纖直接耦合是指把端面已處理平滑的平頭光纖直接對(duì)向另外一個(gè)接收光纖的端面。這種耦合方法影響耦合效率的主要因素是出射光纖的光束束腰半徑和接收端光纖芯徑的匹配以及出射端光束的發(fā)散角和接收端光纖的數(shù)值孔徑角的匹配。因?yàn)橐陨蟽蓚€(gè)原因會(huì)造成兩光纖之間存在嚴(yán)重的模失配，因此...

硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)是比較關(guān)鍵的，我們的客戶(hù)非常關(guān)注此工位測(cè)試的嚴(yán)謹(jǐn)性，硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)主要控制“信號(hào)弱”，“易掉話”，“找網(wǎng)慢或不找網(wǎng)”，“不能接聽(tīng)”等不良機(jī)流向市場(chǎng)。一般模擬用戶(hù)環(huán)境對(duì)設(shè)備EMC干擾的方法與實(shí)際使用環(huán)境存在較大差異，所以“信號(hào)類(lèi)”返修量...

自動(dòng)光纖耦合系統(tǒng)：本系統(tǒng)適合于有源方式來(lái)實(shí)現(xiàn)全自動(dòng)COB耦合，是特別為COB等生產(chǎn)而優(yōu)化設(shè)計(jì)。而獨(dú)特專(zhuān)利設(shè)計(jì)的夾具，方便快速拿取工料。而其獨(dú)特設(shè)計(jì)的氣動(dòng)點(diǎn)膠及UV固化裝置，定位準(zhǔn)確，動(dòng)作快捷等優(yōu)點(diǎn)。產(chǎn)品特色：1、高精度電動(dòng)線性位移臺(tái)，保證調(diào)節(jié)精度。2、定制的光...

硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)系統(tǒng)，該設(shè)備主要由極低/變溫控制子系統(tǒng)、背景強(qiáng)磁場(chǎng)子系統(tǒng)、強(qiáng)電流加載控制子系統(tǒng)、機(jī)械力學(xué)加載控制子系統(tǒng)、非接觸多場(chǎng)環(huán)境下的宏/微觀變形測(cè)量子系統(tǒng)五個(gè)子系統(tǒng)組成。其中極低/變溫控制子系統(tǒng)采用GM制冷機(jī)進(jìn)行低溫冷卻，實(shí)現(xiàn)無(wú)液氦制冷，并通過(guò)傳導(dǎo)冷...

伴隨著光纖通信技術(shù)的快速發(fā)展,小到芯片間,大到數(shù)據(jù)中心間的大規(guī)模數(shù)據(jù)交換處理,都迫切需求高速,可靠,低成本,低功耗的互聯(lián)。當(dāng)前,我們把主流的光互聯(lián)技術(shù)分為兩類(lèi)。一類(lèi)是基于III-V族半導(dǎo)體材料,另一類(lèi)是基于硅等與現(xiàn)有的成熟的微電子CMOS工藝兼容的材料?；贗...

硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)主要工作可以分為四個(gè)部分：1、利用開(kāi)發(fā)出的耦合封裝工藝,對(duì)硅光芯片調(diào)制器進(jìn)行耦合封裝并進(jìn)行性能測(cè)試。分析并聯(lián)MZI型硅光芯片調(diào)制器的調(diào)制特性,針對(duì)調(diào)制過(guò)程,建立數(shù)學(xué)模型,從數(shù)學(xué)的角度出發(fā),總結(jié)出調(diào)制器的直流偏置電壓的快速測(cè)試方法。并通過(guò)調(diào)制...

硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)這些有視覺(jué)輔助地初始光耦合的步驟是耦合工藝的一部分。在此工藝過(guò)程中，輸入及輸出光纖陣列和波導(dǎo)輸入及輸出端面的距離大約是100~200微米，以便通過(guò)使用機(jī)器視覺(jué)精密地校準(zhǔn)預(yù)粘接間隙的測(cè)量，為后面必要的旋轉(zhuǎn)耦合留出安全的空間。旋轉(zhuǎn)耦合技術(shù)的原理...

