面對晶振停振注意事項對數(shù)字電路重要性，晶振在剪腳和焊錫的時分簡單産生機械應(yīng)力和熱應(yīng)力，而焊錫溫度過高和效果時間太長都會影響到晶體，簡單導(dǎo)致晶體處于臨界狀態(tài)，以致出現(xiàn)時振時不振現(xiàn)象，乃至停振。在焊錫時，當錫絲透過線路板上小孔滲過，導(dǎo)致引腳跟外殼連接在一塊，或是晶體在制造過程中，基座上引晶振腳的錫點和外殼相連接發(fā)生單漏，都會形成短路，然后引起停振。當晶體頻率發(fā)生頻率漂移，且超出晶體頻率誤差規(guī)模過多時，以致于捕捉不到晶體的中心頻率，然后導(dǎo)致芯片不起振。石英晶體兩端信號的頻率不同時，它會呈現(xiàn)出不同的特性。無錫音叉石英晶振公司總的來說藍牙晶振就是智能設(shè)備的“心臟”，不停的振動，為其實時提供時鐘信號，而C...

面對晶振停振注意事項對數(shù)字電路重要性，晶振在剪腳和焊錫的時分簡單産生機械應(yīng)力和熱應(yīng)力，而焊錫溫度過高和效果時間太長都會影響到晶體，簡單導(dǎo)致晶體處于臨界狀態(tài)，以致出現(xiàn)時振時不振現(xiàn)象，乃至停振。在焊錫時，當錫絲透過線路板上小孔滲過，導(dǎo)致引腳跟外殼連接在一塊，或是晶體在制造過程中，基座上引晶振腳的錫點和外殼相連接發(fā)生單漏，都會形成短路，然后引起停振。當晶體頻率發(fā)生頻率漂移，且超出晶體頻率誤差規(guī)模過多時，以致于捕捉不到晶體的中心頻率，然后導(dǎo)致芯片不起振。晶片變形，則兩極上金屬片又會產(chǎn)生電壓。合肥32.768圓柱晶振公司醫(yī)療電子本身要求，因為由于人體的生物機理非常復(fù)雜，因此醫(yī)療電子設(shè)備對電子元器件在線性...

晶振和 IC 間一般是通過銅走線相連的，這根走線可以看成一段導(dǎo)線或數(shù)段導(dǎo)線，導(dǎo)線在切割磁力線的時候會產(chǎn)生電流，導(dǎo)線越長，產(chǎn)生的電流越強?，F(xiàn)實中，磁力線不常見， 電磁波卻到處都是，例如：無線廣播發(fā)射、電視塔發(fā)射、手機通訊等等。晶振和IC之間的連線就變成了接收天線，它越長，接收的信號就越強，產(chǎn)生的電能量就越強，直到接收到的電信號強度超過或接近晶振產(chǎn)生的信號強度時，IC內(nèi)的放大電路輸出的將不再是固定頻率的方波了，而是亂七八糟的信 號，導(dǎo)致數(shù)字電路無法同步工作而出錯。晶振可比喻為各板卡的“心跳”發(fā)生器，如果主卡的“心跳”出現(xiàn)問題，必定會使其他各電路出現(xiàn)故障。合肥晶振晶振的應(yīng)用：石英晶體諧振器根據(jù)其外型...

影響振蕩器工作的環(huán)境因素有：電磁干擾（EMI）、機械震動與沖擊、濕度和溫度。這些因素會增大輸出頻率的變化，增加不穩(wěn)定性，并且在有些情況下，還會造成振蕩器停振。上述大部分問題都可以通過使用振蕩器模塊避免。這些模塊自帶振蕩器、提供低阻方波輸出，并且能夠在一定條件下保證運行。較常用的兩種類型是晶振模塊和集成RC振蕩器（硅振蕩器）。晶振模塊提供與分立晶振相同的精度。硅振蕩器的精度要比分立RC振蕩器高，多數(shù)情況下能夠提供與陶瓷諧振槽路相當?shù)木取＞д裰蠧3為交流旁路電容，對交流信號相當于短路。杭州10兆晶振貴不貴晶振的應(yīng)用：石英晶體諧振器根據(jù)其外型結(jié)構(gòu)不同可分為HC-49U、HC-49U/S、HC-49...

