磁控靶濺射沉積率的影響因素 濺射沉積率是表征成膜速度的參數(shù)，其沉積率高低除了與工作氣體的種類(lèi)與壓力、靶材種類(lèi)與“濺射刻蝕區(qū)“的面積大小、靶面溫度與靶面磁場(chǎng)強(qiáng)度、靶源與基片的間距等影響因素外，還受靶面的功率密度，亦即靶電源輸出的“濺射電壓與電流”兩個(gè)重要因素的直接影響。 1、濺射電壓與沉積率 在影響濺射系數(shù)的諸因數(shù)中，當(dāng)靶材、濺射氣體等業(yè)已選定之后，比較起作用的就是磁控靶的放電電壓。一般來(lái)說(shuō)，在磁控濺射正常工藝范圍內(nèi)，放電電壓越高，磁控靶的濺射系數(shù)就越大。 2、濺射電流與沉積率 磁控靶的濺射電流與靶面離子流成正比，因此對(duì)沉積率的影響比電壓要大得多。增加濺射電流的辦法有兩個(gè)：一個(gè)是提高工作...

中頻雙靶反應(yīng)磁控濺射與直流反應(yīng)磁控濺射相比具有以下幾個(gè)顯巨優(yōu)點(diǎn)： (1)消除了靶面打弧放電現(xiàn)象，中頻反應(yīng)磁控濺射鍍制的絕緣薄膜與直流反應(yīng)磁控濺射鍍制的同種膜相比，膜面缺 陷要少幾個(gè)數(shù)量級(jí); (2)可以得到比直流反應(yīng)磁控濺射高出數(shù)倍的濺射沉積速率; (3)中頻雙靶反應(yīng)磁控濺射的整個(gè)濺射沉積過(guò)程，可以始終穩(wěn)定在所設(shè)定的工作點(diǎn)上，為大規(guī)模工業(yè)化穩(wěn)定生產(chǎn)提供了條件。 選用非對(duì)稱(chēng)雙極脈沖靶電源與選用“雙靶-中頻靶電源”不同，使用單個(gè)磁控靶進(jìn)行反應(yīng)磁控濺射，調(diào)節(jié)相應(yīng)的鍍膜工藝參數(shù)，可以消除磁控靶面打弧放電現(xiàn)象和實(shí)現(xiàn)長(zhǎng)時(shí)間穩(wěn)定的薄膜沉積，可以達(dá)到上述“中頻-雙靶反應(yīng)磁控濺射”的同樣效果。反應(yīng)...

高純金屬的純度分析原則：高純金屬材料的純度一般用減量法衡量。減量計(jì)算的雜質(zhì)元素主要是金屬雜質(zhì)，不包括C,O,N,H等間隙元素，但是間隙元素的含量也是重要的衡量指標(biāo)，一般單獨(dú)提出。依應(yīng)用背景的不同，要求進(jìn)行分析的雜質(zhì)元素種類(lèi)少則十幾種,多則70多種。簡(jiǎn)單的說(shuō)高純金屬是幾個(gè)N(九)并不能真正的表達(dá)其純度,只有提供雜質(zhì)元素和間隙元素的種類(lèi)及其含量才能明確表達(dá)高純金屬的純度水平。高純金屬的純度檢測(cè)應(yīng)以實(shí)際應(yīng)用需要作為主要標(biāo)準(zhǔn)，例如目前工業(yè)電解鈷的純度一般接99.99%,而且檢測(cè)的雜質(zhì)元素種類(lèi)較少。我國(guó)電解鈷的有色金屬行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)(YS/T25522000)要求分析C,S,Mn,Fe,Ni,Cu,As,Pb...

簡(jiǎn)單地說(shuō)，靶材就是高速荷能粒子轟擊的目標(biāo)材料，通過(guò)更換不同的靶材（如鋁、銅、不銹鋼、鈦、鎳靶等），即可得到不同的膜系（如超硬、耐磨、防腐的合金膜等）。目前，（高純度）濺射靶材按照化學(xué)成分不同可分為：①金屬靶材（純金屬鋁、鈦、銅、鉭等）②合金靶材（鎳鉻合金、鎳鈷合金等）③陶瓷化合物靶材（氧化物、硅化物、碳化物、硫化物等）。按開(kāi)關(guān)不同可分為：長(zhǎng)靶、方靶、圓靶。按應(yīng)用領(lǐng)域不同可分為：半導(dǎo)體芯片靶材、平面顯示器靶材、太陽(yáng)能電池靶材、信息存儲(chǔ)靶材、工具改性靶材、電子器件靶材、其他靶材。濺射：即集成電路制造過(guò)程中要反復(fù)用到的工藝；靶材：就是濺射工藝中必不可少的重要原材料。那么，不同應(yīng)用領(lǐng)域，對(duì)...

