***代以塑料、金屬、陶瓷等為主的簡單封裝，主要的用途是將器件封裝在一起，起到包封、支撐、固定、絕緣等作用，這代封裝材料目前主要用于電子產(chǎn)品的封裝。2第二代封裝材料，以可伐（Kovar）合金、鎢銅合金產(chǎn)品為**，其對于航天、航空、****及以便攜、袖珍為主要趨勢的當(dāng)代封裝業(yè)來講，有先天的劣勢。3第三代封裝材料即是以鋁碳化硅為**的產(chǎn)品。鋁碳化硅（AlSiC）是將金屬的高導(dǎo)熱性與陶瓷的低熱膨脹性相結(jié)合，能滿足多功能特性及設(shè)計要求，具有高導(dǎo)熱、低膨脹、高剛度、低密度、低成本等綜合優(yōu)異性能，是當(dāng)今芯片封裝的***型材料。目前已大量應(yīng)用到航空航天、新能源汽車、電力火車，微電子封裝等領(lǐng)域。我司主要研制、...

熔滲法是AlSiC制備的關(guān)鍵，一般分為有壓力滲透和無壓力滲透，前者根據(jù)生產(chǎn)過程中壓力施加的大小、方式的不同，又分為擠壓熔滲、氣壓壓力熔滲、離心熔滲鑄造法等,主要特點是需要真空和高壓設(shè)備，滲透時間較短，有效控制Al與SiC的界面反應(yīng)，同時與精度的模具相配套，獲得實用性發(fā)展。后者是將Al合金錠放置在SiC預(yù)制件上，在合金熔點以上保溫，Al合金液依托毛細(xì)管力的作用自發(fā)滲入預(yù)制件中，所需設(shè)備簡單，易于低成本制備，但產(chǎn)品的機械性能與熱性能略低，對基體合金的成分有較為嚴(yán)格的要求，浸透需要在保護氣氛中進行。粉末冶金法對SiC體積分?jǐn)?shù)可在15% ~ 75%之間調(diào)節(jié)，SiC承載量大，但較難實現(xiàn)材料的一次成形。高...

此外，AlSiC可將多種電子封裝材料并存集成，用作封裝整體化，發(fā)展其他功能及用途。研制成功將高性能、散熱快的Cu基封裝材料塊（Cu-金剛石、Cu-石墨、Cu-BeO等）嵌人SiC預(yù)制件中，通過金屬Al熔滲制作并存集成的封裝基片。在AlSiC并存集成過程中，可在**需要的部位設(shè)置這些成本相對較高的快速散熱材料，降低成本，擴大生產(chǎn)規(guī)模，嵌有快速散熱材料的AlSiC倒裝片系統(tǒng)正在接受測試和評估。另外，還可并存集成48號合金、Kovar和不銹鋼等材料，此類材料或插件、引線、密封環(huán)、基片等，在熔滲之前插入SiC預(yù)成形件內(nèi)，在AlSiC復(fù)合成形過程中，經(jīng)濟地完成并存集成，方便光電器件封裝的激光連接。我司主...

作為結(jié)構(gòu)件或結(jié)構(gòu)-功能一體化構(gòu)件，中體分鋁碳化硅可用于我國高分辨率遙感衛(wèi)星的光機結(jié)構(gòu)。例如，在高分辨率遙感衛(wèi)星的詳查相機上，若采用這種高剛度、低膨脹的復(fù)合材料制作其空間光學(xué)反射鏡坯，不僅可近無余量地獲得整體性（無需連接）的復(fù)雜輕量化結(jié)構(gòu)，而且由于剛度高、韌性好、可直接加工和裝配，故而可省去現(xiàn)用微晶玻璃反射鏡所必須的沉重的鏡框，從而簡化結(jié)構(gòu)，減輕重量，并***降低光機結(jié)構(gòu)的研制周期、難度和成本。同時，由于鋁碳化硅的熱擴散系數(shù)遠高于微晶玻璃，因此可大幅度減少小光機結(jié)構(gòu)的時間常數(shù)和熱慣性，使結(jié)構(gòu)更容易達到熱平衡，進而易于保持光學(xué)鏡面。另外，由于采用該復(fù)合材料的光機系統(tǒng)在大范圍高低溫交替變化下產(chǎn)生的熱...

