USB4.0的規(guī)范是2021年5月份發(fā)布的”USB4SpecificationVersion1.0withErrataandECNthroughOct.15,2020”；測(cè)試規(guī)范是2021年7月份發(fā)布的”USB4ElectricalComplianceTest...

保養(yǎng)和維護(hù)DDR4內(nèi)存的建議：清潔內(nèi)存模塊和插槽：定期使用無靜電的氣體噴罐或清潔劑輕輕清理內(nèi)存模塊和插槽上的灰塵和污垢。確保在清潔時(shí)避免觸摸內(nèi)存芯片和插腳，以防止靜電損壞。確保良好的通風(fēng)：確保計(jì)算機(jī)機(jī)箱內(nèi)部有良好的空氣流動(dòng)，以提供足夠散熱給內(nèi)存模塊。避免堆積物...

以下是一些常見的用于DDR4內(nèi)存性能測(cè)試的工具和軟件：AIDA64（以前稱為 EVEREST）：AIDA64是一款綜合性能測(cè)試工具，可用于評(píng)估內(nèi)存的帶寬、延遲、隨機(jī)訪問速度等性能指標(biāo)。PassMark MemTest86：MemTest86是一款流行的自啟動(dòng)內(nèi)...

DDR4內(nèi)存的穩(wěn)定性和兼容性是在系統(tǒng)中使用時(shí)需要考慮的重要因素。以下是關(guān)于DDR4內(nèi)存穩(wěn)定性和兼容性的一些重要信息：穩(wěn)定性：DDR4內(nèi)存的穩(wěn)定性可以影響系統(tǒng)的性能和可靠性。不穩(wěn)定的內(nèi)存可能導(dǎo)致系統(tǒng)錯(cuò)誤、藍(lán)屏、重新啟動(dòng)等問題。確保DDR4內(nèi)存的穩(wěn)定性方面的注意事...

LPDDR3的延續(xù)和優(yōu)化：盡管LPDDR3可能會(huì)逐漸被更先進(jìn)的內(nèi)存技術(shù)所取代，但它可能仍然在某些特定市場(chǎng)和應(yīng)用領(lǐng)域中得以延續(xù)使用。例如，一些低功耗、成本敏感的設(shè)備可能仍然使用LPDDR3內(nèi)存，因?yàn)樗鼈兛梢蕴峁┳銐虻男阅?，并且價(jià)格相對(duì)較低。此外，隨著技術(shù)的進(jìn)一步...

創(chuàng)建工程啟動(dòng)SystemSI工具，單擊左側(cè)Workflow下的LoadaNew/ExistingWorkspace菜單項(xiàng),在彈出的WorkspaceFile對(duì)話框中選擇Createanewworkspace,單擊OK按鈕。在彈出的SelectModule對(duì)...

雙擊PCB模塊打開其Property窗口,切換到LayoutExtraction選項(xiàng)卡，在FileName處瀏覽選擇備好的PCB文件ddr3.spdo在ExtractionEngine下拉框里選擇PowerSL所小。SystemSI提供PowerSI和SPEE...

DDR3（Double Data Rate 3）是一種常見的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM）標(biāo)準(zhǔn)，它定義了數(shù)據(jù)傳輸和操作時(shí)的時(shí)序要求。以下是DDR3規(guī)范中常見的時(shí)序要求： 初始時(shí)序（Initialization Timing）tRFC：內(nèi)存行刷新周期，...

單擊Check Stackup,設(shè)置PCB板的疊層信息。比如每層的厚度(Thickness)、介 電常數(shù)(Permittivity (Er))及介質(zhì)損耗(LossTangent)。 單擊 Enable Trace Check Mode,確保 Ena...

單擊NetCouplingSummary,出現(xiàn)耦合總結(jié)表格，包括網(wǎng)絡(luò)序號(hào)、網(wǎng)絡(luò)名稱、比較大干擾源網(wǎng)絡(luò)、比較大耦合系數(shù)、比較大耦合系數(shù)所占走線長(zhǎng)度百分比、耦合系數(shù)大于0.05的走線 長(zhǎng)度百分比、耦合系數(shù)為0.01?0.05的走線長(zhǎng)度百分比、總耦合參考值。 ...

綜上所述，PCIe4.0的信號(hào)測(cè)試需要25GHz帶寬的示波器，根據(jù)被測(cè)件的不同可能會(huì) 同時(shí)用到2個(gè)或4個(gè)測(cè)試通道。對(duì)于芯片的測(cè)試需要用戶自己設(shè)計(jì)測(cè)試板；對(duì)于主板或者 插卡的測(cè)試來說，測(cè)試夾具的Trace選擇、測(cè)試碼型的切換都比前代總線變得更加復(fù)雜了； ...

