光刻膠（Photoresist）又稱光致抗蝕劑，是指通過紫外光、電子束、離子束、X射線等的照射或輻射，其溶解度發(fā)生變化的耐蝕劑刻薄膜材料。由感光樹脂、增感劑和溶劑3種主要成分組成的對光敏感的混合液體。在光刻工藝過程中，用作抗腐蝕涂層材料。半導體材料在表面加工時，若采用適當?shù)挠羞x擇性的光刻膠，可在表面上得到所需的圖像。光刻膠按其形成的圖像分類有正性、負性兩大類。在光刻膠工藝過程中，涂層曝光、顯影后，曝光部分被溶解，未曝光部分留下來，該涂層材料為正性光刻膠。如果曝光部分被保留下來，而未曝光被溶解，該涂層材料為負性光刻膠。按曝光光源和輻射源的不同，又分為紫外光刻膠（包括紫外正、負性光刻膠）、深紫外光...

環(huán)化橡膠型光刻膠：屬于聚烴類——雙疊氮系光刻膠。這種膠是將天然橡膠溶解后，用環(huán)化劑環(huán)化制備而成的。一般來說，橡膠具有較好的耐腐蝕性，但是它的感光活性很差。橡膠的分子量在數(shù)十萬以上，因此溶解性甚低，無論在光刻膠的配制還是顯影過程中都有很大困難。因此無法直接采用橡膠為原料配制光刻膠。這一類光刻膠的重要組成部分為交聯(lián)劑，又稱架橋劑，可以起到光化學固化作用，依賴于帶有雙感光性官能團的交聯(lián)劑參加反應，交聯(lián)劑曝光后產(chǎn)生雙自由基，它和聚烴類樹脂相作用，在聚合物分子鏈之間形成橋鍵，變?yōu)槿S結(jié)構(gòu)的不溶性物質(zhì)。光刻膠行業(yè)的上下游合作處于互相依存的關(guān)系，市場新進入者很難與現(xiàn)有企業(yè)競爭，簽約新客戶的難度高。昆山化學放...

分辨率即光刻工藝中所能形成較小尺寸的有用圖像。是區(qū)別硅片表面相鄰圖形特征的能力。一般用關(guān)鍵尺寸（CD，Critical Dimension）來衡量分辨率。形成的關(guān)鍵尺寸越小，光刻膠的分辨率越好 。此性質(zhì)深受光刻膠材質(zhì)本身物理化學性質(zhì)的影響，必須避免光刻膠材料在顯影過程中收縮或在硬烤中流動。因此，若要使光刻材料擁有良好的分辨能力，需謹慎選擇高分子基材及所用的顯影劑。分辨率和焦深都是光刻中圖像質(zhì)量的關(guān)鍵因素。在光刻中既要獲得更好的分辨率來形成關(guān)鍵尺寸圖形，又要保持合適的焦深是非常矛盾的。雖然分辨率非常依賴于曝光設(shè)備，但是高性能的曝光工具需要與之相配套的高性能的光刻膠才能真正獲得高分辨率的加工能力。...

浸沒光刻和雙重光刻技術(shù)在不改變 193nm波長ArF光刻光源的前提下，將加工分辨率推向10nm的數(shù)量級。與此同時，這兩項技術(shù)對光刻膠也提出了新的要求。在浸沒工藝中；光刻膠首先不能與浸沒液體發(fā)生化學反應或浸出擴散，損傷光刻膠自身和光刻鏡頭；其次，光刻膠的折射率必須大于透鏡，液體和頂部涂層。因此光刻膠中主體樹脂的折射率一般要求達到1.9以上；接著，光刻膠不能在浸沒液體的浸泡下和后續(xù)的烘烤過程中發(fā)生形變，影響加工精度；當浸沒工藝目標分辨率接近10nm時，將對于光刻膠多個性能指標的權(quán)衡都提出了更加苛刻的挑戰(zhàn)。浸沒 ArF 光刻膠制備難度大于干性 ArF 光刻膠，是 ArF光刻加工分辨率突破 45nm ...

