防雷器件中應(yīng)用較普遍的是陶瓷燃?xì)夥烹姽?，因此陶瓷燃?xì)夥烹姽苁菓?yīng)用較普遍的防雷器件，無論是直流電源的防雷還是各種信號的防雷，陶瓷燃?xì)夥烹姽芏寄芷鸬胶芎玫姆雷o作用。其較大的特點是通流量大，級間電容量小，絕緣電阻高，破壞電壓的可選范圍大。玻璃放電管(放電管)是20世...

防雷器件的選購要找正規(guī)的公司，比較常用的開關(guān)型防雷器件是半導(dǎo)體放電管。 半導(dǎo)體放電管廣泛應(yīng)用在 網(wǎng)絡(luò)通訊及消費類電子產(chǎn)品、高速數(shù)據(jù)傳輸設(shè)備（T1/E1、XDSL、ISDN、HDSL、 CATV、SLIC 等）上。在選擇半導(dǎo)體放電管時主要應(yīng)考慮兩點：VRM 截止...

穩(wěn)壓管，英文名：Zener diode，又叫齊納二極管，是一種用特殊工藝制造而成的面結(jié)型硅半導(dǎo)體二極管，它的外形、內(nèi)部結(jié)構(gòu)與普通二極管相似。穩(wěn)壓管伏安特性曲線的正向特性和普通二極管差不多，反向特性是在反向電壓低于反向擊穿電壓時，反向電阻很大，反向漏電流極小。但...

要使增強型N溝道MOSFET工作，要在G、S之間加正電壓VGS及在D、S之間加正電壓VDS，則產(chǎn)生正向工作電流ID。改變VGS的電壓可控制工作電流ID。如圖2所示。若先不接VGS（即VGS=0），在D與S極之間加一正電壓VDS，漏極D與襯底之間的PN結(jié)處于反向...

防雷過壓器件玻璃氣體放電管的使用方法：①玻璃放電管既可以用作電源電路的保護，也可以用作信號電路的保護；既可以用作共模保護，也可以用作差模保護。但只能用在浪涌電流不大于3kA的地方。②直流擊穿電壓VS的選擇：直流擊穿電壓VS的較小值應(yīng)大于可能出現(xiàn)的較高電源峰值電...

在防雷擊浪涌保護方案中，一般采用多級防護的原則，第1級選用吸收能量大且響應(yīng)速度慢的保護器件，第二級選用選吸收能量大且響應(yīng)速度一般的保護器件，第三級選用吸收能量小且響應(yīng)速度較快的保護器件。防雷擊浪涌防護中常用到的保護器件有：開關(guān)型防雷限壓保護器件（陶瓷氣體放電管...

常見的MOSFET技術(shù)：雙柵極MOSFET，雙柵極（dual-gate）MOSFET通常用在射頻（Radio Frequency,RF）集成電路中，這種MOSFET的兩個柵極都可以控制電流大小。在射頻電路的應(yīng)用上，雙柵極MOSFET的第二個柵極大多數(shù)用來做增益...

MOSFET在生活中是比較常見的，MOSFET的相關(guān)介紹說明：MOSFET在國內(nèi)的命名法，第1種命名方法是使用“中國半導(dǎo)體器件型號命名法”的第3、第4和第5部分來命名，其中的第3部分用字母CS表示場效應(yīng)管，第4部分用阿拉伯?dāng)?shù)字表示器件序號，第5部分用漢語拼音字...

一般，ESD 保護一般通過兩種途徑來實現(xiàn)，第一種方法是避免ESD 的發(fā)生；第二種方法則是通過片內(nèi)或片外集成內(nèi)部保護電路或?qū)ｉT用的ESD 保護器件，從而避免ESD 發(fā)生后將被保護器件損壞。避免ESD 的發(fā)生：避免ESD 發(fā)生的方法多出現(xiàn)于產(chǎn)品交付客戶以前，即研發(fā)...

多晶硅導(dǎo)電性不如金屬，限制了信號傳遞的速度。雖然可以利用摻雜的方式改善其導(dǎo)電性，但成效仍然有限。有些融點比較高的金屬材料如：鎢（Tungsten）、鈦（Titanium）、鈷（Cobalt）或是鎳（Nickel）被用來和多晶硅制成合金。這類混合材料通常稱為金屬...

