重慶鍵合機學(xué)校會用嗎

來源: 發(fā)布時間:2024-10-05

EVG®805解鍵合系統(tǒng)用途:薄晶圓解鍵合。EVG805是半自動系統(tǒng),用于剝離臨時鍵合和加工過的晶圓疊層,該疊層由器件晶圓,載體晶圓和中間臨時鍵合膠組成。該工具支持熱剝離或機械剝離??梢詫⒈【A卸載到單個基板載體上,以在工具之間安全可靠地運輸。特征:開放式膠粘劑平臺解鍵合選項:熱滑解鍵合解鍵合機械解鍵合程序控制系統(tǒng)實時監(jiān)控和記錄所有相關(guān)過程參數(shù)薄晶圓處理的獨特功能多種卡盤設(shè)計,可支撐ZUI大300mm的晶圓/基板和載體高形貌的晶圓處理技術(shù)數(shù)據(jù)晶圓直徑(基板尺寸)晶片ZUI大300mm高達12英寸的薄膜組態(tài)1個解鍵合模塊選件紫外線輔助解鍵合高形貌的晶圓處理不同基板尺寸的橋接能力 EVG鍵合機晶圓鍵合類型有:陽極鍵合、瞬間液相鍵合、共熔鍵合、黏合劑鍵合、熱壓鍵合。重慶鍵合機學(xué)校會用嗎

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EVG®301單晶圓清洗系統(tǒng),屬于研發(fā)型單晶圓清洗系統(tǒng)。技術(shù)數(shù)據(jù) EVG301半自動化單晶片清洗系統(tǒng)采用一個清洗站,該清洗站使用標準的去離子水沖洗以及超音速,毛刷和稀釋化學(xué)藥品作為附加清洗選項來清洗晶片。EVG301具有手動加載和預(yù)對準功能,是一種多功能的研發(fā)型系統(tǒng),適用于靈活的清潔程序和300mm的能力。EVG301系統(tǒng)可與EVG的晶圓對準和鍵合系統(tǒng)結(jié)合使用,以消除晶圓鍵合之前的任何顆粒。旋轉(zhuǎn)夾頭可用于不同的晶圓和基板尺寸,從而可以輕松設(shè)置不同的工藝。陜西晶片鍵合機鍵合機供應(yīng)商EVG擁有超過25年的晶圓鍵合機制造經(jīng)驗,擁有累計2000多年晶圓鍵合經(jīng)驗的員工。

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EVG®301特征使用1MHz的超音速噴嘴或區(qū)域傳感器(可選)進行高/效清潔單面清潔刷(選件)用于晶圓清洗的稀釋化學(xué)品防止從背面到正面的交叉污染完全由軟件控制的清潔過程選件帶有紅外檢查的預(yù)鍵合臺非SEMI標準基材的工具技術(shù)數(shù)據(jù)晶圓直徑(基板尺寸):200和100-300毫米清潔系統(tǒng)開室,旋轉(zhuǎn)器和清潔臂腔室:由PP或PFA制成(可選)清潔介質(zhì):去離子水(標準),其他清潔介質(zhì)(可選)旋轉(zhuǎn)卡盤:真空卡盤(標準)和邊緣處理卡盤(選件),由不含金屬離子的清潔材料制成旋轉(zhuǎn):蕞高3000rpm(5秒內(nèi))超音速噴嘴頻率:1MHz(3MHz選件)輸出功率:30-60W去離子水流量:蕞高1.5升/分鐘有效清潔區(qū)域:? 4.0mm材質(zhì):聚四氟乙烯

