ESD 保護(hù)器件選型要注意：鉗位電壓 VC：應(yīng)小于被保護(hù)電路至大可承受的瞬態(tài)安全電壓，VC 與 ESD的擊穿電壓及 IPP 都成正比。漏電流 IR：在通信線路及低功耗電路中，要特別關(guān)注 IR這個(gè)參數(shù)，IR越小ESD性能越好。結(jié)電容 C j：ESD 一般用于各類...

穩(wěn)壓管是面接觸型特殊的硅晶體二極管，其伏安特性與普通二極管基本相似，但它是工作在二極管伏安特性的反向擊穿區(qū)，且它的反向伏安特性曲線比普通二極管要陡。穩(wěn)壓管的選用：穩(wěn)壓管一般用在穩(wěn)壓電源中作為基準(zhǔn)電源，工作在反向擊穿狀態(tài)下，使用時(shí)注意正負(fù)極性的接法，管子正極與電...

ESD對(duì)IC的損傷主要有兩類，即大電流產(chǎn)生局部熱量、高電場(chǎng)損傷絕緣層，都會(huì)導(dǎo)致電路或者器件功能性能的異常。ESD保護(hù)的基本原理就是并聯(lián)保護(hù)器件，以此泄放大電流和鉗位高電壓，避免對(duì)內(nèi)部電路造成損傷。保護(hù)的原理已經(jīng)非常清楚，那么在具體實(shí)施過(guò)程中，一種方式是減少靜電...

穩(wěn)壓管分低壓、高壓兩種。低壓穩(wěn)壓管的Vz值一般在40V以下，高壓穩(wěn)壓管較高可達(dá)200V。過(guò)去國(guó)產(chǎn)穩(wěn)壓管均采用金屬殼封裝，不單體積大，而且價(jià)格高。近年來(lái)來(lái)全系列玻封存穩(wěn)壓管大量問(wèn)世，其優(yōu)點(diǎn)是規(guī)格齊全（Vz=2.4～200V）、穩(wěn)壓特性好、體積小巧（采用DO-35...

防雷元器件中的陶瓷氣體放電管的選用原則：作為瞬變干擾抑制保護(hù)器件，氣體放電管選型同樣要保證接入電路可以對(duì)浪涌電壓進(jìn)行箝位，又要保證不能影響電路正常工作過(guò)程。綜合來(lái)講有幾個(gè)點(diǎn)：1）受保護(hù)電子設(shè)備的正常工作電壓要保證低于氣體放電管的直流擊穿電壓較小值，且有一定余量...

防雷元器件可以分為開關(guān)元件類、限壓元件類和防過(guò)流和過(guò)熱保護(hù)元件類三大類，具體選用哪種應(yīng)當(dāng)根據(jù)具體的應(yīng)用進(jìn)行分析，合理選擇。市場(chǎng)中常見(jiàn)的防雷器件有以下幾種：半導(dǎo)體放電管、陶瓷氣體放電管和玻璃放電管（放電管）。在防雷設(shè)計(jì)中， 合理選擇防雷元器件是不可或缺的一環(huán)，防...

穩(wěn)壓管選型原則：1）穩(wěn)壓管的穩(wěn)壓值離散性很大，即使同一廠家同一型號(hào)產(chǎn)品，其穩(wěn)定電壓值也不完全一樣，這一點(diǎn)在選用時(shí)應(yīng)加以注意。對(duì)要求較高的電路，選用前應(yīng)對(duì)穩(wěn)壓值進(jìn)行檢測(cè)。2）對(duì)于過(guò)電壓保護(hù)的穩(wěn)壓管，其穩(wěn)定電壓的選定要依據(jù)保護(hù)電壓的大小選用，其穩(wěn)定電壓值不能選的過(guò)...