塊狀金屬鈀能吸收大量氫氣，使體積脹大，變脆乃至破裂成碎片?；瘜W(xué)性質(zhì)不活潑，常溫下在空氣和潮濕環(huán)境中穩(wěn)定，加熱至 800℃，鈀表面形成一氧化鈀薄膜。 二、主要產(chǎn)品： 1、鈀 顆粒 99.99% 常規(guī)尺寸：φ3*6mm；量大可定做 2、鈀 靶材 99.99%? 常規(guī)尺寸：φ50*1mm；φ60*3mm；φ76.2*4mm等，尺寸可定做 3、電鏡鈀片常規(guī)尺寸：φ57*0.1mm *0.2mm 4、鈀 箔片 99.9 2mm等，尺寸可定做 二、其他 ： 打穿的鈀靶材、鈀殘料可提供回收再加工 。 回收流程如下： 稱(chēng)重----清洗、提純---熔煉加工---靶材等成品 高純靶,靶靶材鈀顆粒,鈀粉,鈀靶...

磁控靶材面積與承載功率范圍 1、靶材面積與承載功率范圍 (1) 圓形平面磁控靶功率密度范圍一般為1~25瓦/cm2。 (2)矩形平面磁控靶功率密度范圍一般為1~36瓦/cm2。 (3)柱狀磁控靶、錐形平面磁控靶功率密度范圍一般為40~50瓦/cm2。 2、磁控靶實(shí)際承載功率 磁控靶的實(shí)際的承載功率除了與濺射工藝、薄膜的質(zhì)量要求等因數(shù)有關(guān)外，主要與靶的冷卻狀況和散熱條件密切相關(guān)。磁控靶按其冷卻散熱方式的不同，分為“靶材直接水冷卻”和“靶材間接水冷卻”兩種。 考慮到濺射靶長(zhǎng)期使用老化后，其散熱條件變差;兼顧各種不同靶材材質(zhì)的散熱系數(shù)的不同，磁控靶的使用時(shí)的承載功率，直接水冷...

磁控濺射不起輝的常見(jiàn)原因有哪些，怎么應(yīng)對(duì)？磁控濺射金屬靶時(shí)，無(wú)法起輝的原因有很多，常見(jiàn)主要原因有：1.靶材安裝準(zhǔn)確否?2.靶材表面是否干凈------------金屬靶表面氧化或有不清潔物質(zhì)，打磨清理干凈后即可。3.起輝電源是否正常------------檢查靶電源。4.靶與地線(xiàn)之間短路----------關(guān)掉機(jī)器，把設(shè)備的濺射靶卸下來(lái)，靶附近的零件仔細(xì)清洗一下；----------壓靶蓋旋的過(guò)緊，沒(méi)有和靶材之間留下適當(dāng)?shù)木嚯x，調(diào)整距離即可。5.永磁靶表面場(chǎng)強(qiáng)是否下降太多？---------如果下降太多，需要更換磁鋼。通常靶材為多晶結(jié)構(gòu)，晶粒大小可由微米到毫米量級(jí)。蘇州鋱靶圖片靶 濺...

鈀，是銀白色過(guò)渡金屬，較軟，有良好的延展性和可塑性，能鍛造、壓延和拉絲。塊狀金屬鈀能吸收大量氫氣，使體積***脹大，變脆乃至破裂成碎片。 原 子 量：106.4 密 度（20℃）/g?cm-3：12.02 熔 點(diǎn)/℃：1552 蒸發(fā)溫度/℃：1460 沸 點(diǎn)/℃：3140 汽化溫度/℃：1317 比 熱 容（25℃）J?（g?K）-1：0.2443 電 阻 率（0℃）/uΩ?cm：10.6 熔 化 熱/kJ?mol-1：16.7 汽 化 熱/ kJ?mol-1：361.7 熱 導(dǎo) 率（0～100℃）/J?（cm?s?℃）-1：0.753 電阻溫度系數(shù)（0～100℃）/℃-1：0.00...

