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    薄膜電阻在潮濕的條件下極易自蝕。浸入封裝過程中，水蒸汽會帶入雜質(zhì)，產(chǎn)生的化學(xué)腐蝕會在低壓直流應(yīng)用幾小時內(nèi)造成薄膜電阻開路。改變薄膜厚度會嚴重影響TCR。由于較薄的沉積層更容易氧化，因此高阻值薄膜電阻退化率非常高。厚膜電阻如前所述，受尺寸、體積和重量的影響，線繞電阻不可能采用晶片型。盡管精度低于線繞電阻，但由于具有更高的電阻密度(高阻值/小尺寸)且成本更低，厚膜電阻得到使用。與薄膜電阻和金屬箔電阻一樣，厚膜電阻頻響速度快，但在目前使用的電阻技術(shù)中，其噪聲。雖然精度低于其他技術(shù)，但我們之所以在此討論厚膜電阻技術(shù)，是由于其應(yīng)用于幾乎每一種電路，包括高精密電路中精度要求不高的部分。厚膜電阻依靠玻璃基體中粒子間的接觸形成電阻。這些觸點構(gòu)成完整電阻，但工作中的熱應(yīng)變會中斷接觸。由于大部分情況下并聯(lián)，厚膜電阻不會開路，但阻值會隨著時間和溫度持續(xù)增加。因此，與其他電阻技術(shù)相比，厚膜電阻穩(wěn)定性差(時間、溫度和功率)。由于結(jié)構(gòu)中成串的電荷運動，粒狀結(jié)構(gòu)還會使厚膜電阻產(chǎn)生很高的噪聲。給定尺寸下，電阻值越高，金屬成份越少，噪聲越高，穩(wěn)定性越差。厚膜電阻結(jié)構(gòu)中的玻璃成分在電阻加工過程中形成玻璃相保護層。江蘇新普瑞金屬材料科技有限公司的電阻多少錢？北侖區(qū)濾波電阻供應(yīng)

    常用電阻特性優(yōu)缺點比較近二十年來，電子工業(yè)以驚人的速度發(fā)展。新技術(shù)的進步在減小設(shè)備尺寸的同時，也加大了分立元件制造商開發(fā)理想性能器件的壓力。在這些器件中，晶片電阻當前始終保持很高的需求，并且是許多電路的基礎(chǔ)構(gòu)件。它們的空間利用率優(yōu)于分立式封裝電阻，減少了組裝前期準備的工作量。隨著應(yīng)用的普及，晶片電阻具有越來越重要的作用。主要參數(shù)包括ESD保護、熱電動勢(EMF)、電阻熱系數(shù)(TCR)、自熱性、長期穩(wěn)定性、功率系數(shù)和噪聲等。以下技術(shù)對比中將討論線繞電阻在精密電路中的應(yīng)用。不過請注意，線繞電阻沒有晶片型，因此，受重量和尺寸限制需要采用精密晶片電阻的應(yīng)用不使用這種電阻。盡管升級每個組件或子系統(tǒng)可以提高整體性能，但整體性能仍是由組件鏈中的短板決定的。系統(tǒng)中的每個組件都具有關(guān)系到整體性能的內(nèi)在優(yōu)缺點，特別是短期和長期穩(wěn)定性、頻響和噪聲等問題。分立式電阻行業(yè)在線繞電阻、厚膜電阻、薄膜電阻和金屬箔電阻技術(shù)方面取得了進步，而從單位性能成本考慮，每種電阻都有許多需要加以權(quán)衡的因素。各種電阻技術(shù)的優(yōu)缺點如表1所示，表中給出了熱應(yīng)力和機械應(yīng)力對電阻電氣特性的影響。表1:不同類型電阻的特性應(yīng)力。北侖區(qū)智能電阻誠信為本江蘇新普瑞金屬材料科技有限公司的電阻批發(fā)多少錢？

    在選擇時如果測量溫度在200℃左右就應(yīng)該選擇熱電阻測量，如果測量溫度在600℃就應(yīng)該選擇K型熱電偶，如果測量溫度在1200~1600℃就應(yīng)該選擇S型或者B型熱電偶。熱電阻與熱電偶相比有以下特點：1、同樣溫度下輸出信號較大，易于測量。2、測電阻必須借助外加電源。3、熱電阻感溫部分尺寸較大，而熱電偶工作端是很小的焊點，因而熱電阻測溫的反應(yīng)速度比熱電偶慢；4、同類材料制成的熱電阻不如熱電偶測溫上限高。熱電偶和熱電阻區(qū)別:熱電阻（圖11）、信號的性質(zhì)，熱電阻本身是電阻，溫度的變化，使電阻產(chǎn)生正的或者是負的阻值變化；而熱電偶是產(chǎn)生感應(yīng)電壓的變化，他隨溫度的改變而改變..雖然都是接觸式測溫儀表，但它們的測溫范圍不同，熱電偶使用在溫度較高的環(huán)境，如鉑銠30---鉑銠6(B型)測量范圍為300度~~1600度，短期可測1800度。S型測一20~~1300(短期1600),K型測一50~~1000，短期1200).XK型一50~~600(800),E型一40~~800(900).還有J型，T型等。這類儀表一般用于500度以上的較高溫度，低溫區(qū)時輸出熱電勢很，當電勢小時，對抗干擾措施和二次表和要求很高，否則測量不準，還有，在較低的溫度區(qū)域，冷端溫度的變化和環(huán)境溫度的變化所引起的相對誤差就顯得很突出，不易得到全補償。

