真空鍍膜的方法:真空蒸鍍法:真空蒸鍍是將裝有基片的真空室抽成真空,然后加熱被蒸發(fā)的鍍料,使其原子或分子從表面氣化逸出,形成蒸氣流,入射到基片表面,凝結(jié)形成固體薄膜的技術(shù)。根據(jù)蒸發(fā)源的不同可以將真空蒸鍍分為電阻加熱蒸發(fā)源、電子束蒸發(fā)源、高頻感應(yīng)蒸發(fā)源及激光束蒸發(fā)源蒸鍍法。電阻蒸發(fā)源是用低電壓大電流加熱燈絲和蒸發(fā)舟,利用電流的焦耳熱是鍍料熔化、蒸發(fā)或升華。這種方式結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,造價(jià)低廉,使用相當(dāng)普遍。采用真空蒸鍍法在純棉織物表面制備負(fù)載TiO2織物,紫外線透過(guò)率都比未負(fù)載的純棉織物的低,具有好的抗紫外線性能,制備TiO2薄膜時(shí),膜層較均勻,當(dāng)在玻璃表面蒸鍍一層鉻鈦、鎳鈦合金等裝飾薄膜,裝飾效果,光學(xué)、...
LPCVD工藝在襯底表面淀積一層均勻的介質(zhì)薄膜,在微納加工當(dāng)中用于結(jié)構(gòu)層材料、絕緣層、掩模材料,LPCVD工藝淀積的材料有多晶硅、氮化硅、磷硅玻璃。不同的材料淀積采用不同的氣體。LPCVD反應(yīng)的能量源是熱能,通常其溫度在500℃-1000℃之間,壓力在0.1Torr-2Torr以內(nèi),影響其沉積反應(yīng)的主要參數(shù)是溫度、壓力和氣體流量,它的主要特征是因?yàn)樵诘蛪涵h(huán)境下,反應(yīng)氣體的平均自由程及擴(kuò)散系數(shù)變大,膜厚均勻性好、臺(tái)階覆蓋性好。目前采用LPCVD工藝制作的主要材料有:多晶硅、單晶硅、非晶硅、氮化硅等。真空鍍膜技術(shù)有真空濺射鍍膜。廣州真空鍍膜工藝流程使用磁控濺射法沉積硅薄膜,通過(guò)優(yōu)化薄膜沉積的工藝參...
真空鍍膜:在真空中制備膜層,包括鍍制晶態(tài)的金屬、半導(dǎo)體、絕緣體等單質(zhì)或化合物膜。雖然化學(xué)汽相沉積也采用減壓、低壓或等離子體等真空手段,但一般真空鍍膜是指用物理的方法沉積薄膜。真空鍍膜有三種形式,即蒸發(fā)鍍膜、濺射鍍膜和離子鍍。真空鍍膜技術(shù)初現(xiàn)于20世紀(jì)30年代,四五十年代開(kāi)始出現(xiàn)工業(yè)應(yīng)用,工業(yè)化大規(guī)模生產(chǎn)開(kāi)始于20世紀(jì)80年代,在電子、宇航、包裝、裝潢、燙金印刷等工業(yè)中取得普遍的應(yīng)用。真空鍍膜是指在真空環(huán)境下,將某種金屬或金屬化合物以氣相的形式沉積到材料表面(通常是非金屬材料),屬于物理的氣相沉積工藝。因?yàn)殄儗映榻饘俦∧?,故也稱真空金屬化。真空鍍膜所采用的方法主要有蒸發(fā)鍍、濺射鍍、離子鍍、束流...
真空鍍膜技術(shù):物理的氣相沉積技術(shù)由于其工藝處理溫度可控制在500℃以下,因此可作為較終的處理工藝用于高速鋼和硬質(zhì)合金類的薄膜刀具上。采用物理的氣相沉積工藝可大幅度提高刀具的切削性能,人們?cè)诟?jìng)相開(kāi)發(fā)高性能、高可靠性設(shè)備的同時(shí),也對(duì)其應(yīng)用領(lǐng)域的擴(kuò)展,尤其是在高速鋼、硬質(zhì)合金和陶瓷類刀具中的應(yīng)用進(jìn)行了更加深入的研究?;瘜W(xué)氣相沉積技術(shù)是把含有構(gòu)成薄膜元素的單質(zhì)氣體或化合物供給基體,借助氣相作用或基體表面上的化學(xué)反應(yīng),在基體上制出金屬或化合物薄膜的方法,主要包括常壓化學(xué)氣相沉積、低壓化學(xué)氣相沉積和兼有CVD和PVD兩者特點(diǎn)的等離子化學(xué)氣相沉積等。真空鍍膜是在真空室內(nèi)材料的原子從加熱源離析出來(lái)打到被鍍物體...
