但輸出基頻就不到50HZ了，再把8010的18腳接高電平，也就是接成原60HZ的形式，這時(shí)實(shí)際輸出就為50HZ了。這個(gè)方法，得到了屹晶公司許工的認(rèn)可。經(jīng)過和神八兄多次的策劃，大約花了一個(gè)月左右的“空閑”時(shí)間，我終于做出了***塊驅(qū)動(dòng)板，見下面的圖片，板子還是比較大的，長16CM，寬。這塊驅(qū)動(dòng)板元器件特別多，有280個(gè)左右的元件。所以，畫PCB和裝樣板，頗費(fèi)了一番周折。因?yàn)?，一般大功率的機(jī)器，前級(jí)和后級(jí)可能是分離的，對(duì)于后級(jí)來講，一般是接入360V左右的高壓，就要能工作，所以，這個(gè)驅(qū)動(dòng)卡的輔助電源是高壓輸入的，我用了一塊PI公司的TNY277的IC，電路比較簡單，但輸出路數(shù)很多，有5路，...

二）按引腳和極性分類晶體閘流管晶閘管按其引腳和極性可分為二極晶閘管、三極晶閘管和四極晶閘管。（三）按封裝形式分類晶閘管按其封裝形式可分為金屬封裝晶閘管、塑封晶閘管和陶瓷封裝晶閘管三種類型。其中，金屬封裝晶閘管又分為螺栓形、平板形、圓殼形等多種；塑封晶閘管又分為帶散熱片型和不帶散熱片型兩種。（四）按電流容量分類晶閘管按電流容量可分為大功率晶閘管、**率晶閘管和小功率晶閘管三種。通常，大功率晶閘管多采用金屬殼封裝，而中、小功率晶閘管則多采用塑封或陶瓷封裝。（五）按關(guān)斷速度分類晶閘管按其關(guān)斷速度可分為普通晶閘管和高頻（快速）晶閘管。晶體閘流管工作原理編輯晶閘管T在工作過程中，它的陽極A和陰極...

智能功率模塊內(nèi)部功能機(jī)制編輯IPM內(nèi)置的驅(qū)動(dòng)和保護(hù)電路使系統(tǒng)硬件電路簡單、可靠，縮短了系統(tǒng)開發(fā)時(shí)間，也提高了故障下的自保護(hù)能力。與普通的IGBT模塊相比，IPM在系統(tǒng)性能及可靠性方面都有進(jìn)一步的提高。保護(hù)電路可以實(shí)現(xiàn)控制電壓欠壓保護(hù)、過熱保護(hù)、過流保護(hù)和短路保護(hù)。如果IPM模塊中有一種保護(hù)電路動(dòng)作，IGBT柵極驅(qū)動(dòng)單元就會(huì)關(guān)斷門極電流并輸出一個(gè)故障信號(hào)(FO)。各種保護(hù)功能具體如下:(1)控制電壓欠壓保護(hù)(UV):IPM使用單一的+15V供電，若供電電壓低于12．5V，且時(shí)間超過toff=10ms，發(fā)生欠壓保護(hù)，***門極驅(qū)動(dòng)電路，輸出故障信號(hào)。(2)過溫保護(hù)(OT):在靠近IGBT芯...

采用本實(shí)用新型ipm模塊短路檢測電路和現(xiàn)有退飽和檢測電路對(duì)ipm模塊進(jìn)行短路檢測，結(jié)果如圖3所示，圖3中，縱軸vce為ipm模塊集電極與發(fā)射極之間的電壓，橫軸為時(shí)間，該圖中**上面的虛線表示ipm模塊發(fā)生短路故障后，其集電極與發(fā)射極之間電壓隨時(shí)間的變化趨勢(shì)；中間實(shí)線表示ipm模塊正常工作時(shí)，即沒有發(fā)生短路時(shí)，其其集電極與發(fā)射極之間電壓隨時(shí)間的變化趨勢(shì)；底部虛線表示現(xiàn)有退飽和檢測電路設(shè)置的閾值電壓vref隨時(shí)間的變化趨勢(shì)；在ipm模塊發(fā)生短路時(shí)，本實(shí)用新型ipm模塊短路檢測電路測試出短路故障所需時(shí)間為t1，現(xiàn)有退飽和檢測電路測試出短路故障所需時(shí)間為t2，從圖3中可看出，t2≈2t1，表明...

