濺射靶材的制備 濺射靶材的制備按工藝可分為熔融鑄造和粉末冶金兩大類，除嚴格控制材料純度、致密度、晶粒度以及結晶取向之外，對熱處理條件、后續(xù)加工方法等亦需加以嚴格控制。 一、粉末冶金法 粉末冶金法制備靶材時，其關鍵在于：(1)選擇高純、超細粉末作為原料；(2)選擇能實現(xiàn)快速致密化的成形燒結技術，以保證靶材的低孔隙率，并控制晶粒度；(3)制備過程嚴格控制雜質元素的引入。 二、熔融鑄造法 熔融鑄造法是制作濺射靶材的基本方法之一。為保證鑄錠中雜質元素含量盡可能低，通常其冶煉和澆注在真空或保護性氣氛下進行。但鑄造過程中，材料組織內(nèi)部難免存在一定的孔隙率，這些孔隙會導致濺...

靶材材質對靶濺射電壓的影響 1. 在真空條件不變的條件下,不同材質與種類靶材對磁控靶的正常濺射電壓會產(chǎn)生一定的影響。 2. 常用的靶材(如銅Cu、鋁Al、鈦Ti?)的正常濺射電壓一般在400~600V的范圍內(nèi)。 3. 有的難濺射的靶材(如錳Mn、鉻Cr等) 的濺射電壓比較高, 一般需>700V以上才能完成正常磁控濺射過程;而有的靶材(如氧化銦錫ITO) 的濺射電壓比較低，可以在200多伏電壓時實現(xiàn)正常的磁控濺射沉積鍍膜。 4. 實際鍍膜過程中，由于工作氣體壓力變化，或陰極與陽極間距偏小(使真空腔體內(nèi)阻抗特性發(fā)生變化)，或真空腔體與磁控靶的機械尺寸不匹配，同時選用了輸出特性較軟的...

磁控靶濺射沉積率的影響因素 濺射沉積率是表征成膜速度的參數(shù)，其沉積率高低除了與工作氣體的種類與壓力、靶材種類與“濺射刻蝕區(qū)“的面積大小、靶面溫度與靶面磁場強度、靶源與基片的間距等影響因素外，還受靶面的功率密度，亦即靶電源輸出的“濺射電壓與電流”兩個重要因素的直接影響。 1、濺射電壓與沉積率 在影響濺射系數(shù)的諸因數(shù)中，當靶材、濺射氣體等業(yè)已選定之后，比較起作用的就是磁控靶的放電電壓。一般來說，在磁控濺射正常工藝范圍內(nèi)，放電電壓越高，磁控靶的濺射系數(shù)就越大。 2、濺射電流與沉積率 磁控靶的濺射電流與靶面離子流成正比，因此對沉積率的影響比電壓要大得多。增加濺射電流的辦法有兩個：一個是提高工作電壓...

目前市場上常見的合金靶材有哪些？ 鈦鋁靶材,TiAl靶材，鈦硅靶材,TiSi靶材，鈦鎢靶材,TiW靶材，鎢鈦靶材WTi靶材，鈦鋁硅靶材,TiAlSi靶材，鉻鋁靶材,CrAl靶材，鉻硅靶材,CrSi靶材，硅鋁靶材,SiAl靶材，鋅錫靶材,ZnSn靶材，鋅鋁靶材,ZnAl靶材，鋁銅靶材,AlCu靶材，鎳鉻靶材,NiCr靶材，鎳釩靶材,NiV靶材，鎳鐵靶材,NiFe靶材，鎳銅靶材,NiCu靶材，鐵鈷靶材,FeCo靶材，鈦鈮靶材,TiNb靶材，鈦鋯靶材,TiZr靶材，銦錫靶材,InSn靶材，銅鋯靶材,CuZr靶材，鎂鋅鈣靶材,MgZnCa靶材，鎳鉻銅靶材,NiCrCu靶材，鉬鈮靶材,MoNb靶材，鋁釹...

等離子預處理工藝在真空鍍鋁膜中的應用。 等離子體是電離了的氣體。它由電子、離子和中性粒子3種成分組成，其中電子和離子的電荷總數(shù)基本相等，故整體是電中性的。在基材薄膜鍍鋁前，通過等離子處理裝置將電離的等離子體中的電子或離子打到基材薄膜表面，一方面，可以打開材料的長分子鏈，出現(xiàn)高能基團；另一方面，經(jīng)打擊使薄膜表面出現(xiàn)細小的凹陷，同時還可使表面雜質離解、重解。電離時放出的臭氧有強氧化性，附著的雜質被氧化而除去，使鍍鋁基材薄膜的表面自由能提高，達到提高鍍鋁層附著牢度的目的。 等離子預處理技術在不同公司其稱呼不同，如英國Bobst公司、德國Leybold Optic萊寶光電等稱之為等離子預處理，美國Ap...

鈀，是銀白色過渡金屬，較軟，有良好的延展性和可塑性，能鍛造、壓延和拉絲。塊狀金屬鈀能吸收大量氫氣，使體積***脹大，變脆乃至破裂成碎片。 原 子 量：106.4 密 度（20℃）/g?cm-3：12.02 熔 點/℃：1552 蒸發(fā)溫度/℃：1460 沸 點/℃：3140 汽化溫度/℃：1317 比 熱 容（25℃）J?（g?K）-1：0.2443 電 阻 率（0℃）/uΩ?cm：10.6 熔 化 熱/kJ?mol-1：16.7 汽 化 熱/ kJ?mol-1：361.7 熱 導 率（0～100℃）/J?（cm?s?℃）-1：0.753 電阻溫度系數(shù)（0～100℃）/℃-1：0.0038...

鈀，是銀白色過渡金屬，較軟，有良好的延展性和可塑性，能鍛造、壓延和拉絲。塊狀金屬鈀能吸收大量氫氣，使體積***脹大，變脆乃至破裂成碎片。 原 子 量：106.4 密 度（20℃）/g?cm-3：12.02 熔 點/℃：1552 蒸發(fā)溫度/℃：1460 沸 點/℃：3140 汽化溫度/℃：1317 比 熱 容（25℃）J?（g?K）-1：0.2443 電 阻 率（0℃）/uΩ?cm：10.6 熔 化 熱/kJ?mol-1：16.7 汽 化 熱/ kJ?mol-1：361.7 熱 導 率（0～100℃）/J?（cm?s?℃）-1：0.753 電阻溫度系數(shù)（0～100℃）/℃-1：0.0038...