晶振的負(fù)載電容的選擇：晶體工作在基頻時(shí)，其負(fù)載電容的標(biāo)準(zhǔn)值為20PF、30PF、50PF、100PF。而泛音晶體經(jīng)常工作在串聯(lián)諧振，在使用負(fù)載電容的地方，其負(fù)載電容值應(yīng)從下列標(biāo)準(zhǔn)值中選擇：8PF、12PF、15PF、20PF、30PF。激勵(lì)電平的影響：一般來講，AT切晶體激勵(lì)電平的增大，其頻率變化是正的。激勵(lì)電平過高會(huì)引起非線性效應(yīng)，導(dǎo)致可能出現(xiàn)寄生振蕩；嚴(yán)重?zé)犷l漂；過應(yīng)力頻漂及電阻突變。當(dāng)激勵(lì)電平過低時(shí)則會(huì)造成起振阻力不易克服、工作不良及指標(biāo)的不穩(wěn)定。濾波電路中的應(yīng)用：應(yīng)用于濾波電路中時(shí)，除通常的規(guī)定外，更應(yīng)注意其等效電路元件的數(shù)值和誤差以及寄生響應(yīng)的位置和幅度，由于濾波晶體設(shè)計(jì)的特殊性，所...

晶體振蕩器原理將電壓施加到所述石英晶體的壓電元件（電場(chǎng)的應(yīng)用到），變形發(fā)生在壓電體。這種現(xiàn)象發(fā)現(xiàn)者，雅克和皮埃爾居里是兄弟。晶體單元的振蕩頻率本身是由晶體單元的特性決定的，因此基本上不能改變。電性能，通常是一個(gè)電容器作為其固有頻率附近特定頻率光頻帶線圈作為電感性電抗充當(dāng)具有。應(yīng)用此原理的電子組件是晶體諧振器。AT是一種常見的晶體振蕩器諧振器是壓電晶體元件具有兩個(gè)（晶體坯）電極由夾的石英振動(dòng)元件在上籠的影片。由于石英振蕩器會(huì)引起自由振動(dòng)，因此波形會(huì)變成正弦波。串聯(lián)型晶體振蕩器采用了兩級(jí)放大電路，石英晶體X1構(gòu)成反饋電路。合肥無源貼片式晶振廠家電話晶振的指標(biāo)，靜電容：等效電路中與串聯(lián)臂并接的電容，...

石英諧振器的模態(tài)譜，包括基模，三階泛音，5 階泛音和一些亂真信號(hào)響應(yīng)，即寄生模。在振蕩器應(yīng)用上，振蕩器總是選擇較強(qiáng)的模式工作。一些干擾模式有急劇升降的頻率—溫度特性。有時(shí)候，當(dāng)溫度發(fā)生改變，在一定溫度下，寄生模的頻率與振蕩頻率一致，這導(dǎo)致了“活動(dòng)性下降”。在活動(dòng)性下降時(shí)，寄生模的激勵(lì)引起諧振器的額外能量的消耗，導(dǎo)致Q 值的減小，等效串聯(lián)電阻增大及振蕩器頻率的改變。當(dāng)阻抗增加到相當(dāng)大的時(shí)候，振蕩器就會(huì)停止，即振蕩器失效。當(dāng)溫度改變遠(yuǎn)離活動(dòng)性下降的溫度時(shí)，振蕩器又會(huì)重新工作。寄生模能有適當(dāng)?shù)脑O(shè)計(jì)和封裝方法控制。不斷修正電極與晶片的尺寸關(guān)系（即應(yīng)用能陷原則），并保持晶片主平面平行，這樣就能把寄生模較...

晶振的指標(biāo)，靜電容：等效電路中與串聯(lián)臂并接的電容，也叫并電容，通常用C0表示。工作溫度范圍：能夠保證振蕩器輸出頻率及其化各種特性符合指標(biāo)的溫度范圍。頻率溫度穩(wěn)定度：在標(biāo)稱電源和負(fù)載下，工作在規(guī)定溫度范圍內(nèi)的不帶隱含基準(zhǔn)溫度或帶隱含基準(zhǔn)溫度的較大允許頻偏。ft：頻率溫度穩(wěn)定度（不帶隱含基準(zhǔn)度）；ftref：頻率溫度穩(wěn)定度（帶隱含基準(zhǔn)溫）；fmax ：規(guī)定溫度范圍內(nèi)測(cè)得的較高頻率；fmin：規(guī)定溫度范圍內(nèi)測(cè)得的較低頻率；fref：規(guī)定基準(zhǔn)溫度測(cè)得的頻率。說明：采用ftref指標(biāo)的晶體振蕩器其生產(chǎn)難度要高于采用ft指標(biāo)的晶體振蕩器，故ftref指標(biāo)的晶體振蕩器售價(jià)較高。普通晶體振蕩器（SPXO）是一...