2、鋁碳化硅材料成型的關(guān)鍵技術(shù)：由于金屬所固有的物理和化學(xué)特性，其加工性能不如樹脂好，在制造鋁基碳化硅材料中還需解決一些關(guān)鍵技術(shù)，其中主要表現(xiàn)于：加工溫度高，在高溫下易發(fā)生不利的化學(xué)反應(yīng)；增強材料與基體浸潤性差；增強材料在基體中的分布。 （1）、高溫下的不利化學(xué)反應(yīng)問題：在加工過程中，為了確?；w的浸潤性和流動性，需要采用很高的加工溫度（往往接近或高于基體的熔點）。在高溫下，基體與增強材料易發(fā)生界面反應(yīng)，生成有害的反應(yīng)產(chǎn)物Al4C3，呈脆性，會成為鋁碳化硅材料整體破壞的裂紋源。因此控制復(fù)合材料的加工溫度是一項關(guān)鍵技術(shù)。該問題主要解決方法：①、盡量縮短高溫加工時間，使增強材料與基體界面...

a、T/R模塊封裝：機載雷達天線安裝在飛機萬向支架上，采用機電方式掃描，其發(fā)展的重要轉(zhuǎn)折點是從美國F-22開始應(yīng)用有源電子掃描相控陣天線AESA體制，其探測距離下表所示：圖三機載雷達探測距離 APG-80捷變波束雷達、多功能機頭相控陣一體化航電系統(tǒng)、多功能綜合射頻系統(tǒng)、綜合式射頻傳感器系統(tǒng)、JSF傳感器系統(tǒng)等，所用T/R (發(fā)/收）模塊封裝技術(shù)日趨成熟，每個T/R模塊成本由研發(fā)初期的10萬美元降至600-800美元，數(shù)年內(nèi)可降至約200美元，成為機載雷達的**部分。幾乎所有的美國參戰(zhàn)飛機都有安裝新的或更新AESA計劃，使其作戰(zhàn)效能進一步發(fā)揮，在多目標(biāo)威脅環(huán)境中先敵發(fā)現(xiàn)、發(fā)射、殺傷，F(xiàn)...

（3）、高比模量：（55%～75%）電子封裝及熱控元件用鋁碳化硅比模量是W/Cu和Kovar合金的4倍、Mo/Cu的2倍。（4）、高熱導(dǎo)率：（55%～75%）電子封裝及熱控元件用鋁碳化硅熱導(dǎo)率可達（180～240）W/m·K，比Kovar合金提升了（8～9）倍，可有效地擴散熱控元件的熱量。（5）、主要應(yīng)用方向及**零件：可同時運用于***和民用領(lǐng)域的熱管理材料領(lǐng)域，**零件如***電子IGBT基板、印刷電路板（PCB）基板、封裝散熱底板、電子元件基座及外殼、功率放大模塊外殼及底座等，可替代W/Cu、Mo/Cu、Kovar合金等。鋁碳化硅已經(jīng)應(yīng)用于跑車及飛機、高鐵發(fā)動機剎車盤。浙江鋁碳化硅復(fù)合材...

鋁碳化硅在T/R組件中的應(yīng)用：本世紀(jì)初，美國的AlSiC年產(chǎn)量超過100萬件，T/ R模塊已經(jīng)由“磚”式封裝向很薄、邊長5cm或更小方塊形的“瓦”式封裝發(fā)展，進一步降低T/R模塊的尺寸、厚度、重量以及所產(chǎn)生的熱量。歐洲防務(wù)公司、法、英、德聯(lián)合開發(fā)機載AESA及T/R模塊技術(shù)，研制具有1200個T/R模塊全尺寸樣機的試驗工作，俄羅斯積極著手研制第4代戰(zhàn)斗機用AESA雷達，以色列、瑞典研制出輕型機載AESA預(yù)警雷達，機載AESA及 T/R模塊市場持續(xù)升溫。我司主要研制、生產(chǎn)低體分和高體分的金屬陶瓷復(fù)合材料。河北標(biāo)準(zhǔn)鋁碳化硅結(jié)構(gòu)設(shè)計 a、T/R模塊封裝：機載雷達天線安裝在飛機萬向支架上，采用機電方...