逆導(dǎo)晶閘管的典型產(chǎn)品有美國無線電公司（RCA）生產(chǎn)的S3900MF，其外形見圖1(c)。它采用TO-220封裝，三個(gè)引出端分別是門極G、陽極A、陰極K。S3900MF的主要參數(shù)如下：斷態(tài)重復(fù)峰值電壓VDRM：>750V通態(tài)平均電流IT（AV）：5A**大通態(tài)電壓VT：3V（IT=30A）**大反向?qū)妷篤TR：<**大門極觸發(fā)電壓VGT:4V**大門極觸發(fā)電流IGT:40mA關(guān)斷時(shí)間toff:μs通態(tài)電壓臨界上升率du/dt:120V/μs通態(tài)浪涌電流ITSM:80A利用萬用表和兆歐表可以檢查逆導(dǎo)晶閘管的好壞。測試內(nèi)容主要分三項(xiàng)：1．檢查逆導(dǎo)性選擇萬用表R×1檔，黑表筆接K極，紅表筆...

使用晶閘管模塊的的八大常識(shí)來源：日期：2019年06月12日點(diǎn)擊數(shù)：載入中...晶閘管模塊是使用范圍非常廣，在使用的過程中需要注意很多細(xì)節(jié)，還有一些使用常識(shí)，下面正高電氣來介紹下使用晶閘管模塊的八大常識(shí)。1、模塊在手動(dòng)控制時(shí)，對(duì)所用電位器有何要求？電位器的功率大于，阻值范圍—100K。2、模塊電流選型原則是什么？當(dāng)模塊導(dǎo)通角大于100度時(shí)，可以按如下原則選取電流：阻性負(fù)載：模塊標(biāo)稱電流應(yīng)大于負(fù)載額定電流的2倍。感性負(fù)或：模塊標(biāo)稱電流應(yīng)大于負(fù)載額定電流的3倍。3、模塊正常工作的條件一個(gè)+12V直流穩(wěn)壓電源（模塊內(nèi)部的工作電源）；一個(gè)0~10V控制信號(hào)（0~5V、0~10mA、4~20mA...

直流儀表一般顯示平均值，交流儀表顯示非正弦電流時(shí)比實(shí)際值?。禽敵鲭娏鞯挠行е岛艽?，半導(dǎo)體器件的發(fā)熱與有效值的平方成正比，會(huì)使模塊嚴(yán)重發(fā)熱甚至燒毀。因此，模塊應(yīng)選擇在**大導(dǎo)通角的65％以上工作，及控制電壓應(yīng)在5V以上。7、模塊規(guī)格的選取方法考慮到晶閘管產(chǎn)品一般都是非正弦電流，存在導(dǎo)通角的問題并且負(fù)載電流有一定的波動(dòng)性和不穩(wěn)定因素，且晶閘管芯片抗電流沖擊能力較差，在選取模塊電流規(guī)格時(shí)必須留出一定余量。推薦選擇方法可按照以下公式計(jì)算：I>K×I負(fù)載×U**大?MU實(shí)際K：安全系數(shù)，阻性負(fù)載K=，感性負(fù)載K=2；I負(fù)載：負(fù)載流過的**大電流；U實(shí)際：負(fù)載上的**小電壓；U**大：模塊能...

1被廣泛應(yīng)用于工業(yè)行業(yè)中，對(duì)于一些專業(yè)的電力技術(shù)人員，都知道的來歷及各種分類。不過現(xiàn)在從事這一行的人越來越多，有的采購人員對(duì)這方面還不是很了解。有的客戶也經(jīng)常問起我們模塊的來歷?，F(xiàn)在就為大家分享一下：2晶閘管誕生后，其結(jié)構(gòu)的改進(jìn)和工藝的**，為新器件的不斷出現(xiàn)提供了條件。1964年，雙向晶閘管在GE公司開發(fā)成功，應(yīng)用于調(diào)光和馬達(dá)控制；1965年，小功率光觸發(fā)晶閘管出現(xiàn)，為其后出現(xiàn)的光耦合器打下了基礎(chǔ)；60年代后期，大功率逆變晶閘管問世，成為當(dāng)時(shí)逆變電路的基本元件；1974年，逆導(dǎo)晶閘管和非對(duì)稱晶閘管研制完成。3普通晶閘廣泛應(yīng)用于交直流調(diào)速、調(diào)光、調(diào)溫等低頻(400Hz以下)領(lǐng)域，運(yùn)用由...