1）增感劑（光引發(fā)劑）：是光刻膠的關(guān)鍵成分，對光刻膠的感光度、分辨率起著決定性作用。2）感光樹脂（聚合劑）：用于將光刻膠中不同材料聚合在一起，構(gòu)成光刻膠的骨架，決定光刻膠的硬度、柔韌性、附著力等基本屬性。3）溶劑：是光刻膠中比較大成分，目的是使光刻膠處于液態(tài)，但溶劑本身對光刻膠的化學性質(zhì)幾乎無影響。4）助劑：通常是專有化合物，主要用來改變光刻膠特定化學性質(zhì)。根據(jù)應用領(lǐng)域，光刻膠可分為半導體光刻膠、LCD光刻膠和PCB光刻膠，其技術(shù)壁壘依次降低（半導體光刻膠> LCD光刻膠> PCB光刻膠）。從國產(chǎn)化進程來看，PCB光刻膠目前國產(chǎn)替代進度較快，LCD光刻膠替代進度相對較快，而在半導體光刻膠領(lǐng)域國...

按顯示效果分類；光刻膠可分為正性光刻膠和負性光刻膠。負性光刻膠顯影時形成的圖形與光罩（掩膜版）相反；正性光刻膠形成的圖形與掩膜版相同。兩者的生產(chǎn)工藝流程基本一致，區(qū)別在于主要原材料不同。 按照化學結(jié)構(gòu)分類；光刻膠可以分為光聚合型，光分解型，光交聯(lián)型和化學放大型。光聚合型光刻膠采用烯類單體，在光作用下生成自由基，進一步引發(fā)單體聚合，生成聚合物；光分解型光刻膠，采用含有重氮醌類化合物(DQN)材料作為感光劑，其經(jīng)光照后,發(fā)生光分解反應，可以制成正性光刻膠；光交聯(lián)型光刻膠采用聚乙烯醇月桂酸酯等作為光敏材料，在光的作用下，形成一種不溶性的網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，而起到抗蝕作用，可以制成負性光刻膠。 光刻膠...

此外，光刻膠也可以用于液晶平板顯示等較大面積電子產(chǎn)品的制作。90年代后半期，遵從摩爾定律的指引，半導體制程工藝尺寸開始縮小到0.35um（350nm）以下，因而開始要求更高分辨率的光刻技術(shù)。深紫外光由于波長更短，衍射作用小，所以可以用于更高分辨率的光刻光源。隨著 KrF、ArF等稀有氣體鹵化物準分子激發(fā)態(tài)激光光源研究的發(fā)展，248nm（KrF）、193nnm（ArF）的光刻光源技術(shù)開始成熟并投入實際使用。然而,由于 DQN 體系光刻膠對深紫外光波段的強烈吸收效應，KrF和ArF作為光刻氣體產(chǎn)生的射光無法穿透DQN光刻膠，這意味著光刻分辨率會受到嚴重影響。因此深紫外光刻膠采取了與i-line和g...

在雙重曝光工藝中，若光刻膠可以接受多次光刻曝光而不在光罩遮擋的區(qū)域發(fā)生光化學反應，就可以節(jié)省一次刻蝕，一次涂膠和一次光刻膠清洗流程。由于在非曝光區(qū)域光刻膠仍然會接受到相對少量的光刻輻射，在兩次曝光過程后，非曝光區(qū)域接受到的輻射有可能超過光刻膠的曝光閾值E0，而發(fā)生錯誤的光刻反應。如果非曝光區(qū)域的光刻膠在兩次曝光后接受到的輻射能量仍然小于其曝光閾值E0，那么就是一次合格的雙重曝光。從這個例子可以看出，與單次曝光不同，雙重曝光要求光刻膠的曝光閾值和光刻光源的照射強度之間的權(quán)衡。氧化物型光刻膠：這種類型的光刻膠由氧化硅或其他窄帶隙材料制成。在制造高質(zhì)量微電子設(shè)備時非常有用。嘉定光聚合型光刻膠集成電路...