IC產(chǎn)業(yè)的發(fā)展與其設(shè)計、測試、流片、封裝等 各環(huán)節(jié)密切相聯(lián)，**終在市場應(yīng)用中體現(xiàn)價值認(rèn)同，良性循環(huán)形成量產(chǎn)規(guī)模，實現(xiàn)經(jīng)濟效益。封裝技術(shù)至關(guān)重要，尤其是***產(chǎn)品大多采用金屬封裝、陶瓷封裝結(jié)構(gòu)，確保器件、模塊、組件、系統(tǒng)的整體可靠性。金屬封裝氣密性高，散熱性好，形狀可多樣化，有圓形、菱形、扁平形、淺腔與深腔形等，其材料難以滿足當(dāng)今航空航天、艦船、雷達、電子戰(zhàn)、精確打擊、天基和海基系統(tǒng)對大功率、微波器件封裝的需求。按目前VLSI電路功耗的同一方法計算，未來的SoC芯片將達到太陽表面溫度，現(xiàn)有的設(shè)計和封裝方法已不能滿足功率SoC系統(tǒng)的需求。AlSiC恰好首先在這一領(lǐng)域發(fā)揮作用，現(xiàn)以***為主，進而...

***代以塑料、金屬、陶瓷等為主的簡單封裝，主要的用途是將器件封裝在一起，起到包封、支撐、固定、絕緣等作用，這代封裝材料目前主要用于電子產(chǎn)品的封裝。2第二代封裝材料，以可伐（Kovar）合金、鎢銅合金產(chǎn)品為**，其對于航天、航空、****及以便攜、袖珍為主要趨勢的當(dāng)代封裝業(yè)來講，有先天的劣勢。3第三代封裝材料即是以鋁碳化硅為**的產(chǎn)品。鋁碳化硅（AlSiC）是將金屬的高導(dǎo)熱性與陶瓷的低熱膨脹性相結(jié)合，能滿足多功能特性及設(shè)計要求，具有高導(dǎo)熱、低膨脹、高剛度、低密度、低成本等綜合優(yōu)異性能，是當(dāng)今芯片封裝的***型材料。目前已大量應(yīng)用到航空航天、新能源汽車、電力火車，微電子封裝等領(lǐng)域。高體分鋁碳化硅...

鋁碳化硅研發(fā)較早，理論描述較為完善，其主要分類一般按照碳化硅體積含量可分為高體分鋁碳化硅（SiC體積比55%-75%）、中體分鋁碳化硅（SiC體積比35%-55%）、低體分鋁碳化硅（SiC體積比5%-35%）。從產(chǎn)業(yè)化趨勢看，AlSiC可實現(xiàn)低成本的、無需進一步加工的凈成形(net-shape )或需少量加工的近凈成形制造，還能與高散熱材料（金剛石、高熱傳導(dǎo)石墨等）的經(jīng)濟性并存集成，滿足：大批量倒裝芯片封裝微波電路模塊光電封裝所需材料的熱穩(wěn)定性及散溫度均勻性要求，同時也是大功率晶體管絕緣柵雙極晶體管（IGBT）等器件的推薦封裝材料，提供良好的熱循環(huán)及可靠性。高體分鋁碳化硅已經(jīng)用于天空二號太陽板...