1引言本文引用地址：article/201808/(InsulatedGateBipolarTransistor,絕緣柵雙極晶體管)和MOSFET(Metallicoxidesemiconductorfieldeffecttransistor,金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)等高頻自關(guān)斷器件應(yīng)用的日益***,驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)就顯得尤為重要。本文介紹了一種以CONCEPT公司的IGD515EI驅(qū)動(dòng)器為主要器件構(gòu)成的驅(qū)動(dòng)電路,適用于大功率、高耐壓IGBT模塊串、并聯(lián)電路的驅(qū)動(dòng)和保護(hù)。通過光纖傳輸驅(qū)動(dòng)及狀態(tài)識(shí)別信號(hào),進(jìn)行高壓隔離傳輸,具有良好的抗電磁干擾性能和高于15A的驅(qū)動(dòng)電流。因此,該電路適...

這要由具體的應(yīng)用和所使用的功率管決定。比較大柵極充電電流是±15A,充電電流由外接的柵極電阻限定。如果將25腳G通過電阻直接與IGBT:G相連,IGBT的驅(qū)動(dòng)波形上升沿較大,但I(xiàn)GBT導(dǎo)通后上升較快,如圖2所示;圖2IGD515EI輸出端不加MOS管時(shí)IGBT的驅(qū)動(dòng)波形(-14V~+12V,5V/p,5μs/p)如果在25腳與IGBT:G中間串入一只MOS管,進(jìn)行電流放大,可有效地減小IGBT驅(qū)動(dòng)波形的上升沿,縮短IGBT的導(dǎo)通過程,減小IGBT離散性造成的導(dǎo)通不一致性,減小動(dòng)態(tài)均壓電路的壓力,但I(xiàn)GBT導(dǎo)通后上升較慢,其波形如圖3所示。圖3IGD515EI輸出端加MOS管時(shí)IGBT的...

我們?cè)撊绾胃玫貐^(qū)保護(hù)晶閘管呢？在使用過程中，晶閘管對(duì)過電壓是很敏感的。過電流同樣對(duì)晶閘管有極大的損壞作用。西安瑞新公司給大家介紹晶閘管的保護(hù)方法，具體如下：1、過電壓保護(hù)晶閘管對(duì)過電壓很敏感，當(dāng)正向電壓超過其斷態(tài)重復(fù)峰值電壓UDRM一定值時(shí)晶閘管就會(huì)誤導(dǎo)通，引發(fā)電路故障；當(dāng)外加反向電壓超過其反向重復(fù)峰值電壓URRM一定值時(shí)，晶閘管就會(huì)立即損壞。因此，必須研究過電壓的產(chǎn)生原因及抑制過電壓的方法。過電壓產(chǎn)生的原因主要是供給的電功率或系統(tǒng)的儲(chǔ)能發(fā)生了激烈的變化，使得系統(tǒng)來不及轉(zhuǎn)換，或者系統(tǒng)中原來積聚的電磁能量來不及消散而造成的。主要發(fā)現(xiàn)為雷擊等外來沖擊引起的過電壓和開關(guān)的開閉引起的沖擊電壓...