晶振：晶體振蕩器 （電路元件）；有一些電子設(shè)備需要頻率高度穩(wěn)定的交流信號(hào)，而LC振蕩器穩(wěn)定性較差，頻率容易漂移（即產(chǎn)生的交流信號(hào)頻率容易變化）。在振蕩器中采用一個(gè)特殊的元件——石英晶體，可以產(chǎn)生高度穩(wěn)定的信號(hào)，這種采用石英晶體的振蕩器稱為晶體振蕩器。外形、結(jié)構(gòu)與圖形符號(hào)：在石英晶體上按一定方位切下薄片，將薄片兩端拋光并涂上導(dǎo)電的銀層，再從銀層上連出兩個(gè)電極并封裝起來，這樣構(gòu)成的元件叫石英晶體諧振器，簡(jiǎn)稱石英晶體。石英晶體有兩個(gè)諧振頻率，即fs和fp，fp略大于fs。石英晶體振蕩器分為非溫度補(bǔ)償式晶體振蕩器、溫度補(bǔ)償式晶體振蕩器等。寧波音叉石英晶振貴不貴晶片的等效電感很大，而C很小，R也小，因此...

晶振和 IC 間一般是通過銅走線相連的，這根走線可以看成一段導(dǎo)線或數(shù)段導(dǎo)線，導(dǎo)線在切割磁力線的時(shí)候會(huì)產(chǎn)生電流，導(dǎo)線越長，產(chǎn)生的電流越強(qiáng)?，F(xiàn)實(shí)中，磁力線不常見， 電磁波卻到處都是，例如：無線廣播發(fā)射、電視塔發(fā)射、手機(jī)通訊等等。晶振和IC之間的連線就變成了接收天線，它越長，接收的信號(hào)就越強(qiáng)，產(chǎn)生的電能量就越強(qiáng)，直到接收到的電信號(hào)強(qiáng)度超過或接近晶振產(chǎn)生的信號(hào)強(qiáng)度時(shí)，IC內(nèi)的放大電路輸出的將不再是固定頻率的方波了，而是亂七八糟的信 號(hào)，導(dǎo)致數(shù)字電路無法同步工作而出錯(cuò)。晶片變形，則兩極上金屬片又會(huì)產(chǎn)生電壓。無錫32.768khz晶振銷售廠家串聯(lián)型晶體振蕩器：該振蕩器采用了兩級(jí)放大電路，石英晶體X1除了構(gòu)...

晶振的振動(dòng)模式與頻率關(guān)系：基頻1～35MHz；3次泛音10～75MHz；5次泛音 50～150MHz；7次泛音 100～200MHz；9次泛音 150～250MHz。晶體電阻：對(duì)于同一頻率，當(dāng)工作在高次泛音振動(dòng)時(shí)其電阻值將比工作在低次振動(dòng)時(shí)大。"信號(hào)源+電平表"功能由網(wǎng)絡(luò)分析儀完成；Ri、R0：儀器內(nèi)阻：一般為50Ω。R1--濾波器輸入端外接阻抗，阻抗值為匹配阻抗減去50Ω。R2--濾波器輸出端外接阻抗，阻抗值為匹配阻抗減去50Ω。在濾波器條件的匹配阻抗中有時(shí)有并接電容要求，應(yīng)按上圖連接。影響振蕩器工作的環(huán)境因素有：電磁干擾（EMI）、機(jī)械震動(dòng)與沖擊、濕度和溫度。蘇州2520晶振批發(fā)晶振的應(yīng)用...