電致變色智能玻璃的特點(diǎn)：電致變色智能玻璃在電場(chǎng)作用下具有光吸收透過(guò)的可調(diào)節(jié)性，可選擇性地吸收或反射外界的熱輻射和內(nèi)部的熱的擴(kuò)散，減少辦公大樓和民用住宅在夏季保持涼爽和冬季保持溫暖而必須消耗的大量能源。同時(shí)起到改善自然光照程度、防窺的目的。解決現(xiàn)代不斷惡化的城市光污染問(wèn)題。是節(jié)能建筑材料的一個(gè)發(fā)展方向。調(diào)光玻璃的調(diào)光原理是：在自然狀態(tài)下（斷電不加電場(chǎng)），它內(nèi)部液晶的排列是無(wú)規(guī)則的，液晶的折射率比外面聚合物的折射率低，入射光在聚合物上發(fā)生散射，呈乳白色，即不透明。當(dāng)加上電場(chǎng)（通電）以后，有彌散分布液晶的聚合物內(nèi)液滴重新排列，液晶從無(wú)序排列變?yōu)槎ㄏ蛴行蚺帕?，使液晶的折射率與聚合物的折射率相等，入射光...

購(gòu)買(mǎi)靶材的注意事項(xiàng)有哪些許多用戶(hù)在采購(gòu)靶材時(shí)沒(méi)有從專(zhuān)業(yè)的角度去考慮，下面為大家指出購(gòu)買(mǎi)靶材時(shí)需要注意的事項(xiàng)。對(duì)于所有的金屬來(lái)說(shuō)，純度是靶材的主要性能指標(biāo)之一，靶材的純度對(duì)后期產(chǎn)品薄膜的性能影響很大。但是每一個(gè)產(chǎn)品對(duì)靶材的純度要求也有不相同的地方。其次就是靶材的雜質(zhì)含量。在經(jīng)過(guò)一系列的靶材工藝處理后靶材固體中的雜質(zhì)和氣孔中的氧氣和水氣是沉積薄膜的主要污染源。因?yàn)橛锰幉灰粯?，所以不同用途的靶材?duì)不同雜質(zhì)含量的要求也不同。比如現(xiàn)在的半導(dǎo)體工業(yè)用的純鋁及鋁合金靶材，對(duì)堿金屬含量和放射性元素含量都有特殊要求。 磁控濺射金屬靶時(shí)，無(wú)法起輝的原因有很多，常見(jiàn)主要原因。揚(yáng)州鈷酸鋰靶選型靶ITO薄膜...

真空離子鍍的耐腐蝕性： 金屬零件是要銹蝕的，但如果零件上鍍有一層防蝕鍍層，就能防止零件生銹。由于離子鍍所獲得的鍍層致密度高，少，耐腐蝕性能好，并能沉積許多其他工藝至今不能沉積的優(yōu)良防腐蝕鍍層。因此，離子鍍目前在鍍防腐蝕材料方面應(yīng)用廣。如水上飛機(jī)的壁板及其他外表零件，可用此法鍍復(fù)防止鹽霧和海水腐蝕的防蝕鍍層;與鋁合金零件相配合的其他材料零件也可用此法鍍鋁，以防止電位差腐蝕。此外，隨著飛機(jī)飛行速度和高度的提高以及宇宙探索的進(jìn)展，鈦合金的應(yīng)用越來(lái)越多，如果仍象鋁合金零件那樣采用鍍鎘防腐蝕，使用中就有鎘脆的危險(xiǎn);但如若鍍以三氧化二鋁，則能完全滿(mǎn)足要求。不過(guò)電鍍等工藝是無(wú)法鍍這種材料的。離子鍍卻能大...

真空離子鍍?cè)诤娇蘸教旆矫娴膽?yīng)用： 在現(xiàn)代飛機(jī)、航空發(fā)動(dòng)機(jī)或航空儀表中，特別是在航宇器，如宇宙飛船、人造衛(wèi)星中，有不少旋轉(zhuǎn)零件都要求有良好的潤(rùn)滑，但往往由于封存過(guò)久、環(huán)境溫度過(guò)高或太空揮發(fā)等原因，普通油脂潤(rùn)滑劑已不再適用，從而提出以固體潤(rùn)滑劑代替。試驗(yàn)表明，用離子鍍來(lái)制作固體潤(rùn)滑膜，比現(xiàn)有其他方法為優(yōu)。不但附著力強(qiáng)，鍍層又薄又勻，不影響零件的尺寸精度和公差配合。經(jīng)濟(jì)性也好，少許潤(rùn)滑材料即可鍍很大面積。潤(rùn)滑膜的質(zhì)量也較好，摩擦系數(shù)小，使用壽命也長(zhǎng)。例如有一個(gè)人造衛(wèi)星上的精密軸承，未鍍前工作壽命為幾分鐘，根本無(wú)法使用;但是經(jīng)離子鍍固體潤(rùn)滑膜后，則可在飛行中可靠地工作數(shù)千小時(shí)之久。離子鍍不能夠鍍?cè)S多種...