環(huán)化橡膠型光刻膠：屬于聚烴類——雙疊氮系光刻膠。這種膠是將天然橡膠溶解后，用環(huán)化劑環(huán)化制備而成的。一般來說，橡膠具有較好的耐腐蝕性，但是它的感光活性很差。橡膠的分子量在數(shù)十萬以上，因此溶解性甚低，無論在光刻膠的配制還是顯影過程中都有很大困難。因此無法直接采用橡膠為原料配制光刻膠。這一類光刻膠的重要組成部分為交聯(lián)劑，又稱架橋劑，可以起到光化學固化作用，依賴于帶有雙感光性官能團的交聯(lián)劑參加反應，交聯(lián)劑曝光后產(chǎn)生雙自由基，它和聚烴類樹脂相作用，在聚合物分子鏈之間形成橋鍵，變?yōu)槿S結(jié)構(gòu)的不溶性物質(zhì)。按顯示效果分類：光刻膠可分為正性光刻膠和負性光刻膠。蘇州顯示面板光刻膠單體從90年代后半期開始，光刻光源...

根據(jù)2019年數(shù)據(jù)，全球半導體光刻膠**大廠商占據(jù)全球光刻膠市場87%份額。其中日本占有四家，分別是JSR、東京應化(TOK)、信越化學與富士電子材料，這四家的市場份額達到72%，市場集中度明顯。在半導體光刻膠細分領(lǐng)域，日本廠商在市場中具有較強話語權(quán)。（1）g/i線光刻膠市場：日本的東京應化、JSR、住友化學和富士膠片分別占據(jù)26%、15%、15%、8%的份額，在全球市場占據(jù)64%份額。（2）KrF光刻膠市場：日本企業(yè)東京應化、信越化學和JSR在全球KrF光刻膠細分市場分別占據(jù)34%、22%和18%份額，合計占比達到74%。（3）ArF光刻膠市場：日本企業(yè)JSR、信越化學、東京應化和住友化學包...

伴隨全球半導體產(chǎn)業(yè)東移，加上我國持續(xù)增長的下游需求和政策支持力度。同時，國內(nèi)晶圓廠進入投產(chǎn)高峰期，由于半導體光刻膠與下游晶圓廠具有伴生性特點，國內(nèi)光刻膠廠商將直接受益于晶圓廠制造產(chǎn)能的大幅擴張。當前我國光刻膠與全球先進水平有近40年的差距，半導體國產(chǎn)化的大趨勢下，國內(nèi)企業(yè)有望逐步突破與國內(nèi)集成電路制造工藝相匹配的光刻膠，所以必須要對光刻膠足夠的重視，不斷向日本和歐美等發(fā)達國家學習，努力開發(fā)出性能優(yōu)異的國產(chǎn)光刻膠，使我國在未來的市場中占據(jù)一席之地。彩色光刻膠及黑色光刻膠市場也呈現(xiàn)日韓企業(yè)主導的格局，國內(nèi)企業(yè)有雅克科技、飛凱材料、彤程新材等。浦東濕膜光刻膠樹脂1）增感劑（光引發(fā)劑）：是光刻膠的關(guān)鍵...