并通過所述第二門極壓接式組件對(duì)所述第三導(dǎo)電片、鉬片、銀片、鋁片施加壓合作用力，所述第三導(dǎo)電片、鉬片、銀片、鋁片依次設(shè)置于所述銅底板上。作為本發(fā)明的立式晶閘管模塊的改進(jìn)，任一所述接頭包括：螺栓和螺母，所述螺栓與螺母之間還設(shè)置有彈簧墊圈和平墊圈。作為本發(fā)明的立式晶閘管模塊的改進(jìn)，所述銅底板通過硅凝膠對(duì)位于其上的***導(dǎo)電片、第二導(dǎo)電片、瓷板進(jìn)行固定。作為本發(fā)明的立式晶閘管模塊的改進(jìn)，所述銅底板通過硅凝膠對(duì)位于其上的第三導(dǎo)電片、鉬片、銀片、鋁片進(jìn)行固定。作為本發(fā)明的立式晶閘管模塊的改進(jìn)，所述***壓塊和第二壓塊上還設(shè)置有絕緣套管。作為本發(fā)明的立式晶閘管模塊的改進(jìn)，所述絕緣套管與對(duì)應(yīng)的壓塊之間...

IGBT模塊上有一個(gè)“續(xù)流二極管”。它有什么作用呢？答：當(dāng)PWM波輸出的時(shí)候，它是維持電機(jī)內(nèi)的電流不斷用的。我在說明變頻器逆變?cè)淼臅r(shí)候，用的一個(gè)電阻做負(fù)載。電阻做負(fù)載，它上面的電流隨著電壓有通斷而通斷，上圖所示的原理沒有問題。但變頻器實(shí)際是要驅(qū)動(dòng)電機(jī)的，接在電機(jī)的定子上面，定子是一組線圈繞成的，就是“電感”。電感有一個(gè)特點(diǎn)：它的內(nèi)部的電流不能進(jìn)行突變。所以當(dāng)采用PWM波輸出電壓波形時(shí)，加在電機(jī)上的電壓就是“斷斷續(xù)續(xù)”的，這樣電機(jī)內(nèi)的電流就會(huì)“斷斷續(xù)續(xù)”的，這就給電機(jī)帶來嚴(yán)重的后果：由于電感斷流時(shí)，會(huì)產(chǎn)生反電動(dòng)勢(shì)，這個(gè)電動(dòng)勢(shì)加在IGBT上面，對(duì)IGBT會(huì)有損害。解決的辦法：在IGBT的...

我們?cè)撊绾胃玫貐^(qū)保護(hù)晶閘管呢？在使用過程中，晶閘管對(duì)過電壓是很敏感的。過電流同樣對(duì)晶閘管有極大的損壞作用。西安瑞新公司給大家介紹晶閘管的保護(hù)方法，具體如下：1、過電壓保護(hù)晶閘管對(duì)過電壓很敏感，當(dāng)正向電壓超過其斷態(tài)重復(fù)峰值電壓UDRM一定值時(shí)晶閘管就會(huì)誤導(dǎo)通，引發(fā)電路故障；當(dāng)外加反向電壓超過其反向重復(fù)峰值電壓URRM一定值時(shí)，晶閘管就會(huì)立即損壞。因此，必須研究過電壓的產(chǎn)生原因及抑制過電壓的方法。過電壓產(chǎn)生的原因主要是供給的電功率或系統(tǒng)的儲(chǔ)能發(fā)生了激烈的變化，使得系統(tǒng)來不及轉(zhuǎn)換，或者系統(tǒng)中原來積聚的電磁能量來不及消散而造成的。主要發(fā)現(xiàn)為雷擊等外來沖擊引起的過電壓和開關(guān)的開閉引起的沖擊電壓...

1被廣泛應(yīng)用于工業(yè)行業(yè)中，對(duì)于一些專業(yè)的電力技術(shù)人員，都知道的來歷及各種分類。不過現(xiàn)在從事這一行的人越來越多，有的采購人員對(duì)這方面還不是很了解。有的客戶也經(jīng)常問起我們模塊的來歷。現(xiàn)在就為大家分享一下：2晶閘管誕生后，其結(jié)構(gòu)的改進(jìn)和工藝的**，為新器件的不斷出現(xiàn)提供了條件。1964年，雙向晶閘管在GE公司開發(fā)成功，應(yīng)用于調(diào)光和馬達(dá)控制；1965年，小功率光觸發(fā)晶閘管出現(xiàn)，為其后出現(xiàn)的光耦合器打下了基礎(chǔ)；60年代后期，大功率逆變晶閘管問世，成為當(dāng)時(shí)逆變電路的基本元件；1974年，逆導(dǎo)晶閘管和非對(duì)稱晶閘管研制完成。3普通晶閘廣泛應(yīng)用于交直流調(diào)速、調(diào)光、調(diào)溫等低頻(400Hz以下)領(lǐng)域，運(yùn)用由...