6.起輝濺射真空度與前次的差別？---------更換不同的靶材，起輝壓強(qiáng)不盡相同。換靶材后需要重新調(diào)功率匹配器的，只有功率匹配調(diào)好了才能正常起輝。五．磁控濺射一定要求靶材表面要拋光嗎？磁控濺射過(guò)程中，等離子體的離子撞擊靶材，濺射出靶材的原子、原子團(tuán)、離子、電子、光子等，原子、離子、原子團(tuán)沉積到基材上形成薄膜。濺射發(fā)生在靶材表面，靶材表面物理狀態(tài)不均勻也沒(méi)有關(guān)系，濺射的時(shí)候會(huì)先濺射凸起，濺射時(shí)間長(zhǎng)了，靶材自己就平了。所以物理不均勻的狀態(tài)不需要拋光。濺射靶材射頻的頻率提高后就成為微波等離子體濺射，目前常用的有電子回旋共振(ECR)型微波等離子體濺射。上海銦靶型號(hào)靶ITO薄膜制作過(guò)程中的影響因素 ...

為什么需在真空中鍍膜？ 在常壓下蒸鍍膜料無(wú)法形成理想的薄膜，事實(shí)上，如在壓力不夠低 ( 或者說(shuō)真空度不夠高 ) 的情況下同樣得不到好的結(jié)果， 比如在10 2托數(shù)量級(jí)下蒸鍍鋁，得到的膜層不但不光亮，甚至發(fā)灰、發(fā)黑，而且機(jī)械強(qiáng)度極差，用松鼠毛刷輕輕一刷即可將鋁層破壞。 蒸鍍必須在一定的真空條件下進(jìn)行，這是因?yàn)椋?（1）較高的真空度可以保證汽化分子的平均自由程大于蒸發(fā)源到基底的距離。 由于氣體分子的熱運(yùn)動(dòng)，分子之間的碰撞也是極其頻繁的，所以盡管氣體分子運(yùn)動(dòng)的速度相當(dāng)?shù)母?( 可達(dá)每秒幾百米 ) 。 （2）在較高的真空度下可以減少殘余氣體的污染在真空度不太高的情況下， 真空室內(nèi)含有眾多的殘余氣體分子(...

（2）金屬靶材與化合物靶材本來(lái)濺射速率就不一樣，一般情況下金屬的濺射系數(shù)要比化合物的濺射系數(shù)高，所以靶中毒后濺射速率低。（3）反應(yīng)濺射氣體的濺射效率本來(lái)就比惰性氣體的濺射效率低，所以反應(yīng)氣體比例增加后，綜合濺射速率降低。5、靶中毒的解決辦法（1）采用中頻電源或射頻電源。（2）采用閉環(huán)控制反應(yīng)氣體的通入量。（3）采用孿生靶（4）控制鍍膜模式的變換：在鍍膜前，采集靶中毒的遲滯效應(yīng)曲線(xiàn)，使進(jìn)氣流量控制在產(chǎn)生靶中毒的前沿，確保工藝過(guò)程始終處于沉積速率陡降前的模式。果用冷卻壁的翹曲程度嚴(yán)重或背板翹曲嚴(yán)重會(huì)造成靶材安裝時(shí)發(fā)生開(kāi)裂或彎曲。武漢鑭鈣錳氧靶調(diào)試靶真空鍍膜設(shè)備維修保養(yǎng)技巧 1、真空鍍膜設(shè)備每完成2...