從實(shí)際效果上看，對(duì)于給定的負(fù)載電容值，F(xiàn)’r與F’L兩個(gè)頻率是相同的，這個(gè)頻率是晶體的絕大多數(shù)應(yīng)用時(shí)所表現(xiàn)的實(shí)際頻率，也是制造廠商為滿足用戶對(duì)產(chǎn)品符合標(biāo)稱頻率要求的測(cè)試指標(biāo)參數(shù)，也就是本文較開頭介紹的晶振標(biāo)稱頻率，晶振的一個(gè)非常重要的參數(shù)，即負(fù)載電容CL（Load capacitance），它是電路中跨接晶體兩端的總的有效電容（不是晶振外接的匹配電容），主要影響負(fù)載諧振頻率和等效負(fù)載諧振電阻，與晶體一起決定振蕩器電路的工作頻率，通過調(diào)整負(fù)載電容，就可以將振蕩器的工作頻率微調(diào)到標(biāo)稱值。源晶振將所有與無源晶振及相關(guān)的振蕩電路封裝在一個(gè)“盒子”里，不必手動(dòng)精確匹配外面電路，不同的輸出頻率應(yīng)用時(shí)，只需...

由于晶體單元的振蕩頻率本身是由晶體單元的特性決定的，因此基本上不能改變。因此，在無線通信等中，可以采用根據(jù)所使用的頻率來更換晶體單元的方法。然而，通過調(diào)整外部電容，±0幾個(gè)％是約并應(yīng)用此可能微調(diào)VXO（可變晶體振蕩器），以允許電壓控制將被替換為可變電容二極管的電容的VCXO（壓控晶體振蕩器，VCXO）具有電路，例如。此外，晶體振蕩器和電壓控制振蕩器，一個(gè)數(shù)字電路，由于計(jì)數(shù)器組合電路和相位比較器等的頻率合成器通過，所以能夠獲得任意的頻率穩(wěn)定的輸出信號(hào)。晶振電路在電腦主板中的應(yīng)用晶振電路在電腦主板上也是比較常見的。杭州低頻晶振銷售晶片的等效電感很大，而C很小，R也小，因此回路的品質(zhì)因數(shù)Q很大，可達(dá)...

晶振的全稱為“石英晶體振蕩器”，一般稱“晶體振蕩器”或“晶體諧振器”。晶振是石英晶體經(jīng)精密切割磨削并鍍上電極焊上引線做成的。石英也是水晶的統(tǒng)稱，這種晶體如果給它通電，它就會(huì)產(chǎn)生機(jī)械振蕩，反之，如果給它機(jī)械力，它又會(huì)產(chǎn)生電，這種特性叫機(jī)電效應(yīng)。所以，晶振的其中一種作用就是能產(chǎn)生時(shí)鐘頻率。晶振一般可分為：普通晶振、溫補(bǔ)晶振（溫度補(bǔ)償晶體振蕩器）、恒溫晶振（恒溫控制晶體振蕩器）、壓控晶振（電壓控制晶體振蕩器）等幾大類型！晶振由于其化學(xué)性能穩(wěn)定、振蕩頻率的穩(wěn)定，諧振頻率準(zhǔn)確，所以應(yīng)用范圍非常普遍。小到各種家電、移動(dòng)設(shè)備、遙控，大到通訊電臺(tái)、GPS、衛(wèi)星通信等電子產(chǎn)品。恒溫控制式晶體振蕩器是利用恒溫槽使...

一種是皮爾斯振蕩器配置晶振，適用于晶振和陶瓷諧振槽路。另一種為簡(jiǎn)單的分立RC振蕩器?；诰д衽c陶瓷諧振槽路的振蕩器通常能提供非常高的初始精度和較低的溫度系數(shù)。RC振蕩器能夠快速啟動(dòng)，成本也比較低，但通常在整個(gè)溫度和工作電源電壓范圍內(nèi)精度較差，會(huì)在標(biāo)稱輸出頻率的5%至50%范圍內(nèi)變化。但其性能受環(huán)境條件和電路元件選擇的影響。需認(rèn)真對(duì)待振蕩器電路的元件選擇和線路板布局。在使用時(shí)，陶瓷諧振槽路和相應(yīng)的負(fù)載電容必須根據(jù)特定的邏輯系列進(jìn)行優(yōu)化。具有高Q值的晶振對(duì)放大器的選擇并不敏感，但在過驅(qū)動(dòng)時(shí)很容易產(chǎn)生頻率漂移（甚至可能損壞）。晶振一般用金屬外殼封裝，也有用玻璃殼、陶瓷或塑料封裝的。溫州無源貼片式晶振...