逆導(dǎo)晶閘管的典型產(chǎn)品有美國無線電公司（RCA）生產(chǎn)的S3900MF，其外形見圖1(c)。它采用TO-220封裝，三個(gè)引出端分別是門極G、陽極A、陰極K。S3900MF的主要參數(shù)如下：斷態(tài)重復(fù)峰值電壓VDRM：>750V通態(tài)平均電流IT（AV）：5A**大通態(tài)電壓VT：3V（IT=30A）**大反向?qū)妷篤TR：<**大門極觸發(fā)電壓VGT:4V**大門極觸發(fā)電流IGT:40mA關(guān)斷時(shí)間toff:μs通態(tài)電壓臨界上升率du/dt:120V/μs通態(tài)浪涌電流ITSM:80A利用萬用表和兆歐表可以檢查逆導(dǎo)晶閘管的好壞。測試內(nèi)容主要分三項(xiàng)：1．檢查逆導(dǎo)性選擇萬用表R×1檔，黑表筆接K極，紅表筆...

這主要是因?yàn)槭褂胿ce退飽和檢測時(shí)，檢測盲區(qū)(1-8微秒)相對(duì)較長，發(fā)射極電壓檢測閾值設(shè)置的相對(duì)較高，使檢測效果并不理想。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：本實(shí)用新型的目的是提供一種ipm模塊短路檢測電路，解決了現(xiàn)有ipm模塊退飽和短路檢測因檢測盲區(qū)時(shí)間長，使ipm模塊發(fā)生損壞的問題。本實(shí)用新型所采用的技術(shù)方案是，一種ipm模塊短路檢測電路，包括連接在ipm模塊發(fā)射極端子與柵極端子之間的低阻值電阻r、放大濾波電路、保護(hù)電路和驅(qū)動(dòng)電路，放大濾波電路采集放大電阻r的電流，保護(hù)電路將放大的電流信號(hào)轉(zhuǎn)換為電壓信號(hào)u，并與閾值電壓uref進(jìn)行比較，若u本實(shí)用新型的技術(shù)特征還在于，電阻r的阻值為～。保護(hù)電路包括依次相...

1、晶閘管智能模塊的應(yīng)用領(lǐng)域該智能模塊廣泛應(yīng)用于控溫、調(diào)光、勵(lì)磁、電鍍、電解、充放電、電焊機(jī)、等離子拉弧、逆變電源等需對(duì)電力能量大小進(jìn)行調(diào)整和變換的場合，如工業(yè)、通訊、**等各類電氣控制、電源等，根據(jù)還可通過模塊的控制端口與多功能控制板連接，實(shí)現(xiàn)穩(wěn)流、穩(wěn)壓、軟啟動(dòng)等功能，并可實(shí)現(xiàn)過流、過壓、過溫、缺相等保護(hù)功能。2、晶閘管智能模塊的控制方式通過輸入模塊控制接口一個(gè)可調(diào)的電壓或者電流信號(hào)，通過調(diào)整該信號(hào)的大小即可對(duì)模塊的輸出電壓大小進(jìn)行平滑調(diào)節(jié)，實(shí)現(xiàn)模塊輸出電壓從0V至任一點(diǎn)或全部導(dǎo)通的過程。電壓或電流信號(hào)可取自各種控制儀表、計(jì)算機(jī)D/A輸出，電位器直接從直流電源分壓等各種方法；控制信號(hào)...

直流儀表一般顯示平均值，交流儀表顯示非正弦電流時(shí)比實(shí)際值?。禽敵鲭娏鞯挠行е岛艽?，半導(dǎo)體器件的發(fā)熱與有效值的平方成正比，會(huì)使模塊嚴(yán)重發(fā)熱甚至燒毀。因此，模塊應(yīng)選擇在**大導(dǎo)通角的65％以上工作，及控制電壓應(yīng)在5V以上。7、模塊規(guī)格的選取方法考慮到晶閘管產(chǎn)品一般都是非正弦電流，存在導(dǎo)通角的問題并且負(fù)載電流有一定的波動(dòng)性和不穩(wěn)定因素，且晶閘管芯片抗電流沖擊能力較差，在選取模塊電流規(guī)格時(shí)必須留出一定余量。推薦選擇方法可按照以下公式計(jì)算：I>K×I負(fù)載×U**大?MU實(shí)際K：安全系數(shù)，阻性負(fù)載K=，感性負(fù)載K=2；I負(fù)載：負(fù)載流過的**大電流；U實(shí)際：負(fù)載上的**小電壓；U**大：模塊能...

