歷史上光刻機所使用的光源波長呈現(xiàn)出與集成電路關鍵尺寸同步縮小的趨勢。不同波長的光刻光源要求截然不同的光刻設備和光刻膠材料。在20世紀80年代，半導體制成的主流工藝尺寸在1.2um(1200nm)至 0.8um(800nm)之間。那時候波長436nm的光刻光源被大量使用。在90年代前半期，隨著半導體制程工藝尺寸朝 0.5um（500nm）和0.35um（350nm）演進，光刻開始采用365nm波長光源。436nm和365nm光源分別是高壓汞燈中能量比較高，波長**短的兩個譜線。高壓汞燈技術成熟，因此很早被用來當作光刻光源。使用波長短，能量高的光源進行光刻工藝更容易激發(fā)光化學反應、提高光刻分別率。...

離子束光刻技術可分為聚焦離子束光刻、離子束投影式光刻。聚焦離子束光刻用途較多，常以鎵離子修補傳統(tǒng)及相位轉(zhuǎn)移掩膜板；離子束投影式光刻主要使用150 keV的H+、H2+、H3+、He+，以鏤空式模板，縮小投影（4~5倍） 。離子束光刻與電子束直寫光刻技術類似，不需要掩膜板，應用高能離子束直寫。離子束的散射沒有電子束那么強，因此具有更好的分辨率。液態(tài)金屬離子源為較簡單的曝光源：在鎢針或鉬針的頂端附上鎵或金硅合金，加熱融化后經(jīng)由外層為液態(tài)金屬表面產(chǎn)生的場使離子發(fā)射，其發(fā)射面積很小（<10 nm），因此利用離子光學系統(tǒng)可較容易地將發(fā)射的離子聚焦成細微離子束，從而進行高分辨率的離子束曝光。光刻膠也稱為光...

按顯示效果分類；光刻膠可分為正性光刻膠和負性光刻膠。負性光刻膠顯影時形成的圖形與光罩（掩膜版）相反；正性光刻膠形成的圖形與掩膜版相同。兩者的生產(chǎn)工藝流程基本一致，區(qū)別在于主要原材料不同。 按照化學結(jié)構(gòu)分類；光刻膠可以分為光聚合型，光分解型，光交聯(lián)型和化學放大型。光聚合型光刻膠采用烯類單體，在光作用下生成自由基，進一步引發(fā)單體聚合，生成聚合物；光分解型光刻膠，采用含有重氮醌類化合物(DQN)材料作為感光劑，其經(jīng)光照后,發(fā)生光分解反應，可以制成正性光刻膠；光交聯(lián)型光刻膠采用聚乙烯醇月桂酸酯等作為光敏材料，在光的作用下，形成一種不溶性的網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，而起到抗蝕作用，可以制成負性光刻膠。 目前，...

光刻膠屬于半導體八大重要材料之一，根據(jù)全球半導體行業(yè)協(xié)會（SEMI）近期數(shù)據(jù)，光刻膠在半導體晶圓制造材料價值占比5%，光刻膠輔助材料占比7%，二者合計占比12%，光刻膠及輔助材料是繼硅片、電子特氣和光掩模之后的第四大半導體材料。光刻膠又稱光致抗蝕劑，是指通過紫外光、電子束、離子束、X射線等照射或輻射，其溶解度發(fā)生變化的耐蝕劑刻薄膜材料，目前被用于光電信息產(chǎn)業(yè)的微細圖形線路加工制作環(huán)節(jié)。光刻膠由增感劑（光引發(fā)劑）、感光樹脂（聚合劑）、溶劑與助劑構(gòu)成。在集成電路制造領域，如果說光刻機是推動制程技術進步的“引擎”，光刻膠就是這部“引擎”的“燃料”。普陀顯示面板光刻膠光致抗蝕劑光刻膠行業(yè)具有極高的行業(yè)...

分辨率即光刻工藝中所能形成較小尺寸的有用圖像。是區(qū)別硅片表面相鄰圖形特征的能力。一般用關鍵尺寸（CD，Critical Dimension）來衡量分辨率。形成的關鍵尺寸越小，光刻膠的分辨率越好 。此性質(zhì)深受光刻膠材質(zhì)本身物理化學性質(zhì)的影響，必須避免光刻膠材料在顯影過程中收縮或在硬烤中流動。因此，若要使光刻材料擁有良好的分辨能力，需謹慎選擇高分子基材及所用的顯影劑。分辨率和焦深都是光刻中圖像質(zhì)量的關鍵因素。在光刻中既要獲得更好的分辨率來形成關鍵尺寸圖形，又要保持合適的焦深是非常矛盾的。雖然分辨率非常依賴于曝光設備，但是高性能的曝光工具需要與之相配套的高性能的光刻膠才能真正獲得高分辨率的加工能力。...

