接太陽(yáng)能電池提供了一條實(shí)現(xiàn)路徑。” 雖然科學(xué)家們?yōu)榱藢?shí)現(xiàn)更具效率的太陽(yáng)能電池已經(jīng)努力多年，這一方法具有兩個(gè)創(chuàng)新之處。首先，該方法利用了一族基于銻化鎵(GaSb)基底的材料，這常見(jiàn)于紅外激光器和光電探測(cè)器等應(yīng)用之中。這種新型的基于銻化鎵的太陽(yáng)能電池被組裝成堆棧式結(jié)構(gòu)，同時(shí)在傳統(tǒng)基底上生長(zhǎng)能捕捉較短波長(zhǎng)的太陽(yáng)光的高效太陽(yáng)能電池。此外，堆疊過(guò)程使用了一種名為轉(zhuǎn)印的技術(shù)，這一技術(shù)能以高精度三維組裝這些微小的設(shè)備。 這種太陽(yáng)能電池非常昂貴，但研究者認(rèn)為其**重要的是如何提高吸熱體的基材的外表面上的薄膜對(duì)太陽(yáng)熱能的吸收，提高光熱轉(zhuǎn)換的效率。湖北下打光太陽(yáng)光譜模擬價(jià)格用于比較光譜儀分辨能力的兩條氧氣...

第五計(jì)算單元325，用于根據(jù)太陽(yáng)高度角和所述拍攝位置高程，計(jì)算相對(duì)大氣光學(xué)質(zhì)量；第六計(jì)算單元326，用于根據(jù)相對(duì)大氣光學(xué)質(zhì)量，計(jì)算直射輻射大氣透明度系數(shù)，并根據(jù)直射輻射大氣透明度系數(shù)，計(jì)算散射輻射大氣透明度系數(shù)；第七計(jì)算單元327，用于根據(jù)大氣層上界垂直入射時(shí)的太陽(yáng)輻射強(qiáng)度、所述直射輻射大氣透明度系數(shù)和太陽(yáng)高度角，計(jì)算所述太陽(yáng)直接輻射強(qiáng)度；第八計(jì)算單元328，用于根據(jù)散射輻射大氣透明度系數(shù)和太陽(yáng)高度角，計(jì)算太陽(yáng)散射輻射強(qiáng)度。需要說(shuō)明的是，裝置部分的實(shí)施例方式與方法部分的實(shí)施例方式對(duì)應(yīng)類(lèi)似，具體細(xì)節(jié)請(qǐng)參照方法實(shí)施例部分，在此不再贅述。本發(fā)明實(shí)施例的目的在于提供一種用于選擇性吸收太陽(yáng)光譜的膜層的制...

例如，獲取模塊310、***計(jì)算模塊320、第二計(jì)算模塊330和第三計(jì)算模塊340中的任意多個(gè)可以合并在一個(gè)模塊中實(shí)現(xiàn)，或者其中的任意一個(gè)模塊可以被拆分成多個(gè)模塊。或者，這些模塊中的一個(gè)或多個(gè)模塊的至少部分功能可以與其他模塊的至少部分功能相結(jié)合，并在一個(gè)模塊中實(shí)現(xiàn)。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，獲取模塊310、***計(jì)算模塊320、第二計(jì)算模塊330及第三計(jì)算模塊340中的至少一個(gè)可以至少被部分地實(shí)現(xiàn)為硬件電路，例如現(xiàn)場(chǎng)可編程門(mén)陣列(fpga)、可編程邏輯陣列(pla)、片上系統(tǒng)、基板上的系統(tǒng)、封裝上的系統(tǒng)、**集成電路(asic)，或可以通過(guò)對(duì)電路進(jìn)行集成或封裝的任何其他的合理方式等硬件或固件來(lái)實(shí)現(xiàn)，...

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的模塊、單元中的任意多個(gè)、或其中任意多個(gè)的至少部分功能可以在一個(gè)模塊中實(shí)現(xiàn)。根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的模塊、單元中的任意一個(gè)或多個(gè)可以被拆分成多個(gè)模塊來(lái)實(shí)現(xiàn)。根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的模塊、單元中的任意一個(gè)或多個(gè)可以至少被部分地實(shí)現(xiàn)為硬件電路，例如現(xiàn)場(chǎng)可編程門(mén)陣列(fpga)、可編程邏輯陣列(pla)、片上系統(tǒng)、基板上的系統(tǒng)、封裝上的系統(tǒng)、**集成電路(asic)，或可以通過(guò)對(duì)電路進(jìn)行集成或封裝的任何其他的合理方式的硬件或固件來(lái)實(shí)現(xiàn)，或以軟件、硬件以及固件三種實(shí)現(xiàn)方式中任意一種或以其中任意幾種的適當(dāng)組合來(lái)實(shí)現(xiàn)?；蛘?，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的模塊、單元中的一個(gè)或多個(gè)可以至少被部分地實(shí)現(xiàn)為計(jì)算機(jī)程序模...