MOSFET在概念上屬于“絕緣柵極場效晶體管”（Insulated-Gate Field Effect Transistor,IGFET），而IGFET的柵極絕緣層有可能是其他物質(zhì)而非MOSFET使用的氧化層。有些人在提到擁有多晶硅柵極的場效晶體管元件時比較喜...

MOSFET應(yīng)用優(yōu)勢：場效應(yīng)晶體管是電壓控制元件，而雙極結(jié)型晶體管是電流控制元件。在只允許從取較少電流的情況下，應(yīng)選用場效應(yīng)管；而在信號電壓較低，又允許從信號源取較多電流的條件下，應(yīng)選用雙極晶體管。有些場效應(yīng)管的源極和漏極可以互換使用，柵壓也可正可負(fù)，靈活性比...

MOSFET里的氧化層位于其通道上方，依照其操作電壓的不同，這層氧化物的厚度單有數(shù)十至數(shù)百埃（Å）不等，通常材料是二氧化硅（silicon dioxide,SiO2），不過有些新的進階制程已經(jīng)可以使用如氮氧化硅（silicon oxynitride...

功率MOSFET的基本特性：漏極電流ID和柵源間電壓UGS的關(guān)系稱為MOSFET的轉(zhuǎn)移特性，ID較大時，ID與UGS的關(guān)系近似線性，曲線的斜率定義為跨導(dǎo)Gfs。MOSFET的漏極伏安特性（輸出特性）：截止區(qū)（對應(yīng)于GTR的截止區(qū)）；飽和區(qū)（對應(yīng)于GTR的放大區(qū)...

MOSFET的相關(guān)知識介紹：Power MOSFET全稱功率場效應(yīng)晶體管。它的三個極分別是源極（S）、漏極（D）和柵極（G）。主要優(yōu)點：熱穩(wěn)定性好、安全工作區(qū)大。缺點：擊穿電壓低，工作電流小。IGBT全稱絕緣柵雙極晶體管，是MOSFET和GTR（功率晶管）相結(jié)...

如何選擇用于熱插拔的MOSFET？當(dāng)電源與其負(fù)載突然斷開時，電路寄生電感元件上的大電流擺動會產(chǎn)生巨大的尖峰電壓，對電路上的電子元件造成十分不利的影響。與電池保護應(yīng)用類似，此處MOSFET可以將輸入電源與其他電路隔離開來。但此時，F(xiàn)ET的作用并不是立即斷開輸入與...

整合MOSFET與BJT各自優(yōu)點的制程技術(shù)：BiCMOS（Bipolar-CMOS）也越來越受歡迎。BJT元件在驅(qū)動大電流的能力上仍然比一般的CMOS優(yōu)異，在可靠度方面也有一些優(yōu)勢，例如不容易被“靜電放電”（ESD）破壞。所以很多同時需要復(fù)噪聲號處理以及強大電...

內(nèi)建橫向電場MOSFET的主要特性：（1）導(dǎo)通電阻的降低：INFINEON的內(nèi)建橫向電場的MOSFET，耐壓600V和800V，與常規(guī)MOSFET器件相比，相同的管芯面積，導(dǎo)通電阻分別下 降到常規(guī)MOSFET的1/5， 1/10；相同的額定電流，導(dǎo)通電阻分別下...

內(nèi)建橫向電場MOSFET的主要特性：（1）導(dǎo)通電阻的降低：INFINEON的內(nèi)建橫向電場的MOSFET，耐壓600V和800V，與常規(guī)MOSFET器件相比，相同的管芯面積，導(dǎo)通電阻分別下 降到常規(guī)MOSFET的1/5， 1/10；相同的額定電流，導(dǎo)通電阻分別下...

隨半導(dǎo)體制造技術(shù)的進步，對于整合更多功能至單一芯片的需求也跟著大幅提升，此時用MOSFET設(shè)計模擬電路的一個優(yōu)點也隨之浮現(xiàn)。為了減少在印刷電路板（Printed Circuit Board,PCB）上使用的集成電路數(shù)量、減少封裝成本與縮小系統(tǒng)的體積，很多原本單...

常見的MOSFET技術(shù)：雙柵極MOSFET，雙柵極（dual-gate）MOSFET通常用在射頻（Radio Frequency,RF）集成電路中，這種MOSFET的兩個柵極都可以控制電流大小。在射頻電路的應(yīng)用上，雙柵極MOSFET的第二個柵極大多數(shù)用來做增益...