作為結(jié)構(gòu)件或結(jié)構(gòu)-功能一體化構(gòu)件，中體分鋁碳化硅可用于我國高分辨率遙感衛(wèi)星的光機結(jié)構(gòu)。例如，在高分辨率遙感衛(wèi)星的詳查相機上，若采用這種高剛度、低膨脹的復(fù)合材料制作其空間光學(xué)反射鏡坯，不僅可近無余量地獲得整體性（無需連接）的復(fù)雜輕量化結(jié)構(gòu)，而且由于剛度高、韌性好、可直接加工和裝配，故而可省去現(xiàn)用微晶玻璃反射鏡所必須的沉重的鏡框，從而簡化結(jié)構(gòu)，減輕重量，并***降低光機結(jié)構(gòu)的研制周期、難度和成本。同時，由于鋁碳化硅的熱擴散系數(shù)遠高于微晶玻璃，因此可大幅度減少小光機結(jié)構(gòu)的時間常數(shù)和熱慣性，使結(jié)構(gòu)更容易達到熱平衡，進而易于保持光學(xué)鏡面。另外，由于采用該復(fù)合材料的光機系統(tǒng)在大范圍高低溫交替變化下產(chǎn)生的熱...

隨著AlSiC復(fù)合材料在航空航天、汽車、***、電子、體育用具等領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用，對其制品的加工精和表面質(zhì)量的要求也越來越高，采用傳統(tǒng)的機械加工方法或單一的特種加工方法，都難以實現(xiàn)高標(biāo)準(zhǔn)的加工要求。這就要求在對AlSiC復(fù)合材料的機械切削加工、激光加工、超聲加工和電火花加工的加工工藝、加工機理進行研究的同時，更多地注重研究復(fù)合加工技術(shù)，尤其是超聲加工與機械切削加工、電解加工、電火花加工相配合的復(fù)合加工技術(shù)的研究工作。杭州陶飛侖新材料有限公司在鋁碳化硅全部工藝流程的研發(fā)、生產(chǎn)過程中具有自主研發(fā)、生產(chǎn)、檢測能力。安徽標(biāo)準(zhǔn)鋁碳化硅銷售電話 在我國工業(yè)和信息化部于2019年印發(fā)的《重點新材料首批次應(yīng)用...

杭州陶飛侖新材料有限公司是一家同時集成低、高體分鋁碳化硅材料設(shè)計、材料制造（陶瓷制備、復(fù)合成型、機械加工和后處理）于一身的****。已在該方向擁有多項**。采取多孔陶瓷預(yù)制體+真空壓力浸滲+機械加工的技術(shù)路徑來制備鋁碳化硅復(fù)合材料。具有多種技術(shù)優(yōu)勢，如燒結(jié)周期短（燒結(jié)周期縮短為1/4以內(nèi)）、熱導(dǎo)率高、高速成型、高精密加工（尺寸精度±0.005mm；平行度、垂直度、平面度±5μm；表面光潔度≤Ra0.01；RMS≤20nm；鉆孔直徑≥0.5mm、攻絲≥M2.5、ST2.5、槽寬≥0.5mm）：此外，還有多項創(chuàng)新儲備技術(shù)將陸續(xù)產(chǎn)業(yè)化。鋁碳化硅已經(jīng)應(yīng)用于飛機的油箱口蓋。湖南優(yōu)勢鋁碳化硅銷售公司*...

AESA由數(shù)以千計的T/R模塊（有的高達9 000 個左右）構(gòu)成，在每個T/R模塊內(nèi)部都有用GaAs 技術(shù)制作的功率發(fā)射放大器、低噪聲接收放大器、T/ R開關(guān)、多功能增益/相位控制等電路芯片，**終生產(chǎn)關(guān)鍵在其封裝技術(shù)上，因機載對其體積與重量的限制極為苛刻。AlSiC集低熱脹、高導(dǎo)熱、輕質(zhì)于一體，采用AlSiC外殼封裝T/R模塊，包括S、C、X、Ku波段產(chǎn)品，可滿足實用需求。雷達APG-77是一部典型多功能、多工作方式雷達，其AESA直 徑約1m，用2 000個T/R模塊構(gòu)成，每個T/R模塊 輸出功率10W，移相器6位，接收噪聲系數(shù)2.9dB，體積6.4cm3，重14.88g,平均故障間隔MT...

