什么是負(fù)離子,沃壹小編給大家分析一下
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【負(fù)離子科普二】自然界中的負(fù)離子從哪里來的?
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負(fù)離子發(fā)生器的原理是什么呢?
負(fù)離子到底是什么,一般涉及到的行業(yè)、產(chǎn)品有哪些?
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關(guān)于負(fù)離子的常見十問
運(yùn)動(dòng),需要選對時(shí)間和地點(diǎn)
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陰-陽極間距對靶濺射電壓的影響:真空氣體放電陰-陽極間距能夠?qū)Π袨R射電壓造成一定的影響。在陰-陽極間距偏大時(shí),等效氣體放電的內(nèi)阻主要由等離子體等效內(nèi)阻決定,反之,在陰-陽極間距偏小時(shí),將會(huì)導(dǎo)致等離子體放電的內(nèi)阻呈現(xiàn)較小數(shù)值。由于在磁控靶點(diǎn)火起輝后進(jìn)入正常濺射時(shí),如果陰-陽極間距過小,由于靶電源輸出的濺射電壓具有一定的軟負(fù)載特性,就有可能出現(xiàn)在濺射電流已達(dá)工藝設(shè)定值時(shí),靶濺射電壓始終很低又調(diào)不起來的狀況?!肮に囆汀卑须娫纯梢愿纳坪蛷浹a(bǔ)這種狀況;而“經(jīng)濟(jì)型”靶電源對這種狀況無能為力。 1. 孿生靶(或雙磁控靶)陰-陽極間距 對稱雙極脈沖中頻靶電源和正弦波中頻靶電源帶孿生靶或雙磁控靶運(yùn)行時(shí),建議其兩交變陰-陽極的小極間距不應(yīng)小于2英2口寸; 2. 單磁控靶陰-陽極間距 靶電源帶單磁控靶運(yùn)行時(shí),一般都不存在這方面問題;但是,在小真空室?guī)чL矩形平面磁控單靶時(shí)容易忽略這個(gè)問題,磁控靶面與真空室金屬殼體內(nèi)壁的小極間距一般亦建議不小于2英2口寸。靶材密度越高,薄膜的性能越好。南通鎂靶公司
高純金屬的純度分析原則:高純金屬材料的純度一般用減量法衡量。減量計(jì)算的雜質(zhì)元素主要是金屬雜質(zhì),不包括C,O,N,H等間隙元素,但是間隙元素的含量也是重要的衡量指標(biāo),一般單獨(dú)提出。依應(yīng)用背景的不同,要求進(jìn)行分析的雜質(zhì)元素種類少則十幾種,多則70多種。簡單的說高純金屬是幾個(gè)N(九)并不能真正的表達(dá)其純度,只有提供雜質(zhì)元素和間隙元素的種類及其含量才能明確表達(dá)高純金屬的純度水平。高純金屬的純度檢測應(yīng)以實(shí)際應(yīng)用需要作為主要標(biāo)準(zhǔn),例如目前工業(yè)電解鈷的純度一般接99.99%,而且檢測的雜質(zhì)元素種類較少。我國電解鈷的有色金屬行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)(YS/T25522000)要求分析C,S,Mn,Fe,Ni,Cu,As,Pb,Zn,Si,Cd,Mg,P,Al,Sn,Sb,Bi等17個(gè)雜質(zhì)元素,Co9998電解鈷的雜質(zhì)總量不超過0.02,但這仍然不能滿足功能薄膜材料材料的要求[2]。南通鎂靶公司為確保足夠的導(dǎo)熱性,可以在陰極冷卻壁與靶材之間加墊一層石墨紙。
什么是DLC薄膜?類金剛石薄膜通常又被人們稱為DLC薄膜,是英文詞匯DiamondLikeCarbon的簡稱,它是一類性質(zhì)近似于金剛石,具有高硬度,高電阻率。良好光學(xué)性能等,同時(shí)又具有自身獨(dú)特摩擦學(xué)特性的非晶碳薄膜。碳元素因碳原子和碳原子之間的不同結(jié)合方式,從而使其終產(chǎn)生不同的物質(zhì):金剛石(diamond)—碳碳以sp3鍵的形式結(jié)合;石墨(graphite)—碳碳以sp2鍵的形式結(jié)合。而類金剛石(DLC)—碳碳則是以sp3和sp2鍵的形式結(jié)合,生成的無定形碳的一種亞穩(wěn)定形態(tài),它沒有嚴(yán)格的定義,可以包括很寬性質(zhì)范圍的非晶碳,因此兼具了金剛石和石墨的優(yōu)良特性;所以由類金剛石而來的DLC膜同樣是一種亞穩(wěn)態(tài)長程無序的非晶材料,碳原子間的鍵合方式是共價(jià)鍵,主要包含sp2和sp3兩種雜化鍵,而在含氫的DLC膜中還存在一定數(shù)量的C-H鍵。