非晶硅薄膜 多晶硅薄膜具有較高的電遷移率和穩(wěn)定的光電性能，是制備微電子器件、薄膜晶體管、大面積平板液晶顯示的質(zhì)量材料。多晶硅薄膜被公認(rèn)為是制備低耗、理想的薄膜太陽(yáng)能電池的材料。因此，如何制備多晶硅薄膜是一個(gè)非常有意義的研究課題。固相法是制備多晶硅薄膜的一種常用方法，它是在高溫退火的條件下，使非晶硅薄膜通過(guò)固相相變而成為多晶硅薄膜。本文采用固相法，利用X- ray 衍射及拉曼光譜，對(duì)用不同方法制備的非晶硅薄膜的晶化過(guò)程進(jìn)行了系統(tǒng)地研究。 在硅薄膜太陽(yáng)能電池材料中，非晶硅薄膜太陽(yáng)能電池制造工藝相對(duì)簡(jiǎn)單，但是存在光電轉(zhuǎn)換效率低，壽命短，穩(wěn)定性不好，并且存在光致衰退效應(yīng)(S-W 效應(yīng))等缺點(diǎn)。單晶...

靶材材質(zhì)對(duì)靶濺射電壓的影響 1. 在真空條件不變的條件下,不同材質(zhì)與種類(lèi)靶材對(duì)磁控靶的正常濺射電壓會(huì)產(chǎn)生一定的影響。 2. 常用的靶材(如銅Cu、鋁Al、鈦Ti?)的正常濺射電壓一般在400~600V的范圍內(nèi)。 3. 有的難濺射的靶材(如錳Mn、鉻Cr等) 的濺射電壓比較高, 一般需>700V以上才能完成正常磁控濺射過(guò)程;而有的靶材(如氧化銦錫ITO) 的濺射電壓比較低，可以在200多伏電壓時(shí)實(shí)現(xiàn)正常的磁控濺射沉積鍍膜。 4. 實(shí)際鍍膜過(guò)程中，由于工作氣體壓力變化，或陰極與陽(yáng)極間距偏小(使真空腔體內(nèi)阻抗特性發(fā)生變化)，或真空腔體與磁控靶的機(jī)械尺寸不匹配，同時(shí)選用了輸出特性較軟的...

陰-陽(yáng)極間距對(duì)靶濺射電壓的影響：真空氣體放電陰-陽(yáng)極間距能夠?qū)Π袨R射電壓造成一定的影響。在陰-陽(yáng)極間距偏大時(shí)，等效氣體放電的內(nèi)阻主要由等離子體等效內(nèi)阻決定，反之，在陰-陽(yáng)極間距偏小時(shí)，將會(huì)導(dǎo)致等離子體放電的內(nèi)阻呈現(xiàn)較小數(shù)值。由于在磁控靶點(diǎn)火起輝后進(jìn)入正常濺射時(shí)，如果陰-陽(yáng)極間距過(guò)小，由于靶電源輸出的濺射電壓具有一定的軟負(fù)載特性，就有可能出現(xiàn)在濺射電流已達(dá)工藝設(shè)定值時(shí)，靶濺射電壓始終很低又調(diào)不起來(lái)的狀況。“工藝型”靶電源可以改善和彌補(bǔ)這種狀況;而“經(jīng)濟(jì)型”靶電源對(duì)這種狀況無(wú)能為力。 1. 孿生靶(或雙磁控靶)陰-陽(yáng)極間距 對(duì)稱(chēng)雙極脈沖中頻靶電源和正弦波中頻靶電源帶孿生靶或雙磁控靶運(yùn)行時(shí)，...

為高技術(shù)制高點(diǎn)的芯片產(chǎn)業(yè)中，濺射靶材是超大規(guī)模集成電路制造的必需原材料。它利用離子源產(chǎn)生的離子，在高真空中經(jīng)過(guò)加速聚集，而形成高速度能的離子束流，轟擊固體表面，離子和固體表面原子發(fā)生動(dòng)能交換，使固體表面的原子離開(kāi)固體并沉積在基底表面，被轟擊的固體是用濺射法沉積薄膜的原材料，稱(chēng)為濺射靶材。靶材是濺射過(guò)程的重點(diǎn)材料。集成電路中單元器件內(nèi)部由襯底、絕緣層、介質(zhì)層、導(dǎo)體層及保護(hù)層等組成，其中，介質(zhì)層、導(dǎo)體層甚至保護(hù)層都要用到濺射鍍膜工藝，因此濺射靶材是制備集成電路的重點(diǎn)材料之一。集成電路領(lǐng)域的鍍膜用靶材主要包括鋁靶、鈦靶、銅靶、鉭靶、鎢鈦靶等，要求靶材純度很高，一般在5N（）以上。靶材分類(lèi)...

