Ziptronix Inc. 與 EV Group(簡(jiǎn)稱“EVG ”)***宣布已成功地在客戶提供的300毫米DRAM晶圓實(shí)現(xiàn)亞微米鍵合后對(duì)準(zhǔn)精度。方法是在 EVG Gemini FB 產(chǎn)品融合鍵合機(jī)和 SmartView NT 鍵合對(duì)準(zhǔn)機(jī)上采用 Ziptronix 的DBI混合鍵合技術(shù)。這種方法可用于制造各種應(yīng)用的微間距3D集成電路,包括堆棧存儲(chǔ)器、上等圖像傳感器和堆棧式系統(tǒng)芯片 (SoC)。 Ziptronix 的首席技術(shù)官兼工程副總裁 Paul Enquist 表示:“DBI 混合鍵合技術(shù)的性能不受連接間距的限制,只需要可進(jìn)行測(cè)量的適當(dāng)?shù)膶?duì)準(zhǔn)和布局工具,而這是之前一直未能解決的...
從表面上看,“引線鍵合”似乎只是焊接的另一個(gè)術(shù)語(yǔ),但由于涉及更多的變量,因此該過(guò)程實(shí)際上要復(fù)雜得多。為了將各種組件長(zhǎng)久地連接在一起,在電子設(shè)備上執(zhí)行引線鍵合過(guò)程,但是由于項(xiàng)目的精致性,由于它們的導(dǎo)電性和相對(duì)鍵合溫度,通常*應(yīng)用金,鋁和銅。通過(guò)使用球形鍵合或楔形鍵合可完成此方法結(jié)合了低熱量,超聲波能量和微量壓力的技術(shù),可避免損壞電子電路。如果執(zhí)行不當(dāng),很容易損壞微芯片或相應(yīng)的焊盤,因此強(qiáng)烈建議在以前損壞或一次性使用的芯片上進(jìn)行練習(xí),然后再嘗試進(jìn)行引線鍵合。EVG鍵合機(jī)通過(guò)在高真空,精確控制的真空、溫度或高壓條件下鍵合,可以滿足各種苛刻的應(yīng)用。BONDSCALE鍵合機(jī)學(xué)校會(huì)用嗎EVG?6200鍵合...
從表面上看,“引線鍵合”似乎只是焊接的另一個(gè)術(shù)語(yǔ),但由于涉及更多的變量,因此該過(guò)程實(shí)際上要復(fù)雜得多。為了將各種組件長(zhǎng)久地連接在一起,在電子設(shè)備上執(zhí)行引線鍵合過(guò)程,但是由于項(xiàng)目的精致性,由于它們的導(dǎo)電性和相對(duì)鍵合溫度,通常*應(yīng)用金,鋁和銅。通過(guò)使用球形鍵合或楔形鍵合可完成此方法結(jié)合了低熱量,超聲波能量和微量壓力的技術(shù),可避免損壞電子電路。如果執(zhí)行不當(dāng),很容易損壞微芯片或相應(yīng)的焊盤,因此強(qiáng)烈建議在以前損壞或一次性使用的芯片上進(jìn)行練習(xí),然后再嘗試進(jìn)行引線鍵合。以上應(yīng)用工藝也讓MEMS器件,RF濾波器和BSI(背面照明)CIS(CMOS圖像傳感器)的生產(chǎn)迅速增長(zhǎng)。高精密儀器鍵合機(jī)可以免稅嗎 用晶圓級(jí)...
陽(yáng)極鍵合是晶片鍵合的一種方法,***用于微電子工業(yè)中,利用熱量和靜電場(chǎng)的結(jié)合將兩個(gè)表面密封在一起。這種鍵合技術(shù)蕞常用于將玻璃層密封到硅晶圓上。也稱為場(chǎng)輔助鍵合或靜電密封,它類似于直接鍵合,與大多數(shù)其他鍵合技術(shù)不同,它通常不需要中間層,但不同之處在于,它依賴于當(dāng)離子運(yùn)動(dòng)時(shí)表面之間的靜電吸引對(duì)組件施加高電壓。 可以使用陽(yáng)極鍵合將金屬鍵合到玻璃上,并使用玻璃的薄中間層將硅鍵合到硅上。但是,它特別適用于硅玻璃粘接。玻璃需要具有高含量的堿金屬(例如鈉),以提供可移動(dòng)的正離子。通常使用一種特定類型的玻璃,其中包含約3.5%的氧化鈉(Na 2 O)。 EVG鍵合機(jī)跟應(yīng)用相對(duì)應(yīng),鍵合方法...
EVG501是一種高度靈活的晶圓鍵合系統(tǒng),可處理從單芯片到150 mm(200 mm鍵合室的情況下為200 mm)的基片。該工具支持所有常見(jiàn)的晶圓鍵合工藝,如陽(yáng)極,玻璃料,焊料,共晶,瞬態(tài)液相和直接鍵合。易于操作的鍵合室和工具設(shè)計(jì),讓用戶能快速,輕松地重新裝配不同的晶圓尺寸和工藝,轉(zhuǎn)換時(shí)間小于5分鐘。這種多功能性非常適合大學(xué),研發(fā)機(jī)構(gòu)或小批量生產(chǎn)。鍵合室的基本設(shè)計(jì)在EVG的HVM(量產(chǎn))工具上是相同的,例如GEMINI,鍵合程序很容易轉(zhuǎn)移,這樣可以輕松擴(kuò)大生產(chǎn)量。EVG鍵合機(jī)也可以通過(guò)添加電源來(lái)執(zhí)行陽(yáng)極鍵合。對(duì)于UV固化的黏合劑,可選的鍵合室蓋里具有UV源。美元報(bào)價(jià)鍵合機(jī)芯片堆疊應(yīng)用 該技術(shù)...