EVG320技術(shù)數(shù)據(jù)晶圓直徑(基板尺寸)200、100-300毫米清潔系統(tǒng)開室,旋轉(zhuǎn)器和清潔臂腔室:由PP或PFA制成(可選)清潔介質(zhì):去離子水(標準),其他清潔介質(zhì)(可選)旋轉(zhuǎn)卡盤:真空卡盤(標準)和邊緣處理卡盤(選件),由不含金屬離子的清潔材料制成旋轉(zhuǎn):蕞高3000rpm(5秒內(nèi))超音速噴嘴頻率:1MHz(3MHz選件)輸出功率:30-60W去離子水流量:蕞高1.5升/分鐘有效清潔區(qū)域:?4.0mm材質(zhì):聚四氟乙烯兆聲區(qū)域傳感器可選的頻率:1MHz(3MHz選件)輸出功率:蕞大2.5W/cm2有效面積(蕞大輸出200W)去離子水流量:蕞高1.5升/分鐘有效的清潔區(qū)域:三角形,確保每次旋轉(zhuǎn)時整個晶片的輻射均勻性材質(zhì):不銹鋼和藍寶石刷的參數(shù):材質(zhì):PVA可編程參數(shù):刷子和晶圓速度(rpm)可調(diào)參數(shù)(刷壓縮,介質(zhì)分配)自動化晶圓處理系統(tǒng)掃描區(qū)域兼容晶圓處理機器人領(lǐng)域EVG320,使24小時自動化盒對盒或FOUP到FOUP操作,達到蕞高吞吐量。與晶圓接觸的表面不會引起任何金屬離子污染??蛇x功能:ISO3mini-environment(根據(jù)ISO14644)烘烤/冷卻模塊-適用于GEMINI用于在涂布后和鍵合之前加工粘合劑層。

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1)由既定拉力測試高低溫循環(huán)測試結(jié)果可以看出,該鍵合工藝在滿足實際應(yīng)用所需鍵合強度的同時,解決了鍵合對硅晶圓表面平整度和潔凈度要求極高、對環(huán)境要求苛刻的問題。2)由高低溫循環(huán)測試結(jié)果可以看出,該鍵合工藝可以適應(yīng)復(fù)雜的實際應(yīng)用環(huán)境,且具有工藝溫度低,容易實現(xiàn)圖形化,應(yīng)力匹配度高等優(yōu)點。3)由破壞性試驗結(jié)果可以看出,該鍵合工藝在圖形邊沿的鍵合率并不高,鍵合效果不太理想,還需對工藝流程進一步優(yōu)化,對工藝參數(shù)進行改進,以期達到更高的鍵合強度與鍵合率。 EVG501鍵合機:桌越的壓力和溫度均勻性、高真空鍵合室、自動鍵合和數(shù)據(jù)記錄。實驗室鍵合機技術(shù)服務(wù)

EVG的鍵合機設(shè)備占據(jù)了半自動和全自動晶圓鍵合機的zhuyao市場份額,并且安裝的機臺已經(jīng)超過1500套。重慶鍵合機學(xué)校會用嗎

EVG®850DB自動解鍵合機系統(tǒng)全自動解鍵合,清潔和卸載薄晶圓特色技術(shù)數(shù)據(jù)在全自動解鍵合機中,經(jīng)過處理的臨時鍵合晶圓疊層被分離和清洗,而易碎的設(shè)備晶圓始終在整個工具中得到支撐。支持的剝離方法包括UV激光,熱剝離和機械剝離。使用所有解鍵合方法,都可以通過薄膜框架安裝或薄晶圓處理器來支撐設(shè)備晶圓。特征在有形和無形的情況下,都能可靠地處理變薄的、彎曲和翹曲的晶片自動清洗解鍵合晶圓程序控制系統(tǒng)實時監(jiān)控和記錄所有相關(guān)過程參數(shù)自動化工具中完全集成的SECS/GEM界面適用于不同基板尺寸的橋接工具功能模塊化的工具布局→根據(jù)特定工藝優(yōu)化了產(chǎn)量技術(shù)數(shù)據(jù)晶圓直徑(基板尺寸)高達300毫米高達12英寸的薄膜面積組態(tài)解鍵合模塊清潔模塊薄膜裱框機選件ID閱讀多種輸出格式高形貌的晶圓處理翹曲的晶圓處理 重慶鍵合機學(xué)校會用嗎