直流磁控濺射制備鋅-銻熱電薄膜的技術(shù)探討 熱電材料是一種能夠?qū)崿F(xiàn)熱能和電能直接相互轉(zhuǎn)換的綠色環(huán)保型功能材料。近年來(lái)研究發(fā)現(xiàn)，熱電薄膜化有助于熱電材料減低熱導(dǎo)率，從而能夠有效的提高材料的熱電轉(zhuǎn)換效率，因此具有十分重要的科學(xué)研究?jī)r(jià)值。Zn-Sb合金是采用的P 型熱電半導(dǎo)體材料之一，但由于其較低的熱電優(yōu)值，所以沒(méi)有得到普遍的應(yīng)用。 但近幾年研究發(fā)現(xiàn)，在263 K~767K 溫度區(qū)間穩(wěn)定存在的β-Zn4Sb3 具有非常優(yōu)異的熱電性能，材料少含稀土材料以及可適用于中溫，被國(guó)內(nèi)外認(rèn)為是具有前景的中溫?zé)犭姴牧现?。因此，本文選取純度為99.99%的Zn 和Sb 金屬靶作為靶材，采用直流磁控共濺射技術(shù)，制...

磁控濺射鍍膜生產(chǎn)ZnO∶Al（AZO）薄膜的工藝探討目前主要的薄膜太陽(yáng)能電池有：碲化鎘（CdTe）系薄膜太陽(yáng)能電池、硒銦銅（CIS）系薄膜太陽(yáng)能電池、非晶硅系薄膜太陽(yáng)能電池、晶硅系薄膜太陽(yáng)能電池。研究人員研制出了價(jià)格低廉、原材料豐富且性能穩(wěn)定的絨面ZnO∶Al陷光結(jié)構(gòu)來(lái)作為薄膜太陽(yáng)能電池的前電極。具有彈坑狀絨面結(jié)構(gòu)的AZO透明導(dǎo)電薄膜可以增強(qiáng)太陽(yáng)光的散射作用，改善陷光效果，增加電池對(duì)太陽(yáng)能的吸收量，提高薄膜太陽(yáng)能電池的轉(zhuǎn)換效率。磁控濺射鍍膜工藝在玻璃襯底上制作AZO透明導(dǎo)電薄膜具有成膜速度快、膜層均勻、成膜面積大等優(yōu)點(diǎn)，是較為合適的生產(chǎn)AZO薄膜的工藝方法。目前由磁控濺射工藝生產(chǎn)透明導(dǎo)電薄膜A...

靶材安裝及注意事項(xiàng)有哪些？濺射靶材安裝過(guò)程中**重要的注意事項(xiàng)是一定要確保在靶材和濺射***冷卻壁之間建立很好的導(dǎo)熱連接。如果用冷卻壁的翹曲程度嚴(yán)重或背板翹曲嚴(yán)重會(huì)造成靶材安裝時(shí)發(fā)生開(kāi)裂或彎曲，背靶到靶材的導(dǎo)熱性能就會(huì)受到很大的影響，導(dǎo)致在濺射過(guò)程中熱量無(wú)法散發(fā)**終會(huì)造成靶材開(kāi)裂或脫靶。為確保足夠的導(dǎo)熱性，可以在陰極冷卻壁與靶材之間加墊一層石墨紙。請(qǐng)注意一定要仔細(xì)檢查和明確所使用濺射***冷卻壁的平整度，同時(shí)確保O型密封圈始終在位置上。由于所使用冷卻水的潔凈程度和設(shè)備運(yùn)行過(guò)程中可能會(huì)產(chǎn)生的污垢會(huì)沉積在陰極冷卻水槽內(nèi)，所以在安裝靶材時(shí)需要對(duì)陰極冷卻水槽進(jìn)行檢查和清理，確保冷卻水循環(huán)的順暢和進(jìn)出...