選擇振蕩器時(shí)還需要考慮功耗。分立振蕩器的功耗主要由反饋放大器的電源電流以及電路內(nèi)部的電容值所決定。CMOS放大器功耗與工作頻率成正比，可以表示為功率耗散電容值。比如，HC04反相器門電路的功率耗散電容值是90pF。在4MHz、5V電源下工作時(shí)，相當(dāng)于1.8mA的電源電流。再加上20pF的晶振負(fù)載電容，整個(gè)電源電流為2.2mA。陶瓷諧振槽路一般具有較大的負(fù)載電容，相應(yīng)地也需要更多的電流。相比之下，晶振模塊一般需要電源電流為10mA ~60mA。硅振蕩器的電源電流取決于其類型與功能，范圍可以從低頻（固定）器件的幾個(gè)微安到可編程器件的幾個(gè)毫安。串聯(lián)型晶體振蕩器采用了兩級(jí)放大電路，石英晶體X1構(gòu)成反饋...

石英晶體諧振器（英文：quartz crystal unit或quartz crystal resonator，常被標(biāo)識(shí)為Xtal，Extenal Crystal Osillator，外部晶振器，因?yàn)榫д駟卧３Ｗ鳛殡娐吠饨樱?jiǎn)稱石英晶體或晶振，是利用石英晶體（又稱水晶）的壓電效應(yīng)，用來產(chǎn)生高精度振蕩頻率的一種電子元件，屬于被動(dòng)元件。該元件主要由石英晶片、基座、外殼、銀膠、銀等成分組成。根據(jù)引線狀況可分為直插（有引線）與表面貼裝（無引線）兩種類型。當(dāng)前常見的主要封裝型號(hào)有HC-49U、HC-49/S、GLASS、UM-1、UM-4、UM-5與SMD。負(fù)載電容可看作晶振片在電路中串接電容。蘇州...

串聯(lián)型晶體振蕩器的電路的振蕩過程：接通電源后，三極管VT1、VT2導(dǎo)通，VT2發(fā)射極輸出變化的Ie電流中包含各種頻率的信號(hào)，石英晶體X1對(duì)其中的f0信號(hào)阻抗很小，f0信號(hào)經(jīng)X1、RP1反饋到VT1的發(fā)射極，該信號(hào)經(jīng)VT1放大后從集電極輸出，又加到VT2放大后從發(fā)射極輸出，然后又通過X1反饋到VT1放大，如此反復(fù)進(jìn)行，VT2輸出的f0信號(hào)幅度越來越大，VT1、VT2組成的放大電路放大倍數(shù)越來越小，當(dāng)放大倍數(shù)等于反饋衰減系數(shù)時(shí)，輸出f0信號(hào)幅度不再變化，電路輸出穩(wěn)定的f0信號(hào)。直接補(bǔ)償型TCXO是由熱敏電阻和阻容元件組成的溫度補(bǔ)償電路，在振蕩器中與石英晶體振子串聯(lián)而成的。合肥26兆晶振直銷振蕩器頻...

晶振的型號(hào)命名 國產(chǎn)晶振型號(hào)命名一般由三個(gè)部分構(gòu)成，分別為外殼的形狀和材料、石英片的切片型和主要性能及外形尺寸，一部分為外殼的形狀和材料主。J表示金屬殼。第二部分為石英切片型，用字母表示。F表示為FT切割方式。第三部分為主要功能和外形尺寸，用數(shù)字表示。5.000表示諧振頻率為5MHz。因此JF5.000表示采用F切割方式、金屬外殼、諧振頻率為5MHz的諧振晶振。晶振外殼的形狀和材料字母含義對(duì)照表，石英切片型號(hào)的表示方法字母含義對(duì)照表。晶振外殼的形狀和材料字母含義對(duì)照表和石英切片型的表示方法字母含義對(duì)照表。 ...