在我國工業(yè)和信息化部于2019年印發(fā)的《重點新材料首批次應(yīng)用示范指導(dǎo)目錄（2019年版）》中，收錄了鋁碳化硅復(fù)合材料，并對相關(guān)性能提出了明確要求：熱導(dǎo)率 W(m·k)室溫≥200抗彎折強度≥300MPa熱膨脹系數(shù) ppm/℃（RT～200℃）＜9 杭州陶飛侖新材料有限公司生產(chǎn)的鋁碳化硅相關(guān)產(chǎn)品性能可完全滿足上述要求，并有大幅優(yōu)勢。 我們相信在全球新時代技術(shù)**的浪潮和我國“十四五”戰(zhàn)略規(guī)劃及**裝備改裝升級的背景下，我司生產(chǎn)的質(zhì)量鋁碳化硅產(chǎn)品做為當(dāng)下**有潛力的金屬基陶瓷復(fù)合新材料，在航空航天及***領(lǐng)域、電子封裝、汽車輕量化等領(lǐng)域有著巨大的市場前景。 高體分鋁碳化硅廣泛應(yīng)用于...

鋁碳化硅研發(fā)較早，理論描述較為完善，其主要分類一般按照碳化硅體積含量可分為高體分鋁碳化硅（SiC體積比55%-75%）、中體分鋁碳化硅（SiC體積比35%-55%）、低體分鋁碳化硅（SiC體積比5%-35%）。從產(chǎn)業(yè)化趨勢看，AlSiC可實現(xiàn)低成本的、無需進一步加工的凈成形(net-shape )或需少量加工的近凈成形制造，還能與高散熱材料（金剛石、高熱傳導(dǎo)石墨等）的經(jīng)濟性并存集成，滿足：大批量倒裝芯片封裝微波電路模塊光電封裝所需材料的熱穩(wěn)定性及散溫度均勻性要求，同時也是大功率晶體管絕緣柵雙極晶體管（IGBT）等器件的推薦封裝材料，提供良好的熱循環(huán)及可靠性。因鋁碳化硅具有熱導(dǎo)率高、熱膨脹系數(shù)低...

目前，鋁碳化硅制備工藝中，在制備55vol%~ 75vol% SiC高含量的封裝用AlSiC產(chǎn)品時多采用熔滲法，其實質(zhì)是粉末冶金法的延伸。它通過先制備一定密度、強度的多孔碳化硅基體預(yù)制件，再滲以熔點比其低的金屬填充預(yù)制件，其理論基礎(chǔ)是在金屬液潤濕多孔基體時，在毛細(xì)管力作用下，金屬液會沿顆粒間隙流動填充多孔預(yù)制作孔隙，脫模無需機械加工，在其表面上覆蓋有一層0.13mm-0.25mm厚的完美鋁層，按用途電鍍上Ni、Au、Cd、Ag等，供封裝使用。鋁碳化硅已經(jīng)應(yīng)用于F16-腹鰭及蒙皮。江蘇多功能鋁碳化硅產(chǎn)業(yè)化鋁碳化硅是目前金屬基復(fù)合材料中**常見、**重要的材料之一。鋁碳化硅是一種顆粒增強金屬基復(fù)合...

IC產(chǎn)業(yè)的發(fā)展與其設(shè)計、測試、流片、封裝等 各環(huán)節(jié)密切相聯(lián)，**終在市場應(yīng)用中體現(xiàn)價值認(rèn)同，良性循環(huán)形成量產(chǎn)規(guī)模，實現(xiàn)經(jīng)濟效益。封裝技術(shù)至關(guān)重要，尤其是***產(chǎn)品大多采用金屬封裝、陶瓷封裝結(jié)構(gòu)，確保器件、模塊、組件、系統(tǒng)的整體可靠性。金屬封裝氣密性高，散熱性好，形狀可多樣化，有圓形、菱形、扁平形、淺腔與深腔形等，其材料難以滿足當(dāng)今航空航天、艦船、雷達、電子戰(zhàn)、精確打擊、天基和?；到y(tǒng)對大功率、微波器件封裝的需求。按目前VLSI電路功耗的同一方法計算，未來的SoC芯片將達到太陽表面溫度，現(xiàn)有的設(shè)計和封裝方法已不能滿足功率SoC系統(tǒng)的需求。AlSiC恰好首先在這一領(lǐng)域發(fā)揮作用，現(xiàn)以***為主，進而...