晶振具有壓電效應(yīng)，即在晶片兩極外加電壓后晶體會產(chǎn)生變形，反過來如外力使晶片變形，則兩極上金屬片又會產(chǎn)生電壓。如果給晶片加上適當?shù)慕蛔冸妷?，晶片就會產(chǎn)生諧振（諧振頻率與石英斜面傾角等有關(guān)系，且頻率一定）。晶振利用一種能把電能和機械能相互轉(zhuǎn)化的晶體，在共振的狀態(tài)下工作可以提供穩(wěn)定、精確的單頻振蕩。在通常工作條件下，普通的晶振頻率精度可達百萬分之五十。利用該特性，晶振可以提供較穩(wěn)定的脈沖，普遍應(yīng)用于微芯片的時鐘電路里。晶片多為石英半導(dǎo)體材料，外殼用金屬封裝。并聯(lián)型晶體振蕩器：三極管VT與R1、R2、R3、R4構(gòu)成放大電路。蘇州插件晶振制造商 晶振的主要參數(shù)：溫度穩(wěn)定度。溫度穩(wěn)定度是指其他條件保持不變...

選擇振蕩器時還需要考慮功耗。分立振蕩器的功耗主要由反饋放大器的電源電流以及電路內(nèi)部的電容值所決定。CMOS放大器功耗與工作頻率成正比，可以表示為功率耗散電容值。比如，HC04反相器門電路的功率耗散電容值是90pF。在4MHz、5V電源下工作時，相當于1.8mA的電源電流。再加上20pF的晶振負載電容，整個電源電流為2.2mA。陶瓷諧振槽路一般具有較大的負載電容，相應(yīng)地也需要更多的電流。相比之下，晶振模塊一般需要電源電流為10mA ~60mA。硅振蕩器的電源電流取決于其類型與功能，范圍可以從低頻（固定）器件的幾個微安到可編程器件的幾個毫安。晶體與微處理器（CPU）相配合，形成晶體振蕩電路，為CP...

晶振的負載電容的選擇：晶體工作在基頻時，其負載電容的標準值為20PF、30PF、50PF、100PF。而泛音晶體經(jīng)常工作在串聯(lián)諧振，在使用負載電容的地方，其負載電容值應(yīng)從下列標準值中選擇：8PF、12PF、15PF、20PF、30PF。激勵電平的影響：一般來講，AT切晶體激勵電平的增大，其頻率變化是正的。激勵電平過高會引起非線性效應(yīng)，導(dǎo)致可能出現(xiàn)寄生振蕩；嚴重?zé)犷l漂；過應(yīng)力頻漂及電阻突變。當激勵電平過低時則會造成起振阻力不易克服、工作不良及指標的不穩(wěn)定。濾波電路中的應(yīng)用：應(yīng)用于濾波電路中時，除通常的規(guī)定外，更應(yīng)注意其等效電路元件的數(shù)值和誤差以及寄生響應(yīng)的位置和幅度，由于濾波晶體設(shè)計的特殊性，所...

由于晶體單元的振蕩頻率本身是由晶體單元的特性決定的，因此基本上不能改變。因此，在無線通信等中，可以采用根據(jù)所使用的頻率來更換晶體單元的方法。然而，通過調(diào)整外部電容，±0幾個％是約并應(yīng)用此可能微調(diào)VXO（可變晶體振蕩器），以允許電壓控制將被替換為可變電容二極管的電容的VCXO（壓控晶體振蕩器，VCXO）具有電路，例如。此外，晶體振蕩器和電壓控制振蕩器，一個數(shù)字電路，由于計數(shù)器組合電路和相位比較器等的頻率合成器通過，所以能夠獲得任意的頻率穩(wěn)定的輸出信號。壓控制晶體振蕩器是通過施加外部控制電壓使振蕩頻率可變或是可以調(diào)制的石英晶體振蕩器。無源貼片式晶振銷售晶振的主要參數(shù)：負載電容。負載電容是指晶振的兩...