EVG 晶圓鍵合機(jī)上的鍵合過(guò)程 支持全系列晶圓鍵合工藝對(duì)于當(dāng)今和未來(lái)的器件制造是至關(guān)重要。鍵合方法的一般分類是有或沒(méi)有夾層的鍵合操作。雖然對(duì)于無(wú)夾層鍵合(直接鍵合,材料和表面特征利于鍵合,但為了與夾層結(jié)合,鍵合材料的沉積和組成決定了鍵合線的材質(zhì)。 EVG 鍵合機(jī)軟件支持 基于Windows的圖形用戶界面的設(shè)計(jì),注重用戶友好性,并可輕松引導(dǎo)操作員完成每個(gè)流程步驟。多語(yǔ)言支持,單個(gè)用戶帳戶設(shè)置和集成錯(cuò)誤記錄/報(bào)告和恢復(fù),可以簡(jiǎn)化用戶的日常操作。所有EVG系統(tǒng)都可以遠(yuǎn)程通信。因此,我們的服務(wù)包括通過(guò)安全連接,電話或電子郵件,對(duì)包括經(jīng)過(guò)現(xiàn)場(chǎng)驗(yàn)證的,實(shí)時(shí)遠(yuǎn)程診斷和排除故障。EVG經(jīng)驗(yàn)豐富的工藝工程師隨時(shí)...
ComBond自動(dòng)化的高真空晶圓鍵合系統(tǒng),高真空晶圓鍵合平臺(tái)促進(jìn)“任何物上的任何東西”的共價(jià)鍵合特色技術(shù)數(shù)據(jù),EVGComBond高真空晶圓鍵合平臺(tái)標(biāo)志著EVG獨(dú)特的晶圓鍵合設(shè)備和技術(shù)產(chǎn)品組合中的一個(gè)新里程碑,可滿足市場(chǎng)對(duì)更復(fù)雜的集成工藝的需求ComBond支持的應(yīng)用領(lǐng)域包括先進(jìn)的工程襯底,堆疊的太陽(yáng)能電池和功率器件到**MEMS封裝,高性能邏輯和“beyondCMOS”器件ComBond系統(tǒng)的模塊化集群設(shè)計(jì)提供了高度靈活的平臺(tái),可以針對(duì)研發(fā)和高通量,大批量制造環(huán)境中的各種苛刻的客戶需求量身定制ComBond促進(jìn)了具有不同晶格常數(shù)和熱膨脹系數(shù)(CTE)的異質(zhì)材料的鍵合,并通過(guò)其獨(dú)特的氧化物去...
真空系統(tǒng):9x10-2mbar(標(biāo)準(zhǔn))和9x10-3mbar(渦輪泵選件) 清潔站 清潔方式:沖洗(標(biāo)準(zhǔn)),超音速噴嘴,超音速面積傳感器,噴嘴,刷子(可選) 腔室:由PP或PFA制成(可選) 清潔介質(zhì):去離子水(標(biāo)準(zhǔn)),NH4OH和H2O2(蕞/大)。2%濃度(可選) 旋轉(zhuǎn)卡盤:真空卡盤(標(biāo)準(zhǔn))和邊緣處理卡盤(選件),由不含金屬離子的清潔材料制成 旋轉(zhuǎn):蕞/高3000rpm(5s) 清潔臂:蕞多5條介質(zhì)線(1個(gè)超音速系統(tǒng)使用2條線) 可選功能 ISO3mini-environment(根據(jù)ISO14644) LowTemp?等離子活化室 紅外檢查站 以上資料由岱美儀器提供并做技術(shù)支持 EVG...
熔融和混合鍵合系統(tǒng): 熔融或直接晶圓鍵合可通過(guò)每個(gè)晶圓表面上的介電層長(zhǎng)久連接,該介電層用于工程襯底或?qū)愚D(zhuǎn)移應(yīng)用,例如背面照明的CMOS圖像傳感器。 混合鍵合擴(kuò)展了與鍵合界面中嵌入的金屬焊盤的熔融鍵合,從而允許晶片面對(duì)面連接。混合綁定的主要應(yīng)用是高級(jí)3D設(shè)備堆疊。 EVG的熔融和混合鍵合設(shè)備包含:EVG301單晶圓清洗系統(tǒng);EVG320自動(dòng)化單晶圓清洗系統(tǒng);EVG810LT低溫等離子基活系統(tǒng);EVG850LTSOI和晶圓直接鍵合自動(dòng)化生產(chǎn)鍵合系統(tǒng);EVG850SOI和晶圓直接鍵合自動(dòng)化生產(chǎn)鍵合系統(tǒng);GEMINIFB自動(dòng)化生產(chǎn)晶圓鍵合系統(tǒng);BONDSCALE自動(dòng)化熔融鍵合生產(chǎn)...