PECVD(等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法)工藝中由于等離子體中高速運(yùn)動(dòng)的電子撞擊到中性的反應(yīng)氣體分子,就會(huì)使中性反應(yīng)氣體分子變成碎片或處于激發(fā)的狀態(tài)容易發(fā)生反應(yīng),以在襯底在300-350℃就可以得到良好的氧化硅或者氮化硅薄膜,可以在器件當(dāng)中作為鈍化絕緣層,來(lái)提高器件的可靠性。氧化硅薄膜主要用到的氣體為硅烷和笑氣,氮化硅薄膜主要用到的氣體為氨氣和硅烷。采用PECVD鍍膜對(duì)器件有一定的要求,因?yàn)楣に嚋囟缺容^高,所以器件需要耐高溫,高溫烘烤下不能變形。源或靶的不斷改進(jìn),擴(kuò)大了真空鍍膜材料的選用范圍。攀枝花鈦金真空鍍膜磁控濺射由于其優(yōu)點(diǎn)應(yīng)用日趨增長(zhǎng),成為工業(yè)鍍膜生產(chǎn)中主要的技術(shù)之一,相應(yīng)的濺射技術(shù)與也取...
在等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)工藝中,由等離子體輔助化學(xué)反應(yīng)過(guò)程。在等離子體輔助下,200 到500°C的工藝溫度足以實(shí)現(xiàn)成品膜層的制備,因此該技術(shù)降低了基材的溫度負(fù)荷。等離子可在接近基片的周圍被激發(fā)(近程等離子法)。而對(duì)于半導(dǎo)體硅片等敏感型基材,輻射和離子轟擊可能損壞基材。另一方面,在遠(yuǎn)程等離子法中,等離子體與基材間設(shè)有空間隔斷。隔斷不僅能夠保護(hù)基材,也允許激發(fā)混合工藝氣體的特定成分。然而,為保證化學(xué)反應(yīng)在被激發(fā)的粒子真正抵達(dá)基材表面時(shí)才開(kāi)始進(jìn)行,需精心設(shè)計(jì)工藝過(guò)程。真空鍍膜機(jī)在集成電路制造中的應(yīng)用:晶體管路中的保護(hù)層、電極管線等多是采用CVD技術(shù)。汕頭真空鍍膜工藝流程ALD允許在原...
真空鍍膜的物理過(guò)程:PVD(物理的氣相沉積技術(shù))的基本原理可分為三個(gè)工藝步驟:(1)金屬顆粒的氣化:即鍍料的蒸發(fā)、升華或被濺射從而形成氣化源(2)鍍料粒子((原子、分子或離子)的遷移:由氣化源供出原子、分子或離子經(jīng)過(guò)碰撞,產(chǎn)生多種反應(yīng)。(3)鍍料粒子在基片表面的沉積。電子束蒸發(fā)法是真空蒸發(fā)鍍膜中常用的一種方法,是在高真空條件下利用電子束進(jìn)行直接加熱蒸發(fā)材料,使蒸發(fā)材料氣化并向襯底輸運(yùn),在基底上凝結(jié)形成薄膜的方法。在電子束加熱裝置中,被加熱的材料放置于水冷的坩堝當(dāng)中,可避免蒸發(fā)材料與坩堝壁發(fā)生反應(yīng)影響薄膜的質(zhì)量,因此,電子束蒸發(fā)沉積法可以制備高純薄膜。真空鍍膜鍍的薄膜涂層均勻。湖州真空鍍膜涂料真...
真空鍍膜:等離子體鍍膜:每個(gè)弧斑存在極短時(shí)間,爆發(fā)性地蒸發(fā)離化陰極改正點(diǎn)處的鍍料,蒸發(fā)離化后的金屬離子,在陰極表面也會(huì)產(chǎn)生新的弧斑,許多弧斑不斷產(chǎn)生和消失,所以又稱多弧蒸發(fā)。較早設(shè)計(jì)的等離子體加速器型多弧蒸發(fā)離化源,是在陰極背后配置磁場(chǎng),使蒸發(fā)后的離子獲得霍爾(Hall)加速對(duì)應(yīng)效應(yīng),有利于離子增大能量轟擊量體,采用這種電弧蒸發(fā)離化源鍍膜,離化率較高,所以又稱為電弧等離子體鍍膜。由于等離子體鍍膜常產(chǎn)生多弧斑,所以也稱多弧蒸發(fā)離化過(guò)程。真空鍍膜有濺射鍍膜形式。石家莊真空鍍膜廠真空鍍膜的方法:真空蒸鍍法:激光束蒸發(fā)源蒸鍍技術(shù)是一種比較理想的薄膜制備方法,利用激光器發(fā)出高能量的激光束,經(jīng)聚焦照射到鍍...
