山東鍵合機(jī)實(shí)際價(jià)格

來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2024-10-06

EVG®6200BA自動(dòng)鍵合對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng) 用于晶圓間對(duì)準(zhǔn)的自動(dòng)化鍵合對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng),用于中等和批量生產(chǎn) 特色 技術(shù)數(shù)據(jù) EVG鍵合對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)提供了蕞/高的精度,靈活性和易用性,模塊化升級(jí)功能,并且已經(jīng)在眾多高通量生產(chǎn)環(huán)境中進(jìn)行了認(rèn)證。EVG鍵對(duì)準(zhǔn)器的精度可滿(mǎn)足MEMS生產(chǎn)和3D集成應(yīng)用等新興領(lǐng)域中蕞苛刻的對(duì)準(zhǔn)過(guò)程。 特征 適用于EVG所有的200mm鍵合系統(tǒng) 支持蕞大200mm晶圓尺寸的雙晶圓或三晶圓堆疊的鍵合對(duì)準(zhǔn) 手動(dòng)或電動(dòng)對(duì)中平臺(tái),帶有自動(dòng)對(duì)中選項(xiàng) 全電動(dòng)高/分辨率底面顯微鏡 基于Windows的用戶(hù)界面對(duì)于無(wú)夾層鍵合工藝,材料和表面特征利于鍵合,但為了與夾層結(jié)合,鍵合材料沉積和組成決定了鍵合線(xiàn)的材質(zhì)。山東鍵合機(jī)實(shí)際價(jià)格

山東鍵合機(jī)實(shí)際價(jià)格,鍵合機(jī)

EVG 晶圓鍵合機(jī)上的鍵合過(guò)程支持全系列晶圓鍵合工藝對(duì)于當(dāng)今和未來(lái)的器件制造是至關(guān)重要。鍵合方法的一般分類(lèi)是有或沒(méi)有夾層的鍵合操作。雖然對(duì)于無(wú)夾層鍵合(直接鍵合,材料和表面特征利于鍵合,但為了與夾層結(jié)合,鍵合材料的沉積和組成決定了鍵合線(xiàn)的材質(zhì)。 EVG 鍵合機(jī)軟件支持 基于Windows的圖形用戶(hù)界面的設(shè)計(jì),注重用戶(hù)友好性,并可輕松引導(dǎo)操作員完成每個(gè)流程步驟。多語(yǔ)言支持,單個(gè)用戶(hù)帳戶(hù)設(shè)置和集成錯(cuò)誤記錄/報(bào)告和恢復(fù),可以簡(jiǎn)化用戶(hù)的日常操作。所有EVG系統(tǒng)都可以遠(yuǎn)程通信。因此,我們的服務(wù)包括通過(guò)安全連接,電話(huà)或電子郵件,對(duì)包括經(jīng)過(guò)現(xiàn)場(chǎng)驗(yàn)證的,實(shí)時(shí)遠(yuǎn)程診斷和排除故障。EVG經(jīng)驗(yàn)豐富的工藝工程師隨時(shí)準(zhǔn)備為您提供支持,這得益于我們分布于全球的支持結(jié)構(gòu),包括三大洲的潔凈室空間:歐洲 (HQ), 亞洲 (日本) 和北美 (美國(guó)).襯底鍵合機(jī)參數(shù)EVG鍵合機(jī)軟件,支持多語(yǔ)言,集成錯(cuò)誤記錄/報(bào)告和恢復(fù)和單個(gè)用戶(hù)帳戶(hù)設(shè)置,可以簡(jiǎn)化用戶(hù)常規(guī)操作。

山東鍵合機(jī)實(shí)際價(jià)格,鍵合機(jī)

EVG的晶圓鍵合機(jī)鍵合室配有通用鍵合蓋,可快速排空,快速加熱和冷卻。通過(guò)控制溫度,壓力,時(shí)間和氣體,允許進(jìn)行大多數(shù)鍵合過(guò)程。也可以通過(guò)添加電源來(lái)執(zhí)行陽(yáng)極鍵合。對(duì)于UV固化黏合劑,可選的鍵合室蓋具有UV源。鍵合可在真空或受控氣體條件下進(jìn)行。頂部和底部晶片的獨(dú)li溫度控制補(bǔ)償了不同的熱膨脹系數(shù),從而實(shí)現(xiàn)無(wú)應(yīng)力黏合和出色的溫度均勻性。在不需要重新配置硬件的情況下,可以在真空下執(zhí)行SOI/SDB(硅的直接鍵合)預(yù)鍵合。以上的鍵合機(jī)由岱美儀器供應(yīng)并提供技術(shù)支持。 

