃描干涉（CSI）。半導體設備輪廓儀技術(shù)服務

比較橢圓偏振儀和光譜反射儀光譜橢圓偏振儀(SE)和光譜反射儀(SR)都是利用分析反射光確定電介質(zhì)，半導體，和金屬薄膜的厚度和折射率。兩者的主要區(qū)別在于橢偏儀測量小角度從薄膜反射的光,而光譜反射儀測量從薄膜垂直反射的光。獲取反射光譜指南入射光角度的不同造成兩種技術(shù)在成本，復雜度，和測量能力上的不同。由于橢偏儀的光從一個角度入射，所以一定要分析反射光的偏振和強度，使得橢偏儀對超薄和復雜的薄膜堆有較強的測量能力。然而，偏振分析意味著需要昂貴的精密移動光學儀器。光譜反射儀測量的是垂直光，它忽略偏振效應（絕大多數(shù)薄膜都是旋轉(zhuǎn)對稱）。因為不涉及任何移動設備，光譜反射儀成為簡單低成本的儀器。光譜反射儀可以很容易整合加入更強大透光率分析。從下面表格可以看出,光譜反射儀通常是薄膜厚度超過10um的手選，而橢偏儀側(cè)重薄于10nm的膜厚。在10nm到10um厚度之間，兩種技術(shù)都可用。而且具有快速，簡便，成本低特點的光譜反射儀通常是更好的選擇。光譜反射率光譜橢圓偏振儀厚度測量范圍1nm-1mm(非金屬)-50nm(金屬)*-(非金屬)-50nm(金屬)測量折射率的厚度要求>20nm(非金屬)5nm-50nm(金屬)>5nm(非金屬)>。半導體設備輪廓儀技術(shù)服務