HN-9332儀器的寬波長(zhǎng)覆蓋范圍允許在整個(gè)光譜的可見(jiàn)區(qū)域進(jìn)行快速的“測(cè)量”光譜。然而，許多夫瑯和費(fèi)譜線和大多數(shù)大氣譜線都比HN-9332儀器的分辨率窄。需要更高分辨率的光譜儀來(lái)詳細(xì)檢查太陽(yáng)光譜的感興趣區(qū)域；例如HF-8989。02高分辨率太陽(yáng)光譜下圖顯示了太陽(yáng)光譜中一個(gè)特別有趣的區(qū)域。這個(gè)位于689nm附近的區(qū)域主要是由地球大氣中的氧氣引起的大地吸收。在這里，可以清楚地觀察到氧帶的R-和P-分支中的單個(gè)吸收線，較強(qiáng)的吸收線在線中心顯示~100%的吸收。左邊是一個(gè)高分辨率的太陽(yáng)光譜，它是用629nm波段的HF-8989-3光譜儀拍攝的。在***真空鍍膜室中，氬離子撞擊靶材，撞擊出來(lái)的鉻離子與通...

可選地，根據(jù)拍攝時(shí)刻和地理經(jīng)度，計(jì)算拍攝時(shí)刻的太陽(yáng)時(shí)角，包括：根據(jù)ω(x，t)＝(12-t)×15°-l(x)計(jì)算太陽(yáng)時(shí)角，其中，t為拍攝時(shí)刻，ω(x，t)為坐標(biāo)為(x，y)的像素點(diǎn)在t時(shí)刻對(duì)應(yīng)的太陽(yáng)時(shí)角?？蛇x地，根據(jù)太陽(yáng)赤緯角、太陽(yáng)時(shí)角和地理緯度，計(jì)算拍攝時(shí)刻的太陽(yáng)高度角，包括：根據(jù)α(x，y，d，t)＝arcsin[sinb(y)×sinδ(d)+cosb(y)×cosδ(d)×cosω(x，t)]，計(jì)算太陽(yáng)高度角α(x，y，d，t)。可選地，根據(jù)太陽(yáng)高度角和拍攝位置高程，計(jì)算相對(duì)大氣光學(xué)質(zhì)量，包括：根據(jù)其中，z表示地理位置(l(x)，b(y))處的海拔高度，r(α，z)為相對(duì)大氣光學(xué)質(zhì)量...

WTi-Al2O3金屬陶瓷基太陽(yáng)光譜選擇性吸收涂層在600℃退火前后反射光譜變化圖、微結(jié)構(gòu)和熱強(qiáng)化機(jī)理示意圖 金屬納米粒子嵌入到陶瓷基體中組成的金屬陶瓷薄膜是太陽(yáng)光譜選擇性吸收涂層的**工作層，其熱穩(wěn)定性和綜合光學(xué)性能直接決定著整個(gè)涂層的光熱轉(zhuǎn)換效率。高溫下，金屬陶瓷膜內(nèi)金屬納米粒子的團(tuán)聚、長(zhǎng)大、氧化及涂層內(nèi)層間原子的擴(kuò)散遷徙，往往會(huì)導(dǎo)致成分和微結(jié)構(gòu)的變化，從而誘發(fā)涂層光學(xué)性能的衰減 (不可逆性)。如何解決上述問(wèn)題，構(gòu)建熱穩(wěn)定性優(yōu)異、熱發(fā)射率低且吸收率高的太陽(yáng)光譜選擇性吸收涂層，是光熱技術(shù)應(yīng)用所面臨的重要材料基礎(chǔ)問(wèn)題。 相對(duì)的，目前大部分常見(jiàn)太陽(yáng)能電池只能將25%的可用能量轉(zhuǎn)換為電力。寧...