石英晶體諧振器（英文：quartz crystal unit或quartz crystal resonator，常被標(biāo)識(shí)為Xtal，Extenal Crystal Osillator，外部晶振器，因?yàn)榫д駟卧３Ｗ鳛殡娐吠饨樱?jiǎn)稱石英晶體或晶振，是利用石英晶體（又稱水晶）的壓電效應(yīng)，用來產(chǎn)生高精度振蕩頻率的一種電子元件，屬于被動(dòng)元件。該元件主要由石英晶片、基座、外殼、銀膠、銀等成分組成。根據(jù)引線狀況可分為直插（有引線）與表面貼裝（無引線）兩種類型。當(dāng)前常見的主要封裝型號(hào)有HC-49U、HC-49/S、GLASS、UM-1、UM-4、UM-5與SMD。X1為石英晶體，在電路中相當(dāng)于電感。上海2...

晶振的作用:它在電路中的作用，就好像是一個(gè)比較理想的電感和電容并聯(lián)的結(jié)合體，而且Q值相當(dāng)高。也就是說它有很強(qiáng)的選頻作用。晶體振蕩器一般有二個(gè)十分接近的皆振點(diǎn)。一個(gè)叫串聯(lián)皆振點(diǎn)：另一個(gè)叫并聯(lián)皆振點(diǎn)。再進(jìn)一步來說，晶體振蕩器在它標(biāo)稱的頻率點(diǎn)附近時(shí)，也就是說在它的串聯(lián)和并聯(lián)二個(gè)皆振點(diǎn)之間工作時(shí)，它的穩(wěn)頻作用十分強(qiáng)大。它在串聯(lián)皆振時(shí)相當(dāng)于一個(gè)較小的純電阻。在并聯(lián)皆振時(shí)又相當(dāng)于一個(gè)比較大的純電阻。人們就是利用它的這些特性組成各類很準(zhǔn)的時(shí)鐘振蕩器。晶振在應(yīng)用具體起到的作用，微控制器的時(shí)鐘源可以分為兩類：基于機(jī)械諧振器件的時(shí)鐘源，如晶振、陶瓷諧振槽路；RC（電阻、電容）振蕩器。溫度式補(bǔ)償晶體振蕩器是通過附加...

串聯(lián)型晶體振蕩器的電路的振蕩過程：接通電源后，三極管VT1、VT2導(dǎo)通，VT2發(fā)射極輸出變化的Ie電流中包含各種頻率的信號(hào)，石英晶體X1對(duì)其中的f0信號(hào)阻抗很小，f0信號(hào)經(jīng)X1、RP1反饋到VT1的發(fā)射極，該信號(hào)經(jīng)VT1放大后從集電極輸出，又加到VT2放大后從發(fā)射極輸出，然后又通過X1反饋到VT1放大，如此反復(fù)進(jìn)行，VT2輸出的f0信號(hào)幅度越來越大，VT1、VT2組成的放大電路放大倍數(shù)越來越小，當(dāng)放大倍數(shù)等于反饋衰減系數(shù)時(shí)，輸出f0信號(hào)幅度不再變化，電路輸出穩(wěn)定的f0信號(hào)。在振蕩器中采用石英晶體，可以產(chǎn)生高度穩(wěn)定的信號(hào)，這種采用石英晶體的振蕩器稱為晶體振蕩器。南京8m無源晶振供應(yīng)商晶振是石英晶...

晶振的基本概念：壓電效應(yīng)：對(duì)某些電介質(zhì)施加機(jī)械力而引起它們內(nèi)部正負(fù)電荷中心相對(duì)位移，產(chǎn)生極化，從而導(dǎo)致介質(zhì)兩端表面內(nèi)出現(xiàn)符號(hào)相反的束縛電荷.在一定應(yīng)力范圍內(nèi)，機(jī)械力與電荷呈線性可逆關(guān)系。這種現(xiàn)象稱為壓電效應(yīng)。作用：提供系統(tǒng)振蕩脈沖，穩(wěn)定頻率，選擇頻率。晶振的參數(shù)：標(biāo)稱頻率：在規(guī)定條件下，晶振的諧振中心頻率；調(diào)整頻差：在規(guī)定條件下，基準(zhǔn)溫度時(shí)的工作頻率相對(duì)標(biāo)稱頻率的較大偏離值；溫度頻差：在規(guī)定條件下，在整個(gè)工作溫度范圍內(nèi)，相對(duì)于基準(zhǔn)溫度時(shí)工作頻率的允許偏離值。數(shù)字電路都是按節(jié)拍來進(jìn)行處理的，而晶振就是提供這個(gè)節(jié)拍的。金華低頻石英晶振公司晶振的主要參數(shù)：晶振的主要參數(shù)有標(biāo)稱頻率、負(fù)載電容、頻率精度...