離子束光刻技術(shù)可分為聚焦離子束光刻、離子束投影式光刻。聚焦離子束光刻用途較多，常以鎵離子修補傳統(tǒng)及相位轉(zhuǎn)移掩膜板；離子束投影式光刻主要使用150 keV的H+、H2+、H3+、He+，以鏤空式模板，縮小投影（4~5倍） 。離子束光刻與電子束直寫光刻技術(shù)類似，不需要掩膜板，應用高能離子束直寫。離子束的散射沒有電子束那么強，因此具有更好的分辨率。液態(tài)金屬離子源為較簡單的曝光源：在鎢針或鉬針的頂端附上鎵或金硅合金，加熱融化后經(jīng)由外層為液態(tài)金屬表面產(chǎn)生的場使離子發(fā)射，其發(fā)射面積很小（<10 nm），因此利用離子光學系統(tǒng)可較容易地將發(fā)射的離子聚焦成細微離子束，從而進行高分辨率的離子束曝光。光刻膠通常是以...

光刻膠行業(yè)具有極高的行業(yè)壁壘，因此在全球范圍其行業(yè)都呈現(xiàn)寡頭壟斷的局面。光刻膠行業(yè)長年被日本和美國專業(yè)公司壟斷。目前大廠商就占據(jù)了全球光刻膠市場 87%的份額，行業(yè)集中度高。其中，日本 JSR、東京應化、日本信越與富士電子材料市占率加和達到72%。并且高分辨率的 KrF 和 ArF 半導體光刻膠技術(shù)亦基本被日本和美國企業(yè)所壟斷，產(chǎn)品絕大多數(shù)出自日本和美國公司，如杜邦、JSR 株式會社、信越化學、東京應化工業(yè)、Fujifilm，以及韓國東進等企業(yè)。整個光刻膠市場格局來看，日本是光刻膠行業(yè)的巨頭聚集地。從化學組成來看，金屬氧化物光刻膠主要為稀土和過渡金屬有機化合物。昆山i線光刻膠集成電路材料浸沒光...

環(huán)化橡膠型光刻膠：屬于聚烴類——雙疊氮系光刻膠。這種膠是將天然橡膠溶解后，用環(huán)化劑環(huán)化制備而成的。一般來說，橡膠具有較好的耐腐蝕性，但是它的感光活性很差。橡膠的分子量在數(shù)十萬以上，因此溶解性甚低，無論在光刻膠的配制還是顯影過程中都有很大困難。因此無法直接采用橡膠為原料配制光刻膠。這一類光刻膠的重要組成部分為交聯(lián)劑，又稱架橋劑，可以起到光化學固化作用，依賴于帶有雙感光性官能團的交聯(lián)劑參加反應，交聯(lián)劑曝光后產(chǎn)生雙自由基，它和聚烴類樹脂相作用，在聚合物分子鏈之間形成橋鍵，變?yōu)槿S結(jié)構(gòu)的不溶性物質(zhì)。在選擇光刻膠時需要考慮化學性質(zhì)、照射時間、敏感度和穩(wěn)定性等因素，以確保所選的光刻膠能夠滿足制造要求。蘇州...

半導體光刻膠市場中除了美國杜邦，其余四家均為日本企業(yè)。其中JSR、TOK的產(chǎn)品可以覆蓋所有半導體光刻膠品種，尤其在EUV市場高度壟斷。近年來，隨著光刻膠的需求攀升，疊加日本減產(chǎn)，光刻膠出現(xiàn)供不應求的局面，部分中小晶圓廠甚至出現(xiàn)了“斷供”現(xiàn)象。目前大陸企業(yè)在g/i線光刻膠已形成一定規(guī)模的銷售，光刻膠方面，彤程新材的KrF光刻膠產(chǎn)品已批量供應國內(nèi)主要12英寸、8英寸晶圓廠，晶瑞電材KrF光刻膠加緊建設(shè)中，另有多家企業(yè)ArF光刻膠研發(fā)順利進行，其中南大光電ArF產(chǎn)品已通過下游客戶驗證，有望在未來形成銷售。光刻膠保質(zhì)期通常在6個月以內(nèi)，無法囤貨，一旦斷供可能會引起停產(chǎn)的嚴重局面，由此國產(chǎn)化重要性更加凸...