示意性示出了本發(fā)明實(shí)施例太陽(yáng)光照補(bǔ)償值計(jì)算方法的流程圖，如圖1所示，該方法例如可以包括操作s1～s1。s1，獲取地球靜止軌道衛(wèi)星光學(xué)遙感圖像尺寸、地理經(jīng)度區(qū)間、地理緯度區(qū)間、拍攝日期、拍攝時(shí)刻和拍攝位置高程。該尺寸包括地球靜止軌道衛(wèi)星光學(xué)遙感圖像的長(zhǎng)或?qū)?，例如，獲取一幅大小為x×y的地球靜止軌道衛(wèi)星光學(xué)遙感圖像。地理經(jīng)度區(qū)間、地理緯度區(qū)間、拍攝日期、拍攝時(shí)刻和拍攝位置高程例如可以從數(shù)據(jù)庫(kù)中獲取。s2，根據(jù)地球靜止軌道衛(wèi)星光學(xué)遙感圖像尺寸、地理經(jīng)度區(qū)間、地理緯度區(qū)間、拍攝日期、拍攝時(shí)刻和拍攝位置高程，計(jì)算地球靜止軌道衛(wèi)星光學(xué)遙感圖像拍攝位置的太陽(yáng)直接輻射強(qiáng)度和太陽(yáng)散射輻射強(qiáng)度。制得的吸收膜的外表...

然而，對(duì)于大多數(shù)光譜儀而言，必須使用透鏡收集陽(yáng)光，光纖的輸入端位于透鏡的焦點(diǎn)處。可以通過(guò)商用光纖準(zhǔn)直器C將陽(yáng)光耦合到光纖中。準(zhǔn)直器可以安裝在穩(wěn)定的三腳架上，對(duì)準(zhǔn)太陽(yáng)，從而可以手動(dòng)跟蹤太陽(yáng)在天空中的運(yùn)動(dòng)?；蛘呃锰?yáng)望遠(yuǎn)鏡A,B，它們將能夠自動(dòng)跟蹤太陽(yáng)的軌跡。LightMachinery可以提供目鏡適配器D，將太陽(yáng)光耦合到光纖中。01利用LightMachinery光譜儀測(cè)試太陽(yáng)光譜一旦太陽(yáng)光被成功地耦合到光譜儀中，一個(gè)條紋圖像將被相機(jī)傳感器捕獲。這些條紋中，白色條紋中的深**域?qū)?yīng)于太陽(yáng)吸收線。正是在這些窄波長(zhǎng)區(qū)域，太陽(yáng)的光強(qiáng)度被吸收而降低。這一方法不同于一般在房頂或者田野中看到的那種太陽(yáng)能電...

為了得到高質(zhì)量的化合物薄膜，通常在濺鍍金屬靶時(shí)，通入與被濺射出的物質(zhì)反應(yīng)的氣體，相互反應(yīng)生成所需的化合物沉積在基材上，此種濺鍍系統(tǒng)稱(chēng)為反應(yīng)性濺鍍。如果所通入的氣體含量剛好足夠與濺射出的原子進(jìn)行反應(yīng)，使得在靶材表面甚少形成化合物，則有利濺射的進(jìn)行。相反地，如果通入過(guò)量的氣體，則不僅在基材上與濺射出的原子進(jìn)行反應(yīng)，也會(huì)在靶面上與靶材反應(yīng)生成化合物。因此，如何提高吸熱體的基材的外表面上的薄膜對(duì)太陽(yáng)熱能的吸收，提高光熱轉(zhuǎn)換的效率，是本領(lǐng)域技術(shù)人員急需解決的技術(shù)問(wèn)題。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N用于選擇性吸收太陽(yáng)光譜的膜層的制備方法，包括以下依次進(jìn)行的步驟。黑龍江生產(chǎn)太陽(yáng)光譜模擬購(gòu)買(mǎi)根據(jù)τs(α，z)...

在本實(shí)施例一可行的方式中，根據(jù)計(jì)算坐標(biāo)為(x，y)的像素點(diǎn)對(duì)應(yīng)的地理經(jīng)度l(x)。根據(jù)計(jì)算坐標(biāo)為(x，y)的像素點(diǎn)對(duì)應(yīng)的地理緯度b(y)；其中，(b0，l0)為坐標(biāo)值(0，0)為的像素點(diǎn)對(duì)應(yīng)的地理坐標(biāo)。s22，根據(jù)拍攝日期，計(jì)算拍攝日期對(duì)應(yīng)的太陽(yáng)赤緯角和大氣層上界垂直入射時(shí)的太陽(yáng)輻射強(qiáng)度。在本實(shí)施例一可行的方式中，可根據(jù)計(jì)算太陽(yáng)赤緯角。根據(jù)計(jì)算大氣層上界垂直入射時(shí)，太陽(yáng)輻射強(qiáng)度。其中，d表示計(jì)算拍攝日期在一年中所處的天數(shù)，即將每年的一月一日當(dāng)做***天。δ(d)為太陽(yáng)赤緯角，e(d)為太陽(yáng)輻射強(qiáng)度。撞擊出來(lái)的鉻離子與通入的氧氣發(fā)生化學(xué)反應(yīng)生成氧化鉻。江蘇太陽(yáng)光譜模擬AM1.5該儀器能夠快速顯示...