這主要是因?yàn)槭褂胿ce退飽和檢測時(shí)，檢測盲區(qū)(1-8微秒)相對(duì)較長，發(fā)射極電壓檢測閾值設(shè)置的相對(duì)較高，使檢測效果并不理想。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：本實(shí)用新型的目的是提供一種ipm模塊短路檢測電路，解決了現(xiàn)有ipm模塊退飽和短路檢測因檢測盲區(qū)時(shí)間長，使ipm模塊發(fā)生損壞的問題。本實(shí)用新型所采用的技術(shù)方案是，一種ipm模塊短路檢測電路，包括連接在ipm模塊發(fā)射極端子與柵極端子之間的低阻值電阻r、放大濾波電路、保護(hù)電路和驅(qū)動(dòng)電路，放大濾波電路采集放大電阻r的電流，保護(hù)電路將放大的電流信號(hào)轉(zhuǎn)換為電壓信號(hào)u，并與閾值電壓uref進(jìn)行比較，若u本實(shí)用新型的技術(shù)特征還在于，電阻r的阻值為～。保護(hù)電路包括依次相...

發(fā)射機(jī)的調(diào)制器往往只能采用剛性開關(guān)調(diào)制器。剛性開關(guān)調(diào)制器又稱剛管調(diào)制器,剛管調(diào)制器因其調(diào)制開關(guān)可受控主動(dòng)關(guān)斷而得名。因此,采用這種調(diào)制器發(fā)射機(jī)脈寬可實(shí)現(xiàn)脈間變化。IGBT屬于場控功率管,具有開關(guān)速度快、管壓降小等特點(diǎn),在剛管調(diào)制器中得到越來越***的應(yīng)用,但其觸發(fā)電路設(shè)計(jì)以及單只IGBT有限的電壓和電流能力是其推廣應(yīng)用的難點(diǎn)。方案采用IGD515EI,加入相應(yīng)的外圍電路,構(gòu)成了IGBT驅(qū)動(dòng)電路,通過IGD515EI的34腳(SDSOA)多管聯(lián)用特性端實(shí)現(xiàn)兩管串聯(lián)應(yīng)用,解決了IGBT單管耐壓不高的問題。IGBT驅(qū)動(dòng)電路如圖1所示。驅(qū)動(dòng)信號(hào)通過光纖接收器HFBR-2521送給驅(qū)動(dòng)模塊,驅(qū)動(dòng)...

這個(gè)話題的起因，是神八兄送了我?guī)讉€(gè)大電流IGBT模塊，有150A的，也有300A的，據(jù)說功率分別可以做到10KW和20KW以上，也是擋不住的誘惑，決定來試一試。但首先必須做一塊能驅(qū)動(dòng)這些大家伙的驅(qū)動(dòng)電路板。經(jīng)和神八兄多次商量后，決定還是用EG8010芯片，理由是：這款SPWM芯片價(jià)格便宜，功能很多，性能比較好，特別穩(wěn)壓特性很好。但是，用8010來驅(qū)動(dòng)IGBT模塊，也有二個(gè)問題需要解決：***個(gè)問題：8010的**大死區(qū)時(shí)間只有，而這些大模塊，因?yàn)檩斎腚娙荼容^大，需要有比較大的死區(qū)時(shí)間，有時(shí)可能要放大到3US以上，才能安全工作。為了解決這個(gè)問題，我把8010的輸出接法做了較大的改進(jìn)，先把...