常用于MOSFET的電路符號(hào)有很多種變化，較常見(jiàn)的設(shè)計(jì)是以一條直線表明通道，兩條和通道垂直的線表明源極與漏極，左方和通道平行而且較短的線表明柵極，如下圖所示。有時(shí)也會(huì)將表明通道的直線以破折線代替，以區(qū)分增強(qiáng)型MOSFET（enhancement mode MO...

對(duì)這個(gè)NMOS而言，真正用來(lái)作為通道、讓載流子通過(guò)的只有MOS電容正下方半導(dǎo)體的表面區(qū)域。當(dāng)一個(gè)正電壓施加在柵極上，帶負(fù)電的電子就會(huì)被吸引至表面，形成通道，讓N型半導(dǎo)體的多數(shù)載流子—電子可以從源極流向漏極。如果這個(gè)電壓被移除，或是放上一個(gè)負(fù)電壓，那么通道就無(wú)法...

穩(wěn)壓管的動(dòng)態(tài)電阻是隨工作電流變化的，工作電流越大。動(dòng)態(tài)電阻越小。因此，為使穩(wěn)壓效果好，工作電流要選得合。工作電流選得大些，可以減小動(dòng)態(tài)電阻，但不能超過(guò)管子的較大允許電流(或較大耗散功率)。各種型號(hào)管子的工作電流和較大允許電流，穩(wěn)壓管的穩(wěn)定性能受溫度影響，當(dāng)溫度...

電子設(shè)備通常工作在低壓電網(wǎng)中，低壓電網(wǎng)中過(guò)電壓有四類：雷電引起的過(guò)電壓、靜電放電、操作過(guò)電壓以及工頻過(guò)電壓。過(guò)電壓通常以共模(過(guò)電壓在帶電導(dǎo)體或中性線和大地之間產(chǎn)生)和差模(過(guò)電壓在帶電導(dǎo)體之間產(chǎn)生)兩種干擾方式干擾低壓電網(wǎng)，其中雷電過(guò)電壓破壞性較大。防雷器件...

穩(wěn)壓管分低壓、高壓兩種。低壓穩(wěn)壓管的Vz值一般在40V以下，高壓穩(wěn)壓管較高可達(dá)200V。過(guò)去國(guó)產(chǎn)穩(wěn)壓管均采用金屬殼封裝，不單體積大，而且價(jià)格高。近年來(lái)來(lái)全系列玻封存穩(wěn)壓管大量問(wèn)世，其優(yōu)點(diǎn)是規(guī)格齊全（Vz=2.4～200V）、穩(wěn)壓特性好、體積小巧（采用DO-35...

多晶硅導(dǎo)電性不如金屬，限制了信號(hào)傳遞的速度。雖然可以利用摻雜的方式改善其導(dǎo)電性，但成效仍然有限。有些融點(diǎn)比較高的金屬材料如：鎢（Tungsten）、鈦（Titanium）、鈷（Cobalt）或是鎳（Nickel）被用來(lái)和多晶硅制成合金。這類混合材料通常稱為金屬...

MOSFET：隨半導(dǎo)體制造技術(shù)的進(jìn)步，對(duì)于整合更多功能至單一芯片的需求也跟著大幅提升，此時(shí)用MOSFET設(shè)計(jì)模擬電路的優(yōu)點(diǎn)也隨之浮現(xiàn)。為了減少在印刷電路板（Printed Circuit Board,PCB）上使用的集成電路數(shù)量、減少封裝成本與縮小系統(tǒng)的體積，...

穩(wěn)壓管在被反向擊穿后，盡管流過(guò)穩(wěn)壓管的反向擊穿電流變化很大，但兩端的電壓卻幾乎不變。我們也常常用它這一特性來(lái)進(jìn)行穩(wěn)壓，以獲得基準(zhǔn)電壓和用作電平轉(zhuǎn)移。穩(wěn)壓管具有穩(wěn)壓作用，普遍應(yīng)用于在穩(wěn)壓電源、電子點(diǎn)火器、直流電平平移、限幅電路、過(guò)壓保護(hù)電路、補(bǔ)償電路等當(dāng)中。在很...