杭州陶飛侖新材料有限公司是一家同時集成低、高體分鋁碳化硅材料設(shè)計、材料制造（陶瓷制備、復(fù)合成型、機械加工和后處理）于一身的****。已在該方向擁有多項**。采取多孔陶瓷預(yù)制體+真空壓力浸滲+機械加工的技術(shù)路徑來制備鋁碳化硅復(fù)合材料。具有多種技術(shù)優(yōu)勢，如燒結(jié)周期短（燒結(jié)周期縮短為1/4以內(nèi)）、熱導(dǎo)率高、高速成型、高精密加工（尺寸精度±0.005mm；平行度、垂直度、平面度±5μm；表面光潔度≤Ra0.01；RMS≤20nm；鉆孔直徑≥0.5mm、攻絲≥M2.5、ST2.5、槽寬≥0.5mm）：此外，還有多項創(chuàng)新儲備技術(shù)將陸續(xù)產(chǎn)業(yè)化。我司主要研制、生產(chǎn)低體分和高體分的金屬陶瓷復(fù)合材料。浙江造成...

封裝金屬基復(fù)合材料的增強體有數(shù)種，SiC是其中應(yīng)用**為***的一種，這是因為它具有優(yōu)良的熱性能，用作顆粒磨料技術(shù)成熟，價格相對較低；另一方面，顆粒增強體材料具有各向同性，**有利于實現(xiàn)凈成形。AlSiC特性主要取決于SiC的體積分?jǐn)?shù)(含量)及分布和粒度大小，以及Al合金成分等。依據(jù)兩相比例或復(fù)合材料的熱處理狀態(tài)，可對材料熱物理與力學(xué)性能進行設(shè)計，從而滿足芯片封裝多方面的性能要求。其中，SiC體積分?jǐn)?shù)尤為重要，實際應(yīng)用時，AlSiC與 芯片或陶瓷基體直接接觸，要求CTE盡可能匹配。高體分鋁碳化硅廣泛應(yīng)用于新能源汽車的IGBT模塊中。河北使用鋁碳化硅分類（2）、增強體SiC與基體鋁浸潤性差的問題...

鋁基碳化硅(AlSiC)顆粒增強復(fù)合材料，因其具有高比強度和比剛度、低熱膨脹系數(shù)、低密度、高微屈服強度、良好的尺寸穩(wěn)定性、導(dǎo)熱性以及耐磨、耐疲勞等優(yōu)異的力學(xué)性能和物理性能，被用于電子封裝構(gòu)件材料，在大功率率IGBT 散熱基板、LED封裝照明、航空航天等**領(lǐng)域以及民用信息相控陣天線T/R模塊、大功率微波產(chǎn)品以及宇航電源熱沉載體、殼體中被廣泛應(yīng)用。高體分SiCp/Al復(fù)合材料中主要采用焊接的方式與器件連接，基體材料由于碳化硅顆粒的存在，導(dǎo)致其表面潤濕性能較差，無法滿足焊接功能要求，因此必須在材料表面制備可焊金屬鍍覆層。高體分鋁碳化硅已經(jīng)用于天空二號太陽板支架中。天津優(yōu)勢鋁碳化硅生產(chǎn)過程杭州陶飛侖...

