上海難熔金屬靶功能

來源: 發(fā)布時間:2021-12-26

靶中毒現(xiàn)象(1)正離子堆積:靶中毒時,靶面形成一層絕緣膜,正離子到達陰極靶面時由于絕緣層的阻擋,不能直接進入陰極靶面,而是堆積在靶面上,容易產(chǎn)生冷場致弧光放電---打弧,使陰極濺射無法進行下去。(2)陽極消失:靶中毒時,接地的真空室壁上也沉積了絕緣膜,到達陽極的電子無法進入陽極,形成陽極消失現(xiàn)象。4、靶中毒的物理解釋(1)一般情況下,金屬化合物的二次電子發(fā)射系數(shù)比金屬的高,靶中毒后,靶材表面都是金屬化合物,在受到離子轟擊之后,釋放的二次電子數(shù)量增加,提高了空間的導通能力,降低了等離子體阻抗,導致濺射電壓降低。從而降低了濺射速率。一般情況下磁控濺射的濺射電壓在400V-600V之間,當發(fā)生靶中毒時,濺射電壓會***降低。比如鋁靶材等活性金屬靶材,長期暴露在大氣中,表面容易形成一層氧化皮。上海難熔金屬靶功能

PVD技術簡介PVD技術是在真空中將鈦、金、石墨、水晶等金屬或非金屬、氣體等材料利用濺射、蒸發(fā)或離子鍍等技術,在基材上形成薄膜的一種表面處理過程。與傳統(tǒng)化學鍍膜方法相比,PVD有很多優(yōu)點:如對環(huán)境無污染,是綠色環(huán)保工藝;對操作者無傷害;膜層牢固、致密性好、抗腐蝕性強,膜厚均勻。PVD技術中經(jīng)常使用的方法主要有:蒸發(fā)鍍膜(包括電弧蒸發(fā)、電子蒸發(fā)、電阻絲蒸發(fā)等技術)、濺射鍍膜(包括直流磁控濺射、中頻磁控濺射、射頻濺射等技術),這些方法統(tǒng)稱物相沉積(PhysicalVaporDeposition),簡稱為PVD。行業(yè)內(nèi)通常所說的“IP”(ionplating)離子鍍膜,是因為在PVD技術中各種氣體離子和金屬離子參與成膜過程并起到重要作用,為了強調(diào)離子的作用,而統(tǒng)稱為離子鍍膜。上海難熔金屬靶功能由于活性反應氣體粒子與靶面原子相碰撞產(chǎn)生化學反應生成化合物原子。

為什么需在真空中鍍膜? 在常壓下蒸鍍膜料無法形成理想的薄膜,事實上,如在壓力不夠低 ( 或者說真空度不夠高 ) 的情況下同樣得不到好的結果, 比如在10 2托數(shù)量級下蒸鍍鋁,得到的膜層不但不光亮,甚至發(fā)灰、發(fā)黑,而且機械強度極差,用松鼠毛刷輕輕一刷即可將鋁層破壞。 蒸鍍必須在一定的真空條件下進行,這是因為: (1)較高的真空度可以保證汽化分子的平均自由程大于蒸發(fā)源到基底的距離。 由于氣體分子的熱運動,分子之間的碰撞也是極其頻繁的,所以盡管氣體分子運動的速度相當?shù)母?( 可達每秒幾百米 ) 。 (2)在較高的真空度下可以減少殘余氣體的污染在真空度不太高的情況下, 真空室內(nèi)含有眾多的殘余氣體分子( 氧、氮、水及碳氫化合物等 ) ,它們能給薄膜的鍍制帶來極大的危害。它們與汽化的膜料分子碰撞使平均自由程變短;它們與正在成膜的表面碰撞并與之反應; 它們隱藏在已形成的薄膜中逐漸侵蝕薄膜;它們與蒸發(fā)源高溫化合減少其使用壽命;它們在已蒸發(fā)的膜料表面上形成氧化層使蒸鍍過程不能順利進行……。

影響磁控靶濺射電壓的主要因素有:靶面磁場、靶材材質(zhì)、氣體壓強、陰-陽極間距等。本文詳細分析這些因素距對靶濺射電壓的影響。   一、 靶面磁場對靶濺射電壓的影響 1. 磁控靶的陰極工作電壓,隨著靶面磁場的增加而降低,也隨著靶面的濺射刻蝕槽加深而降低。濺射電流也隨著靶面的濺射刻蝕槽加深而加大。這是因為靶的濺射刻蝕槽面會越來越接近靶材后面的磁鋼的強磁場。因此,靶材的厚度是有限制的。較厚的非磁性靶材能夠在較強的磁場中使用。   2. 鐵磁性靶材會對磁控靶的濺射造成影響,由于大部分磁力線從鐵磁性材料內(nèi)部通過,使靶材表面磁場減少,需要很高電壓才能讓靶面點火起輝。除非磁場非常的強,否則磁性材靶材必須比非磁性材料要薄,才能起輝和正常運行(永磁結構的Ni靶的典型值<0.16cm,磁控靶非特殊設計最大值一般不宜超過3mm,F(xiàn)e,co靶的最大值不超過2mm;電磁結構的靶可以濺射厚一些的靶材,甚至可達6mm厚)才能起輝和正常運行。正常工作時,磁控靶靶材表面的磁場強度為0.025T~0.05T左右;靶材濺射刻蝕即將穿孔時,其靶材表面的磁場強度大為提高,接近或大于0.1T左右。半導體工業(yè)用的純鋁及鋁合金靶材,對堿金屬含量和放射性元素含量都有特殊要求。