針對(duì)自研的太陽(yáng)光譜輻照度計(jì)入射光學(xué)系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)特征,分析了引入余弦誤差的因素,研究了直、漫射輻照度以及漫射-總輻射比的余弦校正方法,開(kāi)展了實(shí)驗(yàn)室余弦響應(yīng)特性測(cè)量和多種儀器的敦煌外場(chǎng)比對(duì)試驗(yàn).結(jié)果顯示,余弦誤差與積分球入口黑色陽(yáng)極化內(nèi)壁及結(jié)構(gòu)有關(guān),在入射角為60°時(shí),440nm、500nm、670nm和870nm波段太陽(yáng)光譜輻照度計(jì)的余弦誤差為4.3%~9.1%;由太陽(yáng)光譜輻照度計(jì)獲取的直射輻照度反演得到的大氣光學(xué)厚度受到余弦誤差的嚴(yán)重影響,余弦校正前后與CE318太陽(yáng)光度計(jì)反演結(jié)果相比,偏差分別為0.11~0.13和小于0.012;基于天空輻亮度各向同性分布假設(shè),余弦校正后四個(gè)波段漫射輻照度數(shù)值...

以AgAl-Al2O3金屬陶瓷薄膜作為吸收層，成功構(gòu)建了AgAl-Al2O3太陽(yáng)光譜選擇性吸收涂層。在氮?dú)鈿夥障陆?jīng)500℃退火1002 h，其太陽(yáng)光譜吸收率穩(wěn)定在95%左右，400℃紅外發(fā)射率約在10-11%，如圖1所示（Advanced Materials Interfaces 2016, 3, 1600248）。 目前國(guó)內(nèi)外研究人員積極開(kāi)發(fā)基于熔融鹽（如60% KNO3+40% NaNO3）熱工質(zhì)的高溫太陽(yáng)能熱發(fā)電系統(tǒng)，其工作溫度常在550℃以上，客觀上對(duì)太陽(yáng)光譜選擇性吸收涂層提出了更為苛刻的要求，如何獲得600℃下具備優(yōu)異熱穩(wěn)定性的太陽(yáng)光譜選擇性吸收涂層是亟需攻克的難題之一。此外，如...

1)反應(yīng)性濺鍍制備強(qiáng)化膜：在***真空鍍膜室中，氬離子撞擊靶材，撞擊出來(lái)的鉻離子與通入的氧氣發(fā)生化學(xué)反應(yīng)生成氧化鉻，反應(yīng)生成的氧化鉻沉積在吸熱體的基材的外表面上形成強(qiáng)化膜；步驟1)中，吸熱體的基材為不銹鋼片；步驟1)中，靶材為鉻靶，功率為9kw，電壓為500v，真空度為8.0e-6torr，鍍膜速度為6mm/s，氬氣流量為120sccm，氧氣流量為80sccm，制得的強(qiáng)化膜的厚度為70nm；膜厚是根據(jù)工藝要求可調(diào)整的；2)濺鍍制備低發(fā)射率膜：在第二真空鍍膜室中，氬離子撞擊靶材，撞擊出來(lái)的銅離子沉積在步驟1)制得的強(qiáng)化膜的外表面上形成低發(fā)射率膜；本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N用于選擇性吸收太陽(yáng)光譜的膜層的制備...

顯示的區(qū)域約1納米寬，中心在628納米左右。通過(guò)*0.7秒的單次曝光記錄太陽(yáng)光譜的可見(jiàn)區(qū)域，演示了HN-9332光譜儀的寬波長(zhǎng)覆蓋范圍。圖的左側(cè)部分顯示了SpectraLoK軟件直接顯示的整個(gè)425-700nm波長(zhǎng)范圍。圖的右部分顯示了在517nm附近鎂三重態(tài)周?chē)B續(xù)擴(kuò)展的區(qū)域。HN-9332光譜儀的儀器分辨率比較好用頻率單位來(lái)表示——儀器波長(zhǎng)覆蓋范圍約20GHz，對(duì)應(yīng)于425nm處約15pm、550nm處約2pμm和700nm處約30pm的分辨率。因此，圖中顯示的數(shù)據(jù)可以理解為相當(dāng)于>10000個(gè)分辨率點(diǎn)，所有這些分辨率點(diǎn)都記錄在不到1秒的單次曝光中。如果所通入的氣體含量剛好足夠與濺射出的原...