氣體壓強(qiáng)對靶濺射電壓的影響 在磁控濺射或反應(yīng)磁控濺射鍍膜的工藝過程中,工作氣體或反應(yīng)氣體壓強(qiáng)對磁控靶濺射電壓能夠造成一定的影響。 1.工作氣體壓強(qiáng)對靶濺射電壓的影響 一般的規(guī)律是:在真空設(shè)備環(huán)境條件確定和靶電源的控制面板設(shè)置參數(shù)不變時(shí),隨著工作氣體(如氬氣)壓強(qiáng)(0.1~10Pa)的逐步增加,氣體放電等離子體的密度也會(huì)同步增加,致使等離子體等效阻抗減小,磁控靶的濺射電流會(huì)逐步上升,濺射工作電壓亦會(huì)同步下降。 2. 反應(yīng)氣體壓強(qiáng)對靶濺射電壓的影響 在反應(yīng)磁控濺射鍍膜的工藝過程中,在真空設(shè)備環(huán)境條件確定和靶電源的控制面板設(shè)置參數(shù)不變時(shí),隨著反應(yīng)氣體(如氮?dú)狻⒀鯕?壓強(qiáng)(或流量)的逐步增加(一般應(yīng)注意不要超過工藝設(shè)定值的上限值),隨著磁控靶面和基片(工件)表面逐步被絕緣膜層覆蓋,陰-陽極間放電的等效阻抗也會(huì)同步增高,磁控靶的濺射電流會(huì)逐步下降(直至“陰極中毒”和“陽極消失”為止),濺射工作電壓亦會(huì)同步上升。更換不同的靶材,起輝壓強(qiáng)不盡相同。 換靶材后需要重新調(diào)功率匹配器的,只有功率匹配調(diào)好了才能正常起輝。
什么是靶材綁定主要從靶材綁定的定義,適用范圍和背靶的選擇三個(gè)方面來為大家介紹一下靶材綁定。一.靶材綁定的定義靶材綁定是指用焊料將靶材與背靶焊接起來。主要由三種方式:壓接、釬焊和導(dǎo)電膠。1.壓接:采用壓條,一般為了提高接觸的良好性,會(huì)增加石墨紙、Pb或In皮;2.釬焊:一般使用軟釬料的情況下,要求濺射功率小于20W/cm2,釬料常用In、Sn、In-Sn;3.導(dǎo)電膠:采用的導(dǎo)電膠要耐高溫,厚度在0.02-0.05um。二.綁定的適用范圍建議綁定的靶材:ITO、SiO2、陶瓷脆性靶材及燒結(jié)靶材;錫、銦等軟金屬靶;靶材太薄、靶材太貴的情況等。
靶中毒的解決辦法:(1)采用中頻電源或射頻電源。常州硫化鉛靶功能
所以如果是表面容易變質(zhì)的靶材,如果不拋光去除表面變質(zhì)部分,沉積到基材上的膜層性質(zhì)就是表面變質(zhì)的雜質(zhì)。南通鎂靶公司
靶中毒現(xiàn)象(1)正離子堆積:靶中毒時(shí),靶面形成一層絕緣膜,正離子到達(dá)陰極靶面時(shí)由于絕緣層的阻擋,不能直接進(jìn)入陰極靶面,而是堆積在靶面上,容易產(chǎn)生冷場致弧光放電---打弧,使陰極濺射無法進(jìn)行下去。(2)陽極消失:靶中毒時(shí),接地的真空室壁上也沉積了絕緣膜,到達(dá)陽極的電子無法進(jìn)入陽極,形成陽極消失現(xiàn)象。4、靶中毒的物理解釋(1)一般情況下,金屬化合物的二次電子發(fā)射系數(shù)比金屬的高,靶中毒后,靶材表面都是金屬化合物,在受到離子轟擊之后,釋放的二次電子數(shù)量增加,提高了空間的導(dǎo)通能力,降低了等離子體阻抗,導(dǎo)致濺射電壓降低。從而降低了濺射速率。一般情況下磁控濺射的濺射電壓在400V-600V之間,當(dāng)發(fā)生靶中毒時(shí),濺射電壓會(huì)***降低。南通鎂靶公司
江陰典譽(yù)新材料科技有限公司地處江蘇省江陰市,是一家專業(yè)生產(chǎn)濺射靶材和蒸發(fā)材料的公司,濺射靶材充分借鑒國外的先進(jìn)技術(shù),并通過與國內(nèi)外**研發(fā)機(jī)構(gòu)合作,整合各行業(yè)資源優(yōu)勢,生產(chǎn)出多系列***濺射靶材產(chǎn)品。 公司目前主要生產(chǎn)金屬,合金,陶瓷三大類靶材產(chǎn)品。經(jīng)過幾年的發(fā)展和技術(shù)積累,已經(jīng)擁有:真空熱壓,冷壓燒結(jié),真空熔煉,熱等靜壓,等離子噴涂等技術(shù)。另外也可根據(jù)客戶要求研發(fā)新型靶材并提供靶材金屬化、綁定和背板服務(wù)。 江陰典譽(yù)新材料科技有限公司已為以下行業(yè)提供***的靶材:平面顯示、裝飾與工具、太陽能光伏和光熱、電子和半導(dǎo)體、建筑與汽車玻璃大面積鍍膜等工業(yè)領(lǐng)域。同時(shí)也為國內(nèi)外各大院校和研究所提供了很多常規(guī)和新型的試驗(yàn)用靶材。 江陰典譽(yù)目前擁有真空熱壓爐兩臺(tái),冷壓燒結(jié)爐一臺(tái),真空熔煉設(shè)備兩臺(tái),等靜壓設(shè)備一臺(tái),等離子噴涂兩套,綁定平臺(tái)兩套,各類機(jī)加工設(shè)備七臺(tái),檢驗(yàn)設(shè)備若干,確保出廠的每件產(chǎn)品都能達(dá)到甚至超過客戶的預(yù)期。 江陰典譽(yù)秉承:“一切以客戶的需求為導(dǎo)向,客戶的所有需求一次做好?!钡陌l(fā)展理念。