防雷器件就是用于在雷擊浪涌的過(guò)電壓過(guò)電流的情況下為電路以及各類電力電氣設(shè)備提供防護(hù)。防雷器件正常工作時(shí)，防雷器件是斷開的；當(dāng)雷擊浪涌來(lái)的時(shí)候，防雷器件導(dǎo)通，將浪涌電流泄放到大地，從而保護(hù)了電子設(shè)備免受浪涌沖擊損壞。市場(chǎng)中常見(jiàn)的防雷器件有以下幾種：半導(dǎo)體放電管、...

常用的ESD保護(hù)器件主要有Diode、Resistor、P/NMOS、BJT、SCR等，因其具有雪崩擊穿、雪崩與注入等特性，能夠瞬間進(jìn)入低阻態(tài)，故具有良好的電流泄放能力，可以作為ESD防護(hù)器件。在ESD設(shè)計(jì)中，Diode是一種常見(jiàn)的器件。在VDD相對(duì)于VSS發(fā)...

ESD保護(hù)器件的作用有哪些？ESD保護(hù)器件的作用：ESD保護(hù)器件在出廠時(shí)都需要通過(guò)測(cè)試，其測(cè)試規(guī)范包含在標(biāo)準(zhǔn)IEC61000-4-2之中。在測(cè)試時(shí)會(huì)在電路中包括150pF電容器和330Ω的內(nèi)部電阻，并且通過(guò)以2kV、4kV、6kV和8kV的順序放電四個(gè)ESD電...

MOSFET在生活中是很常見(jiàn)的，MOSFET的柵極材料：MOSFET的臨界電壓（threshold voltage）主要由柵極與通道材料的功函數(shù)（work function）之間的差異來(lái)決定，而因?yàn)槎嗑Ч璞举|(zhì)上是半導(dǎo)體，所以可以藉由摻雜不同極性的雜質(zhì)來(lái)改變其功...

MOSFET應(yīng)用優(yōu)勢(shì)：場(chǎng)效應(yīng)晶體管是電壓控制元件，而雙極結(jié)型晶體管是電流控制元件。在只允許從取較少電流的情況下，應(yīng)選用場(chǎng)效應(yīng)管；而在信號(hào)電壓較低，又允許從信號(hào)源取較多電流的條件下，應(yīng)選用雙極晶體管。有些場(chǎng)效應(yīng)管的源極和漏極可以互換使用，柵壓也可正可負(fù)，靈活性比...

穩(wěn)壓管的穩(wěn)壓原理：穩(wěn)壓管的特點(diǎn)就是擊穿后，其兩端的電壓基本保持不變。這樣，當(dāng)把穩(wěn)壓管接入電路以后，若由于電源電壓發(fā)生波動(dòng)，或其它原因造成電路中各點(diǎn)電壓變動(dòng)時(shí)，負(fù)載兩端的電壓將基本保持不變。故障特點(diǎn)：穩(wěn)壓管的故障主要表現(xiàn)在開路、短路和穩(wěn)壓值不穩(wěn)定。在這3種故障中...

防雷元件中開關(guān)元件與限壓元件的區(qū)別有哪些？防雷元件一般分為：開關(guān)元件類、限壓元件類、防過(guò)流和過(guò)熱保護(hù)元件類三種。首先，從二者的工作原理上來(lái)說(shuō).正常工作時(shí)，開關(guān)元件是斷開的；當(dāng)雷擊浪涌來(lái)的時(shí)候，開關(guān)元件導(dǎo)通，將浪涌電流泄放到大地，從而保護(hù)了電子設(shè)備免受浪涌沖擊損...

上海光宇睿芯微電子有限公司座落于上海浦東張江高科技園區(qū)內(nèi)，是專業(yè)從事半導(dǎo)體過(guò)電壓保護(hù)器件、功率MOSFET器件、集成電路的設(shè)計(jì)與銷售的****，是國(guó)內(nèi)掌握半導(dǎo)體過(guò)壓保護(hù)器件和集成電路設(shè)計(jì)技術(shù)的供應(yīng)商之一。公司產(chǎn)品品種多，覆蓋范圍廣，已廣泛應(yīng)用于...