美國能源部布魯克海文國家實驗室的研究人員采用原子層沉積（ALD）系統(tǒng)，將有機聚合物聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）與氧化鋁結(jié)合起來，創(chuàng)造了雜化有機-無機光刻膠。他們在將涂有PMMA薄膜的襯底放到ALD反應室中之后，引入了鋁前驅(qū)物蒸汽。這個蒸汽通過PMMA基質(zhì)內(nèi)部的微小分子孔擴散，與聚合物鏈內(nèi)部的化學物質(zhì)結(jié)合到一起。然后，他們引入了另一種前驅(qū)物（例如水），與前驅(qū)物反應形成PMMA基體內(nèi)部的氧化鋁。該雜化光刻膠的蝕刻選擇比遠遠高于ZEP（一種昂貴的光刻膠）和二氧化硅。半導體光刻膠的涂敷方法主要是旋轉(zhuǎn)涂膠法，具體可以分為靜態(tài)旋轉(zhuǎn)法和動態(tài)噴灑法。江浙滬顯示面板光刻膠印刷電路板中美貿(mào)易摩擦：光刻膠國產(chǎn)代替是...

分子玻璃是一種具有較高玻璃化轉(zhuǎn)變溫度的單分散小分子有機化合物，其結(jié)構(gòu)為非共面和不規(guī)則，能夠避免結(jié)晶，與產(chǎn)酸劑具有優(yōu)良的相容性。以分子玻璃為成膜樹脂制備的光刻膠能夠獲得較高的分辨率和較低粗糙度的圖形。金屬氧化物光刻膠使用金屬離子及有機配體構(gòu)建其主體結(jié)構(gòu)，有機配體中包含光敏基團，借助光敏基團的感光性及其引發(fā)的后續(xù)反應實現(xiàn)光刻膠所需的性能。從化學組成來看，金屬氧化物光刻膠主要為稀土和過渡金屬有機化合物。金屬氧化物光刻膠使用金屬離子及有機配體構(gòu)建其主體結(jié)構(gòu)，借助光敏基團實現(xiàn)光刻膠所需的性能。江浙滬光交聯(lián)型光刻膠樹脂半導體光刻膠市場中除了美國杜邦，其余四家均為日本企業(yè)。其中JSR、TOK的產(chǎn)品可以覆蓋所...

中國半導體光刻膠市場規(guī)模增速超過全球。隨著半導體制程節(jié)點不斷縮小，光刻工藝對光刻膠要求越來越高，需求量也越來越大。據(jù)智研咨詢數(shù)據(jù)，2018年全球半導體用光刻膠市場規(guī)模約13億美元，年復合增速為5.4%，預計未來5年年均增速約8%-10%；中國半導體用光刻膠市場規(guī)模約23億元人民幣，年復合增速為9.8%，預計未來5年年均增速約10%。以前，光刻膠主要依賴進口，隨著科技的逐漸發(fā)展，國產(chǎn)化光刻膠趨勢越來越明顯，相信國內(nèi)光刻膠技術(shù)會越來越成熟，光刻膠國產(chǎn)化是必然趨勢。光刻膠通過光化學反應，經(jīng)曝光、顯影等光刻工序?qū)⑺枰奈⒓殘D形從光罩（掩模版）轉(zhuǎn)移到待加工基片上。浦東彩色光刻膠單體日韓材料摩擦：半導體...

分子玻璃是一種具有較高玻璃化轉(zhuǎn)變溫度的單分散小分子有機化合物，其結(jié)構(gòu)為非共面和不規(guī)則，能夠避免結(jié)晶，與產(chǎn)酸劑具有優(yōu)良的相容性。以分子玻璃為成膜樹脂制備的光刻膠能夠獲得較高的分辨率和較低粗糙度的圖形。金屬氧化物光刻膠使用金屬離子及有機配體構(gòu)建其主體結(jié)構(gòu)，有機配體中包含光敏基團，借助光敏基團的感光性及其引發(fā)的后續(xù)反應實現(xiàn)光刻膠所需的性能。從化學組成來看，金屬氧化物光刻膠主要為稀土和過渡金屬有機化合物。按顯示效果分類：光刻膠可分為正性光刻膠和負性光刻膠。嘉定KrF光刻膠單體從90年代后半期開始，光刻光源就開始采用248nm的KrF激光；而從2000年代開始，光刻就進一步轉(zhuǎn)向使用193nm波長的ArF...