晶振的工作原理：晶振具有壓電效應(yīng)，即在晶片兩極外加電壓后晶體會產(chǎn)生變形，反過來如外力使晶片變形，則兩極上金屬片又會產(chǎn)生電壓。如果給晶片加上適當?shù)慕蛔冸妷?，晶片就會產(chǎn)生諧振（諧振頻率與石英斜面傾角等有關(guān)系，且頻率一定）。晶振利用一種能把電能和機械能相互轉(zhuǎn)化的晶體，在共振的狀態(tài)下工作可以提供穩(wěn)定、精確的單頻振蕩。在通常工作條件下，普通的晶振頻率精度可達百萬分之五十。利用該特性，晶振可以提供較穩(wěn)定的脈沖，普遍應(yīng)用于微芯片的時鐘電路里。當要求晶體振蕩器精度小于±1×10-6時，直接補償方式并不適合。蘇州溫控晶振廠商晶振的指標，靜電容：等效電路中與串聯(lián)臂并接的電容，也叫并電容，通常用C0表示。工作溫度范...

石英晶體：外形、結(jié)構(gòu)與圖形符號；在石英晶體上按一定方位切下薄片，將薄片兩端拋光并涂上導(dǎo)電的銀層，再從銀層上連出兩個電極并封裝起來，這樣構(gòu)成的元件叫石英晶體諧振器，簡稱石英晶體。石英晶體的外形、結(jié)構(gòu)和圖形。特性：石英晶體有兩個諧振頻率，即fs和fp，fp略大于fs。當加到石英晶體兩端信號的頻率不同時，它會呈現(xiàn)出不同的特性，如圖2所示，具體說明如下。當f=fs時，石英晶體呈阻性，相當于阻值小的電阻。當f≥fp時，石英晶體呈容性，相當于電容。具有自動增益控制的振蕩電路，是目前獲得振蕩頻率高穩(wěn)定度的比較理想的技術(shù)方案。杭州25兆晶振銷售晶振在應(yīng)用具體起到的作用，微控制器的時鐘源可以分為兩類：基于機械諧...

晶振的振動模式與頻率關(guān)系：基頻1～35MHz；3次泛音10～75MHz；5次泛音 50～150MHz；7次泛音 100～200MHz；9次泛音 150～250MHz。晶體電阻：對于同一頻率，當工作在高次泛音振動時其電阻值將比工作在低次振動時大。"信號源+電平表"功能由網(wǎng)絡(luò)分析儀完成；Ri、R0：儀器內(nèi)阻：一般為50Ω。R1--濾波器輸入端外接阻抗，阻抗值為匹配阻抗減去50Ω。R2--濾波器輸出端外接阻抗，阻抗值為匹配阻抗減去50Ω。在濾波器條件的匹配阻抗中有時有并接電容要求，應(yīng)按上圖連接。晶振：晶體振蕩器，有一些電子設(shè)備需要頻率高度穩(wěn)定的交流信號，而LC振蕩器穩(wěn)定性較差，頻率容易漂移。嘉興溫控...

晶振在應(yīng)用具體起到的作用，微控制器的時鐘源可以分為兩類：基于機械諧振器件的時鐘源，如晶振、陶瓷諧振槽路；RC（電阻、電容）振蕩器。一種是皮爾斯振蕩器配置，適用于晶振和陶瓷諧振槽路。另一種為簡單的分立RC振蕩器。基于晶振與陶瓷諧振槽路的振蕩器通常能提供非常高的初始精度和較低的溫度系數(shù)。RC振蕩器能夠快速啟動，成本也比較低，但通常在整個溫度和工作電源電壓范圍內(nèi)精度較差，會在標稱輸出頻率的5%至50%范圍內(nèi)變化。但其性能受環(huán)境條件和電路元件選擇的影響。需認真對待振蕩器電路的元件選擇和線路板布局。在使用時，陶瓷諧振槽路和相應(yīng)的負載電容必須根據(jù)特定的邏輯系列進行優(yōu)化。具有高Q值的晶振對放大器的選擇并不敏...

單片機晶振不起振原因分析遇到單片機晶振不起振是常見現(xiàn)象，那么引起晶振不起振的原因有哪些呢？PCB板布線錯誤；單片機質(zhì)量有問題；晶振質(zhì)量有問題；負載電容或匹配電容與晶振不匹配或者電容質(zhì)量有問題；PCB板受潮，導(dǎo)致阻抗失配而不能起振；晶振電路的走線過長；晶振兩腳之間有走線；外面電路的影響。解決方案，建議按如下方法逐個排除故障：排除電路錯誤的可能性，因此你可以用相應(yīng)型號單片機的推薦電路進行比較。排除外面元件不良的可能性，因為外面零件無非為電阻，電容，你很容易鑒別是否為良品。排除晶振為停振品的可能性，因為你不會只試了一二個晶振。試著改換晶體兩端的電容，也許晶振就能起振了，電容的大小請參考晶振的使用說明...