真空鍍膜:PVD技術(shù)工藝步驟:清洗工件:接通直流電源,氬氣進(jìn)行輝光放電為氬離子,氬離子轟擊工件表面,工件表層粒子和臟物被轟濺拋出;鍍料的氣化:即通入交流電后,使鍍料蒸發(fā)氣化。鍍料離子的遷移:由氣化源供出原子、分子或離子經(jīng)過(guò)碰撞以及高壓電場(chǎng)后,高速?zèng)_向工件;鍍料原子、分子或離子在基體上沉積:工件表面上的蒸發(fā)料離子超過(guò)濺失離子的數(shù)量時(shí),則逐漸堆積形成一層牢固粘附于工件表面的鍍層。離子鍍時(shí),蒸發(fā)料粒子電離后具有三千到五千電子伏特的動(dòng)能,高速轟擊工件時(shí),不但沉積速度快,而且能夠穿透工件表面,形成一種注入基體很深的擴(kuò)散層,離子鍍的界面擴(kuò)散深度可達(dá)四至五微米,也就是說(shuō)比普通真空鍍膜的擴(kuò)散深度要深幾十倍,甚...
利用PECVD生長(zhǎng)的氧化硅薄膜具有以下優(yōu)點(diǎn):1.均勻性和重復(fù)性好,可大面積成膜,適合批量生長(zhǎng)2.可在低溫下成膜,對(duì)基底要求比較低3.臺(tái)階覆蓋性比較好 4.薄膜成分和厚度容易控制,生長(zhǎng)方法階段 5.應(yīng)用范圍廣,設(shè)備簡(jiǎn)單,易于產(chǎn)業(yè)化。評(píng)價(jià)氧化硅薄膜的質(zhì)量,簡(jiǎn)單的方法是采用BOE腐蝕氧化硅薄膜,腐蝕速率越慢,薄膜質(zhì)量越致密,反之,腐蝕速率越快,薄膜質(zhì)量越差。另外,沉積速率的快慢也會(huì)影響到薄膜的質(zhì)量,沉積速率過(guò)快,會(huì)導(dǎo)致氧化硅薄膜速率過(guò)快,說(shuō)明薄膜質(zhì)量比較差。真空鍍膜在所有被鍍材料中,以塑料較為常見(jiàn)。UV真空鍍膜工藝真空鍍膜的方法:化學(xué)氣相沉積:化學(xué)氣相沉積是一種化學(xué)生長(zhǎng)方法,簡(jiǎn)稱CVD(Chemic...
利用PECVD生長(zhǎng)的氧化硅薄膜具有以下優(yōu)點(diǎn):1.均勻性和重復(fù)性好,可大面積成膜,適合批量生長(zhǎng)2.可在低溫下成膜,對(duì)基底要求比較低3.臺(tái)階覆蓋性比較好 4.薄膜成分和厚度容易控制,生長(zhǎng)方法階段 5.應(yīng)用范圍廣,設(shè)備簡(jiǎn)單,易于產(chǎn)業(yè)化。評(píng)價(jià)氧化硅薄膜的質(zhì)量,簡(jiǎn)單的方法是采用BOE腐蝕氧化硅薄膜,腐蝕速率越慢,薄膜質(zhì)量越致密,反之,腐蝕速率越快,薄膜質(zhì)量越差。另外,沉積速率的快慢也會(huì)影響到薄膜的質(zhì)量,沉積速率過(guò)快,會(huì)導(dǎo)致氧化硅薄膜速率過(guò)快,說(shuō)明薄膜質(zhì)量比較差。真空鍍膜有濺射鍍膜形式。南充真空鍍膜加工真空鍍膜:離子鍍膜法:目前比較常用的組合方式有:直流二極型(DCIP)。利用電阻或電子束加熱使膜材氣化;...