5、鋁碳化硅材料制機械加工技術(shù)介紹： 鋁碳化硅材料，尤其是高體分鋁碳化硅機械加工是產(chǎn)品制造中的難點環(huán)節(jié)，主要體現(xiàn)在鋁碳化硅的高耐磨，以及加工周期長等方面。 （1）、傳統(tǒng)機械加工技術(shù)：SiC增強體顆粒比常用的刀具(如高速鋼刀具和硬質(zhì)合金刀具)的硬度高的多，在機械加工的過程中會引起劇烈的刀具磨損。PCD金剛石刀具雖然比增強體顆粒的硬度高，但硬度值相差不大，在切削加工高體分的顆粒增強AlSiC復(fù)合材料時仍然會快速磨損，且PCD金剛石刀具成本更高。眾多研究表明，隨著SiC含量的增大(13%～70%)，可切削性越來越差，加工效率隨之降低，生產(chǎn)成本快速增加。若以45#鋼的切削性能為1計量，...

鋁碳化硅在T/R組件中的應(yīng)用：本世紀(jì)初，美國的AlSiC年產(chǎn)量超過100萬件，T/ R模塊已經(jīng)由“磚”式封裝向很薄、邊長5cm或更小方塊形的“瓦”式封裝發(fā)展，進一步降低T/R模塊的尺寸、厚度、重量以及所產(chǎn)生的熱量。歐洲防務(wù)公司、法、英、德聯(lián)合開發(fā)機載AESA及T/R模塊技術(shù)，研制具有1200個T/R模塊全尺寸樣機的試驗工作，俄羅斯積極著手研制第4代戰(zhàn)斗機用AESA雷達，以色列、瑞典研制出輕型機載AESA預(yù)警雷達，機載AESA及 T/R模塊市場持續(xù)升溫。鋁碳化硅已經(jīng)應(yīng)用于機床-主軸、導(dǎo)軌。河北鋁碳化硅發(fā)展現(xiàn)狀SiC顆粒與Al有良好的界面接合強度，復(fù)合后的CTE隨SiC含量的變化可在一定范圍內(nèi)進行...

鋁碳化硅在T/R組件中的應(yīng)用：本世紀(jì)初，美國的AlSiC年產(chǎn)量超過100萬件，T/ R模塊已經(jīng)由“磚”式封裝向很薄、邊長5cm或更小方塊形的“瓦”式封裝發(fā)展，進一步降低T/R模塊的尺寸、厚度、重量以及所產(chǎn)生的熱量。歐洲防務(wù)公司、法、英、德聯(lián)合開發(fā)機載AESA及T/R模塊技術(shù)，研制具有1200個T/R模塊全尺寸樣機的試驗工作，俄羅斯積極著手研制第4代戰(zhàn)斗機用AESA雷達，以色列、瑞典研制出輕型機載AESA預(yù)警雷達，機載AESA及 T/R模塊市場持續(xù)升溫。高體分鋁碳化硅真空壓力浸滲工藝流程包括：陶瓷多孔預(yù)制件制備、真空壓力浸滲、成型件繼續(xù)加工。湖南好的鋁碳化硅設(shè)計SiC顆粒與Al有良好的界面接合強...

此外，AlSiC可將多種電子封裝材料并存集成，用作封裝整體化，發(fā)展其他功能及用途。研制成功將高性能、散熱快的Cu基封裝材料塊（Cu-金剛石、Cu-石墨、Cu-BeO等）嵌人SiC預(yù)制件中，通過金屬Al熔滲制作并存集成的封裝基片。在AlSiC并存集成過程中，可在**需要的部位設(shè)置這些成本相對較高的快速散熱材料，降低成本，擴大生產(chǎn)規(guī)模，嵌有快速散熱材料的AlSiC倒裝片系統(tǒng)正在接受測試和評估。另外，還可并存集成48號合金、Kovar和不銹鋼等材料，此類材料或插件、引線、密封環(huán)、基片等，在熔滲之前插入SiC預(yù)成形件內(nèi)，在AlSiC復(fù)合成形過程中，經(jīng)濟地完成并存集成，方便光電器件封裝的激光連接。鋁碳化...