在CAR技術體系中，光刻膠中的光引發(fā)劑經(jīng)過曝光后并不直接改變光刻膠在顯影液中的溶解度，而是產(chǎn)生酸。在后續(xù)的熱烘培流程的高溫環(huán)境下，曝光產(chǎn)生的酸作為催化劑改變光刻膠在顯影液中的溶解度。因此CAR技術體系下的光引發(fā)劑又叫做光致酸劑。由于CAR光刻膠的光致酸劑產(chǎn)生的酸本身并不會在曝光過程中消耗而是作為催化劑而存在，因此少量的酸就可以持續(xù)地起到有效作用。CAR光刻膠的光敏感性很強，所需要從深紫外輻射中吸收的能量很少，因此加強了光刻的效率。CAR光刻膠曝光速遞是DQN光刻膠的10倍左右。亞甲基雙苯醚型光刻膠：這種類型的光刻膠適用于制造精度較低的電路元件。嘉定濕膜光刻膠單體肉桂酸酯類的光刻膠：這類光刻膠在...

質(zhì)量控制技術：由于用戶對光刻膠的穩(wěn)定性、一致性要求高，包括不同批次間的一致性，通常希望對感光靈敏度、膜厚的一致性保持在較高水平，因此，光刻膠生產(chǎn)商不僅要配備齊全的測試儀器，還需要建立一套嚴格的QA體系以保證產(chǎn)品的質(zhì)量穩(wěn)定。原材料技術：光刻膠是一種經(jīng)過嚴格設計的復雜、精密的配方產(chǎn)品，由成膜劑、光敏劑、溶劑和添加劑等不同性質(zhì)的原料，通過不同的排列組合，經(jīng)過復雜、精密的加工工藝而制成。因此，光刻膠原材料的品質(zhì)對光刻膠的質(zhì)量起著關鍵作用。對于半導體化學化學試劑的純度，際半導體設備和材料組織（SEMI）制定了國際統(tǒng)一標準。碳酸甲酯型光刻膠：這種類型的光刻膠在制造高分辨率電路元件方面非常有用。華東PCB光...

在雙重曝光工藝中，若光刻膠可以接受多次光刻曝光而不在光罩遮擋的區(qū)域發(fā)生光化學反應，就可以節(jié)省一次刻蝕，一次涂膠和一次光刻膠清洗流程。由于在非曝光區(qū)域光刻膠仍然會接受到相對少量的光刻輻射，在兩次曝光過程后，非曝光區(qū)域接受到的輻射有可能超過光刻膠的曝光閾值E0，而發(fā)生錯誤的光刻反應。如果非曝光區(qū)域的光刻膠在兩次曝光后接受到的輻射能量仍然小于其曝光閾值E0，那么就是一次合格的雙重曝光。從這個例子可以看出，與單次曝光不同，雙重曝光要求光刻膠的曝光閾值和光刻光源的照射強度之間的權(quán)衡。從化學組成來看，金屬氧化物光刻膠主要為稀土和過渡金屬有機化合物。江蘇半導體光刻膠光致抗蝕劑EUV(極紫外光)光刻技術是20...

質(zhì)量控制技術：由于用戶對光刻膠的穩(wěn)定性、一致性要求高，包括不同批次間的一致性，通常希望對感光靈敏度、膜厚的一致性保持在較高水平，因此，光刻膠生產(chǎn)商不僅要配備齊全的測試儀器，還需要建立一套嚴格的QA體系以保證產(chǎn)品的質(zhì)量穩(wěn)定。原材料技術：光刻膠是一種經(jīng)過嚴格設計的復雜、精密的配方產(chǎn)品，由成膜劑、光敏劑、溶劑和添加劑等不同性質(zhì)的原料，通過不同的排列組合，經(jīng)過復雜、精密的加工工藝而制成。因此，光刻膠原材料的品質(zhì)對光刻膠的質(zhì)量起著關鍵作用。對于半導體化學化學試劑的純度，際半導體設備和材料組織（SEMI）制定了國際統(tǒng)一標準。在半導體集成電路制造行業(yè)：主要使用g線光刻膠、i線光刻膠、KrF光刻膠、ArF光刻...