光子晶體光纖耦合系統(tǒng)正在以極快的速度影響著現(xiàn)代科學(xué)的多個(gè)領(lǐng)域。利用光子帶隙結(jié)構(gòu)來(lái)解決光子晶體物理學(xué)中的一些基本問(wèn)題,如局域場(chǎng)的加強(qiáng)、控制原子和分子的傳輸、增強(qiáng)非線性光學(xué)效應(yīng)、研究電子和微腔、光子晶體中的輻射模式耦合的電動(dòng)力學(xué)過(guò)程等。同時(shí),實(shí)驗(yàn)和理論研究結(jié)果都表...

硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)中半導(dǎo)體激光器芯片與硅光芯片的耦合結(jié)構(gòu)及耦合方法,該耦合結(jié)構(gòu)包括激光器單元,其包含有激光器芯片;硅光芯片,其上設(shè)有波導(dǎo);以及刻蝕槽,其設(shè)置在硅光芯片的耦合端,用于連接激光器單元和硅光芯片。本發(fā)明能夠?qū)崿F(xiàn)半導(dǎo)體激光器芯片與硅光芯片的高效率耦合...

硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)是比較關(guān)鍵的，我們的客戶(hù)非常關(guān)注此工位測(cè)試的嚴(yán)謹(jǐn)性，硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)主要控制“信號(hào)弱”，“易掉話”，“找網(wǎng)慢或不找網(wǎng)”，“不能接聽(tīng)”等不良機(jī)流向市場(chǎng)。一般模擬用戶(hù)環(huán)境對(duì)設(shè)備EMC干擾的方法與實(shí)際使用環(huán)境存在較大差異，所以“信號(hào)類(lèi)”返修量...

我們對(duì)單模光纖間的相互耦合、多模光纖出射光場(chǎng)的光束及光強(qiáng)做了基本的了解及分析，為后面的多-單模光纖耦合系統(tǒng)的架構(gòu)打下基礎(chǔ)。其次，通過(guò)對(duì)耦合器件自聚焦透鏡及球透鏡的分析及研究，設(shè)計(jì)并研制出了多模光纖到單模光纖耦合系統(tǒng)的雛形。先使用自聚焦透鏡來(lái)匯聚從多模光纖出射光...

只要在確認(rèn)耦合不過(guò)的前提下，可依次排除B殼天線、KB板和同軸線的故障進(jìn)行維修。若以上一一排除，則是主板參數(shù)校準(zhǔn)的問(wèn)題，或者說(shuō)是主板硬件存在故障。耦合天線的種類(lèi)比較多，有塔式、平板式、套筒式，常用的是自動(dòng)硅光芯片硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)系統(tǒng)。為防止外部環(huán)境的電磁干擾...

說(shuō)到功率飄忽不定，耦合直通率低一直是影響產(chǎn)能的重要因素，功率飄通常與耦合板的位置有關(guān)，因此在耦合時(shí)一定要固定好相應(yīng)的位置，不可隨便移動(dòng)，此外部分機(jī)型需要使用專(zhuān)屬版本，又或者說(shuō)耦合RF線材損壞也會(huì)對(duì)功率的穩(wěn)定造成比較大的影響。若以上原因都排除則故障原因就集中在終...

硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)測(cè)試時(shí)說(shuō)到功率飄忽不定，耦合直通率低一直是影響產(chǎn)能的重要的因素，功率飄通常與耦合板的位置有關(guān)，因此在耦合時(shí)一定要固定好相應(yīng)的位置，不可隨便移動(dòng)，此外部分機(jī)型需要使用專(zhuān)屬版本，又或者說(shuō)耦合RF線材損壞也會(huì)對(duì)功率的穩(wěn)定造成比較大的影響。若以上原...

硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)是什么？硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)主要是用整機(jī)模擬一個(gè)實(shí)際使用的環(huán)境,測(cè)試設(shè)備在無(wú)線環(huán)境下的射頻性能,重點(diǎn)集中在天線附近一塊，即檢測(cè)天線與主板之間的匹配性。因?yàn)樵谔炀€硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)之前(SMT段）已經(jīng)做過(guò)RFcable測(cè)試，所以可以認(rèn)為主板...