在長期使用中，許多封裝尺寸、外形都已標(biāo)準(zhǔn)化、系列化，存在的主要缺陷是無法適應(yīng)高性能芯片封裝要求。例如，Kovar ( 一種Fe-Co-Vi合金)和Invar (一種Fe-Ni合金）的CTE低，與芯片材料相近，但其K值差、密度高、比剛度低，無法***滿足電子封裝小型化、高密度、熱量易散發(fā)的應(yīng)用需求。合金是由兩種或兩種以上的金屬元素或金屬與非金屬元素所組成的金屬材料，具有其綜合的優(yōu)勢性能。隨之發(fā)展的Mo80Cu20、Cu/ Invar/Cu、Cu/ Mo/Cu 等合金在熱傳導(dǎo)方面優(yōu)于Kovar，但其密度大于Kovar，仍不適合用作航空航天所需輕質(zhì)的器件封裝材料。因鋁碳化硅具有熱導(dǎo)率高、熱膨脹系數(shù)低...

鋁碳化硅在T/R組件中的應(yīng)用：本世紀(jì)初，美國的AlSiC年產(chǎn)量超過100萬件，T/ R模塊已經(jīng)由“磚”式封裝向很薄、邊長5cm或更小方塊形的“瓦”式封裝發(fā)展，進一步降低T/R模塊的尺寸、厚度、重量以及所產(chǎn)生的熱量。歐洲防務(wù)公司、法、英、德聯(lián)合開發(fā)機載AESA及T/R模塊技術(shù)，研制具有1200個T/R模塊全尺寸樣機的試驗工作，俄羅斯積極著手研制第4代戰(zhàn)斗機用AESA雷達，以色列、瑞典研制出輕型機載AESA預(yù)警雷達，機載AESA及 T/R模塊市場持續(xù)升溫。杭州陶飛侖新材料有限公司可生產(chǎn)大尺寸的鋁碳化硅結(jié)構(gòu)件。河南質(zhì)量鋁碳化硅產(chǎn)品介紹AESA由數(shù)以千計的T/R模塊（有的高達9 000 個左右）構(gòu)成，...

二、高體分鋁碳化硅（SiC體積比55%-75%）材料介紹與應(yīng)用1、性能優(yōu)勢及應(yīng)用方向：（1）、低密度：（55%～75%）電子封裝及熱控元件用鋁碳化硅的密度一般在3.1g/cm3左右，密度**低于W/Cu合金（｛11～18｝g/cm3）、Mo/Cu合金（｛9～10｝g/cm3）和Kovar合金（8.3g/cm3），可有效減重。以替代W/Cu合金用作雷達微波功率管封裝底座為例，在同樣的強度和剛度條件下，可減重高達80%以上。（2）、低膨脹系數(shù)：（55%～75%）電子封裝及熱控元件用鋁碳化硅膨脹系數(shù)一般為（6～9）×10-6m/℃（-60℃～200℃），遠低于W/Cu合金（｛7～13｝×10-6/K...

a、T/R模塊封裝：機載雷達天線安裝在飛機萬向支架上，采用機電方式掃描，其發(fā)展的重要轉(zhuǎn)折點是從美國F-22開始應(yīng)用有源電子掃描相控陣天線AESA體制，其探測距離下表所示：圖三機載雷達探測距離 APG-80捷變波束雷達、多功能機頭相控陣一體化航電系統(tǒng)、多功能綜合射頻系統(tǒng)、綜合式射頻傳感器系統(tǒng)、JSF傳感器系統(tǒng)等，所用T/R (發(fā)/收）模塊封裝技術(shù)日趨成熟，每個T/R模塊成本由研發(fā)初期的10萬美元降至600-800美元，數(shù)年內(nèi)可降至約200美元，成為機載雷達的**部分。幾乎所有的美國參戰(zhàn)飛機都有安裝新的或更新AESA計劃，使其作戰(zhàn)效能進一步發(fā)揮，在多目標(biāo)威脅環(huán)境中先敵發(fā)現(xiàn)、發(fā)射、殺傷，F(xiàn)...