X射線對物質(zhì)的化學作用類似電子束，X射線曝光時，X射線本身并不能直接引起光刻膠的反應，它的能量是消耗的光電子放射過程而產(chǎn)生低能電子束上。正是這些低能電子使光刻膠的分子離化，并激勵產(chǎn)生化學反應，使光刻膠分子間的結(jié)合鍵解離，或鍵合成高分子，在某些顯影液中變成易溶或不溶。X射線光刻膠和電子束光刻膠沒有本質(zhì)的區(qū)別 ，因此所有的電子束膠都可以與X射線光刻膠混用，一部分248 nm光學光刻膠亦可用作X射線光刻膠 ，X射線光刻膠的分辨率十分高，例如早期正性的光刻膠有用含氟的聚甲基丙烯酸酯 ，負膠有用甲基丙烯酸縮水甘油酯-丙烯酸乙酯共聚體和聚丙烯酸-2,3-二氯-1-丙酯。國內(nèi)光刻膠市場增速遠高于全球，國...

光刻膠屬于半導體八大重要材料之一，根據(jù)全球半導體行業(yè)協(xié)會（SEMI）近期數(shù)據(jù)，光刻膠在半導體晶圓制造材料價值占比5%，光刻膠輔助材料占比7%，二者合計占比12%，光刻膠及輔助材料是繼硅片、電子特氣和光掩模之后的第四大半導體材料。光刻膠又稱光致抗蝕劑，是指通過紫外光、電子束、離子束、X射線等照射或輻射，其溶解度發(fā)生變化的耐蝕劑刻薄膜材料，目前被用于光電信息產(chǎn)業(yè)的微細圖形線路加工制作環(huán)節(jié)。光刻膠由增感劑（光引發(fā)劑）、感光樹脂（聚合劑）、溶劑與助劑構(gòu)成。聚合度越小，發(fā)生微相分離的尺寸越小，對應的光刻圖形越小。浙江光分解型光刻膠印刷電路板導體光刻膠的涂敷方法主要是旋轉(zhuǎn)涂膠法，具體可以分為靜態(tài)旋轉(zhuǎn)法和動...

歷史上光刻機所使用的光源波長呈現(xiàn)出與集成電路關鍵尺寸同步縮小的趨勢。不同波長的光刻光源要求截然不同的光刻設備和光刻膠材料。在20世紀80年代，半導體制成的主流工藝尺寸在1.2um(1200nm)至 0.8um(800nm)之間。那時候波長436nm的光刻光源被大量使用。在90年代前半期，隨著半導體制程工藝尺寸朝 0.5um（500nm）和0.35um（350nm）演進，光刻開始采用365nm波長光源。436nm和365nm光源分別是高壓汞燈中能量比較高，波長**短的兩個譜線。高壓汞燈技術成熟，因此很早被用來當作光刻光源。使用波長短，能量高的光源進行光刻工藝更容易激發(fā)光化學反應、提高光刻分別率。...

浸沒光刻：在與浸沒光刻相對的干法光刻中，光刻透鏡與光刻膠之間是空氣。光刻膠直接吸收光源發(fā)出的紫外輻射并發(fā)生光化學反應。在浸沒光刻中，光刻鏡頭與光刻膠之間是特定液體。這些液體可以是純水也可以是別的化合物液體。光刻光源發(fā)出的輻射經(jīng)過這些液體的時候發(fā)生了折射，波長變短。這樣，在不改變光源的前提條件下，更短波長的紫外光被投影光刻膠上，提高了光刻加工的分辨率。雙重光刻：雙重光刻的意思是通過兩次光刻使得加工分辨率翻倍。實現(xiàn)這個目的的一種方法是在開始光刻過后平移同一個光罩進行第二次光刻，以提高加工分辨率。下圖右展示了這樣一個過程。下圖右中雙重光刻子進行了兩次涂膠，兩次光刻和兩次刻蝕。隨著光刻膠技術的進步，只...