基于設(shè)計(jì)版圖對(duì)硅光芯片進(jìn)行光耦合測(cè)試的方法及系統(tǒng),該方法包括:讀取并解析設(shè)計(jì)版圖,得到用于構(gòu)建芯片圖形的坐標(biāo)簇?cái)?shù)據(jù),驅(qū)動(dòng)左側(cè)光纖對(duì)準(zhǔn)第1測(cè)試點(diǎn),獲取與第1測(cè)試點(diǎn)相對(duì)應(yīng)的測(cè)試點(diǎn)圖形的第1選中信息,驅(qū)動(dòng)右側(cè)光纖對(duì)準(zhǔn)第二測(cè)試點(diǎn),獲取與第二測(cè)試點(diǎn)相對(duì)應(yīng)的測(cè)試點(diǎn)圖形的第...

硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)系統(tǒng)，該設(shè)備主要由極低/變溫控制子系統(tǒng)、背景強(qiáng)磁場(chǎng)子系統(tǒng)、強(qiáng)電流加載控制子系統(tǒng)、機(jī)械力學(xué)加載控制子系統(tǒng)、非接觸多場(chǎng)環(huán)境下的宏/微觀變形測(cè)量子系統(tǒng)五個(gè)子系統(tǒng)組成。其中極低/變溫控制子系統(tǒng)采用GM制冷機(jī)進(jìn)行低溫冷卻，實(shí)現(xiàn)無(wú)液氦制冷，并通過(guò)傳導(dǎo)冷...

光子帶隙型光子晶體光纖耦合系統(tǒng)：相對(duì)于折射率引導(dǎo)型光子晶體光纖耦合系統(tǒng),光子帶隙型光子晶體光纖耦合系統(tǒng)要求包層空氣孔結(jié)構(gòu)具有嚴(yán)格的周期性。纖芯的引入使其周期性結(jié)構(gòu)遭到破壞時(shí),就形成了具有一定頻寬的缺陷態(tài)或局域態(tài),而只有特定頻率的光波可以在這個(gè)缺陷區(qū)域中傳播,其...

設(shè)計(jì)和研發(fā)新型光纖的重點(diǎn)是拉制工藝的控制和使用材料的選取。傳統(tǒng)單模光纖要求纖芯和包層材料的折射率相似(一般來(lái)講折射率差在1%左右),而光子晶體光纖耦合系統(tǒng)卻要求折射率差值比較大,達(dá)到50%～100%。普通光纖中微小的折射率差常常用氣相沉積的技術(shù)得到所需的預(yù)制棒...

設(shè)計(jì)和研發(fā)新型光纖的重點(diǎn)是拉制工藝的控制和使用材料的選取。傳統(tǒng)單模光纖要求纖芯和包層材料的折射率相似(一般來(lái)講折射率差在1%左右),而光子晶體光纖耦合系統(tǒng)卻要求折射率差值比較大,達(dá)到50%～100%。普通光纖中微小的折射率差常常用氣相沉積的技術(shù)得到所需的預(yù)制棒...

硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)的應(yīng)用技術(shù)領(lǐng)域,公開(kāi)了光子集成芯片的新型測(cè)試系統(tǒng)及方法,包括測(cè)試設(shè)備和集成芯片放置設(shè)備,測(cè)試設(shè)備包括電耦合測(cè)試設(shè)備和光耦合測(cè)試設(shè)備中的一種或兩種,電耦合測(cè)試設(shè)備和光耦合測(cè)試設(shè)備可拆卸安裝在集成芯片放置機(jī)構(gòu)四周,電耦合測(cè)試設(shè)備包括單探針耦合模...

在硅光芯片領(lǐng)域，芯片耦合封裝問(wèn)題是硅光子芯片實(shí)用化過(guò)程中的關(guān)鍵問(wèn)題，芯片性能的測(cè)試也是至關(guān)重要的一步驟，現(xiàn)有的硅硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)系統(tǒng)是將硅光芯片的輸入輸出端硅光纖置于顯微鏡下靠人工手工移動(dòng)微調(diào)架轉(zhuǎn)軸進(jìn)行調(diào)硅光，并依靠對(duì)輸出硅光的硅光功率進(jìn)行監(jiān)控，再反饋到微...

