穩(wěn)壓管，英文名：Zener diode，又叫齊納二極管，是一種用特殊工藝制造而成的面結(jié)型硅半導(dǎo)體二極管，它的外形、內(nèi)部結(jié)構(gòu)與普通二極管相似。穩(wěn)壓管伏安特性曲線的正向特性和普通二極管差不多，反向特性是在反向電壓低于反向擊穿電壓時，反向電阻很大，反向漏電流極小。但...

MOSFET在概念上屬于“絕緣柵極場效晶體管”（Insulated-Gate Field Effect Transistor,IGFET），而IGFET的柵極絕緣層有可能是其他物質(zhì)而非MOSFET使用的氧化層。有些人在提到擁有多晶硅柵極的場效晶體管元件時比較喜...

各種常見的MOSFET技術(shù)：雙柵極MOSFET：雙柵極（dual-gate）MOSFET通常用在射頻（Radio Frequency,RF）集成電路中，這種MOSFET的兩個柵極都可以控制電流大小。在射頻電路的應(yīng)用上，雙柵極MOSFET的第二個柵極大多數(shù)用來做...

ESD保護器件具有什么特點？ESD靜電保護器件特點特性：低電容，至低可達到零點幾皮法；快速響應(yīng)時間：通常小于1.0PS；體積小，小型化器件，節(jié)約PCB空間；工作電壓可以根據(jù)IC的工作電壓設(shè)計，比如：2.8V、3.3V、5V、12V、15V等等；靈活度高，可以根...

截止：漏源極間加正電源，柵源極間電壓為零。P基區(qū)與N漂移區(qū)之間形成的PN結(jié)J1反偏，漏源極之間無電流流過。導(dǎo)電：在柵源極間加正電壓UGS，柵極是絕緣的，所以不會有柵極電流流過。但柵極的正電壓會將其下面P區(qū)中的空穴推開，而將P區(qū)中的少子—電子吸引到柵極下面的P區(qū)...

開關(guān)型防雷器件和限壓型防雷器件的區(qū)別：開關(guān)型防雷器件為間隙放電型器件，其雷電能量瀉放能力大，在線路上使用的主要作用是泄放雷電能量；限壓型防雷器件為氧化鋅壓敏電阻器件，其雷電能量瀉放能力小，但其過電壓抑制能力好，在線路上使用的主要作用是限制過電壓。因此，一般在建...

理解MOSFET的幾個常用參數(shù)VDS，即漏源電壓，這是MOSFET的一個極限參數(shù)，表示MOSFET漏極與源極之間能夠承受的較大電壓值。需要注意的是，這個參數(shù)是跟結(jié)溫相關(guān)的，通常結(jié)溫越高，該值較大。RDS(on)，漏源導(dǎo)通電阻，它表示MOSFET在某一條件下導(dǎo)通...

常見的MOSFET技術(shù)：雙柵極MOSFET，雙柵極（dual-gate）MOSFET通常用在射頻（Radio Frequency,RF）集成電路中，這種MOSFET的兩個柵極都可以控制電流大小。在射頻電路的應(yīng)用上，雙柵極MOSFET的第二個柵極大多數(shù)用來做增益...

常用于MOSFET的電路符號有很多種變化，較常見的設(shè)計是以一條直線表明通道，兩條和通道垂直的線表明源極與漏極，左方和通道平行而且較短的線表明柵極，如下圖所示。有時也會將表明通道的直線以破折線代替，以區(qū)分增強型MOSFET（enhancement mode MO...

如何區(qū)分MOSFET是N溝道還是P溝道？場效應(yīng)晶體管是金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）的簡稱，它是現(xiàn)代電子產(chǎn)品的基本組成部分。MOSFET由諸如硅的半導(dǎo)體材料制成，半導(dǎo)體在導(dǎo)體和絕緣體之間具有導(dǎo)電性。為了使半導(dǎo)體成為良好的導(dǎo)體，會在純晶體中引入兩種...

