正向導電，反向不導電）晶體二極管是一個由p型半導體和n型半導體形成的p-n結，在其界面處兩側形成了空間電荷層，并且建有自建電場，當不存在外加電壓時，因為p-n結兩邊載流子濃度差引起的擴散電流和自建電場引起的漂移電流相等而處于電平衡狀態(tài)。當產生正向電壓偏置時，外界電場與自建電場的互相抑消作用使載流子的擴散電流增加引起了正向電流（也就是導電的原因）。當產生反向電壓偏置時，外界電場與自建電場進一步加強，形成在一定反向電壓范圍中與反向偏置電壓值無關的反向飽和電流I0（這也就是不導電的原因）。當外加的反向電壓高到一定程度時，p-n結空間電荷層中的電場強度達到臨界值產生載流子的倍增過程，產生大量電子空穴對，產生了數(shù)值很大的反向擊穿電流，稱為二極管的擊穿現(xiàn)象。二極管原理反向擊穿編輯反向擊穿按機理分為齊納擊穿和雪崩擊穿兩種情況。在高摻雜濃度的情況下，因勢壘區(qū)寬度很小，反向電壓較大時，破壞了勢壘區(qū)內共價鍵結構，使價電子脫離共價鍵束縛，產生電子-空穴對，致使電流急劇增大，這種擊穿稱為齊納擊穿。如果摻雜濃度較低，勢壘區(qū)寬度較寬，不容易產生齊納擊穿。雪崩擊穿另一種擊穿為雪崩擊穿。當反向電壓增加到較大數(shù)值時。MEK95-06DA供應快恢復二極管；河北IXYS艾賽斯二極管標準封裝
二極管的反向飽和電流受溫度影響很大。[4]一般硅管的反向電流比鍺管小得多，小功率硅管的反向飽和電流在nA數(shù)量級，小功率鍺管在μA數(shù)量級。溫度升高時，半導體受熱激發(fā)，少數(shù)載流子數(shù)目增加，反向飽和電流也隨之增加。[4]二極管擊穿特性外加反向電壓超過某一數(shù)值時，反向電流會突然增大，這種現(xiàn)象稱為電擊穿。引起電擊穿的臨界電壓稱為二極管反向擊穿電壓。電擊穿時二極管失去單向導電性。如果二極管沒有因電擊穿而引起過熱，則單向導電性不一定會被長久破壞，在撤除外加電壓后，其性能仍可恢復，否則二極管就損壞了。因而使用時應避免二極管外加的反向電壓過高。[5]反向擊穿按機理分為齊納擊穿和雪崩擊穿兩種情況。在高摻雜濃度的情況下，因勢壘區(qū)寬度很小，反向電壓較大時，破壞了勢壘區(qū)內共價鍵結構，使價電子脫離共價鍵束縛，產生電子-空穴對，致使電流急劇增大，這種擊穿稱為齊納擊穿。如果摻雜濃度較低，勢壘區(qū)寬度較寬，不容易產生齊納擊穿。[5]另一種擊穿為雪崩擊穿。當反向電壓增加到較大數(shù)值時，外加電場使電子漂移速度加快，從而與共價鍵中的價電子相碰撞，把價電子撞出共價鍵，產生新的電子-空穴對。新產生的電子-空穴被電場加速后又撞出其它價電子。河北西門康可控硅二極管供應橋式整流二極管MEO450-12DA；
半導體制成的二極管有什么作用1、整流二極管利用二極管單向導電性，可以把方向交替變化的交流電變換成單一方向的脈動直流電。2、開關元件二極管在正向電壓作用下電阻很小，處于導通狀態(tài)，相當于一只接通的開關；在反向電壓作用下，電阻很大，處于截止狀態(tài)，如同一只斷開的開關。利用二極管的開關特性，可以組成各種邏輯電路。3、限幅元件二極管正向導通后，它的正向壓降基本保持不變（硅管為，鍺管為）。利用這一特性，在電路中作為限幅元件，可以把信號幅度限制在一定范圍內。4、繼流二極管在開關電源的電感中和繼電器等感性負載中起繼流作用。5、檢波二極管在收音機中起檢波作用。6、變容二極管使用于電視機的高頻頭中。7、顯示元件用于電視機顯示器上。