靶中毒現(xiàn)象(1)正離子堆積：靶中毒時(shí)，靶面形成一層絕緣膜，正離子到達(dá)陰極靶面時(shí)由于絕緣層的阻擋，不能直接進(jìn)入陰極靶面，而是堆積在靶面上，容易產(chǎn)生冷場(chǎng)致弧光放電---打弧，使陰極濺射無(wú)法進(jìn)行下去。（2）陽(yáng)極消失：靶中毒時(shí)，接地的真空室壁上也沉積了絕緣膜，到達(dá)陽(yáng)極的電子無(wú)法進(jìn)入陽(yáng)極，形成陽(yáng)極消失現(xiàn)象。4、靶中毒的物理解釋?zhuān)?）一般情況下，金屬化合物的二次電子發(fā)射系數(shù)比金屬的高，靶中毒后，靶材表面都是金屬化合物，在受到離子轟擊之后，釋放的二次電子數(shù)量增加，提高了空間的導(dǎo)通能力，降低了等離子體阻抗，導(dǎo)致濺射電壓降低。從而降低了濺射速率。一般情況下磁控濺射的濺射電壓在400V-600V之間，當(dāng)發(fā)生靶中毒...

利用原子力顯微鏡(AFM)和掃描電子顯微鏡(SEM)，對(duì)所制備的非晶硅薄膜進(jìn)行了定性和定量的表征，研究了濺射功率、襯底溫度、濺射時(shí)間、氬氣氣壓等因素對(duì)非晶硅薄膜表面形貌和厚度的影響。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明：非晶硅薄膜的表面粗糙度會(huì)隨濺射功率、濺射時(shí)間和濺射氣壓的增加而增大，而隨著襯底加熱溫度的增加而減小。 對(duì)制備的非晶硅薄膜在不同溫度和時(shí)間進(jìn)行了退火處理。再利用X- 射線(xiàn)衍射儀(XRD)和拉曼光譜儀，對(duì)不同退火溫度的樣品進(jìn)行晶化程度的表征。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明：不同條件制備的非晶硅薄膜在750℃退火1 h 后就已發(fā)生不同程度的晶化，并且直流磁控濺射制備的非晶硅薄膜比射頻磁控濺射制備的非晶硅薄膜更容易發(fā)生晶化...

目前市場(chǎng)上常見(jiàn)的合金靶材有哪些？ 鈦鋁靶材,TiAl靶材，鈦硅靶材,TiSi靶材，鈦鎢靶材,TiW靶材，鎢鈦靶材WTi靶材，鈦鋁硅靶材,TiAlSi靶材，鉻鋁靶材,CrAl靶材，鉻硅靶材,CrSi靶材，硅鋁靶材,SiAl靶材，鋅錫靶材,ZnSn靶材，鋅鋁靶材,ZnAl靶材，鋁銅靶材,AlCu靶材，鎳鉻靶材,NiCr靶材，鎳釩靶材,NiV靶材，鎳鐵靶材,NiFe靶材，鎳銅靶材,NiCu靶材，鐵鈷靶材,FeCo靶材，鈦鈮靶材,TiNb靶材，鈦鋯靶材,TiZr靶材，銦錫靶材,InSn靶材，銅鋯靶材,CuZr靶材，鎂鋅鈣靶材,MgZnCa靶材，鎳鉻銅靶材,NiCrCu靶材，鉬鈮靶材,MoNb靶材，鋁釹...

靶中毒現(xiàn)象(1)正離子堆積：靶中毒時(shí)，靶面形成一層絕緣膜，正離子到達(dá)陰極靶面時(shí)由于絕緣層的阻擋，不能直接進(jìn)入陰極靶面，而是堆積在靶面上，容易產(chǎn)生冷場(chǎng)致弧光放電---打弧，使陰極濺射無(wú)法進(jìn)行下去。（2）陽(yáng)極消失：靶中毒時(shí)，接地的真空室壁上也沉積了絕緣膜，到達(dá)陽(yáng)極的電子無(wú)法進(jìn)入陽(yáng)極，形成陽(yáng)極消失現(xiàn)象。4、靶中毒的物理解釋?zhuān)?）一般情況下，金屬化合物的二次電子發(fā)射系數(shù)比金屬的高，靶中毒后，靶材表面都是金屬化合物，在受到離子轟擊之后，釋放的二次電子數(shù)量增加，提高了空間的導(dǎo)通能力，降低了等離子體阻抗，導(dǎo)致濺射電壓降低。從而降低了濺射速率。一般情況下磁控濺射的濺射電壓在400V-600V之間，當(dāng)發(fā)生靶中毒...