選擇振蕩器時還需要考慮功耗。分立振蕩器的功耗主要由反饋放大器的電源電流以及電路內(nèi)部的電容值所決定。CMOS放大器功耗與工作頻率成正比，可以表示為功率耗散電容值。比如，HC04反相器門電路的功率耗散電容值是90pF。在4MHz、5V電源下工作時，相當于1.8mA的電源電流。再加上20pF的晶振負載電容，整個電源電流為2.2mA。陶瓷諧振槽路一般具有較大的負載電容，相應(yīng)地也需要更多的電流。相比之下，晶振模塊一般需要電源電流為10mA ~60mA。硅振蕩器的電源電流取決于其類型與功能，范圍可以從低頻（固定）器件的幾個微安到可編程器件的幾個毫安。負載電容可看作晶振片在電路中串接電容。金華16兆晶振廠家...

石英諧振器的模態(tài)譜，包括基模，三階泛音，5 階泛音和一些亂真信號響應(yīng)，即寄生模。在振蕩器應(yīng)用上，振蕩器總是選擇較強的模式工作。一些干擾模式有急劇升降的頻率—溫度特性。有時候，當溫度發(fā)生改變，在一定溫度下，寄生模的頻率與振蕩頻率一致，這導(dǎo)致了“活動性下降”。在活動性下降時，寄生模的激勵引起諧振器的額外能量的消耗，導(dǎo)致Q 值的減小，等效串聯(lián)電阻增大及振蕩器頻率的改變。當阻抗增加到相當大的時候，振蕩器就會停止，即振蕩器失效。當溫度改變遠離活動性下降的溫度時，振蕩器又會重新工作。寄生模能有適當?shù)脑O(shè)計和封裝方法控制。不斷修正電極與晶片的尺寸關(guān)系（即應(yīng)用能陷原則），并保持晶片主平面平行，這樣就能把寄生模較...

晶振的指標，負載電容：與晶體一起決定負載諧振頻率FL的有效外界電容，用CL表示。負載電容系列：8PF 12PF 15PF 20PF 30PF 50PF 100PF。激勵電平：晶體工作時所消耗功率的表征值。激勵電平可選值有：2mW、1mW、0.5mW、0.2mW、0.1mW、50μW、20μW、10μW、1μW、0.1μW 等。老化率：在確定時間內(nèi)輸出頻率的相對變化。基頻：在振動模式較低階次的振動頻率。泛音：晶體振動的機械諧波。泛音頻率與基頻頻率之比接近整數(shù)倍但不是整數(shù)倍，這是它與電氣諧波的主要區(qū)別。泛音振動有3次泛音，5次泛音，7次泛音，9次泛音等。石英晶體兩端信號的頻率不同時，它會呈現(xiàn)出不同...

在一般情況下，晶片機械振動的振幅和交變電場的振幅非常微小，但當外加交變電壓的頻率為某一特定值時，振幅明顯加大，比其他頻率下的振幅大得多，這種現(xiàn)象稱為壓電諧振，它與LC回路的諧振現(xiàn)象十分相似。它的諧振頻率與晶片的切割方式、幾何形狀、尺寸等有關(guān)。當晶體不振動時，可把它看成一個平板電容器稱為靜電電容C，它的大小與晶片的幾何尺寸、電極面積有關(guān)，一般約幾個皮法到幾十皮法。當晶體振蕩時，機械振動的慣性可用電感L來等效。一般L的值為幾十豪亨到幾百豪亨。晶片的彈性可用電容C來等效，C的值很小，一般只有0.0002～0.1皮法。晶片振動時因摩擦而造成的損耗用R來等效，它的數(shù)值約為100歐。石英晶體振蕩器有壓控制...