影響振蕩器工作的環(huán)境因素有：電磁干擾（EMI）、機(jī)械震動(dòng)與沖擊、濕度和溫度。這些因素會(huì)增大輸出頻率的變化，增加不穩(wěn)定性，并且在有些情況下，還會(huì)造成振蕩器停振。上述大部分問題都可以通過使用振蕩器模塊避免。這些模塊自帶振蕩器、提供低阻方波輸出，并且能夠在一定條件下保證運(yùn)行。較常用的兩種類型是晶振模塊和集成RC振蕩器（硅振蕩器）。晶振模塊提供與分立晶振相同的精度。硅振蕩器的精度要比分立RC振蕩器高，多數(shù)情況下能夠提供與陶瓷諧振槽路相當(dāng)?shù)木?。?shù)字電路都是按節(jié)拍來進(jìn)行處理的，而晶振就是提供這個(gè)節(jié)拍的。合肥貼片晶振多少錢晶體振蕩器原理將電壓施加到所述石英晶體的壓電元件（電場(chǎng)的應(yīng)用到），變形發(fā)生在壓電體。...

晶振是石英晶體諧振器（quartzcrystal oscillator）的簡(jiǎn)稱，也稱有源晶振，它能夠產(chǎn)生處理器（CPU）執(zhí)行指令所必須的時(shí)鐘頻率信號(hào)，CPU一切指令的執(zhí)行都是建立在這個(gè)基礎(chǔ)上的，時(shí)鐘信號(hào)頻率越高，通常CPU的運(yùn)行速度也就越快。只要是包含CPU的電子產(chǎn)品，都至少包含一個(gè)時(shí)鐘源，就算外面看不到實(shí)際的振蕩電路，也是在芯片內(nèi)部被集成，它被稱為電路系統(tǒng)的心臟。有源晶振，在外部施加適當(dāng)?shù)碾妷汉?，就可以輸出預(yù)先設(shè)置好的周期性時(shí)鐘信號(hào)。晶體本身是不能產(chǎn)生振蕩信號(hào)的，必須借助于相應(yīng)的外部振蕩器電路才能實(shí)現(xiàn)。晶振利用一種能把電能和機(jī)械能相互轉(zhuǎn)化的晶體，在共振的狀態(tài)下工作可以提供穩(wěn)定、精確的單頻振蕩...

晶振的主要參數(shù)：溫度穩(wěn)定度。溫度穩(wěn)定度是指其他條件保持不變時(shí)，在規(guī)定溫度范圍內(nèi)晶體振蕩器輸出頻率的較大變化量相對(duì)于溫度范圍內(nèi)輸出頻率極值之和的允許頻偏值，即（fmax-fmin）/（fmax+fmin）。頻率調(diào)節(jié)范圍。通過調(diào)節(jié)晶體振蕩器的某可變?cè)筛淖冚敵鲱l率的范圍。 電壓特性。其他條件保持不變時(shí)，電源電壓在規(guī)定變化范圍內(nèi)晶體振蕩器輸出頻率相對(duì)于標(biāo)稱電源電壓下的輸出頻率的較大允許頻偏。雜波。雜波是指輸出信號(hào)中與主頻無諧波（副諧波除外）關(guān)系的離散頻譜分量與主頻的功率比，用dBc表示。 諧波。諧波是指諧波分量功率Pi與載波功率P0之比，用dBc表示。日波動(dòng)。指振蕩器經(jīng)過規(guī)定的預(yù)熱時(shí)間后，每隔1...

晶振的型號(hào)命名 國產(chǎn)晶振型號(hào)命名一般由三個(gè)部分構(gòu)成，分別為外殼的形狀和材料、石英片的切片型和主要性能及外形尺寸，一部分為外殼的形狀和材料主。J表示金屬殼。第二部分為石英切片型，用字母表示。F表示為FT切割方式。第三部分為主要功能和外形尺寸，用數(shù)字表示。5.000表示諧振頻率為5MHz。因此JF5.000表示采用F切割方式、金屬外殼、諧振頻率為5MHz的諧振晶振。晶振外殼的形狀和材料字母含義對(duì)照表，石英切片型號(hào)的表示方法字母含義對(duì)照表。晶振外殼的形狀和材料字母含義對(duì)照表和石英切片型的表示方法字母含義對(duì)照表。 ...