原子層沉積(atomiclayer deposition,ALD)技術(shù),亦稱原子層外延(atomiclayer epitaxy,ALE)技術(shù),是一種基于有序、表面自飽和反應(yīng)的化學(xué)氣相薄膜沉積技術(shù)。原子層沉積技術(shù)起源于上世紀(jì)六七十年代,由前蘇聯(lián)科學(xué)家Aleskovskii和Koltsov報(bào)道,隨后,基于電致發(fā)光薄膜平板顯示器對(duì)高質(zhì)量ZnS: Mn薄膜材料的需求,由芬蘭Suntalo博士發(fā)展并完善。然而,受限于其復(fù)雜的表面化學(xué)過(guò)程等因素,原子層沉積技術(shù)在開(kāi)始并沒(méi)有取得較大發(fā)展,直到上世紀(jì)九十年代,隨著半導(dǎo)體工業(yè)的興起,對(duì)各種元器件尺寸,集成度等方面的要求越來(lái)越高,原子層沉積技術(shù)才迎來(lái)發(fā)展的黃金階段...
在等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)工藝中,由等離子體輔助化學(xué)反應(yīng)過(guò)程。在等離子體輔助下,200 到500°C的工藝溫度足以實(shí)現(xiàn)成品膜層的制備,因此該技術(shù)降低了基材的溫度負(fù)荷。等離子可在接近基片的周圍被激發(fā)(近程等離子法)。而對(duì)于半導(dǎo)體硅片等敏感型基材,輻射和離子轟擊可能損壞基材。另一方面,在遠(yuǎn)程等離子法中,等離子體與基材間設(shè)有空間隔斷。隔斷不僅能夠保護(hù)基材,也允許激發(fā)混合工藝氣體的特定成分。然而,為保證化學(xué)反應(yīng)在被激發(fā)的粒子真正抵達(dá)基材表面時(shí)才開(kāi)始進(jìn)行,需精心設(shè)計(jì)工藝過(guò)程。在真空鍍膜機(jī)運(yùn)轉(zhuǎn)正常情況下,開(kāi)動(dòng)真空鍍膜機(jī)時(shí),必須先開(kāi)水管,工作中應(yīng)隨時(shí)注意水壓。肇慶真空鍍膜廠家利用PECVD生長(zhǎng)的...
基片溫度對(duì)薄膜結(jié)構(gòu)有較大影響,基片溫度高,使吸附原子的動(dòng)能增大,跨越表面勢(shì)壘的幾率增多,容易結(jié)晶化,并使薄膜缺陷減少,同時(shí)薄膜內(nèi)應(yīng)力也會(huì)減少,基片溫度低,則易形成無(wú)定形結(jié)構(gòu)膜。 材料飽和蒸汽壓隨溫度的上升而迅速增大,所以實(shí)驗(yàn)時(shí)必須控制好蒸發(fā)源溫度。蒸發(fā)鍍膜常用的加熱方法時(shí)電阻大電流加熱,采用鎢,鉬,鉑等高熔點(diǎn)的金屬。真空鍍膜時(shí),飛抵基片的氣化原子或分子,一部分被反射,一部分被蒸發(fā)離開(kāi),剩下的要么結(jié)合在一起,再捕獲其他原子或分子,使得自己增大;或者單個(gè)原子或分子在基片上自由擴(kuò)散,逐漸生長(zhǎng),覆蓋整個(gè)基片,形成鍍膜。注意的是基片的清潔度和完整性將影響到鍍膜的形成速率和質(zhì)量通過(guò)加熱蒸發(fā)某種物質(zhì)使其沉積...
真空鍍膜:物理的氣相沉積技術(shù)是指在真空條件下采用物理方法將材料源(固體或液體)表面氣化成氣態(tài)原子或分子,或部分電離成離子,并通過(guò)低壓氣體(或等離子體)過(guò)程,在基體表面沉積具有某種特殊功能的薄膜的技術(shù),物理的氣相沉積是主要的表面處理技術(shù)之一。PVD(物理的氣相沉積)鍍膜技術(shù)主要分為三類:真空蒸發(fā)鍍膜、真空濺射鍍膜和真空離子鍍膜。物理的氣相沉積的主要方法有:真空蒸鍍、濺射鍍膜、電弧等離子體鍍、離子鍍膜和分子束外延等。相應(yīng)的真空鍍膜設(shè)備包括真空蒸發(fā)鍍膜機(jī)、真空濺射鍍膜機(jī)和真空離子鍍膜機(jī)。真空鍍膜中離子鍍的鍍層無(wú)氣泡。石家莊UV真空鍍膜真空鍍膜:電子束蒸發(fā)法:電子束蒸發(fā)法是將蒸發(fā)材料放入水冷銅坩鍋中,...