晶振的主要參數(shù)：溫度穩(wěn)定度。溫度穩(wěn)定度是指其他條件保持不變時，在規(guī)定溫度范圍內(nèi)晶體振蕩器輸出頻率的較大變化量相對于溫度范圍內(nèi)輸出頻率極值之和的允許頻偏值，即（fmax-fmin）/（fmax+fmin）。頻率調(diào)節(jié)范圍。通過調(diào)節(jié)晶體振蕩器的某可變元件可改變輸出頻率的范圍。 電壓特性。其他條件保持不變時，電源電壓在規(guī)定變化范圍內(nèi)晶體振蕩器輸出頻率相對于標稱電源電壓下的輸出頻率的較大允許頻偏。雜波。雜波是指輸出信號中與主頻無諧波（副諧波除外）關(guān)系的離散頻譜分量與主頻的功率比，用dBc表示。 諧波。諧波是指諧波分量功率Pi與載波功率P0之比，用dBc表示。日波動。指振蕩器經(jīng)過規(guī)定的預(yù)熱時間后，每隔1...

石英諧振器的模態(tài)譜，包括基模，三階泛音，5 階泛音和一些亂真信號響應(yīng)，即寄生模。在振蕩器應(yīng)用上，振蕩器總是選擇較強的模式工作。一些干擾模式有急劇升降的頻率—溫度特性。有時候，當溫度發(fā)生改變，在一定溫度下，寄生模的頻率與振蕩頻率一致，這導(dǎo)致了“活動性下降”。在活動性下降時，寄生模的激勵引起諧振器的額外能量的消耗，導(dǎo)致Q 值的減小，等效串聯(lián)電阻增大及振蕩器頻率的改變。當阻抗增加到相當大的時候，振蕩器就會停止，即振蕩器失效。當溫度改變遠離活動性下降的溫度時，振蕩器又會重新工作。寄生模能有適當?shù)脑O(shè)計和封裝方法控制。不斷修正電極與晶片的尺寸關(guān)系（即應(yīng)用能陷原則），并保持晶片主平面平行，這樣就能把寄生模較...

晶振的全稱為“石英晶體振蕩器”，一般稱“晶體振蕩器”或“晶體諧振器”。晶振是石英晶體經(jīng)精密切割磨削并鍍上電極焊上引線做成的。石英也是水晶的統(tǒng)稱，這種晶體如果給它通電，它就會產(chǎn)生機械振蕩，反之，如果給它機械力，它又會產(chǎn)生電，這種特性叫機電效應(yīng)。所以，晶振的其中一種作用就是能產(chǎn)生時鐘頻率。晶振一般可分為：普通晶振、溫補晶振（溫度補償晶體振蕩器）、恒溫晶振（恒溫控制晶體振蕩器）、壓控晶振（電壓控制晶體振蕩器）等幾大類型！晶振由于其化學(xué)性能穩(wěn)定、振蕩頻率的穩(wěn)定，諧振頻率準確，所以應(yīng)用范圍非常普遍。小到各種家電、移動設(shè)備、遙控，大到通訊電臺、GPS、衛(wèi)星通信等電子產(chǎn)品。晶振：晶體振蕩器，有一些電子設(shè)備需...

晶振即晶體振蕩器，它的基本構(gòu)成大致是：從一塊石英晶體上按一定方位角切下薄片（簡稱為晶片，石英晶體諧振器，簡稱為石英晶體或晶體、晶振；而在封裝內(nèi)部添加IC組成振蕩電路的晶體元件稱為晶體振蕩器。其產(chǎn)品一般用金屬外殼封裝，也有用玻璃殼、陶瓷或塑料封裝的。應(yīng)用：通用晶體振蕩器，用于各種電路中，產(chǎn)生振蕩頻率。時鐘脈沖用石英晶體諧振器，與其它元件配合產(chǎn)生標準脈沖信號，普遍用于數(shù)字電路中。微處理器用石英晶體諧振器。CTVVTR用石英晶體諧振器。鐘表用石英晶體振蕩器。在振蕩器中采用石英晶體，可以產(chǎn)生高度穩(wěn)定的信號，這種采用石英晶體的振蕩器稱為晶體振蕩器。無錫3225晶振銷售晶振的指標，負載電容：與晶體一起決定...