可選地，根據(jù)地球靜止軌道衛(wèi)星光學(xué)遙感圖像尺寸、地理經(jīng)度區(qū)間、地理緯度區(qū)間、拍攝日期、拍攝時(shí)刻及拍攝位置高程，計(jì)算地球靜止軌道衛(wèi)星光學(xué)遙感圖像拍攝位置的太陽(yáng)直接輻射強(qiáng)度和太陽(yáng)散射輻射強(qiáng)度，包括：根據(jù)地球靜止軌道衛(wèi)星光學(xué)遙感圖像尺寸、地理經(jīng)度區(qū)間、地理緯度區(qū)間，計(jì)算地球靜止軌道衛(wèi)星光學(xué)遙感圖像中每個(gè)像素對(duì)應(yīng)的地理經(jīng)度和地理緯度；根據(jù)拍攝日期，計(jì)算拍攝日期對(duì)應(yīng)的太陽(yáng)赤緯角及大氣層上界垂直入射時(shí)的太陽(yáng)輻射強(qiáng)度；根據(jù)拍攝時(shí)刻和地理經(jīng)度，計(jì)算拍攝時(shí)刻的太陽(yáng)時(shí)角；根據(jù)太陽(yáng)赤緯角、太陽(yáng)時(shí)角和地理緯度，計(jì)算拍攝時(shí)刻的太陽(yáng)高度角；根據(jù)太陽(yáng)高度角和拍攝位置高程，計(jì)算相對(duì)大氣光學(xué)質(zhì)量；根據(jù)相對(duì)大氣光學(xué)質(zhì)量，計(jì)算直射輻...

伴隨工作溫度的升高，如何抑制高溫下熱輻射損失顯得愈發(fā)重要?；谇捌诘难芯炕A(chǔ)，研究組開(kāi)發(fā)出另一種新型金屬陶瓷薄膜WTi-Al2O3。借助光學(xué)模擬設(shè)計(jì)，獲得太陽(yáng)光譜選擇性吸收涂層結(jié)構(gòu)參數(shù)的優(yōu)化范圍，構(gòu)建了WTi-Al2O3太陽(yáng)光譜選擇性吸收涂層。經(jīng)600℃長(zhǎng)時(shí)間（840 h）退火，WTi-Al2O3涂層仍保持較高的吸收率~93%，500℃下的熱發(fā)射率*有10.3%，遠(yuǎn)低于文獻(xiàn)報(bào)道值（>13%@500℃）。研究表明，WTi合金納米粒子內(nèi)金屬Ti的外擴(kuò)散、偏析及部分氧化可有效抑制W納米粒子的團(tuán)聚和長(zhǎng)大，從而提高涂層的熱穩(wěn)定性，實(shí)現(xiàn)對(duì)WTi-Al2O3太陽(yáng)光譜選擇性吸收涂層光學(xué)性能和熱穩(wěn)定性的雙重調(diào)控...

在本申請(qǐng)的一個(gè)實(shí)施例中，步驟2)中，靶材為銅靶，氬氣流量為50～500sccm，制得的低發(fā)射率膜的厚度為180～220nm。在本申請(qǐng)的一個(gè)實(shí)施例中，步驟3)中，靶材為鉻靶，氬氣流量為50～300sccm，氮?dú)饬髁繛?0～100sccm，制得的緩沖膜的厚度為30～150nm。在本申請(qǐng)的一個(gè)實(shí)施例中，步驟4)中，靶材為鉻靶，氬氣流量為50～500sccm，氮?dú)饬髁繛?0～200sccm，氧氣流量為10～200sccm，制得的過(guò)渡膜的厚度為30～100nm。在本申請(qǐng)的一個(gè)實(shí)施例中，步驟5)中，靶材為鉻靶，氬氣流量為50～300sccm，氧氣流量為10～200sccm，制得的吸收膜的厚度為30～120...