若能運用元器件的某一特性去合理地解釋它在電路中的作用，說明電路分析很可能是正確的。例如，在上述電路分析中，只能用二極管的溫度特性才能合理解釋電路中VD1的作用。2）溫度補償電路的溫度補償是雙向的，即能夠補償由于溫度升高或降低而引起的電路工作的不穩(wěn)定性。3）分析溫度補償電路工作原理時，要假設溫度的升高或降低變化，然后分析電路中的反應過程，得到正確的電路反饋結果。在實際電路分析中，可以只設溫度升高進行電路補償?shù)姆治觯槐卦俜治鰷囟冉档蜁r電路補償?shù)那闆r，因為溫度降低的電路分析思路、過程是相似的，只是電路分析的每一步變化相反。4）在上述電路分析中，VT1基極與發(fā)射極之間PN結（發(fā)射結）的溫度特性與VD1溫度特性相似，因為它們都是PN結的結構，所以溫度補償?shù)慕Y果比較好。5）在上述電路中的二極管VD1，對直流工作電壓+V的大小波動無穩(wěn)定作用，所以不能補償由直流工作電壓+V大小波動造成的VT1管基極直流工作電流的不穩(wěn)定性。5．故障檢測方法和電路故障分析這一電路中的二極管VD1故障檢測方法比較簡單，可以用萬用表歐姆檔在路測量VD1正向和反向電阻大小的方法。當VD1出現(xiàn)開路故障時，三極管VT1基極直流偏置電壓升高許多。上海寅涵智能科技是快恢復二極管進口廠商，種類齊全，價格優(yōu)惠。
晶體二極管為一個由p型半導體和n型半導體形成的p-n結，在其界面處兩側形成空間電荷層，并建有自建電場。當不存在外加電壓時，由于p-n結兩邊載流子濃度差引起的擴散電流和自建電場引起的漂移電流相等而處于電平衡狀態(tài)。當外界有正向電壓偏置時，外界電場和自建電場的互相抑消作用使載流子的擴散電流增加引起了正向電流。當外界有反向電壓偏置時，外界電場和自建電場進一步加強，形成在一定反向電壓范圍內與反向偏置電壓值無關的反向飽和電流I0。中文名二級管外文名diode目錄1二極管簡介2二極管特性3二極管的原理4反向擊穿5應用6類型7發(fā)光二極管二極管原理二極管簡介編輯二極管內部構造二極管的英文是diode。二極管的正.負二個端子,(如圖)一端稱為陽極,一端稱為陰極。電流只能從陽極向陰極方向移動。二極管是由半導體組成的器件。半導體無論哪個方向都能流動電流。二極管原理二極管特性編輯二極管（英語：Diode），電子元件當中，一種具有兩個電極的裝置，只允許電流由單一方向流過。許多的使用是應用其整流的功能。而變容二極管（VaricapDiode）則用來當作電子式的可調電容器。大部分二極管所具備的電流方向性，通常稱之為“整流（Rectifying）”功能?？煽毓璋雌湟_和極性可分為二極可控硅、三極可控硅和四極可控硅；貴州艾賽斯可控硅二極管代理貨源
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半導體二極管：半導體二極管是指利用半導體特性的兩端電子器件。常見的半導體二極管是PN結型二極管和金屬半導體接觸二極管。它們的共同特點是伏安特性的不對稱性，即電流沿其一個方向呈現(xiàn)良好的導電性，而在相反方向呈現(xiàn)高阻特性。可用作為整流、檢波、穩(wěn)壓、恒流、變容、開關、發(fā)光及光電轉換等。利用高摻雜PN結中載流子的隧道效應可制成超高頻放大或超高速開關的隧道二極管。正向特性即二極管正向偏置時的電壓與電流的關系。二極管兩端加正向電壓較小時，正向電壓產生的外電場不足以使多子形成擴散運動，這時的二極管實際上還沒有很好地導通，通常稱為"死區(qū)"，二極管相當于一個極大的電阻，正向電流很小。當正向電壓超過一定值后，內電場被削弱，多子在外電場的作用下形成擴散運動，這時，正向電流隨正向電壓的增大迅速增大，二極管導通。該電壓稱為門檻電壓(也稱閾值電壓)，用Vth表示。在室溫下，硅管的Vth約為0.5V，鍺管的Vth約為0.1V。二極管一旦導通后，隨著正向電壓的微小增加，正向電流會有極大的增加，此時二極管呈現(xiàn)的電阻很小，可認為二極管具有恒壓特性。河北IXYS艾賽斯二極管標準封裝