真空鍍膜的方法:離子鍍:離子鍍Z早是由D。M。Mattox在1963年提出的。在真空條件下,利用氣體放電使氣體或蒸發(fā)物質(zhì)離化,在氣體離子或蒸發(fā)物質(zhì)離子轟擊作用的同時(shí),把蒸發(fā)物質(zhì)或其反應(yīng)物蒸鍍?cè)诨?。離子鍍是將輝光放電、等離子技術(shù)與真空蒸發(fā)鍍膜技術(shù)相結(jié)合的一門(mén)新型鍍膜技術(shù)。它兼具真空蒸鍍和濺射鍍膜的優(yōu)點(diǎn),由于荷能粒子對(duì)基體表面的轟擊,可以使膜層附著力強(qiáng),繞射性好,沉積速率高,對(duì)環(huán)境無(wú)污染等好處。離子鍍的種類多種多樣,根據(jù)鍍料的氣化方式(電阻加熱、電子束加熱、等離子電子束加熱、多弧加熱、高頻感應(yīng)加熱等)、氣化分子或原子的離化和激發(fā)方式(輝光放電型、電子束型、熱電子型、等離子電子束型等),以及不同...
磁控濺射的工作原理是指電子在電場(chǎng)E的作用下,在飛向基片過(guò)程中與氬原子發(fā)生碰撞,使其電離產(chǎn)生出Ar正離子和新的電子;新電子飛向基片,Ar離子在電場(chǎng)作用下加速飛向陰極靶,并以高能量轟擊靶表面,使靶材發(fā)生濺射。在濺射粒子中,中性的靶原子或分子沉積在基片上形成薄膜,而產(chǎn)生的二次電子會(huì)受到電場(chǎng)和磁場(chǎng)作用,產(chǎn)生E(電場(chǎng))×B(磁場(chǎng))所指的方向漂移,簡(jiǎn)稱E×B漂移,其運(yùn)動(dòng)軌跡近似于一條擺線。若為環(huán)形磁場(chǎng),則電子就以近似擺線形式在靶表面做圓周運(yùn)動(dòng),它們的運(yùn)動(dòng)路徑不僅很長(zhǎng),而且被束縛在靠近靶表面的等離子體區(qū)域內(nèi),并且在該區(qū)域中電離出大量的Ar 來(lái)轟擊靶材,從而實(shí)現(xiàn)了高的沉積速率。真空鍍膜機(jī)大功率脈沖磁控濺射技術(shù)...
真空鍍膜:電子束蒸發(fā)可以蒸發(fā)高熔點(diǎn)材料,比起一般的電阻加熱蒸發(fā)熱效率高、束流密度大、蒸發(fā)速度快,制成的薄膜純度高、質(zhì)量好,厚度可以較準(zhǔn)確地控制,可以普遍應(yīng)用于制備高純薄膜和導(dǎo)電玻璃等各種光學(xué)材料薄膜。電子束蒸發(fā)的特點(diǎn)是不會(huì)或很少覆蓋在目標(biāo)三維結(jié)構(gòu)的兩側(cè),通常只會(huì)沉積在目標(biāo)表面。這是電子束蒸發(fā)和濺射的區(qū)別。常見(jiàn)于半導(dǎo)體科研工業(yè)領(lǐng)域。利用加速后的電子能量打擊材料標(biāo)靶,使材料標(biāo)靶蒸發(fā)升騰。較終沉積到目標(biāo)上。真空鍍膜的主要功能包括賦予被鍍件表面高度金屬光澤和鏡面效果。真空鍍膜儀真空鍍膜:隨著沉積方法和技術(shù)的提升,物理的氣相沉積技術(shù)不僅可沉積金屬膜、合金膜、還可以沉積化合物、陶瓷、半導(dǎo)體、聚合物膜等。物...
磁控濺射的工作原理是指電子在外加電場(chǎng)的作用下,在飛向襯底過(guò)程中與氬原子發(fā)生碰撞,使其電離產(chǎn)生出Ar正離子和新的電子;新電子飛向襯底,Ar離子在電場(chǎng)作用下加速飛向陰極靶,并以高能量轟擊靶表面,使靶材發(fā)生濺射。在濺射粒子中,中性的靶原子或分子沉積在基片上形成薄膜,而產(chǎn)生的二次電子會(huì)受到電場(chǎng)和磁場(chǎng)作用,被束縛在靠近靶表面的等離子體區(qū)域內(nèi),以近似擺線形式在靶表面做圓周運(yùn)動(dòng),并且在該區(qū)域中電離出大量的Ar 來(lái)轟擊靶材,從而實(shí)現(xiàn)了高的沉積速率。隨著碰撞次數(shù)的增加,二次電子的能量消耗殆盡,逐漸遠(yuǎn)離靶表面,并在電場(chǎng)的作用下沉積在襯底上。由于該電子的能量很低,傳遞給襯底的能量很小,致使襯底溫升較低。真空鍍膜機(jī)光...
