墓他3組上橋臂的控制信號輸入電路與圖2相同，但3組15V直流電源應分別供電，而下橋臂的4組則共用一個15V直流電源。圖2控制信號輸入電路(2)緩沖電路緩沖電路（阻容吸收電路）主要用于抑制模塊內(nèi)部的IGBT單元的過電壓和du/出或者過電流和di/dt，同時減小IGBT的開關(guān)損耗。由于緩沖電路所需的電阻、電容的功率、體積都較大，所以在IGBT模塊內(nèi)部并沒有專門集成該部分電路，因此，在實際的系統(tǒng)中一定要設(shè)計緩沖電路，通過緩沖電路的電容可把過電壓的電磁能量變成靜電能量儲存起來。緩沖電路的電阻可防止電容與電感產(chǎn)生諧振。如果沒有緩沖電路，器件在開通時電流會迅速上升，di/dt也很大，關(guān)斷時du/dt很大，...

圖1單管，模塊的內(nèi)部等效電路多個管芯并聯(lián)時，柵極已經(jīng)加入柵極電阻，實際的等效電路如圖2所示。不同制造商的模塊，柵極電阻的阻值也不相同；不過，同一個模塊內(nèi)部的柵極電阻，其阻值是相同的。圖2單管模塊內(nèi)部的實際等效電路圖IGBT單管模塊通常稱為1in1模塊，前面的“1”表示內(nèi)部包含一個IGBT管芯，后面的“1”表示同一個模塊塑殼之中。2.半橋模塊，2in1模塊半橋（Halfbridge）模塊也稱為2in1模塊，可直接構(gòu)成半橋電路，也可以用2個半橋模塊構(gòu)成全橋，3個半橋模塊也構(gòu)成三相橋。因此，半橋模塊有時候也稱為橋臂（Phase-Leg）模塊。圖3是半橋模塊的內(nèi)部等效。不同的制造商的接線端子名稱也有所...

進行逆變器設(shè)計時，IGBT模塊的開關(guān)損耗評估是很重要的一個環(huán)節(jié)。而常見的損耗評估方法都是采用數(shù)據(jù)手冊中IGBT或者Diode的開關(guān)損耗的典型值，這種方法缺乏一定的準確性。本文介紹了一種采用逆變器系統(tǒng)的驅(qū)動板和母排對IGBT模塊進行損耗測試和評估的方法，通過簡單的操作即可得到更精確的損耗評估。一般數(shù)據(jù)手冊中，都會給出特定條件下，IGBT及Diode開關(guān)損耗的典型值。一般來講這個值在實際設(shè)計中并不能直接拿來用。在英飛凌模塊數(shù)據(jù)手冊中，我們可以看到，開關(guān)損耗典型值前面，有相當多的限制條件，這些條件描述了典型值測試平臺。而實際設(shè)計的系統(tǒng)是不可能和規(guī)格書測試平臺一模一樣的。兩者之間的差異，主要體現(xiàn)在如下...

IGBT單管和IGBT功率模塊PIM、IPM的區(qū)別是什么？作者：海飛樂技術(shù)時間：2018-04-1218:47IGBT功率模塊采用封裝技術(shù)集成驅(qū)動、保護電路和高能芯片一起的模塊，已經(jīng)從復合功率模塊PIM發(fā)展到了智能功率模塊IPM、電力電子積木PEBB、電力模塊IPEM等。IGBT單管和IGBT功率模塊的定義不同：IGBT單管：分立IGBT，封裝較模塊小，電流通常在50A以下，常見有TO247、TO3P等封裝。IGBT模塊：塊化封裝就是將多個IGBT集成封裝在一起，即模塊化封裝的IGBT芯片。常見的有1in1,2in1,6in1等。PIM模塊：集成整流橋+制動單元（PFC）+三相逆變（IGBT橋...

2013年6月15日我又在電腦上設(shè)計了幾張圖紙，希望能夠運用到實戰(zhàn)中。讓房子變成我想象中的樣子。2013年6月20日我和老公把花園的門給定好了，看起來就很有安全感的樣子。2013年7月15日2020-03-30求大神,我家的電磁爐換過開關(guān)還是不能用速度…電磁爐又被稱為電磁灶，1957年臺家用電磁爐誕生于德國。電磁爐的原理是電磁感應現(xiàn)象，即利用交變電流通過線圈產(chǎn)生方向不斷改變的交變磁場，處于交變磁場中的導體的內(nèi)部將會出現(xiàn)渦旋電流(原因可參考法拉第電磁感應定律)，這是渦旋電場推動導體中載流子（鍋里的是電子而絕非鐵原子）運動所致；渦旋電流的焦耳熱效應使導體升溫，從而實現(xiàn)加熱。2020-03-30美的...

IGBT模塊上有一個“續(xù)流二極管”。它有什么作用呢？答：當PWM波輸出的時候，它是維持電機內(nèi)的電流不斷用的。我在說明變頻器逆變原理的時候，用的一個電阻做負載。電阻做負載，它上面的電流隨著電壓有通斷而通斷，上圖所示的原理沒有問題。但變頻器實際是要驅(qū)動電機的，接在電機的定子上面，定子是一組線圈繞成的，就是“電感”。電感有一個特點：它的內(nèi)部的電流不能進行突變。所以當采用PWM波輸出電壓波形時，加在電機上的電壓就是“斷斷續(xù)續(xù)”的，這樣電機內(nèi)的電流就會“斷斷續(xù)續(xù)”的，這就給電機帶來嚴重的后果：由于電感斷流時，會產(chǎn)生反電動勢，這個電動勢加在IGBT上面，對IGBT會有損害。解決的辦法：在IGBT的CE極上...