通常光刻膠等微電子化學品不僅品質(zhì)要求高，而且需要多種不同的品類滿足下游客戶多樣化的需。如果沒有規(guī)模效益，供應商就無法承擔滿足多樣化需求帶來的開銷。因此，品種規(guī)模構(gòu)成了進入該行業(yè)的重要壁壘。同時，一般微電子化學品具有一定的腐蝕性，對生產(chǎn)設備有較高的要求，且生產(chǎn)環(huán)境需要進行無塵或微塵處理。制備微電子化學品還需要全封閉、自動化的工藝流程，以避免污染，提高質(zhì)量。因此，光刻膠等微電子化學品生產(chǎn)在安全生產(chǎn)、環(huán)保設備、生產(chǎn)工藝系統(tǒng)、過程控制體系以及研發(fā)投資等方面要求較高。如果沒有強大的資金實力，企業(yè)就難以在設備、研發(fā)和技術服務上取得競爭優(yōu)勢，以提升可持續(xù)發(fā)展能力。因此，光刻膠這樣的微電子化學品行業(yè)具備較高的...

光刻膠所屬的微電子化學品是電子行業(yè)與化工行業(yè)交叉的領域，是典型的技術密集行業(yè)。從事微電子化學品業(yè)務需要具備與電子產(chǎn)業(yè)前沿發(fā)展相匹配的關鍵生產(chǎn)技術，如混配技術、分離技術、純化技術以及與生產(chǎn)過程相配套的分析檢驗技術、環(huán)境處理與監(jiān)測技術等。同時，下游電子產(chǎn)業(yè)多樣化的使用場景要求微電子化學品生產(chǎn)企業(yè)有較強的配套能力，以及時研發(fā)和改進產(chǎn)品工藝來滿足客戶的個性化需求。光刻膠的生產(chǎn)工藝主要過程是將感光材料、樹脂、溶劑等主要原料在恒溫恒濕 1000 級的黃光區(qū)潔凈房進行混合，在氮氣氣體保護下充分攪拌，使其充分混合形成均相液體，經(jīng)過多次過濾，并通過中間過程控制和檢驗，使其達到工藝技術和質(zhì)量要求，然后做產(chǎn)品檢驗，...

光刻膠行業(yè)具有極高的行業(yè)壁壘，因此在全球范圍其行業(yè)都呈現(xiàn)寡頭壟斷的局面。光刻膠行業(yè)長年被日本和美國專業(yè)公司壟斷。目前大廠商就占據(jù)了全球光刻膠市場 87%的份額，行業(yè)集中度高。其中，日本 JSR、東京應化、日本信越與富士電子材料市占率加和達到72%。并且高分辨率的 KrF 和 ArF 半導體光刻膠技術亦基本被日本和美國企業(yè)所壟斷，產(chǎn)品絕大多數(shù)出自日本和美國公司，如杜邦、JSR 株式會社、信越化學、東京應化工業(yè)、Fujifilm，以及韓國東進等企業(yè)。整個光刻膠市場格局來看，日本是光刻膠行業(yè)的巨頭聚集地。光刻膠的組成部分包括：光引發(fā)劑（包括光增感劑、光致產(chǎn)酸劑）、光刻膠樹脂、單體、溶劑和其他助劑。嘉...

隨著IC集成度的提高，世界集成電路的制程工藝水平按已由微米級、亞微米級、深亞微米級進入到納米級階段。集成電路線寬不斷縮小的趨勢，對包括光刻在內(nèi)的半導體制程工藝提出了新的挑戰(zhàn)。在半導體制程的光刻工藝中，集成電路線寬的特征尺寸可以由如右所示的瑞利公式確定：CD=k1*λ/NA。CD (Critical Dimension)表示集成電路制程中的特征尺寸；k1是瑞利常數(shù)，是光刻系統(tǒng)中工藝和材料的一個相關系數(shù)；λ是曝光波長，而NA(Numerical Aperture)則是指光刻機的孔徑數(shù)值。因此，光刻機需要通過降低瑞利常數(shù)和曝光波長，增大孔徑尺寸來制造具有更小特征尺寸的集成電路。其中降低曝光波長與光刻...