真空鍍膜技術(shù)一般分為兩大類,即物理的氣相沉積(PVD)技術(shù)和化學(xué)氣相沉積(CVD)技術(shù)。物理的氣相沉積技術(shù)是指在真空條件下,利用各種物理方法,將鍍料氣化成原子、分子或使其離化為離子,直接沉積到基體表面上的方法。制備硬質(zhì)反應(yīng)膜大多以物理的氣相沉積方法制得,它利用某種物理過(guò)程,如物質(zhì)的熱蒸發(fā),或受到離子轟擊時(shí)物質(zhì)表面原子的濺射等現(xiàn)象,實(shí)現(xiàn)物質(zhì)原子從源物質(zhì)到薄膜的可控轉(zhuǎn)移過(guò)程。物理的氣相沉積技術(shù)具有膜/基結(jié)合力好、薄膜均勻致密、薄膜厚度可控性好、應(yīng)用的靶材普遍、濺射范圍寬、可沉積厚膜、可制取成分穩(wěn)定的合金膜和重復(fù)性好等優(yōu)點(diǎn)。真空鍍膜在鋼材、鎳、鈾、金剛石表面鍍鈦金屬薄膜,提高了鋼材、鈾、金剛石等材料...
真空鍍膜技術(shù)一般分為兩大類,即物理的氣相沉積技術(shù)和化學(xué)氣相沉積技術(shù)。物理的氣相沉積技術(shù)是指在真空條件下,利用各種物理方法,將鍍料氣化成原子、分子或使其離化為離子,直接沉積到基體表面上的方法。制備硬質(zhì)反應(yīng)膜大多以物理的氣相沉積方法制得,它利用某種物理過(guò)程,如物質(zhì)的熱蒸發(fā),或受到離子轟擊時(shí)物質(zhì)表面原子的濺射等現(xiàn)象,實(shí)現(xiàn)物質(zhì)原子從源物質(zhì)到薄膜的可控轉(zhuǎn)移過(guò)程。物理的氣相沉積技術(shù)具有膜/基結(jié)合力好、薄膜均勻致密、薄膜厚度可控性好、應(yīng)用的靶材普遍、濺射范圍寬、可沉積厚膜、可制取成分穩(wěn)定的合金膜和重復(fù)性好等優(yōu)點(diǎn)。同時(shí),物理的氣相沉積技術(shù)由于其工藝處理溫度可控制在500℃以下?;瘜W(xué)氣相沉積技術(shù)是把含有構(gòu)成薄膜...
真空鍍膜的方法:濺射鍍膜:在鋼材、鎳、鈾、金剛石表面鍍鈦金屬薄膜,提高了鋼材、鈾、金剛石等材料的耐腐蝕性能,使得使用領(lǐng)域更加普遍;而鎂作為硬組織植入材料,在近年來(lái)投入臨床使用,當(dāng)在鎂表面鍍制一層鈦金屬薄膜,不僅加強(qiáng)了材料的耐蝕性,而且鈦生物體相容性好,比重小、毒性低、更易為人體所接受;在云母、硅片、玻璃等材料上鍍上鈦金屬薄膜,研究其對(duì)電磁波的反射、吸收、透射作用,對(duì)于高效太陽(yáng)能吸收、電磁輻射、噪音屏蔽吸收和凈化等領(lǐng)域具有重要意義。除此之外,磁控濺射作為一種非熱式鍍膜技術(shù),主要應(yīng)用在化學(xué)氣相沉積(CVD)或金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積(MOCVD)生長(zhǎng)困難及不適用的鈦薄膜沉積,可以獲得大面積非常均勻的薄...
真空鍍膜技術(shù)與濕式鍍膜技術(shù)相比較,具有下列優(yōu)點(diǎn):薄膜和基體選材普遍,薄膜厚度可進(jìn)行控制,以制備具有各種不同功能的功能性薄膜。在真空條件下制備薄膜,環(huán)境清潔,薄膜不易受到污染,因此可獲得致密性好、純度高和涂層均勻的薄膜。薄膜與基體結(jié)合強(qiáng)度好,薄膜牢固。干式鍍膜既不產(chǎn)生廢液,也無(wú)環(huán)境污染。真空鍍膜技術(shù)主要有真空蒸發(fā)鍍、真空濺射鍍、真空離子鍍、真空束流沉積、化學(xué)氣相沉積等多種方法。除化學(xué)氣相沉積法外,其他幾種方法均具有以下的共同特點(diǎn):各種鍍膜技術(shù)都需要一個(gè)特定的真空環(huán)境,以保證制膜材料在加熱蒸發(fā)或?yàn)R射過(guò)程中所形成蒸氣分子的運(yùn)動(dòng),不致受到大氣中大量氣體分子的碰撞、阻擋和干擾,并消除大氣中雜質(zhì)的不良影響...