基于非晶IGZO真空材料的阻變存儲(chǔ)器與憶阻器 從真空材料結(jié)構(gòu)及電子結(jié)構(gòu)角度入手，將In、Ga 元素引入到ZnO 材料中形成InGaZnO(IGZO)非晶合金材料，由于球?qū)ΨQ(chēng)的In 5s 軌道交疊較大，使得該材料具有形變對(duì)電學(xué)輸運(yùn)影響較小且遷移率較高的特點(diǎn)。 利用上述材料優(yōu)勢(shì)，采用室溫工藝，在塑料襯底上制作了高性能IGZO 柔性阻變存儲(chǔ)器。器件在連續(xù)十萬(wàn)次大角度彎折測(cè)試中，性能穩(wěn)定，存儲(chǔ)信息未丟失。變溫電學(xué)輸運(yùn)特性的研究表明：阻變行為與氧離子移動(dòng)密切相關(guān)，該存儲(chǔ)器的低阻導(dǎo)電通道由缺氧局域結(jié)構(gòu)組成，而缺氧態(tài)的局部氧化導(dǎo)致了存儲(chǔ)器由低阻態(tài)向高阻態(tài)的轉(zhuǎn)變。 在此基礎(chǔ)上，利用IGZO 非晶薄膜的...

非晶硅薄膜的制備方法 非晶硅薄膜的制備方法有很多，如低壓化學(xué)氣相沉積(LPCVD)，等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)，直流(射頻)磁控濺射等。生長(zhǎng)多晶硅薄膜的方法有：化學(xué)氣相沉積包括低壓化學(xué)氣相沉積(LPCVD)、大氣壓強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(APCVD)、等離子體化學(xué)氣相沉積(PCVD)以及液相生長(zhǎng)、激光再晶化和固相晶化法(SPC)等。固相晶化法是指在(高溫)退火的條件下，使固態(tài)非晶硅薄膜的硅原子被、重組，從而轉(zhuǎn)化為多晶硅薄膜。它的特點(diǎn)是非晶固體發(fā)生晶化的溫度低于其熔融后結(jié)晶的溫度。常規(guī)高溫爐退火、快速熱退火、金屬誘導(dǎo)晶化、微波誘導(dǎo)晶化等都屬于固相晶化的范疇。本文采用PECVD 和磁控濺射...

濺射鍍膜不良膜層分析，改善方法： 1.白霧主要表現(xiàn)：膜層外觀(guān)一層白霧。 原因分析及改善：（白霧可擦拭）：外層膜松散粗糙；出爐溫差大；潮氣吸附；膜層結(jié)構(gòu)不均勻；反應(yīng)氣體不足/不均勻；外層膜應(yīng)力大等。 （白霧不可擦拭）：殘留臟污；材腐蝕污染；膜層之間不匹配；反應(yīng)氣體不足/不均勻；基材受潮污染；真空室臟有水汽；環(huán)境溫差大。 2.發(fā)蒙主要表現(xiàn)：膜層表面粗糙無(wú)光。 原因分析及改善：設(shè)備漏氣；反應(yīng)氣體故障；膜層過(guò)厚；偏壓故障； 3.色斑主要表現(xiàn)：局部膜色變異。 原因分析及改善：腐蝕，局部折射率改變；前道工程夾具加工方法痕跡（形狀規(guī)則、部位一致、界限分明）； 周轉(zhuǎn)運(yùn)輸庫(kù)存過(guò)程留下痕跡；研...

磁控濺射離子鍍 (1)在基體和工件上是否施加(直流或脈沖)負(fù)偏壓，利用負(fù)偏壓對(duì)離子的吸引和加速作用，是離子鍍與其它鍍膜類(lèi)型的一個(gè)主要區(qū)別。蒸發(fā)鍍時(shí)基體和工件上加有負(fù)偏壓就是蒸發(fā)離子鍍 ;多弧鍍時(shí)基體和工件上加有負(fù)偏壓就是多弧離子鍍;磁控濺射時(shí)基體和工件上加有負(fù)偏壓就是磁控濺射離子鍍，這是磁控濺射離子鍍技術(shù)的一個(gè)重要特點(diǎn)。 (2)磁控濺射離子鍍是把磁控濺射和離子鍍結(jié)合起來(lái)的技術(shù)。在同一個(gè)真空腔體內(nèi)既可實(shí)現(xiàn)氬離子對(duì)磁控靶材的穩(wěn)定濺射，又實(shí)現(xiàn)了高能靶材離子在基片負(fù)偏壓作用下到達(dá)基片進(jìn)行轟擊、濺射、注入及沉積作用過(guò)程。整個(gè)鍍膜過(guò)程都存在離子對(duì)基片和工件表面的轟擊，可有效基片和工件表面的氣體和污...