使用光纖耦合系統(tǒng)通過(guò)數(shù)據(jù)進(jìn)行對(duì)比分析，得出較好的耦合效率數(shù)值及此時(shí)各個(gè)耦合器件之間的距離。當(dāng)多模光纖距離自聚焦透鏡為1.87mm，自聚焦透鏡距離帶球透鏡的單模光纖為1.26mm的時(shí)候，耦合效率達(dá)到較大值7.3。提出并研制出的多模光纖到單模光纖組合透鏡耦合系統(tǒng)結(jié)...

硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)系統(tǒng)，該設(shè)備主要由極低/變溫控制子系統(tǒng)、背景強(qiáng)磁場(chǎng)子系統(tǒng)、強(qiáng)電流加載控制子系統(tǒng)、機(jī)械力學(xué)加載控制子系統(tǒng)、非接觸多場(chǎng)環(huán)境下的宏/微觀變形測(cè)量子系統(tǒng)五個(gè)子系統(tǒng)組成。其中極低/變溫控制子系統(tǒng)采用GM制冷機(jī)進(jìn)行低溫冷卻，實(shí)現(xiàn)無(wú)液氦制冷，并通過(guò)傳導(dǎo)冷...

多模光纖耦合系統(tǒng),屬于照明技術(shù)領(lǐng)域。系統(tǒng)包括激光光源、耦合透鏡、多模光纖;耦合透鏡設(shè)于激光光源和多模光纖之間,多模光纖其與耦合透鏡連接的一端設(shè)有光纖準(zhǔn)直器;耦合透鏡的進(jìn)光端和出光端中的至少一端具有自由曲面,進(jìn)光端或出光端具有自由曲面時(shí)且具有至少一個(gè)自由曲面,使...

硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)組件裝夾完成后，主要是通過(guò)校正X,Y和Z方向的偏差來(lái)進(jìn)行的初始光功率進(jìn)行耦合測(cè)試的，圖像處理軟件能自動(dòng)測(cè)量出各項(xiàng)偏差，然后軟件驅(qū)動(dòng)運(yùn)動(dòng)控制系統(tǒng)和運(yùn)動(dòng)平臺(tái)來(lái)補(bǔ)償偏差，以及給出提示，繼續(xù)手動(dòng)調(diào)整角度滑臺(tái)。當(dāng)三個(gè)器件完成初始定位，同時(shí)確認(rèn)其在Z軸...

使用光纖耦合系統(tǒng)通過(guò)數(shù)據(jù)進(jìn)行對(duì)比分析，得出較好的耦合效率數(shù)值及此時(shí)各個(gè)耦合器件之間的距離。當(dāng)多模光纖距離自聚焦透鏡為1.87mm，自聚焦透鏡距離帶球透鏡的單模光纖為1.26mm的時(shí)候，耦合效率達(dá)到較大值7.3。提出并研制出的多模光纖到單模光纖組合透鏡耦合系統(tǒng)結(jié)...

硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)中半導(dǎo)體激光器芯片與硅光芯片的耦合結(jié)構(gòu)及耦合方法,該耦合結(jié)構(gòu)包括激光器單元,其包含有激光器芯片;硅光芯片,其上設(shè)有波導(dǎo);以及刻蝕槽,其設(shè)置在硅光芯片的耦合端,用于連接激光器單元和硅光芯片。本發(fā)明能夠?qū)崿F(xiàn)半導(dǎo)體激光器芯片與硅光芯片的高效率耦合...

硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)應(yīng)用到硅光芯片，我們一起來(lái)了解硅光芯片的市場(chǎng)定位：光芯片作為光通信系統(tǒng)中的中心器件，它承擔(dān)著將電信號(hào)轉(zhuǎn)換成光信號(hào)或?qū)⒐庑盘?hào)轉(zhuǎn)換成電信號(hào)的重任，除了外加能源驅(qū)動(dòng)工作，光器件的轉(zhuǎn)換能力和效率決定著通信速度。為什么未來(lái)需要硅光芯片，這是由于隨著5...

硅硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)及硅光耦合方法,其用以將從硅光源發(fā)出的硅光束耦合進(jìn)入硅光纖,并可減少硅光束背向反射進(jìn)入硅光源,也提供控制的發(fā)射條件以改善前向硅光耦合。硅光耦合系統(tǒng)包括至少一個(gè)平坦的表面,平坦的表面與硅光路相交叉的部分的至少一部分上設(shè)有若干擾動(dòng)部。擾動(dòng)部具...