穩(wěn)壓管的主要參數(shù)如下： (1)穩(wěn)定電壓Uz就是PN結(jié)的擊穿電壓，它隨工作電流和溫度的不同而略有變化。對于同一型號的穩(wěn)壓管來說，穩(wěn)壓值有一定的離散性。(2)穩(wěn)定電流Iz穩(wěn)壓管工作時的參考電流值。它通常有一定的范圍，即Izmin——Izmax。(3)動態(tài)電阻rz它...

常用的ESD保護器件主要有Diode、Resistor、P/NMOS、BJT、SCR等，因其具有雪崩擊穿、雪崩與注入等特性，能夠瞬間進入低阻態(tài)，故具有良好的電流泄放能力，可以作為ESD防護器件。在ESD設(shè)計中，Diode是一種常見的器件。在VDD相對于VSS發(fā)...

防雷器件就是用于在雷擊浪涌的過電壓過電流的情況下為電路以及各類電力電氣設(shè)備提供防護。防雷器件正常工作時，防雷器件是斷開的；當(dāng)雷擊浪涌來的時候，防雷器件導(dǎo)通，將浪涌電流泄放到大地，從而保護了電子設(shè)備免受浪涌沖擊損壞。市場中常見的防雷器件有以下幾種：半導(dǎo)體放電管、...

防雷元器件中的陶瓷氣體放電管的選用方法：陶瓷氣體放電管的加入不能影響線路的正常工作，這就要保證陶瓷氣體放電管的直流擊穿電壓的下限值必須高于線路的較大正常工作電壓。據(jù)此確定所需陶瓷氣體放電管的標(biāo)稱直流擊穿電壓值。例如：在電話線的過電壓防護中，常態(tài)時，電話線兩線間...

ESD保護器件的使用需要注意什么？ESD保護器件是經(jīng)常見到的，為 USB 4? 選擇 ESD 保護器件：新的 USB 4? 規(guī)范引入了一些更改，會影響 ESD 保護器件的選擇。顯然，ESD 保護需要在為系統(tǒng)增加低插入損耗（信號衰減）和低回波損耗（信號反射）的同...

雙重MOSFET（CMOS）開關(guān)：為了改善單一MOSFET開關(guān)造成信號失真的缺點，于是使用一個PMOS加上一個NMOS的CMOS開關(guān)成為普遍的做法。CMOS開關(guān)將PMOS與NMOS的源極與漏極分別連接在一起，而基極的接法則和NMOS與PMOS的傳統(tǒng)接法相同。當(dāng)...

雙柵極MOSFET雙柵極（dual-gate）MOSFET通常用在射頻（Radio Frequency,RF）集成電路中，這種MOSFET的兩個柵極都可以控制電流大小。在射頻電路的應(yīng)用上，雙柵極MOSFET的第二個柵極大多數(shù)用來做增益、混頻器或是頻率轉(zhuǎn)換的控制...

要使增強型N溝道MOSFET工作，要在G、S之間加正電壓VGS及在D、S之間加正電壓VDS，則產(chǎn)生正向工作電流ID。改變VGS的電壓可控制工作電流ID。如圖2所示。若先不接VGS（即VGS=0），在D與S極之間加一正電壓VDS，漏極D與襯底之間的PN結(jié)處于反向...

開關(guān)型防雷器件和限壓型防雷器件的區(qū)別：開關(guān)型防雷器件為間隙放電型器件，其雷電能量瀉放能力大，在線路上使用的主要作用是泄放雷電能量；限壓型防雷器件為氧化鋅壓敏電阻器件，其雷電能量瀉放能力小，但其過電壓抑制能力好，在線路上使用的主要作用是限制過電壓。因此，一般在建...

防雷器件是日常生活中不可缺少的一款器件，尤其是在雷雨天氣，具有不可替代的作用。防雷器件主要分為開關(guān)元件和限壓元件兩種，在使用方法上會有一些細(xì)微的差別，防雷元器件的使用方法及其注意事項：防雷元器件的使用方法因為類別不同而在使用方法上也有所不同，主要非為開關(guān)元件和...