伴隨工作溫度的升高，如何抑制高溫下熱輻射損失顯得愈發(fā)重要。基于前期的研究基礎(chǔ)，研究組開(kāi)發(fā)出另一種新型金屬陶瓷薄膜WTi-Al2O3。借助光學(xué)模擬設(shè)計(jì)，獲得太陽(yáng)光譜選擇性吸收涂層結(jié)構(gòu)參數(shù)的優(yōu)化范圍，構(gòu)建了WTi-Al2O3太陽(yáng)光譜選擇性吸收涂層。經(jīng)600℃長(zhǎng)時(shí)間（840 h）退火，WTi-Al2O3涂層仍保持較高的吸收率~93%，500℃下的熱發(fā)射率*有10.3%，遠(yuǎn)低于文獻(xiàn)報(bào)道值（>13%@500℃）。研究表明，WTi合金納米粒子內(nèi)金屬Ti的外擴(kuò)散、偏析及部分氧化可有效抑制W納米粒子的團(tuán)聚和長(zhǎng)大，從而提高涂層的熱穩(wěn)定性，實(shí)現(xiàn)對(duì)WTi-Al2O3太陽(yáng)光譜選擇性吸收涂層光學(xué)性能和熱穩(wěn)定性的雙重調(diào)控...

具體實(shí)施方式為使本發(fā)明實(shí)施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例是本發(fā)明的一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N用于選擇性吸收太陽(yáng)光譜的膜層的制備方法，包括以下依次進(jìn)行的步驟：1)反應(yīng)性濺鍍制備強(qiáng)化膜：在***真空鍍膜室中，氬離子撞擊靶材，撞擊出來(lái)的鉻離子與通入的氧氣發(fā)生化學(xué)反應(yīng)生成氧化鉻，反應(yīng)生成的氧化鉻沉積在吸熱體的基材的外表面上形成強(qiáng)化膜；濺鍍制備低發(fā)射率膜：在第二真空鍍膜室...

可選地，根據(jù)拍攝時(shí)刻和地理經(jīng)度，計(jì)算拍攝時(shí)刻的太陽(yáng)時(shí)角，包括：根據(jù)ω(x，t)＝(12-t)×15°-l(x)計(jì)算太陽(yáng)時(shí)角，其中，t為拍攝時(shí)刻，ω(x，t)為坐標(biāo)為(x，y)的像素點(diǎn)在t時(shí)刻對(duì)應(yīng)的太陽(yáng)時(shí)角。可選地，根據(jù)太陽(yáng)赤緯角、太陽(yáng)時(shí)角和地理緯度，計(jì)算拍攝時(shí)刻的太陽(yáng)高度角，包括：根據(jù)α(x，y，d，t)＝arcsin[sinb(y)×sinδ(d)+cosb(y)×cosδ(d)×cosω(x，t)]，計(jì)算太陽(yáng)高度角α(x，y，d，t)。可選地，根據(jù)太陽(yáng)高度角和拍攝位置高程，計(jì)算相對(duì)大氣光學(xué)質(zhì)量，包括：根據(jù)其中，z表示地理位置(l(x)，b(y))處的海拔高度，r(α，z)為相對(duì)大氣光學(xué)質(zhì)量...

2)濺鍍制備低發(fā)射率膜：在第二真空鍍膜室中，氬離子撞擊靶材，撞擊出來(lái)的銅離子沉積在步驟1)制得的強(qiáng)化膜的外表面上形成低發(fā)射率膜；3)反應(yīng)性濺鍍制備緩沖膜：在第三真空鍍膜室中，氬離子撞擊靶材，撞擊出來(lái)的鉻離子與通入的氮?dú)獍l(fā)生化學(xué)反應(yīng)生成氮化鉻，反應(yīng)生成的氮化鉻沉積在步驟2)制得的低發(fā)射率膜的外表面上形成緩沖膜；4)反應(yīng)性濺鍍制備過(guò)渡膜：在第四真空鍍膜室中，氬離子撞擊靶材，撞擊出來(lái)的鉻離子與通入的氧氣與氮?dú)獍l(fā)生化學(xué)反應(yīng)生成氮氧化鉻、氮化鉻以及氧化鉻，反應(yīng)生成的氮氧化鉻、氮化鉻以及氧化鉻沉積在步驟3)制得的緩沖膜的外表面上形成過(guò)渡膜；在第五真空鍍膜室中，氬離子撞擊靶材，撞擊出來(lái)的鉻離子與通入的氧氣發(fā)...