靈敏度即光刻膠上產(chǎn)生一個良好的圖形所需一定波長光的較小能量值（或較小曝光量）。單位：毫焦/平方厘米或mJ/cm2。光刻膠的敏感性對于波長更短的深紫外光（DUV）、極深紫外光（EUV）等尤為重要 。負膠通常需5~15 s時間曝光，正膠較慢，其曝光時間為負膠的3~4倍 。靈敏度反映了光刻膠材料對某種波長的光的反應程度。不同的光刻膠對于不同的波長的光是有選擇性的。比如248 nm波長光刻膠的成膜樹脂中存在苯環(huán)結(jié)構(gòu)，對193 nm波長的光具有很強的吸收作用，即對193 nm波長的光是不透明的，因此193 nm光刻膠必須改變樹脂主體。同時，高的產(chǎn)出要求短的曝光時間，對光刻膠的靈敏度要求也越來越高。通...

伴隨全球半導體產(chǎn)業(yè)東移，加上我國持續(xù)增長的下游需求和政策支持力度。同時，國內(nèi)晶圓廠進入投產(chǎn)高峰期，由于半導體光刻膠與下游晶圓廠具有伴生性特點，國內(nèi)光刻膠廠商將直接受益于晶圓廠制造產(chǎn)能的大幅擴張。當前我國光刻膠與全球先進水平有近40年的差距，半導體國產(chǎn)化的大趨勢下，國內(nèi)企業(yè)有望逐步突破與國內(nèi)集成電路制造工藝相匹配的光刻膠，所以必須要對光刻膠足夠的重視，不斷向日本和歐美等發(fā)達國家學習，努力開發(fā)出性能優(yōu)異的國產(chǎn)光刻膠，使我國在未來的市場中占據(jù)一席之地。光刻膠生產(chǎn)工藝復雜，技術壁壘高，其研發(fā)和量產(chǎn)對企業(yè)都具有極高要求。嘉定濕膜光刻膠溶劑離子束光刻技術可分為聚焦離子束光刻、離子束投影式光刻。聚焦離子束光...

雖然在2007年之后，一些波長更短的準分子光刻光源技術陸續(xù)出現(xiàn)，但是這些波段的輻射都很容易被光刻鏡頭等光學材料吸收，使這些材料受熱產(chǎn)生膨脹而無法正常工作。少數(shù)可以和這些波段的輻射正常工作的光學材料，比如氟化鈣（螢石）等，成本長期居高不下。再加上浸沒光刻和多重曝光等新技術的出現(xiàn)，193nm波長ArF光刻系統(tǒng)突破了此前 65nm 分辨率的瓶頸，所以在45nm 到10nm之間的半導體制程工藝中，ArF光刻技術仍然得到了很大的應用。在與浸沒光刻相對的干法光刻中，光刻透鏡與光刻膠之間是空氣。光刻膠直接吸收光源發(fā)出的紫外輻射并發(fā)生光化學反應。在浸沒光刻中，光刻鏡頭與光刻膠之間是特定液體。這些液體可以是純水...

光刻膠屬于半導體八大重要材料之一，根據(jù)全球半導體行業(yè)協(xié)會（SEMI）近期數(shù)據(jù)，光刻膠在半導體晶圓制造材料價值占比5%，光刻膠輔助材料占比7%，二者合計占比12%，光刻膠及輔助材料是繼硅片、電子特氣和光掩模之后的第四大半導體材料。光刻膠又稱光致抗蝕劑，是指通過紫外光、電子束、離子束、X射線等照射或輻射，其溶解度發(fā)生變化的耐蝕劑刻薄膜材料，目前被用于光電信息產(chǎn)業(yè)的微細圖形線路加工制作環(huán)節(jié)。光刻膠由增感劑（光引發(fā)劑）、感光樹脂（聚合劑）、溶劑與助劑構(gòu)成。聚合度越小，發(fā)生微相分離的尺寸越小，對應的光刻圖形越小。浦東光交聯(lián)型光刻膠曝光在半導體集成電路光刻技術開始使用深紫外（DUV）光源以后，化學放大（C...

光刻膠按應用領域分類，可分為 PCB 光刻膠、顯示面板光刻膠、半導體光刻膠及其他光刻膠。全球市場上不同種類光刻膠的市場結(jié)構(gòu)較為均衡。智研咨詢的數(shù)據(jù)還顯示，受益于半導體、顯示面板、PCB產(chǎn)業(yè)東移的趨勢，自 2011年至今，光刻膠中國本土供應規(guī)模年華增長率達到11%，高于全球平均 5%的增速。2019年中國光刻膠市場本土企業(yè)銷售規(guī)模約70億元，全球占比約 10%，發(fā)展空間巨大。目前，中國本土光刻膠以PCB用光刻膠為主，平板顯示、半導體用光刻膠供應量占比極低。產(chǎn)品純度、金屬離子雜質(zhì)控制等也是光刻膠生產(chǎn)工藝中需面臨的技術難關，光刻膠純度不足會導致芯片良率下降。i線光刻膠曝光美國能源部布魯克海文...