浸沒光刻和雙重光刻技術(shù)在不改變 193nm波長ArF光刻光源的前提下，將加工分辨率推向10nm的數(shù)量級。與此同時，這兩項技術(shù)對光刻膠也提出了新的要求。在浸沒工藝中；光刻膠首先不能與浸沒液體發(fā)生化學反應或浸出擴散，損傷光刻膠自身和光刻鏡頭；其次，光刻膠的折射率必須大于透鏡，液體和頂部涂層。因此光刻膠中主體樹脂的折射率一般要求達到1.9以上；接著，光刻膠不能在浸沒液體的浸泡下和后續(xù)的烘烤過程中發(fā)生形變，影響加工精度；當浸沒工藝目標分辨率接近10nm時，將對于光刻膠多個性能指標的權(quán)衡都提出了更加苛刻的挑戰(zhàn)。浸沒 ArF 光刻膠制備難度大于干性 ArF 光刻膠，是 ArF光刻加工分辨率突破 45nm ...

中國半導體光刻膠市場規(guī)模增速超過全球。隨著半導體制程節(jié)點不斷縮小，光刻工藝對光刻膠要求越來越高，需求量也越來越大。據(jù)智研咨詢數(shù)據(jù)，2018年全球半導體用光刻膠市場規(guī)模約13億美元，年復合增速為5.4%，預計未來5年年均增速約8%-10%；中國半導體用光刻膠市場規(guī)模約23億元人民幣，年復合增速為9.8%，預計未來5年年均增速約10%。以前，光刻膠主要依賴進口，隨著科技的逐漸發(fā)展，國產(chǎn)化光刻膠趨勢越來越明顯，相信國內(nèi)光刻膠技術(shù)會越來越成熟，光刻膠國產(chǎn)化是必然趨勢。光刻膠所屬的微電子化學品是電子行業(yè)與化工行業(yè)交叉的領(lǐng)域，是典型的技術(shù)密集行業(yè)。上海ArF光刻膠其他助劑EUV(極紫外光)光刻技術(shù)是20年...

歷史上光刻機所使用的光源波長呈現(xiàn)出與集成電路關(guān)鍵尺寸同步縮小的趨勢。不同波長的光刻光源要求截然不同的光刻設(shè)備和光刻膠材料。在20世紀80年代，半導體制成的主流工藝尺寸在1.2um(1200nm)至 0.8um(800nm)之間。那時候波長436nm的光刻光源被大量使用。在90年代前半期，隨著半導體制程工藝尺寸朝 0.5um（500nm）和0.35um（350nm）演進，光刻開始采用365nm波長光源。436nm和365nm光源分別是高壓汞燈中能量比較高，波長**短的兩個譜線。高壓汞燈技術(shù)成熟，因此很早被用來當作光刻光源。使用波長短，能量高的光源進行光刻工藝更容易激發(fā)光化學反應、提高光刻分別率。...

光刻膠（Photoresist）又稱光致抗蝕劑，是指通過紫外光、電子束、離子束、X射線等的照射或輻射，其溶解度發(fā)生變化的耐蝕劑刻薄膜材料。由感光樹脂、增感劑和溶劑3種主要成分組成的對光敏感的混合液體。在光刻工藝過程中，用作抗腐蝕涂層材料。半導體材料在表面加工時，若采用適當?shù)挠羞x擇性的光刻膠，可在表面上得到所需的圖像。光刻膠按其形成的圖像分類有正性、負性兩大類。在光刻膠工藝過程中，涂層曝光、顯影后，曝光部分被溶解，未曝光部分留下來，該涂層材料為正性光刻膠。如果曝光部分被保留下來，而未曝光被溶解，該涂層材料為負性光刻膠。按曝光光源和輻射源的不同，又分為紫外光刻膠（包括紫外正、負性光刻膠）、深紫外光...