高速電路信號(hào)完整性測(cè)試方法 高速電路信號(hào)完整性測(cè)試是通過測(cè)量信號(hào)傳輸路徑中的各種特性來評(píng)估電路傳輸系統(tǒng)的質(zhì)量和可靠性。以下是一些常見的高速電路信號(hào)完整性測(cè)試方法： 1.時(shí)域反射測(cè)試（TimeDomainReflectometry，TDR）：利用...

進(jìn)行串?dāng)_分析和調(diào)整的方法，可以根據(jù)具體情況進(jìn)行選擇，一般可以采取以下幾種方法： 1.EMI擾動(dòng)現(xiàn)場(chǎng)測(cè)試：在現(xiàn)場(chǎng)使用專業(yè)的測(cè)試儀器對(duì)電路板進(jìn)行測(cè)量，記錄串?dāng)_信號(hào)的種類、幅度、波形等參數(shù)，分析出串?dāng)_的來源和路徑，從而找出合適的解決方法。 2.數(shù)值仿...

眼圖模板 什么是模板（Mask）測(cè)試？ ?模板測(cè)試是一種優(yōu)化的制造級(jí)測(cè)試（Pass/Fail)?在大多數(shù)情況下，模板測(cè)試能代替各種眼圖指標(biāo)的測(cè)試。 ?大部分標(biāo)準(zhǔn)都定義了容易進(jìn)行一致性測(cè)量的模板。 ?模板測(cè)試比眼圖的各種指標(biāo)測(cè)量更容易、更快...

3. 時(shí)鐘分配問題 時(shí)鐘分配問題會(huì)導(dǎo)致時(shí)鐘信號(hào)變形和漂移，從而導(dǎo)致符號(hào)邊界錯(cuò)誤和時(shí)序問題。檢測(cè)時(shí)鐘信號(hào)的完整性，以及時(shí)脈信號(hào)的準(zhǔn)確度和穩(wěn)定性，是確保系統(tǒng)正常工作的必要步驟。 4. 電源完整性問題 電源完整性與電路中的信號(hào)完整性密切相關(guān)，它...

信號(hào)完整性是指保證信號(hào)在傳輸路徑中受到少的干擾和失真以及在接收端能夠正確解碼。在高速數(shù)字系統(tǒng)中，信號(hào)完整性是保證系統(tǒng)性能和可靠性的關(guān)鍵因素。本文將介紹信號(hào)完整性的基礎(chǔ)知識(shí)。 1. 信號(hào)完整性相關(guān)參數(shù)： -上升時(shí)間：信號(hào)從低電平變?yōu)楦唠娖剿璧臅r(shí)...

DDR的信號(hào)探測(cè)技術(shù) 在DDR的信號(hào)測(cè)試中，還有 一 個(gè)要解決的問題是怎么找到相應(yīng)的測(cè)試點(diǎn)進(jìn)行信號(hào)探 測(cè)。由于DDR的信號(hào)不像PCle、SATA、USB等總線 一 樣有標(biāo)準(zhǔn)的連接器，通常都是直接 的BGA顆粒焊接，而且JEDEC對(duì)信號(hào)規(guī)范的定義也都是...

在實(shí)際探測(cè)時(shí)，對(duì)于DDR的CLK和DQS,由于通常是差分的信號(hào)(DDR1和DDR2的 DQS還是單端信號(hào)，DDR3以后的DQS就是差分的了),所以 一般用差分探頭測(cè)試。DQ信 號(hào)是單端信號(hào)，所以用差分或者單端探頭測(cè)試都可以。另外，DQ信號(hào)的數(shù)量很多，雖然逐...

三、測(cè)試工具 高速電路測(cè)試需要使用一系列的測(cè)試工具和測(cè)試設(shè)備，常見的測(cè)試工具包括示波器、頻譜分析儀、網(wǎng)絡(luò)分析儀、信號(hào)發(fā)生器、信號(hào)分析儀等。這些工具可以用來測(cè)試電路的信號(hào)電氣特性，包括電壓、電流、頻率、相位等參數(shù)。同時(shí)，還可以通過這些工具進(jìn)行數(shù)據(jù)采集、...

4、工業(yè)以太網(wǎng)交換機(jī)的產(chǎn)品分類？ 工業(yè)以太網(wǎng)交換機(jī)可按管理性分為非管理交換機(jī)及管理型交換機(jī)，主要的區(qū)別在對(duì)于高級(jí)網(wǎng)絡(luò)的管理功能及是否支持冗余備份功能，也可按照端口速率及結(jié)構(gòu)來劃分。 5、什么是交換機(jī)背板帶寬？ 交換機(jī)的背板帶寬，是工業(yè)交換...

DDR-致性測(cè)試探測(cè)和夾具 DDR的信號(hào)速率都比較高，要進(jìn)行可靠的測(cè)量，通常推薦的探頭連接方式是使用焊接式 探頭。還有許多很難在PCB板上找到相應(yīng)的測(cè)試焊盤的情況（比如釆用盲埋孔或雙面BGA 焊接的情況），所以Agilent還提供了不同種類的BGA探...