溫度控制式補償晶體振蕩器的直接補償型。直接補償型TCXO是由熱敏電阻和阻容元件組成的溫度補償電路，在振蕩器中與石英晶體振子串聯(lián)而成的。在溫度變化時，熱敏電阻的阻值和晶體等效串聯(lián)電容容值相應(yīng)變化，從而抵消或削減振蕩頻率的溫度漂移。該補償電路簡單，成本較低，節(jié)省印制電路板（PCB）尺寸和空間，適用于小型和低壓小電流場合。但當要求晶體振蕩器精度小于±1×10-6時，直接補償方式并不適合。晶振常與主板、南橋、聲卡等電路連接使用。晶振可比喻為各板卡的“心跳”發(fā)生器，如果主卡的“心跳”出現(xiàn)問題，必定會使其他各電路出現(xiàn)故障。非溫度補償式晶體振蕩器是較簡單的一種，在日本工業(yè)標準中稱之為標準封裝晶體振蕩器。杭州...

晶振的振動模式與頻率關(guān)系：基頻1～35MHz；3次泛音10～75MHz；5次泛音 50～150MHz；7次泛音 100～200MHz；9次泛音 150～250MHz。晶體電阻：對于同一頻率，當工作在高次泛音振動時其電阻值將比工作在低次振動時大。"信號源+電平表"功能由網(wǎng)絡(luò)分析儀完成；Ri、R0：儀器內(nèi)阻：一般為50Ω。R1--濾波器輸入端外接阻抗，阻抗值為匹配阻抗減去50Ω。R2--濾波器輸出端外接阻抗，阻抗值為匹配阻抗減去50Ω。在濾波器條件的匹配阻抗中有時有并接電容要求，應(yīng)按上圖連接。標稱頻率、負載電容、頻率精度、頻率穩(wěn)定度等決定了晶振的品質(zhì)和性能。南京插件晶振價格多少晶振的基本概念：壓電...

選擇振蕩器時還需要考慮功耗。分立振蕩器的功耗主要由反饋放大器的電源電流以及電路內(nèi)部的電容值所決定。CMOS放大器功耗與工作頻率成正比，可以表示為功率耗散電容值。比如，HC04反相器門電路的功率耗散電容值是90pF。在4MHz、5V電源下工作時，相當于1.8mA的電源電流。再加上20pF的晶振負載電容，整個電源電流為2.2mA。陶瓷諧振槽路一般具有較大的負載電容，相應(yīng)地也需要更多的電流。相比之下，晶振模塊一般需要電源電流為10mA ~60mA。硅振蕩器的電源電流取決于其類型與功能，范圍可以從低頻（固定）器件的幾個微安到可編程器件的幾個毫安。晶振：晶體振蕩器，有一些電子設(shè)備需要頻率高度穩(wěn)定的交流信...

串聯(lián)型晶體振蕩器的電路的振蕩過程：接通電源后，三極管VT1、VT2導(dǎo)通，VT2發(fā)射極輸出變化的Ie電流中包含各種頻率的信號，石英晶體X1對其中的f0信號阻抗很小，f0信號經(jīng)X1、RP1反饋到VT1的發(fā)射極，該信號經(jīng)VT1放大后從集電極輸出，又加到VT2放大后從發(fā)射極輸出，然后又通過X1反饋到VT1放大，如此反復(fù)進行，VT2輸出的f0信號幅度越來越大，VT1、VT2組成的放大電路放大倍數(shù)越來越小，當放大倍數(shù)等于反饋衰減系數(shù)時，輸出f0信號幅度不再變化，電路輸出穩(wěn)定的f0信號。彩色電視機中的晶振電路一般用于系統(tǒng)控制電路和解碼電路中。合肥晶振批發(fā)價晶體振蕩器原理將電壓施加到所述石英晶體的壓電元件（電...

晶振在應(yīng)用具體起到的作用，微控制器的時鐘源可以分為兩類：基于機械諧振器件的時鐘源，如晶振、陶瓷諧振槽路；RC（電阻、電容）振蕩器。一種是皮爾斯振蕩器配置，適用于晶振和陶瓷諧振槽路。另一種為簡單的分立RC振蕩器?；诰д衽c陶瓷諧振槽路的振蕩器通常能提供非常高的初始精度和較低的溫度系數(shù)。RC振蕩器能夠快速啟動，成本也比較低，但通常在整個溫度和工作電源電壓范圍內(nèi)精度較差，會在標稱輸出頻率的5%至50%范圍內(nèi)變化。但其性能受環(huán)境條件和電路元件選擇的影響。需認真對待振蕩器電路的元件選擇和線路板布局。在使用時，陶瓷諧振槽路和相應(yīng)的負載電容必須根據(jù)特定的邏輯系列進行優(yōu)化。具有高Q值的晶振對放大器的選擇并不敏...