在CAR技術體系中，光刻膠中的光引發(fā)劑經(jīng)過曝光后并不直接改變光刻膠在顯影液中的溶解度，而是產(chǎn)生酸。在后續(xù)的熱烘培流程的高溫環(huán)境下，曝光產(chǎn)生的酸作為催化劑改變光刻膠在顯影液中的溶解度。因此CAR技術體系下的光引發(fā)劑又叫做光致酸劑。由于CAR光刻膠的光致酸劑產(chǎn)生的酸本身并不會在曝光過程中消耗而是作為催化劑而存在，因此少量的酸就可以持續(xù)地起到有效作用。CAR光刻膠的光敏感性很強，所需要從深紫外輻射中吸收的能量很少，因此加強了光刻的效率。CAR光刻膠曝光速遞是DQN光刻膠的10倍左右。光刻膠按應用領域分類，可分為 PCB 光刻膠、顯示面板光刻膠、半導體光刻膠及其他光刻膠。浦東光分解型光刻膠樹脂雖然在2...

光刻膠是集成電路領域微加工的關鍵性材料，為推動光刻膠等半導體材料行業(yè)的發(fā)展，近年來，我國發(fā)布了多項利好政策支持光刻膠產(chǎn)業(yè)發(fā)展，同時國內(nèi)企業(yè)也積極研發(fā)產(chǎn)品，主動尋求光刻膠及其他材料國產(chǎn)化?，F(xiàn)階段，我國光刻膠企業(yè)有晶瑞電材、彤程新材、華懋科技、南大光電等，在國產(chǎn)替代大契機下，國內(nèi)光刻膠企業(yè)將迎來發(fā)展良機。國內(nèi)產(chǎn)業(yè)鏈下游企業(yè)逐漸意識到材料國產(chǎn)化的重要性，國內(nèi)廠商也在積極研發(fā)產(chǎn)品、加速客戶和產(chǎn)品導入、擴建相關產(chǎn)能，在探索中砥礪前行，從而抓住國產(chǎn)化的契機。目前已有少數(shù)企業(yè)已開始嶄露頭角，實現(xiàn)從0到1的突破。根據(jù)應用領域不同，光刻膠可分為 PCB 光刻膠、LCD 光刻膠和半導體光刻膠，技術門檻逐漸遞增。嘉...

中國半導體光刻膠市場規(guī)模增速超過全球。隨著半導體制程節(jié)點不斷縮小，光刻工藝對光刻膠要求越來越高，需求量也越來越大。據(jù)智研咨詢數(shù)據(jù)，2018年全球半導體用光刻膠市場規(guī)模約13億美元，年復合增速為5.4%，預計未來5年年均增速約8%-10%；中國半導體用光刻膠市場規(guī)模約23億元人民幣，年復合增速為9.8%，預計未來5年年均增速約10%。以前，光刻膠主要依賴進口，隨著科技的逐漸發(fā)展，國產(chǎn)化光刻膠趨勢越來越明顯，相信國內(nèi)光刻膠技術會越來越成熟，光刻膠國產(chǎn)化是必然趨勢。我國光刻膠行業(yè)起步較晚，生產(chǎn)能力主要集中在 PCB 光刻膠、TN/STN-LCD 光刻膠等中低端產(chǎn)品。嘉定半導體光刻膠顯影光刻膠行業(yè)具有...

浸沒光刻：在與浸沒光刻相對的干法光刻中，光刻透鏡與光刻膠之間是空氣。光刻膠直接吸收光源發(fā)出的紫外輻射并發(fā)生光化學反應。在浸沒光刻中，光刻鏡頭與光刻膠之間是特定液體。這些液體可以是純水也可以是別的化合物液體。光刻光源發(fā)出的輻射經(jīng)過這些液體的時候發(fā)生了折射，波長變短。這樣，在不改變光源的前提條件下，更短波長的紫外光被投影光刻膠上，提高了光刻加工的分辨率。雙重光刻：雙重光刻的意思是通過兩次光刻使得加工分辨率翻倍。實現(xiàn)這個目的的一種方法是在開始光刻過后平移同一個光罩進行第二次光刻，以提高加工分辨率。下圖右展示了這樣一個過程。下圖右中雙重光刻子進行了兩次涂膠，兩次光刻和兩次刻蝕。隨著光刻膠技術的進步，只...