穩(wěn)壓管的檢測(cè)：正、負(fù)電極的判別：從外形上看，金屬封裝穩(wěn)壓管管體的正極一端為平面形，負(fù)極一端為半圓面形。塑封穩(wěn)壓管管體上印有彩色標(biāo)記的一端為負(fù)極，另一端為正極。對(duì)標(biāo)志不清楚的穩(wěn)壓管，也可以用萬(wàn)用表判別其極性，測(cè)量的方法與普通二極管相同，即用萬(wàn)用表R×1k檔，將兩...

ESD 保護(hù)器件對(duì)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和工藝要求更高，結(jié)構(gòu)更加復(fù)雜，一般設(shè)計(jì)成多路PN 結(jié)集成結(jié)構(gòu)，采用多次外延、雙面擴(kuò)結(jié)或溝槽設(shè)計(jì)。ESD 保護(hù)器件能夠確保小型化的集成電路芯片得到有效保護(hù)，表示著當(dāng)前TVS 的技術(shù)水平和發(fā)展方向。TVS/ESD 保護(hù)器件的應(yīng)用領(lǐng)域普遍，...

MOSFET有什么應(yīng)用優(yōu)勢(shì)？1、場(chǎng)效應(yīng)晶體管是電壓控制元件，而雙極結(jié)型晶體管是電流控制元件。在只允許從取較少電流的情況下，應(yīng)選用場(chǎng)效應(yīng)管；而在信號(hào)電壓較低，又允許從信號(hào)源取較多電流的條件下，應(yīng)選用雙極晶體管。2、有些場(chǎng)效應(yīng)管的源極和漏極可以互換使用，柵壓也可正...

功率MOSFET的驅(qū)動(dòng)通常要求：觸發(fā)脈沖要具有足夠快的上升和下降速度；②開通時(shí)以低電阻力柵極電容充電，關(guān)斷時(shí)為柵極提供低 電阻放電回路，以提高功率MOSFET的開關(guān)速度；③為了使功率MOSFET可靠觸發(fā)導(dǎo)通，觸發(fā)脈沖電壓應(yīng)高于管子的開啟電壓，為了防止誤導(dǎo)通，在...

與常規(guī)MOSFET結(jié)構(gòu)不同，內(nèi)建橫向電場(chǎng)的MOSFET嵌入垂直P區(qū)將垂直導(dǎo)電區(qū)域的N區(qū)夾在中間，使MOSFET關(guān)斷時(shí)，垂直的P與N之間建立橫向電場(chǎng)，并且垂直導(dǎo)電區(qū)域的N摻雜濃度高于其外延區(qū)N-的摻雜濃度。 當(dāng)VGS＜VTH時(shí)，由于被電場(chǎng)反型而產(chǎn)生的N型導(dǎo)電溝道...

MOSFET的 ：金屬—氧化層—半導(dǎo)體電容金屬—氧化層—半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)MOSFET在結(jié)構(gòu)上以一個(gè)金屬—氧化層—半導(dǎo)體的電容為 （如前所述， 的MOSFET多半以多晶硅取代金屬作為其柵極材料），氧化層的材料多半是二氧化硅，其下是作為基極的硅，而其上則是作為柵極的多晶...

MOSFET的相關(guān)知識(shí)介紹：Power MOSFET全稱功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管。它的三個(gè)極分別是源極（S）、漏極（D）和柵極（G）。主要優(yōu)點(diǎn)：熱穩(wěn)定性好、安全工作區(qū)大。缺點(diǎn)：擊穿電壓低，工作電流小。IGBT全稱絕緣柵雙極晶體管，是MOSFET和GTR（功率晶管）相結(jié)...