因此，對(duì)于地球靜止軌道光學(xué)遙感衛(wèi)星在不同日期、不同時(shí)間、不同地點(diǎn)拍攝圖像的太陽(yáng)光照補(bǔ)償值為δet＝et(x1，y1，z1，d1，t1)-et(x2，y2，z2，d2，t2)，(2)其中，下角標(biāo)1和2**兩個(gè)不同拍攝日期、和/或時(shí)間和/或位置。至此，通過(guò)獲取地球靜止軌道衛(wèi)星光學(xué)遙感圖像的尺寸、地理經(jīng)度區(qū)間、地理緯度區(qū)間、拍攝日期、拍攝時(shí)刻和拍攝位置高程，基于上述方法，實(shí)現(xiàn)對(duì)于不同日期、不同時(shí)間、不同地點(diǎn)拍攝的地球靜止軌道衛(wèi)星光學(xué)遙感圖像的太陽(yáng)光照補(bǔ)償值計(jì)算。圖3示意性示出了根據(jù)本發(fā)明一示例性實(shí)施例的太陽(yáng)光照補(bǔ)償值計(jì)算裝置的框圖，如圖3所示，該裝置300例如可以包括獲取模塊310、***計(jì)算模塊3...

針對(duì)自研的太陽(yáng)光譜輻照度計(jì)入射光學(xué)系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)特征,分析了引入余弦誤差的因素,研究了直、漫射輻照度以及漫射-總輻射比的余弦校正方法,開(kāi)展了實(shí)驗(yàn)室余弦響應(yīng)特性測(cè)量和多種儀器的敦煌外場(chǎng)比對(duì)試驗(yàn).結(jié)果顯示,余弦誤差與積分球入口黑色陽(yáng)極化內(nèi)壁及結(jié)構(gòu)有關(guān),在入射角為60°時(shí),440nm、500nm、670nm和870nm波段太陽(yáng)光譜輻照度計(jì)的余弦誤差為4.3%~9.1%;由太陽(yáng)光譜輻照度計(jì)獲取的直射輻照度反演得到的大氣光學(xué)厚度受到余弦誤差的嚴(yán)重影響,余弦校正前后與CE318太陽(yáng)光度計(jì)反演結(jié)果相比,偏差分別為0.11~0.13和小于0.012;基于天空輻亮度各向同性分布假設(shè),余弦校正后四個(gè)波段漫射輻照度數(shù)值...

反應(yīng)性濺鍍制備緩沖膜：在第三真空鍍膜室中，氬離子撞擊靶材，撞擊出來(lái)的鉻離子與通入的氮?dú)獍l(fā)生化學(xué)反應(yīng)生成氮化鉻，反應(yīng)生成的氮化鉻沉積在步驟2)制得的低發(fā)射率膜的外表面上形成緩沖膜；4)反應(yīng)性濺鍍制備過(guò)渡膜：在第四真空鍍膜室中，氬離子撞擊靶材，撞擊出來(lái)的鉻離子與通入的氧氣與氮?dú)獍l(fā)生化學(xué)反應(yīng)生成氮氧化鉻、氮化鉻以及氧化鉻，反應(yīng)生成的氮氧化鉻、氮化鉻以及氧化鉻沉積在步驟3)制得的緩沖膜的外表面上形成過(guò)渡膜；5)反應(yīng)性濺鍍制備吸收膜：在第五真空鍍膜室中，氬離子撞擊靶材，撞擊出來(lái)的鉻離子與通入的氧氣發(fā)生化學(xué)反應(yīng)生成氧化鉻，反應(yīng)生成的氧化鉻沉積在步驟4)制得的過(guò)渡膜的外表面上形成吸收膜；反應(yīng)性濺鍍制備強(qiáng)化膜...

1)反應(yīng)性濺鍍制備強(qiáng)化膜：在***真空鍍膜室中，氬離子撞擊靶材，撞擊出來(lái)的鉻離子與通入的氧氣發(fā)生化學(xué)反應(yīng)生成氧化鉻，反應(yīng)生成的氧化鉻沉積在吸熱體的基材的外表面上形成強(qiáng)化膜；步驟1)中，吸熱體的基材為不銹鋼片；步驟1)中，靶材為鉻靶，功率為9kw，電壓為500v，真空度為8.0e-6torr，鍍膜速度為6mm/s，氬氣流量為120sccm，氧氣流量為80sccm，制得的強(qiáng)化膜的厚度為70nm；膜厚是根據(jù)工藝要求可調(diào)整的；2)濺鍍制備低發(fā)射率膜：在第二真空鍍膜室中，氬離子撞擊靶材，撞擊出來(lái)的銅離子沉積在步驟1)制得的強(qiáng)化膜的外表面上形成低發(fā)射率膜；這種太陽(yáng)能電池非常昂貴，但研究者認(rèn)為其**重要的是...