由于晶體單元的振蕩頻率本身是由晶體單元的特性決定的，因此基本上不能改變。因此，在無線通信等中，可以采用根據(jù)所使用的頻率來更換晶體單元的方法。然而，通過調(diào)整外部電容，±0幾個(gè)％是約并應(yīng)用此可能微調(diào)VXO（可變晶體振蕩器），以允許電壓控制將被替換為可變電容二極管的電容的VCXO（壓控晶體振蕩器，VCXO）具有電路，例如。此外，晶體振蕩器和電壓控制振蕩器，一個(gè)數(shù)字電路，由于計(jì)數(shù)器組合電路和相位比較器等的頻率合成器通過，所以能夠獲得任意的頻率穩(wěn)定的輸出信號(hào)。溫度控制式補(bǔ)償晶體振蕩器的間接補(bǔ)償型又分模擬式和數(shù)字式兩種類型。寧波25兆晶振售價(jià)振蕩器頻次：振蕩電路中，一個(gè)晶體管和一個(gè)線圈 - 電容由連接的組...

串聯(lián)型晶體振蕩器：該振蕩器采用了兩級(jí)放大電路，石英晶體X1除了構(gòu)成反饋電路外，還具有選頻功能，其選頻頻率f0=fs，電位器RP1用來調(diào)節(jié)反饋信號(hào)的幅度。判斷反饋電路的類型：因?yàn)樾盘?hào)是反饋到VT1發(fā)射極，現(xiàn)假設(shè)VT1發(fā)射極電壓瞬時(shí)極性為“+”，集電極電壓極性為“+”（發(fā)射極與集電極是同相關(guān)系，當(dāng)發(fā)射極電壓上升時(shí)集電極電壓也上升），VT2的基極電壓極性為“+”，發(fā)射極電壓極性也為“+”，該極性的電壓通過X1反饋到VT1的發(fā)射極，反饋電壓極性與假設(shè)的電壓極性相同，故該反饋為正反饋。晶振具有壓電效應(yīng)，即在晶片兩極外加電壓后晶體會(huì)產(chǎn)生變形。溫州直插晶振價(jià)格多少晶體是一個(gè)14.318 MHz的石英諧振器，...

從實(shí)際效果上看，對(duì)于給定的負(fù)載電容值，F(xiàn)’r與F’L兩個(gè)頻率是相同的，這個(gè)頻率是晶體的絕大多數(shù)應(yīng)用時(shí)所表現(xiàn)的實(shí)際頻率，也是制造廠商為滿足用戶對(duì)產(chǎn)品符合標(biāo)稱頻率要求的測(cè)試指標(biāo)參數(shù)，也就是本文較開頭介紹的晶振標(biāo)稱頻率，晶振的一個(gè)非常重要的參數(shù)，即負(fù)載電容CL（Load capacitance），它是電路中跨接晶體兩端的總的有效電容（不是晶振外接的匹配電容），主要影響負(fù)載諧振頻率和等效負(fù)載諧振電阻，與晶體一起決定振蕩器電路的工作頻率，通過調(diào)整負(fù)載電容，就可以將振蕩器的工作頻率微調(diào)到標(biāo)稱值。源晶振將所有與無源晶振及相關(guān)的振蕩電路封裝在一個(gè)“盒子”里，不必手動(dòng)精確匹配外面電路，不同的輸出頻率應(yīng)用時(shí)，只需...