真空鍍膜:電阻加熱蒸發(fā)法:電阻加熱蒸發(fā)法就是采用鎢、鉬等高熔點(diǎn)金屬,做成適當(dāng)形狀的蒸發(fā)源,其上裝入待蒸發(fā)材料,讓電流通過(guò),對(duì)蒸發(fā)材料進(jìn)行直接加熱蒸發(fā),或者把待蒸發(fā)材料放入坩鍋中進(jìn)行間接加熱蒸發(fā)。利用電阻加熱器加熱蒸發(fā)的鍍膜設(shè)備構(gòu)造簡(jiǎn)單、造價(jià)便宜、使用可靠,可用于熔點(diǎn)不太高的材料的蒸發(fā)鍍膜,尤其適用于對(duì)膜層質(zhì)量要求不太高的大批量的生產(chǎn)中。目前在鍍鋁制品的生產(chǎn)中仍然大量使用著電阻加熱蒸發(fā)的工藝。電阻加熱方式的缺點(diǎn)是:加熱所能達(dá)到的較高溫度有限,加熱器的壽命也較短。近年來(lái),為了提高加熱器的壽命,國(guó)內(nèi)外已采用壽命較長(zhǎng)的氮化硼合成的導(dǎo)電陶瓷材料作為加熱器。真空蒸鍍是真空鍍膜技術(shù)的一種。莆田真空鍍膜真空鍍...
磁控濺射技術(shù)可制備裝飾薄膜、硬質(zhì)薄膜、耐腐蝕摩擦薄膜、超導(dǎo)薄膜、磁性薄膜、光學(xué)薄膜,以及各種具有特殊功能的薄膜,是一種十分有效的薄膜沉積方法,在各個(gè)工業(yè)領(lǐng)域應(yīng)用非常廣。“濺射”是指具有一定能量的粒子(一般為Ar+離子)轟擊固體(靶材)表面,使得固體(靶材)分子或原子離開(kāi)固體,從表面射出,沉積到被鍍工件上。磁控濺射是在靶材表面建立與電場(chǎng)正交磁場(chǎng),電子受電場(chǎng)加速作用的同時(shí)受到磁場(chǎng)的束縛作用,運(yùn)動(dòng)軌跡成擺線,增加了電子和帶電粒子以及氣體分子相碰撞的幾率,提高了氣體的離化率,提高了沉積速率。真空鍍膜的操作規(guī)程:工作完畢應(yīng)斷電、斷水。安徽ITO鍍膜真空鍍膜真空鍍膜:真空濺射法:真空濺射法是物理的氣相沉積...
真空鍍膜:真空蒸發(fā)鍍膜法:真空蒸發(fā)法的原理是:在真空條件下,用蒸發(fā)源加熱蒸發(fā)材料,使之蒸發(fā)或升華進(jìn)入氣相,氣相粒子流直接射向基片上沉積或結(jié)晶形成固態(tài)薄膜;由于環(huán)境是真空,因此,無(wú)論是金屬還是非金屬,在這種情況下蒸發(fā)要比常壓下容易得多。真空蒸發(fā)鍍膜是發(fā)展較早的鍍膜技術(shù),其特點(diǎn)是:設(shè)備相對(duì)簡(jiǎn)單,沉積速率快,膜層純度高,制膜材料及被鍍件材料范圍很廣,鍍膜過(guò)程可以實(shí)現(xiàn)連續(xù)化,應(yīng)用相當(dāng)普遍。按蒸發(fā)源的不同,主要分為:電阻加熱蒸發(fā)、電子束蒸發(fā)、電弧蒸發(fā)和激光蒸發(fā)等。真空鍍膜中離子鍍清洗效果極好,能使鍍層直接貼近基體。徐州真空鍍膜真空鍍膜的物理過(guò)程:PVD(物理的氣相沉積技術(shù))的基本原理可分為三個(gè)工藝步驟:...