5）由硒堆及壓敏電阻等非線性元件組成吸收回路上述阻容吸收回路的時(shí)間常數(shù)RC是固定的，有時(shí)對(duì)時(shí)間短、峰值高、能量大的過電壓來不及放電，抑制過電壓的效果較差。因此，一般在變流裝置的進(jìn)出線端還并有硒堆或壓敏電阻等非線性元件。硒堆的特點(diǎn)是其動(dòng)作電壓和溫度有關(guān)，溫度越低耐壓越高；另外是硒堆具有自恢復(fù)特性，能多次使用，當(dāng)過電壓動(dòng)作后硒基片上的灼傷孔被溶化的硒重新覆蓋，又重新恢復(fù)其工作特性。壓敏電阻是以氧化鋅為基體的金屬氧化物非線性電阻，其結(jié)構(gòu)為兩個(gè)電極，電極之間填充的粒徑為10~50μm的不規(guī)則的ZNO微結(jié)晶，結(jié)晶粒間是厚約1μm的氧化鉍粒界層。這個(gè)粒界層在正常電壓下呈高阻狀態(tài)，只有很小的漏電流，...

收藏查看我的收藏0有用+1已投票0智能功率模塊編輯鎖定討論上傳視頻智能功率模塊(IPM)是IntelligentPowerModule的縮寫，是一種先進(jìn)的功率開關(guān)器件，具有GTR(大功率晶體管)高電流密度、低飽和電壓和耐高壓的優(yōu)點(diǎn),以及MOSFET(場效應(yīng)晶體管)高輸入阻抗、高開關(guān)頻率和低驅(qū)動(dòng)功率的優(yōu)點(diǎn)。而且IPM內(nèi)部集成了邏輯、控制、檢測和保護(hù)電路，使用起來方便,不*減小了系統(tǒng)的體積以及開發(fā)時(shí)間，也**增強(qiáng)了系統(tǒng)的可靠性，適應(yīng)了當(dāng)今功率器件的發(fā)展方向——模塊化、復(fù)合化和功率集成電路(PIC)，在電力電子領(lǐng)域得到了越來越***的應(yīng)用。中文名智能功率模塊外文名IPM概念一種先進(jìn)的功率開關(guān)...

并通過所述第二門極壓接式組件對(duì)所述第三導(dǎo)電片、鉬片、銀片、鋁片施加壓合作用力，所述第三導(dǎo)電片、鉬片、銀片、鋁片依次設(shè)置于所述銅底板上。作為本發(fā)明的立式晶閘管模塊的改進(jìn)，任一所述接頭包括：螺栓和螺母，所述螺栓與螺母之間還設(shè)置有彈簧墊圈和平墊圈。作為本發(fā)明的立式晶閘管模塊的改進(jìn)，所述銅底板通過硅凝膠對(duì)位于其上的***導(dǎo)電片、第二導(dǎo)電片、瓷板進(jìn)行固定。作為本發(fā)明的立式晶閘管模塊的改進(jìn)，所述銅底板通過硅凝膠對(duì)位于其上的第三導(dǎo)電片、鉬片、銀片、鋁片進(jìn)行固定。作為本發(fā)明的立式晶閘管模塊的改進(jìn)，所述***壓塊和第二壓塊上還設(shè)置有絕緣套管。作為本發(fā)明的立式晶閘管模塊的改進(jìn)，所述絕緣套管與對(duì)應(yīng)的壓塊之間...

通過在ipm模塊發(fā)射極端子與柵極端子之間設(shè)置相互連接的低阻值電阻r、放大濾波電路、保護(hù)電路和驅(qū)動(dòng)電路，形成ipm模塊的短路檢測電路，放大濾波電路能放大流過電阻r的電流信號(hào)，采集電流所需時(shí)間極短且濾除干擾電流毛刺，電流放大后更易于進(jìn)行閾值電流值的設(shè)置，有效的提高了短路電流檢測的精確度，縮短了短路檢測時(shí)間；放大后的電流信號(hào)傳遞給保護(hù)電路，使保護(hù)電路能夠短時(shí)間內(nèi)檢測出ipm模塊是否發(fā)生短路，對(duì)ipm模塊進(jìn)行保護(hù)，避免了ipm模塊中芯片因承受過大的短路電流而燒毀，從而提高了ipm模塊的可靠性和使用壽命。附圖說明圖1是本實(shí)用新型ipm模塊短路檢測電路的原理圖；圖2是本實(shí)用新型ipm模塊短路檢測電...