光刻膠的產(chǎn)業(yè)鏈上游：主要涉及溶劑、樹脂、光敏劑等原材料供應商和光刻機、顯影機、檢測與測試等設備供應商。從原材料市場來看，由于中國從事光刻膠原材料研發(fā)及生產(chǎn)的供應商較少，中國光刻膠原材料市場主要被日本、韓國和美國廠商所占據(jù)。從設備市場來看，中國在光刻機、顯影機、檢測與測試設備行業(yè)的起步時間較晚，且這些設備具備較高的制造工藝壁壘，導致中國在光刻膠、顯影機、檢測與測試設備的國產(chǎn)化程度均低于10%。相信后期國產(chǎn)化程度會越來越高。光刻膠按應用領域分類，可分為 PCB 光刻膠、顯示面板光刻膠、半導體光刻膠及其他光刻膠。浙江顯示面板光刻膠 光刻膠的產(chǎn)業(yè)鏈中游：為光刻膠制造環(huán)節(jié)，當前全球光刻膠生產(chǎn)制造商主要...

包括光刻膠在內(nèi)的微電子化學品有技術要求高、功能性強、產(chǎn)品更新快等特點，其產(chǎn)品品質(zhì)對下游電子產(chǎn)品的質(zhì)量和效率有非常大的影響。因此，下游企業(yè)對微電子化學品供應商的質(zhì)量和供貨能力十分重視，常采用認證采購的模式，需要通過送樣檢驗、技術研討、信息回饋、技術改進、小批試做、大批量供貨、售后服務評價等嚴格的篩選流程。認證時間久，要求嚴苛；一般產(chǎn)品得到下游客戶的認證需要較長的時間周期。顯示面板行業(yè)通常為1-2年，集成電路行業(yè)由于要求較高，認證周期能達到2-3年時間；認證階段內(nèi)，光刻膠供應商沒有該客戶的收入，這需要供應收有足夠的資金實力。光刻膠供應商與客戶粘性大；一般情況下，為了保持光刻膠供應和效果的穩(wěn)定，下游...

肉桂酸酯類的光刻膠：這類光刻膠在紫外光的照射下，肉桂酸上的不飽和鍵會打開，產(chǎn)生自由基，形成交聯(lián)結(jié)構(gòu)。主要品種有聚乙烯醇肉桂酸酯光刻膠、聚乙烯氧乙基肉桂酸酯光刻膠和肉桂叉二酯光刻膠等。前者膠是早期被用于光刻膠制備的光敏高分子化合物，對二氧化硅、鋁、氧化鉻等材料都有良好的附著力，耐氫氟酸、磷酸腐蝕；中者膠在曝光下幾乎不受氧的影響，無須氮氣保護，分辨率1 μm左右，靈敏度較前者膠高1倍，黏附性好，抗蝕能力強，圖形清晰、線條整齊，耐熱性好，顯影后可在190℃堅膜0.5 h不變質(zhì)，感光范圍在250~475 nm，特別對436 nm十分敏感，屬線型高分子聚合物；第三種膠能溶于酮類、烷烴等溶劑，不溶于水、乙...

抗蝕性即光刻膠材料在刻蝕過程中的抵抗力。在圖形從光刻膠轉(zhuǎn)移到晶片的過程中，光刻膠材料必須能夠抵抗高能和高溫（>150℃）而不改變其原有特性 。在后續(xù)的刻蝕工序中保護襯底表面。耐熱穩(wěn)定性、抗刻蝕能力和抗離子轟擊能力 。在濕法刻蝕中，印有電路圖形的光刻膠需要連同硅片一同置入化學刻蝕液中，進行很多次的濕法腐蝕。只有光刻膠具有很強的抗蝕性，才能保證刻蝕液按照所希望的選擇比刻蝕出曝光所得圖形，更好體現(xiàn)器件性能。在干法刻蝕中，例如集成電路工藝中在進行阱區(qū)和源漏區(qū)離子注入時，需要有較好的保護電路圖形的能力，否則光刻膠會因為在注入環(huán)境中揮發(fā)而影響到注入腔的真空度。此時注入的離子將不會起到其在電路制造工藝中...