磁控濺射不起輝的常見原因有哪些,怎么應對?磁控濺射金屬靶時,無法起輝的原因有很多,常見主要原因有:1.靶材安裝準確否?2.靶材表面是否干凈------------金屬靶表面氧化或有不清潔物質(zhì),打磨清理干凈后即可。3.起輝電源是否正常------------檢查靶電源。4.靶與地線之間短路----------關掉機器,把設備的濺射靶卸下來,靶附近的零件仔細清洗一下;----------壓靶蓋旋的過緊,沒有和靶材之間留下適當?shù)木嚯x,調(diào)整距離即可。5.永磁靶表面場強是否下降太多?---------如果下降太多,需要更換磁鋼。使進氣流量控制在產(chǎn)生靶中毒的前沿,確保工藝過程始終處于沉積速率陡降前的模式。合肥氟化鋰靶哪家好

通常是放熱反應,反應生成熱必須有傳導出去的途徑,否則,該化學反應無法繼續(xù)進行。上海難熔金屬靶功能

磁控濺射制備非晶硅薄膜   本實驗采用石英玻璃為襯底,實驗前先將玻璃襯底浸泡在溶液中,放到JHN- 4F(200 W)超聲波清洗機清洗30 min;然后用分析乙醇同樣在超聲波清洗機中清洗30 min; 放入裝有去離子水的燒杯中在超聲波清洗器中清洗約30 min 后晾干。然后以高純硅為靶材在JGP500型超高真空磁控濺射設備上,分別采用直流和射頻方式制備了兩塊樣品。在濺射前,預濺射5 min以除去靶材表面氧化物。1# 樣品采用直流磁控濺射方式, 濺射功率為100 W, 本底真空度6×10- 4 Pa , 濺射時間20 min,濺射氣壓0.5 Pa,襯底溫度為室溫。2#樣品采用射頻磁控濺射方式,濺射功率150 W,本底真空度6×10- 4 Pa,濺射時間120 min,濺射氣壓2.0 Pa,襯底溫度為室溫。樣品1# 和2# 均切為3 小塊,其中各保留一小塊不做退火處理,其他的小塊樣品處理情況為1#750℃、1#850℃,2#750℃、2#850℃在馬弗爐中退火1h。將1# 和2#未處理樣品用拉曼激光誘導方法,研究非晶硅薄膜的晶化過程。上海難熔金屬靶功能

江陰典譽新材料科技有限公司地處江蘇省江陰市,是一家專業(yè)生產(chǎn)濺射靶材和蒸發(fā)材料的公司,濺射靶材充分借鑒國外的先進技術,并通過與國內(nèi)外**研發(fā)機構合作,整合各行業(yè)資源優(yōu)勢,生產(chǎn)出多系列***濺射靶材產(chǎn)品。 公司目前主要生產(chǎn)金屬,合金,陶瓷三大類靶材產(chǎn)品。經(jīng)過幾年的發(fā)展和技術積累,已經(jīng)擁有:真空熱壓,冷壓燒結,真空熔煉,熱等靜壓,等離子噴涂等技術。另外也可根據(jù)客戶要求研發(fā)新型靶材并提供靶材金屬化、綁定和背板服務。 江陰典譽新材料科技有限公司已為以下行業(yè)提供***的靶材:平面顯示、裝飾與工具、太陽能光伏和光熱、電子和半導體、建筑與汽車玻璃大面積鍍膜等工業(yè)領域。同時也為國內(nèi)外各大院校和研究所提供了很多常規(guī)和新型的試驗用靶材。 江陰典譽目前擁有真空熱壓爐兩臺,冷壓燒結爐一臺,真空熔煉設備兩臺,等靜壓設備一臺,等離子噴涂兩套,綁定平臺兩套,各類機加工設備七臺,檢驗設備若干,確保出廠的每件產(chǎn)品都能達到甚至超過客戶的預期。 江陰典譽秉承:“一切以客戶的需求為導向,客戶的所有需求一次做好。”的發(fā)展理念。

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