柵極氧化層隨著MOSFET尺寸變小而越來越薄，主流的半導(dǎo)體制程中，甚至已經(jīng)做出厚度 有1.2納米的柵極氧化層，大約等于5個原子疊在一起的厚度而已。在這種尺度下，所有的物理現(xiàn)象都在量子力學(xué)所規(guī)范的世界內(nèi)，例如電子的穿隧效應(yīng)（tunneling effect）。因...

MOS電容的特性決定了MOSFET的操作特性，但是一個完整的MOSFET結(jié)構(gòu)還需要一個提供多數(shù)載流子（majority carrier）的源極以及接受這些多數(shù)載流子的漏極。當(dāng)一個電壓施加在MOS電容的兩端時，半導(dǎo)體的電荷分布也會跟著改變?？紤]一個P型的半導(dǎo)體（...

功率MOSFET的設(shè)計過程中采取措施使其中的寄生晶體管盡量不起作用。在不同代功率MOSFET中其措施各有不同，但總的原則是使漏極下的橫向電阻RB 盡量小。因為只有在漏極N區(qū)下的橫向電阻流過足夠電流為這個N區(qū)建立正偏的條件時，寄生的雙極性晶閘管才開始發(fā)難。然而在...

穩(wěn)壓管分低壓、高壓兩種。低壓穩(wěn)壓管的Vz值一般在40V以下，高壓穩(wěn)壓管較高可達(dá)200V。過去國產(chǎn)穩(wěn)壓管均采用金屬殼封裝，不單體積大，而且價格高。近年來來全系列玻封存穩(wěn)壓管大量問世，其優(yōu)點是規(guī)格齊全（Vz=2.4～200V）、穩(wěn)壓特性好、體積小巧（采用DO-35...

防雷元器件的一般使用方法及使用注意事項：防雷元器件的一般使用方法：1.開關(guān)元件主要應(yīng)用于共模保護，也常在無源電路中作差模保護。2.限壓元件主要應(yīng)用于差模保護，也常用在共模電路中和開關(guān)元件串聯(lián)，防止開關(guān)元件導(dǎo)通后使線路與地發(fā)生短路；或者作為開關(guān)元件的限流元件以阻...

ESD保護器件種類包括Zener二極管、壓敏電阻(varistors），SCR(可控硅整流器）和TVS(瞬時電壓抑制器）等。其中，TVS應(yīng)用較廣，因為它具有很強的電容和快速開啟速度，保護內(nèi)部電路的能力。資料顯示，預(yù)計從2020年至2024年，全球ESD保護器件...

穩(wěn)壓管的選用：穩(wěn)壓管一般用在穩(wěn)壓電源中作為基準(zhǔn)電壓源或用在過電壓保護電路中作為保護二極管。選用的穩(wěn)壓管，應(yīng)滿足應(yīng)用電路中主要參數(shù)的要求。穩(wěn)壓管的穩(wěn)定電壓值應(yīng)與應(yīng)用電路的基準(zhǔn)電壓值相同，穩(wěn)壓管的較大穩(wěn)定電流應(yīng)高于應(yīng)用電路的較大負(fù)載電流50%左右。穩(wěn)壓管損壞后，應(yīng)...

防雷過壓器件玻璃氣體放電管的使用方法：①玻璃放電管既可以用作電源電路的保護，也可以用作信號電路的保護；既可以用作共模保護，也可以用作差模保護。但只能用在浪涌電流不大于3kA的地方。②直流擊穿電壓VS的選擇：直流擊穿電壓VS的較小值應(yīng)大于可能出現(xiàn)的較高電源峰值電...

穩(wěn)壓管是利用PN結(jié)反向擊穿狀態(tài)時，電流在很大范圍內(nèi)變化而電壓基本不變的現(xiàn)象，制成的起穩(wěn)壓作用的二極管。穩(wěn)壓管的伏安特性與普通二極管相類似，正向特性為指數(shù)曲線，當(dāng)外加反向電壓的數(shù)值大于一定程度時則擊穿，擊穿區(qū)的曲線很陡，幾乎平行于縱軸，表現(xiàn)其穩(wěn)壓特性。只要控制反...