    因此厚膜電阻的抗?jié)裥愿哂诒∧る娮琛＝饘俨娮鑼⒕哂幸阎涂煽靥匦缘奶胤N金屬箔片敷在特殊陶瓷基片上，形成熱機平衡力對于電阻成型是十分重要的。然后，采用超精密工藝光刻電阻電路。這種工藝將低TCR、長期穩(wěn)定性、無感抗、無ESD感應(yīng)、低電容、快速熱穩(wěn)定性和低噪聲等重要特性結(jié)合在一種電阻技術(shù)中。這些功能有助于提高系統(tǒng)穩(wěn)定性和可靠性，精度、穩(wěn)定性和速度之間不必相互妥協(xié)。為獲得精確電阻值，大金屬箔晶片電阻可通過有選擇地消除內(nèi)在“短板”進行修整。當需要按已知增量加大電阻時，可以切割標記的區(qū)域(圖2)，逐步少量提高電阻。圖2合金特性及其與基片之間的熱機平衡力形成的標準溫度系數(shù)，在0°C至+60°C范圍內(nèi)為±1ppm/°C(Z箔為ppm/°C)(圖3)。圖3采用平箔時，并聯(lián)電路設(shè)計可降低阻抗，電阻總阻抗為uH。電容為pF。1-k?電阻設(shè)置時間在100MHZ以下小于1ns。上升時間取決于電阻值，但較高和較低電阻值相對于中間值略有下降。沒有振鈴噪聲對于高速切換電路是十分重要的，例如信號轉(zhuǎn)換。100MHZ頻率下，1-k?大金屬箔電阻直流電阻與其交流電阻的對比可用以下公式表示：交流電阻/直流電阻=圖4:大金屬箔電阻結(jié)構(gòu)金屬箔技術(shù)組合了高度理想的、過去達不到的電阻特性。電阻多少錢一個？歡迎咨詢江蘇新普瑞。

    因此它們的工作穩(wěn)定性不一樣，設(shè)計的電阻比在設(shè)備生命周期中會發(fā)生很大變化。TCR特性和比率對于高精度電路極為重要。傳統(tǒng)線繞電阻加工方法不能消除纏繞、封裝、插入和引線成型工藝中產(chǎn)生的各種應(yīng)力。固定過程中，軸向引線往往采用拉緊工藝，通過機械力加壓封裝。這兩種方法會改變電阻，無論加電或不加電。從長期角度看，由于電阻絲調(diào)整為新的形狀，線繞元件會發(fā)生物理變化。薄膜電阻薄膜電阻由陶瓷基片上厚度為50?至250?的金屬沉積層組成(采用真空或濺射工藝)。薄膜電阻單位面積阻值高于線繞電阻或BulkMetal?金屬箔電阻，而且更為便宜。在需要高阻值而精度要求為中等水平時，薄膜電阻更為經(jīng)濟并節(jié)省空間。它們具有溫度敏感沉積層厚度，但薄膜厚度產(chǎn)生的電阻值嚴重限制了可能的電阻值范圍。因此，采用各種沉積層厚度可以實現(xiàn)不同的電阻值范圍。薄膜電阻的穩(wěn)定性受溫度上升的影響。薄膜電阻穩(wěn)定性的老化過程因?qū)崿F(xiàn)不同電阻值所需的薄膜厚度而不同，因此在整個電阻范圍內(nèi)是可變的。這種化學(xué)/機械老化還包括電阻合金的高溫氧化。此外，改變薄膜厚度還會嚴重影響TCR。由于較薄的沉積層更容易氧化，因此高阻值薄膜電阻退化率非常高。由于金屬量少。江蘇新普瑞金屬材料科技有限公司的電阻怎么樣？海曙區(qū)智能電阻售后服務(wù)

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    在程控制中的應(yīng)用極其。工業(yè)上常用金屬熱電阻從電阻隨溫度的變化來看，大部分金屬導(dǎo)體都有這個性質(zhì)，但并不是都能用作測溫熱電阻，作為熱電阻的金屬材料一般要求：盡可能大而且穩(wěn)定的溫度系數(shù)、電阻率要大（在同樣靈敏度下減小傳感器的尺寸）、在使用的溫度范圍內(nèi)具有穩(wěn)定的化學(xué)物理性能、材料的復(fù)制性好、電阻值隨溫度變化要有間值函數(shù)關(guān)系（好呈線性關(guān)系）。實際應(yīng)用/熱電阻編輯熱電阻（圖4）目前應(yīng)用的熱電阻材料是鉑和銅：鉑電阻精度高，適用于中性和氧化性介質(zhì)，穩(wěn)定性好，具有一定的非線性，溫度越高電阻變化率越??；銅電阻在測溫范圍內(nèi)電阻值和溫度呈線性關(guān)系，溫度線數(shù)大，適用于無腐蝕介質(zhì)，超過150易被氧化。中國常用的有R0=10Ω、R0=100Ω和R0=1000Ω等幾種，它們的分度號分別為Pt10、Pt100、Pt1000；銅電阻有R0=50Ω和R0=100Ω兩種，它們的分度號為Cu50和Cu100。其中Pt100和Cu50的應(yīng)用為。接線方式/熱電阻編輯熱電阻（圖5）熱電阻是把溫度變化轉(zhuǎn)換為電阻值變化的一次元件，通常需要把電阻信號通過引線傳遞到計算機控制裝置或者其它一次儀表上。工業(yè)用熱電阻安裝在生產(chǎn)現(xiàn)場，與控制室之間存在一定的距離，因此熱電阻的引線對測量結(jié)果會有較大的影響。北侖區(qū)濾波電阻供應(yīng)

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