真空鍍膜:真空涂層技術(shù)發(fā)展到了現(xiàn)在還出現(xiàn)了PCVD(物理化學(xué)氣相沉積)、MT-CVD(中溫化學(xué)氣相沉積)等新技術(shù),各種涂層設(shè)備、各種涂層工藝層出不窮。目前較為成熟的PVD方法主要有多弧鍍與磁控濺射鍍兩種方式。多弧鍍?cè)O(shè)備結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,容易操作。多弧鍍的不足之處是,在用傳統(tǒng)的DC電源做低溫涂層條件下,當(dāng)涂層厚度達(dá)到0。3um時(shí),沉積率與反射率接近,成膜變得非常困難。而且,薄膜表面開(kāi)始變朦。多弧鍍另一個(gè)不足之處是,由于金屬是熔后蒸發(fā),因此沉積顆粒較大,致密度低,耐磨性比磁控濺射法成膜差。可見(jiàn),多弧鍍膜與磁控濺射法鍍膜各有優(yōu)劣,為了盡可能地發(fā)揮它們各自的優(yōu)越性,實(shí)現(xiàn)互補(bǔ),將多弧技術(shù)與磁控技術(shù)合而為一的涂層...
電子束蒸發(fā)可以蒸發(fā)高熔點(diǎn)材料,比一般電阻加熱蒸發(fā)熱效率高、 束流密度大、蒸發(fā)速度快,制成的薄膜純度高、質(zhì)量好,通過(guò)晶振控制,厚度可以較準(zhǔn)確地控制,可以廣泛應(yīng)用于制備高純薄膜和各種光學(xué)材料薄膜。電子束蒸發(fā)的金屬粒子只能考自身能量附著在襯底表面,臺(tái)階覆蓋性比較差,如果需要追求臺(tái)階覆蓋性和薄膜粘附力,建議使用磁控濺射。在蒸發(fā)溫度以上進(jìn)行蒸發(fā)試,蒸發(fā)源溫度的微小變化即可引起蒸發(fā)速率發(fā)生很大變化。因此,在鍍膜過(guò)程中,想要控制蒸發(fā)速率,必須精確控制蒸發(fā)源的溫度,加熱時(shí)應(yīng)盡量避免產(chǎn)生過(guò)大的溫度梯度。蒸發(fā)速率正比于材料的飽和蒸氣壓,溫度變化10%左右,飽和蒸氣壓就要變化一個(gè)數(shù)量級(jí)左右。真空鍍膜在所有被鍍材料中...
真空鍍膜:真空蒸鍍基本工藝鍍前處理:包括清洗鍍件和預(yù)處理。具體清洗方法有清洗劑清洗、化學(xué)溶劑清洗、超聲波清洗和離子轟擊清洗等。具體預(yù)處理有除靜電,涂底漆等。裝爐:包括真空室清理及鍍件掛具的清洗,蒸發(fā)源安裝、調(diào)試、鍍件褂卡。抽真空:一般先粗抽至6。6Pa以上,更早打開(kāi)擴(kuò)散泵的前級(jí)維持真空泵,加熱擴(kuò)散泵。待預(yù)熱足夠后,打開(kāi)高閥,用擴(kuò)散泵抽至6×10-3Pa半底真空度。烘烤:將鍍件烘烤加熱到所需溫度。離子轟擊:真空度一般在10Pa~10-1Pa,離子轟擊電壓200V~1kV負(fù)高壓,離擊時(shí)間為5min~30min,預(yù)熔:調(diào)整電流使鍍料預(yù)熔,除氣1min~2min。蒸發(fā)沉積:根據(jù)要求調(diào)整蒸發(fā)電流,直到所...
磁控濺射包括很多種類各有不同工作原理和應(yīng)用對(duì)象。但有一共同點(diǎn):利用磁場(chǎng)與電場(chǎng)交互作用,使電子在靶表面附近成螺旋狀運(yùn)行,從而增大電子撞擊氬氣產(chǎn)生離子的概率。所產(chǎn)生的離子在電場(chǎng)作用下撞向靶面從而濺射出靶材。靶源分平衡和非平衡式,平衡式靶源鍍膜均勻,非平衡式靶源鍍膜膜層和基體結(jié)合力強(qiáng)。平衡靶源多用于半導(dǎo)體光學(xué)膜,非平衡多用于磨損裝飾膜。磁控陰極按照磁場(chǎng)位形分布不同,大致可分為平衡態(tài)和非平衡磁控陰極。具體應(yīng)用需選擇不一樣的磁控設(shè)備類型。真空鍍膜技術(shù)有真空離子鍍膜。廣州真空鍍膜廠磁控濺射可改變工作氣體與氬氣比例從而進(jìn)行反應(yīng)濺射,例如使用Si靶材,通入一定比例的N2,氬氣作為工作氣體,而氮?dú)庾鳛榉磻?yīng)氣體,...