晶振的負(fù)載電容的選擇：晶體工作在基頻時(shí)，其負(fù)載電容的標(biāo)準(zhǔn)值為20PF、30PF、50PF、100PF。而泛音晶體經(jīng)常工作在串聯(lián)諧振，在使用負(fù)載電容的地方，其負(fù)載電容值應(yīng)從下列標(biāo)準(zhǔn)值中選擇：8PF、12PF、15PF、20PF、30PF。激勵(lì)電平的影響：一般來講，AT切晶體激勵(lì)電平的增大，其頻率變化是正的。激勵(lì)電平過高會(huì)引起非線性效應(yīng)，導(dǎo)致可能出現(xiàn)寄生振蕩；嚴(yán)重?zé)犷l漂；過應(yīng)力頻漂及電阻突變。當(dāng)激勵(lì)電平過低時(shí)則會(huì)造成起振阻力不易克服、工作不良及指標(biāo)的不穩(wěn)定。濾波電路中的應(yīng)用：應(yīng)用于濾波電路中時(shí)，除通常的規(guī)定外，更應(yīng)注意其等效電路元件的數(shù)值和誤差以及寄生響應(yīng)的位置和幅度，由于濾波晶體設(shè)計(jì)的特殊性，所...

晶振為何被要求緊挨著IC，單片機(jī)晶振不起振？晶振是通過電激勵(lì)來產(chǎn)生固定頻率的機(jī)械振動(dòng)，而振動(dòng)又會(huì)產(chǎn)生電流反饋給電路，電路接到反饋 后進(jìn)行信號(hào)放大，再次用放大的電信號(hào)來激勵(lì)晶振機(jī)械振動(dòng)，晶振再將振動(dòng)產(chǎn)生的電流反饋給電路，如此這般。當(dāng)電路中的激勵(lì)電信號(hào)和晶振的標(biāo)稱頻率相同時(shí)，電 路就能輸出信號(hào)強(qiáng)大，頻率穩(wěn)定的正弦波。整形電路再將正弦波變成方波送到數(shù)字電路中供其使用。問題在于晶振的輸出能力有限，它光光輸出以毫瓦為單位的電能量。在 IC（集成電路） 內(nèi)部，通過放大器將這個(gè)信號(hào)放大幾百倍甚至上千倍才能正常使用。石英晶體兩端信號(hào)的頻率不同時(shí)，它會(huì)呈現(xiàn)出不同的特性。溫州26兆晶振貴不貴周期性輸出信號(hào)的標(biāo)稱頻...

串聯(lián)型晶體振蕩器：該振蕩器采用了兩級(jí)放大電路，石英晶體X1除了構(gòu)成反饋電路外，還具有選頻功能，其選頻頻率f0=fs，電位器RP1用來調(diào)節(jié)反饋信號(hào)的幅度。判斷反饋電路的類型：因?yàn)樾盘?hào)是反饋到VT1發(fā)射極，現(xiàn)假設(shè)VT1發(fā)射極電壓瞬時(shí)極性為“+”，集電極電壓極性為“+”（發(fā)射極與集電極是同相關(guān)系，當(dāng)發(fā)射極電壓上升時(shí)集電極電壓也上升），VT2的基極電壓極性為“+”，發(fā)射極電壓極性也為“+”，該極性的電壓通過X1反饋到VT1的發(fā)射極，反饋電壓極性與假設(shè)的電壓極性相同，故該反饋為正反饋。X1為石英晶體，在電路中相當(dāng)于電感。杭州26兆晶振廠家推薦晶振電路在彩色電視機(jī)電路中的應(yīng)用，彩色電視機(jī)中的晶振電路一般用...

影響振蕩器工作的環(huán)境因素有：電磁干擾（EMI）、機(jī)械震動(dòng)與沖擊、濕度和溫度。這些因素會(huì)增大輸出頻率的變化，增加不穩(wěn)定性，并且在有些情況下，還會(huì)造成振蕩器停振。上述大部分問題都可以通過使用振蕩器模塊避免。這些模塊自帶振蕩器、提供低阻方波輸出，并且能夠在一定條件下保證運(yùn)行。較常用的兩種類型是晶振模塊和集成RC振蕩器（硅振蕩器）。晶振模塊提供與分立晶振相同的精度。硅振蕩器的精度要比分立RC振蕩器高，多數(shù)情況下能夠提供與陶瓷諧振槽路相當(dāng)?shù)木?。頻率調(diào)節(jié)范圍，通過調(diào)節(jié)晶體振蕩器的某可變?cè)筛淖冚敵鲱l率的范圍。上海32 768k晶振貴不貴晶片的等效電感很大，而C很小，R也小，因此回路的品質(zhì)因數(shù)Q很大，可...