在本申請(qǐng)的一個(gè)實(shí)施例中，步驟2)中，靶材為銅靶，氬氣流量為50～500sccm，制得的低發(fā)射率膜的厚度為180～220nm。在本申請(qǐng)的一個(gè)實(shí)施例中，步驟3)中，靶材為鉻靶，氬氣流量為50～300sccm，氮?dú)饬髁繛?0～100sccm，制得的緩沖膜的厚度為30～150nm。在本申請(qǐng)的一個(gè)實(shí)施例中，步驟4)中，靶材為鉻靶，氬氣流量為50～500sccm，氮?dú)饬髁繛?0～200sccm，氧氣流量為10～200sccm，制得的過(guò)渡膜的厚度為30～100nm。在本申請(qǐng)的一個(gè)實(shí)施例中，步驟5)中，靶材為鉻靶，氬氣流量為50～300sccm，氧氣流量為10～200sccm，制得的吸收膜的厚度為30～120...

具體實(shí)施方式為使本發(fā)明實(shí)施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例是本發(fā)明的一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于本發(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N用于選擇性吸收太陽(yáng)光譜的膜層的制備方法，包括以下依次進(jìn)行的步驟：1)反應(yīng)性濺鍍制備強(qiáng)化膜：在***真空鍍膜室中，氬離子撞擊靶材，撞擊出來(lái)的鉻離子與通入的氧氣發(fā)生化學(xué)反應(yīng)生成氧化鉻，反應(yīng)生成的氧化鉻沉積在吸熱體的基材的外表面上形成強(qiáng)化膜；雖然科學(xué)家們?yōu)榱藢?shí)現(xiàn)更具效率的太陽(yáng)能...

反應(yīng)性濺鍍制備緩沖膜：在第三真空鍍膜室中，氬離子撞擊靶材，撞擊出來(lái)的鉻離子與通入的氮?dú)獍l(fā)生化學(xué)反應(yīng)生成氮化鉻，反應(yīng)生成的氮化鉻沉積在步驟2)制得的低發(fā)射率膜的外表面上形成緩沖膜；4)反應(yīng)性濺鍍制備過(guò)渡膜：在第四真空鍍膜室中，氬離子撞擊靶材，撞擊出來(lái)的鉻離子與通入的氧氣與氮?dú)獍l(fā)生化學(xué)反應(yīng)生成氮氧化鉻、氮化鉻以及氧化鉻，反應(yīng)生成的氮氧化鉻、氮化鉻以及氧化鉻沉積在步驟3)制得的緩沖膜的外表面上形成過(guò)渡膜；5)反應(yīng)性濺鍍制備吸收膜：在第五真空鍍膜室中，氬離子撞擊靶材，撞擊出來(lái)的鉻離子與通入的氧氣發(fā)生化學(xué)反應(yīng)生成氧化鉻，反應(yīng)生成的氧化鉻沉積在步驟4)制得的過(guò)渡膜的外表面上形成吸收膜；對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技...

本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N用于選擇性吸收太陽(yáng)光譜的膜層的制備方法，吸熱體由基材以及設(shè)置在基材的外表面上的膜層構(gòu)成，膜層包括6層，從下到上依次為氧化鉻材質(zhì)的強(qiáng)化膜、銅材質(zhì)的低發(fā)射率膜、氮化鉻材質(zhì)的緩沖膜、氮氧化鉻、氮化鉻以及氧化鉻的混合物材質(zhì)的過(guò)渡膜、氧化鉻材質(zhì)的吸收膜、二氧化硅材質(zhì)的抗反射膜，其中強(qiáng)化膜、緩沖膜、過(guò)渡膜、吸收膜以及抗反射膜均為通過(guò)反應(yīng)性濺就鍍制備得到，銅材質(zhì)的低發(fā)射率膜為通過(guò)直流濺鍍制備得到；通過(guò)降低成本和回收利用這些生長(zhǎng)基底，未來(lái)類(lèi)似的產(chǎn)品可能將被推向市場(chǎng)。福建銷(xiāo)售太陽(yáng)光譜模擬銷(xiāo)量本發(fā)明涉及圖像處理領(lǐng)域，尤其涉及一種太陽(yáng)光照補(bǔ)償值計(jì)算方法。背景技術(shù)：地球靜止軌道光學(xué)遙感衛(wèi)星的軌道周期與...