還有一個(gè)小問題：因?yàn)?010內(nèi)建死區(qū)**小為300NS，不能到0死區(qū)，所以，還原的饅頭波，可能會(huì)有150NS的收縮，造成合成的正弦波在過0點(diǎn)有一點(diǎn)交越失真，如果8010能做到有一檔是0死區(qū)，我這個(gè)問題就能完美解決了。經(jīng)和屹晶的許工聯(lián)系，他說可以做成0死區(qū)的，看來是第二版可以做得更完美了。驅(qū)動(dòng)板做好了，但我這里沒有大功率的高壓電源進(jìn)行帶功率的測試，只得寄給神八兄，讓他對(duì)這塊驅(qū)動(dòng)板進(jìn)行一番***的測試，現(xiàn)在，這塊板還在路上。神八兄測試的過程和結(jié)果，可以跟在這個(gè)貼子上，經(jīng)享眾朋友。在母線電壓392的情況下，做短路試驗(yàn)，試了十多次，均可靠保護(hù)，沒有燒任何東西，帶載短路也試了幾次，保護(hù)靈敏可靠，...

其它端口為特殊端口，只在具有多功能產(chǎn)品中使用，普通調(diào)壓產(chǎn)品其余腳為空腳。4、各引腳功能與控制線顏色對(duì)照表引腳功能腳號(hào)與對(duì)應(yīng)的引線顏色5芯接插件9芯接插件15芯接插件+12V5(紅色)1(紅色)1(紅色)GND4(黑色)2(黑色)2(黑色)GND13(黑色)3(黑白雙色)3(黑白雙色)CON10V2(中黃)4(中黃)4(中黃)TESTE1(橙色)5(橙色)5(橙色)CON20mA9(棕色)9(棕色)5、滿足模塊工作的必要條件模塊使用中必須具有以下條件：（1）、+12V直流電源：模塊內(nèi)部控制電路的工作電源。①輸出電壓要求：+12V電源：12±，紋波電壓小于20mv。②輸出電流要求：標(biāo)稱電流...

這要由具體的應(yīng)用和所使用的功率管決定。比較大柵極充電電流是±15A,充電電流由外接的柵極電阻限定。如果將25腳G通過電阻直接與IGBT:G相連,IGBT的驅(qū)動(dòng)波形上升沿較大,但I(xiàn)GBT導(dǎo)通后上升較快,如圖2所示;圖2IGD515EI輸出端不加MOS管時(shí)IGBT的驅(qū)動(dòng)波形(-14V~+12V,5V/p,5μs/p)如果在25腳與IGBT:G中間串入一只MOS管,進(jìn)行電流放大,可有效地減小IGBT驅(qū)動(dòng)波形的上升沿,縮短IGBT的導(dǎo)通過程,減小IGBT離散性造成的導(dǎo)通不一致性,減小動(dòng)態(tài)均壓電路的壓力,但I(xiàn)GBT導(dǎo)通后上升較慢,其波形如圖3所示。圖3IGD515EI輸出端加MOS管時(shí)IGBT的...

3.輕松啟動(dòng)一臺(tái)3700W的水泵，水泵工作正常。4.測試了帶感性負(fù)載情況下的短路保護(hù)，保護(hù)正常。5.母線電壓366V情況下，空載電流24MA，其中包括輔助電源部分13MA。6.效率：4400W輸出時(shí)，效率。發(fā)點(diǎn)測試的圖這是空載的輸入電壓和輸出電壓這個(gè)是帶11根小太陽的輸入電壓和輸出電壓和輸出電流，鉗流表的電流不太準(zhǔn)電感熱不熱你450V電解電容10KW要多放個(gè)電感風(fēng)冷的情況下滿載10KW溫度可以接受，不開風(fēng)扇電感只能在5KW以內(nèi)不熱，電感是用6平方的沙包線4個(gè)77110A疊在一起繞的電感。電容是小點(diǎn)現(xiàn)在是一個(gè)3300UF的再加一個(gè)就足夠了，我的母線是28塊100AH的電瓶串聯(lián)起來的這電路...