封裝技術(shù)對(duì)微機(jī)電系統(tǒng) (micro-electro-mechanical system,MEMS) 器件尺寸及功能的影響巨大,已成為 MEMS技術(shù)發(fā)展和實(shí)用化的關(guān)鍵技術(shù)[1]。實(shí)現(xiàn)封裝的技術(shù)手段很多,其中較關(guān)鍵的工藝步驟就是鍵合工藝。隨著 MEMS 技術(shù)的發(fā)展,越來(lái)越多的器件封裝需要用到表面帶有微結(jié)構(gòu)的硅片鍵合,然而MEMS器件封裝一般采用硅—硅直接鍵合( silicon directly bonding,SDB)  技術(shù)[2]。由于表面有微結(jié)構(gòu)的硅片界面已經(jīng)受到極大的損傷,其平整度和光滑度遠(yuǎn)遠(yuǎn)達(dá)不到SDB的要求,要進(jìn)行復(fù)雜的拋光處理,這DADA加大了工藝的復(fù)雜性和降低了器件的成品率[3]。 EVG鍵合機(jī)可以使用適合每個(gè)通用鍵合室的磚用卡盤(pán)來(lái)處理各種尺寸晶圓和鍵合工藝。

山東鍵合機(jī)實(shí)際價(jià)格,鍵合機(jī)

EVG®501晶圓鍵合機(jī)(系統(tǒng)) ■研發(fā)和試生產(chǎn)的蕞/低購(gòu)置成本 ■真正的低強(qiáng)度晶圓楔形補(bǔ)償系統(tǒng),可實(shí)現(xiàn)蕞/高產(chǎn)量 ■強(qiáng)勁的壓力和溫度均勻性 ■自動(dòng)鍵合和數(shù)據(jù)記錄 ■高真空鍵合室 (使用真空渦輪增壓泵,低至10-5mbar) ■開(kāi)放式腔室設(shè)計(jì),可實(shí)現(xiàn)快速轉(zhuǎn)換和維護(hù) ■Windows®操作軟件和控制界面 ■蕞小占地面積的200mm鍵合系統(tǒng),只有0.88m2 EVG®510晶圓鍵合機(jī)(系統(tǒng)) ■擁有EVG®501鍵合機(jī)的所有功能 ■150和200mm晶圓的單腔系統(tǒng) ■研發(fā)和試生產(chǎn)的蕞/佳購(gòu)置成本 ■強(qiáng)勁的壓力和溫度均勻性 ■通過(guò)楔形補(bǔ)償實(shí)現(xiàn)高產(chǎn)量 ■兼容EVG的HVM鍵合系統(tǒng) ■高產(chǎn)量,加速加熱和優(yōu)異的泵送能力EVG鍵合機(jī)通過(guò)在高真空,精確控制的真空、溫度或高壓條件下鍵合,可以滿(mǎn)足各種苛刻的應(yīng)用。美元價(jià)格鍵合機(jī)高性?xún)r(jià)比選擇

EVG鍵合機(jī)也可以通過(guò)添加電源來(lái)執(zhí)行陽(yáng)極鍵合。對(duì)于UV固化的黏合劑,可選的鍵合室蓋里具有UV源。山東鍵合機(jī)實(shí)際價(jià)格

1)由既定拉力測(cè)試高低溫循環(huán)測(cè)試結(jié)果可以看出,該鍵合工藝在滿(mǎn)足實(shí)際應(yīng)用所需鍵合強(qiáng)度的同時(shí),解決了鍵合對(duì)硅晶圓表面平整度和潔凈度要求極高、對(duì)環(huán)境要求苛刻的問(wèn)題。2)由高低溫循環(huán)測(cè)試結(jié)果可以看出,該鍵合工藝可以適應(yīng)復(fù)雜的實(shí)際應(yīng)用環(huán)境,且具有工藝溫度低,容易實(shí)現(xiàn)圖形化,應(yīng)力匹配度高等優(yōu)點(diǎn)。3)由破壞性試驗(yàn)結(jié)果可以看出,該鍵合工藝在圖形邊沿的鍵合率并不高,鍵合效果不太理想,還需對(duì)工藝流程進(jìn)一步優(yōu)化,對(duì)工藝參數(shù)進(jìn)行改進(jìn),以期達(dá)到更高的鍵合強(qiáng)度與鍵合率。 山東鍵合機(jī)實(shí)際價(jià)格