穩(wěn)壓管有一定的電阻，通常稱為動態(tài)電阻RZ（zener resistance）或動態(tài)阻抗ZZ（zener impedance），它是指穩(wěn)壓管兩端電壓變化與電流變化的比值，動態(tài)電阻RZ隨穩(wěn)壓管的工作電流IZ不同而不同，通常工作電IZ流越大（即分母越大），則動態(tài)電阻...

降低高壓MOSFET導(dǎo)通電阻的原因：不同耐壓的MOSFET，其導(dǎo)通電阻中各部分電阻比例分布也不同。如耐壓30V的MOSFET，其外延層電阻至少為 總導(dǎo)通電阻的29%，耐壓600V的MOSFET的外延層電阻則是總導(dǎo)通電阻的96.5%。由此可以推斷耐壓800V的M...

ESD保護器件的主要性能參數(shù)有哪些？電容(Capacitance)，在給定電壓、頻率條件下測得的值，此值越小，對保護電路的信號傳輸影響越小。比如硅半導(dǎo)體TVS管的結(jié)電容(pF級)，壓敏電阻的寄生電容(nF級)。響應(yīng)時間(ResponseTime)指ESD器件對...

防雷元器件中的陶瓷氣體放電管參數(shù)：(一)DC Spark-over Voltage直流火花放電電壓（直流擊穿電壓），GDT的直流放電電壓是指施加緩慢升高的直流電壓時，GDT火花放電時的電壓，也稱直流擊穿電壓。在上升陡度低于100V/s的電壓作用下測量，GDT應(yīng)...

ESD保護器件的歸類：ESD脈沖、電源瞬變、浪涌等現(xiàn)象是損壞芯片的主要原因。ESD保護器件能抑制靜電荷的積累和靜電壓的產(chǎn)生；安全、迅速、有效的消除已產(chǎn)生的靜電荷。ESD保護器件一般包括三種：TVS二極管、壓敏電阻和聚合物靜電抑制器。TVS二極管：瞬態(tài)抑制二極管...

防雷壓敏電阻器，顧名思義，其主要工作就是在雷暴天氣中對用電器進行保護。這種壓敏電阻器的工作原理是和用電器并聯(lián)在電路中，在用電器正常工作時由于其本身的電阻很大，因此基本不起作用。而當(dāng)電路中有大電流流過時，防雷壓敏電阻瞬間導(dǎo)通，并使得電路中的電流全部流過防雷壓敏電...

ESD保護器件在操作原理和原材料方面各自不同，以實現(xiàn)必要的功能。EDS保護器件大致分為陶瓷基類型和使用硅或聚合物作為原料的半導(dǎo)體基類型。陶瓷基類型則分為兩種，即采用電壓依賴型可變電阻器的壓敏電阻型，和電極間放電的抑制型，半導(dǎo)體基類型則包括齊納(恒定電壓)二極管...

防雷器件在使用的時候，有什么注意事項嗎？防雷元件因為其安全性能比較重要，所以在使用的時候要非常謹(jǐn)慎，防雷元器件使用注意事項如下：1、開關(guān)元件不能單獨跨接在有源電路中作差模保護，為避免電源短路，必須串接限壓元件。2、流過防雷元器件的浪涌電流必須小于其脈沖峰值電流...

若穩(wěn)壓管的穩(wěn)壓值高于15V，則應(yīng)將穩(wěn)壓電源調(diào)至20V以上。也可用低于1000V的兆歐表為穩(wěn)壓管提供測試電源。其方法是：將兆歐表正端與穩(wěn)壓管的負(fù)極相接，兆歐表的負(fù)端與穩(wěn)壓管的正極相接后，按規(guī)定勻速搖動兆歐表手柄，同時用萬用表監(jiān)測穩(wěn)壓管兩端電壓值(萬用表的電壓檔應(yīng)...

MOSFET常常用在頻率較高的場合。開關(guān)損耗在頻率提高時愈來愈占主要位置。降低柵電荷，可有效降低開關(guān)損耗。為了降低柵電荷，從減小電容的角度很容易理解在制造上應(yīng)采取的措施。為減小電容，增加絕緣層厚度（在這兒是增加氧化層厚度）當(dāng)然是措施之一。減低電容板一側(cè)的所需電...