EUV(極紫外光)光刻技術(shù)是20年來光刻領(lǐng)域的進展。由于目前可供利用的光學材料無法很好支持波長13nm以下的輻射的反射和透射，因此 EUV 光刻技術(shù)使用波長為13.5nm的紫外光作為光刻光源。EUV（極紫外光）光刻技術(shù)將半導體制程技術(shù)在10nm以下的區(qū)域繼續(xù)推進。在 EUV 光刻工藝的 13.5nm 波長尺度上，量子的不確定性效應開始顯現(xiàn)，為相應光源，光罩和光刻膠的設(shè)計和使用帶來了前所未有的挑戰(zhàn)。目前 EUV 光刻機只有荷蘭 ASML 有能力制造，許多相應的技術(shù)細節(jié)尚不為外界所知。在即將到來的 EUV 光刻時代，業(yè)界預期已經(jīng)流行長達 20 年之久的 KrF、ArF 光刻膠技術(shù)或?qū)⒂瓉砑夹g(shù)變革。...

從90年代后半期開始，光刻光源就開始采用248nm的KrF激光；而從2000年代開始，光刻就進一步轉(zhuǎn)向使用193nm波長的ArF準分子激光作為光源。在那之后一直到目前的約20年里，193nm波長的ArF準分子激光一直是半導體制程領(lǐng)域性能可靠，使用較多的光刻光源。一般而言，KrF（248nm）光刻膠使用聚對羥基苯乙烯及其衍生物作為成膜樹脂，使用磺酸碘鎓鹽和硫鎓鹽作為光致酸劑；而ArF（193nm）光刻膠則多使用聚甲基丙烯酸酯衍生物，環(huán)烯烴-馬來酸酐共聚物，環(huán)形聚合物等作為成膜樹脂；由于化學結(jié)構(gòu)上的原因，Arf(193nm)光刻膠需要比KrF（248nm）光刻膠更加敏感的光致酸劑。光刻膠的國產(chǎn)化公...

美國能源部布魯克海文國家實驗室的研究人員采用原子層沉積（ALD）系統(tǒng)，將有機聚合物聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）與氧化鋁結(jié)合起來，創(chuàng)造了雜化有機-無機光刻膠。他們在將涂有PMMA薄膜的襯底放到ALD反應室中之后，引入了鋁前驅(qū)物蒸汽。這個蒸汽通過PMMA基質(zhì)內(nèi)部的微小分子孔擴散，與聚合物鏈內(nèi)部的化學物質(zhì)結(jié)合到一起。然后，他們引入了另一種前驅(qū)物（例如水），與前驅(qū)物反應形成PMMA基體內(nèi)部的氧化鋁。該雜化光刻膠的蝕刻選擇比遠遠高于ZEP（一種昂貴的光刻膠）和二氧化硅。光刻膠的組成部分包括：光引發(fā)劑（包括光增感劑、光致產(chǎn)酸劑）、光刻膠樹脂、單體、溶劑和其他助劑。普陀TFT-LCD正性光刻膠光致抗蝕劑靈敏...