除了DDR以外，近些年隨著智能移動(dòng)終端的發(fā)展，由DDR技術(shù)演變過來的LPDDR (Low-Power DDR,低功耗DDR)也發(fā)展很快。LPDDR主要針對(duì)功耗敏感的應(yīng)用場(chǎng)景，相 對(duì)于同一代技術(shù)的DDR來說會(huì)采用更低的工作電壓，而更低的工作電壓可以直接減少器 件...

4.抖動(dòng)測(cè)試抖動(dòng)測(cè)試是一種測(cè)試方法，用于測(cè)量電路輸出信號(hào)的穩(wěn)定性和精度。在高速電路測(cè)試中，抖動(dòng)測(cè)試通常使用高速示波器和數(shù)字信號(hào)分析儀等儀器進(jìn)行。 5.電源噪聲測(cè)試電源噪聲測(cè)試是一種測(cè)試方法，用于測(cè)量電路在電源噪聲的影響下的性能。在高速電路測(cè)試中，電源...

5、技術(shù)選擇 不同的驅(qū)動(dòng)技術(shù)適于不同的任務(wù)。 信號(hào)是點(diǎn)對(duì)點(diǎn)的還是一點(diǎn)對(duì)多抽頭的？信號(hào)是從電路板輸出還是留在相同的電路板上？允許的時(shí)滯和噪聲裕量是多少？作為信號(hào)完整性設(shè)計(jì)的通用準(zhǔn)則，轉(zhuǎn)換速度越慢，信號(hào)完整性越好。50MHZ時(shí)鐘采用500PS上升時(shí)...

傳輸速率測(cè)試在USB 3.0測(cè)試中具有重要的必要性，它用于驗(yàn)證USB 3.0設(shè)備在數(shù)據(jù)傳輸方面的性能是否符合規(guī)范要求。以下是傳輸速率測(cè)試的必要性和步驟的解釋： 必要性： 確保設(shè)備性能達(dá)標(biāo)：傳輸速率是衡量USB 3.0設(shè)備性能的重要指標(biāo)之一。通過...

4、工業(yè)以太網(wǎng)交換機(jī)的產(chǎn)品分類？ 工業(yè)以太網(wǎng)交換機(jī)可按管理性分為非管理交換機(jī)及管理型交換機(jī)，主要的區(qū)別在對(duì)于高級(jí)網(wǎng)絡(luò)的管理功能及是否支持冗余備份功能，也可按照端口速率及結(jié)構(gòu)來劃分。 5、什么是交換機(jī)背板帶寬？ 交換機(jī)的背板帶寬，是工業(yè)交換...

二、高速電路測(cè)試技術(shù)的現(xiàn)狀和挑戰(zhàn) 目前，高速電路測(cè)試技術(shù)已經(jīng)發(fā)展出了多種測(cè)試方法和設(shè)備，包括高速示波器、邏輯分析儀、時(shí)鐘恢復(fù)芯片、信號(hào)發(fā)生器、頻譜分析儀等。同時(shí)，通信接口標(biāo)準(zhǔn)例如PCI-E、USB、SATA等也對(duì)于測(cè)試技術(shù)的提升發(fā)揮了推動(dòng)作用。但是，...

振鈴?fù)ǔＪ怯捎谛盘?hào)傳輸路徑過長(zhǎng)并且阻抗不連續(xù)所引起的多次反射造成的，或者是由 于信號(hào)之間的干擾（串?dāng)_）、信號(hào)跳變所引起的電源/地波動(dòng)（同步開關(guān)噪聲）造成的。 （4）邊沿單調(diào)性（Monotonicity）指信號(hào)上升或下降沿的回溝。對(duì)于邊沿判決的時(shí)鐘信號(hào)...

按照存儲(chǔ)信息方式的不同，隨機(jī)存儲(chǔ)器又分為靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器SRAM(Static RAM)和 動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器DRAM(Dynamic RAM)。SRAM運(yùn)行速度較快、時(shí)延小、控制簡(jiǎn)單，但是 SRAM每比特的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)需要多個(gè)晶體管，不容易實(shí)現(xiàn)大的存儲(chǔ)容量，主要用于一...

理論分析得到如下幾條結(jié)論，在實(shí)際應(yīng)用中要以此為參考，從眼圖中對(duì)系統(tǒng)性能作一論述： （1）比較好抽樣時(shí)刻應(yīng) 在 “眼睛” 張開比較大的時(shí)刻。 （2）對(duì)定時(shí)誤差的靈敏度可由眼圖斜邊的斜率決定。斜率越大，對(duì)定時(shí)誤差就越靈敏。 （3）在抽樣時(shí)刻上...