溫度頻差（Frequency Stability vs Temp）表示在特定溫度范圍內(nèi)，工作頻率相對于基準溫度時工作頻率的允許偏離，它的單位也是ppm。石英晶體有一種特性，如果在晶片某軸向上施加壓力時，相應(yīng)施力的方向會產(chǎn)生一定的電位相反的，在晶體的某些軸向施加電場時，會使晶體產(chǎn)生機械變形；晶體的自然諧振頻率，它在高穩(wěn)晶振的設(shè)計中，是作為使晶振穩(wěn)定工作于標稱頻率、確定頻率調(diào)整范圍、設(shè)置頻率微調(diào)裝置等要求時的設(shè)計參數(shù)（但不是標稱頻率）。當晶體元件與外部電容相連接時（并聯(lián)或串聯(lián)），在負載諧振頻率時的電阻即為負載諧振電阻RL，它總是大于晶體元件本身的諧振電阻。通常人們是利用熱敏電阻“電橋”構(gòu)成的差動串...

普通晶體振蕩器。普通晶體振蕩器（SPXO）是一種簡單的晶體振蕩器，通常稱為鐘振。它是一種完全由晶體自由振蕩完成工作的晶體振蕩器。這類晶振主要應(yīng)用于穩(wěn)定度要求不高的場合。電壓控制晶體振蕩器。電壓控制晶體振蕩器（VCXO），是通過施加外部控制電壓使振蕩頻率可變或是可以調(diào)制的石英晶體振蕩器。在典型的VCXO中，通常是通過調(diào)諧電壓改變變?nèi)荻O管的電容量來“牽引”石英晶體振子頻率的。VCXO允許頻率控制范圍比較寬，實際的牽引度范圍約為±200×10-6甚至更大。如果要求VCXO的輸出頻率比石英晶體振子所能實現(xiàn)的頻率還要高，可采用倍頻方案。擴展調(diào)諧范圍的另一個方法是將晶體振蕩器的輸出信號與VCXO的輸出信...

選擇振蕩器時還需要考慮功耗。分立振蕩器的功耗主要由反饋放大器的電源電流以及電路內(nèi)部的電容值所決定。CMOS放大器功耗與工作頻率成正比，可以表示為功率耗散電容值。比如，HC04反相器門電路的功率耗散電容值是90pF。在4MHz、5V電源下工作時，相當于1.8mA的電源電流。再加上20pF的晶振負載電容，整個電源電流為2.2mA。陶瓷諧振槽路一般具有較大的負載電容，相應(yīng)地也需要更多的電流。相比之下，晶振模塊一般需要電源電流為10mA ~60mA。硅振蕩器的電源電流取決于其類型與功能，范圍可以從低頻（固定）器件的幾個微安到可編程器件的幾個毫安。在振蕩器中采用石英晶體，可以產(chǎn)生高度穩(wěn)定的信號，這種采用...

如果在石英晶片上加上交變電壓，晶體就會產(chǎn)生機械振動，機械形變振動又會產(chǎn)生交變電場，盡管這種交變電場的電壓極其微弱，但其振動頻率是十分穩(wěn)定的。當外加交變電壓的頻率與晶片的固有頻率（與切割后的晶片尺寸有關(guān)，晶體愈薄，切割難度越大，諧振頻率越高）相等時，機械振動的幅度將急劇增加，這種現(xiàn)象稱為“壓電諧振”。通常廠家的晶振元件數(shù)據(jù)手冊給出的標稱頻率不是Fr或FL，實際的晶體元件應(yīng)用于振蕩電路中時，它一般還會與負載電容相聯(lián)接，共同作用使晶體工作于Fr和FL之間的某個頻率，這個頻率由振蕩電路的相位和有效電抗確定，通過改變電路的電抗條件，就可以在有限的范圍內(nèi)調(diào)節(jié)晶體頻率。直接補償型TCXO是由熱敏電阻和阻容元...