環(huán)化橡膠型光刻膠：屬于聚烴類——雙疊氮系光刻膠。這種膠是將天然橡膠溶解后，用環(huán)化劑環(huán)化制備而成的。一般來說，橡膠具有較好的耐腐蝕性，但是它的感光活性很差。橡膠的分子量在數(shù)十萬以上，因此溶解性甚低，無論在光刻膠的配制還是顯影過程中都有很大困難。因此無法直接采用橡膠為原料配制光刻膠。這一類光刻膠的重要組成部分為交聯(lián)劑，又稱架橋劑，可以起到光化學固化作用，依賴于帶有雙感光性官能團的交聯(lián)劑參加反應，交聯(lián)劑曝光后產(chǎn)生雙自由基，它和聚烴類樹脂相作用，在聚合物分子鏈之間形成橋鍵，變?yōu)槿S結(jié)構(gòu)的不溶性物質(zhì)。在PCB行業(yè)：主要使用的光刻膠有干膜光刻膠、濕膜光刻膠、感光阻焊油墨等。蘇州光刻膠曝光 在半導體集成電...

伴隨全球半導體產(chǎn)業(yè)東移，加上我國持續(xù)增長的下游需求和政策支持力度。同時，國內(nèi)晶圓廠進入投產(chǎn)高峰期，由于半導體光刻膠與下游晶圓廠具有伴生性特點，國內(nèi)光刻膠廠商將直接受益于晶圓廠制造產(chǎn)能的大幅擴張。當前我國光刻膠與全球先進水平有近40年的差距，半導體國產(chǎn)化的大趨勢下，國內(nèi)企業(yè)有望逐步突破與國內(nèi)集成電路制造工藝相匹配的光刻膠，所以必須要對光刻膠足夠的重視，不斷向日本和歐美等發(fā)達國家學習，努力開發(fā)出性能優(yōu)異的國產(chǎn)光刻膠，使我國在未來的市場中占據(jù)一席之地。在PCB行業(yè)：主要使用的光刻膠有干膜光刻膠、濕膜光刻膠、感光阻焊油墨等。蘇州KrF光刻膠集成電路材料抗蝕性即光刻膠材料在刻蝕過程中的抵抗力。在圖形從光...

光刻膠的產(chǎn)業(yè)鏈上游：主要涉及溶劑、樹脂、光敏劑等原材料供應商和光刻機、顯影機、檢測與測試等設(shè)備供應商。從原材料市場來看，由于中國從事光刻膠原材料研發(fā)及生產(chǎn)的供應商較少，中國光刻膠原材料市場主要被日本、韓國和美國廠商所占據(jù)。從設(shè)備市場來看，中國在光刻機、顯影機、檢測與測試設(shè)備行業(yè)的起步時間較晚，且這些設(shè)備具備較高的制造工藝壁壘，導致中國在光刻膠、顯影機、檢測與測試設(shè)備的國產(chǎn)化程度均低于10%。相信后期國產(chǎn)化程度會越來越高。氧化物型光刻膠：這種類型的光刻膠由氧化硅或其他窄帶隙材料制成。在制造高質(zhì)量微電子設(shè)備時非常有用。嘉定光刻膠曝光歷史上光刻機所使用的光源波長呈現(xiàn)出與集成電路關(guān)鍵尺寸同步縮小的趨勢...

光刻膠按應用領(lǐng)域分類，可分為 PCB 光刻膠、顯示面板光刻膠、半導體光刻膠及其他光刻膠。全球市場上不同種類光刻膠的市場結(jié)構(gòu)較為均衡。智研咨詢的數(shù)據(jù)還顯示，受益于半導體、顯示面板、PCB產(chǎn)業(yè)東移的趨勢，自 2011年至今，光刻膠中國本土供應規(guī)模年華增長率達到11%，高于全球平均 5%的增速。2019年中國光刻膠市場本土企業(yè)銷售規(guī)模約70億元，全球占比約 10%，發(fā)展空間巨大。目前，中國本土光刻膠以PCB用光刻膠為主，平板顯示、半導體用光刻膠供應量占比極低。亞甲基雙苯醚型光刻膠：這種類型的光刻膠適用于制造精度較低的電路元件。普陀彩色光刻膠顯影離子束光刻技術(shù)可分為聚焦離子束光刻、離子束投影式...