對于IGBT模塊我們還需判斷在有觸發(fā)電壓的情況下能否導通和關(guān)斷。逆變器IGBT模塊檢測:將數(shù)字萬用表撥到二極管測試檔,測試IGBT模塊c1e1、c2e2之間以及柵極G與e1、e2之間正反向二極管特性,來判斷IGBT模塊是否完好。以六相模塊為例。將負載側(cè)U、V、W相的導線拆除,使用二極管測試檔，紅表筆接P(集電極c1)，黑表筆依次測U、V、W，萬用表顯示數(shù)值為；將表筆反過來，黑表筆接P，紅表筆測U、V、W，萬用表顯示數(shù)值為400左右。再將紅表筆接N（發(fā)射極e2），黑表筆測U、V、W，萬用表顯示數(shù)值為400左右；黑表筆接P，紅表筆測U、V、W，萬用表顯示數(shù)值為。各相之間的正反向特性應相同，若出現(xiàn)差...

IGBT（InsulatedGateBipolarTransistor），絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場效應管）組成的復合全控型電壓驅(qū)動式功率半導體器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動電流較大；MOSFET驅(qū)動功率很小，開關(guān)速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點，驅(qū)動功率小而飽和壓降低。IGBT非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。圖1所示為一個N溝道增強型絕緣柵雙極晶體管結(jié)構(gòu)，N+區(qū)稱為源區(qū)，附于...

進行逆變器設(shè)計時，IGBT模塊的開關(guān)損耗評估是很重要的一個環(huán)節(jié)。而常見的損耗評估方法都是采用數(shù)據(jù)手冊中IGBT或者Diode的開關(guān)損耗的典型值，這種方法缺乏一定的準確性。本文介紹了一種采用逆變器系統(tǒng)的驅(qū)動板和母排對IGBT模塊進行損耗測試和評估的方法，通過簡單的操作即可得到更精確的損耗評估。一般數(shù)據(jù)手冊中，都會給出特定條件下，IGBT及Diode開關(guān)損耗的典型值。一般來講這個值在實際設(shè)計中并不能直接拿來用。在英飛凌模塊數(shù)據(jù)手冊中，我們可以看到，開關(guān)損耗典型值前面，有相當多的限制條件，這些條件描述了典型值測試平臺。而實際設(shè)計的系統(tǒng)是不可能和規(guī)格書測試平臺一模一樣的。兩者之間的差異，主要體現(xiàn)在如下...

北京時間10月9日，韓聯(lián)社周一援引韓國總統(tǒng)辦公室的官方消息報道稱，韓國兩大芯片巨頭三星電子、SK海力士將被允許無限期向其中國工廠供應美國芯片設(shè)備，而無需獲得美國的單獨批準。 韓國總統(tǒng)府周一表示，美國已決定允許向三星和SK海力士中國工廠出口半導體制造設(shè)備，無需另行審批。美國已將三星和SK海力士在中國的芯片工廠指定為“經(jīng)驗證終用戶(VEU)”，這意味著美國出口企業(yè)可以將指定產(chǎn)品出口給預先批準的企業(yè)，從而減輕了這兩家企業(yè)的許可負擔。 韓國總統(tǒng)府經(jīng)濟首席秘書崔相穆(Choi Sang-mok)周一在新聞發(fā)布會上表示：“美國的決定，意味著我們半導體企業(yè)重要的貿(mào)易問題得到了...

很難裝入PEARSON探頭，更多的采用Rogowski-coil。需要注意的是Rogowski-coil的延時會比較大，而且當電流變化率超過3600A/μs時，Rogowski-coil會有比較明顯的誤差。關(guān)于測試探頭和延時匹配也可同儀器廠家確認。圖3-1IGBT關(guān)斷過程DUT：FF600R12ME4;CH2（綠色）-VGE，CH3（藍色）-ce，CH4（紅色）-Ic圖3-2IGBT開通過程首先固定電壓和溫度，在不同的電流下測試IGBT的開關(guān)損耗，可以得出損耗隨電流變化的曲線，并且對曲線進行擬合，可以得到損耗的表達式。該系統(tǒng)的直流母線電壓小為540V，高為700V。而系統(tǒng)的IGBT的結(jié)溫的設(shè)計...

2013年6月15日我又在電腦上設(shè)計了幾張圖紙，希望能夠運用到實戰(zhàn)中。讓房子變成我想象中的樣子。2013年6月20日我和老公把花園的門給定好了，看起來就很有安全感的樣子。2013年7月15日2020-03-30求大神,我家的電磁爐換過開關(guān)還是不能用速度…電磁爐又被稱為電磁灶，1957年臺家用電磁爐誕生于德國。電磁爐的原理是電磁感應現(xiàn)象，即利用交變電流通過線圈產(chǎn)生方向不斷改變的交變磁場，處于交變磁場中的導體的內(nèi)部將會出現(xiàn)渦旋電流(原因可參考法拉第電磁感應定律)，這是渦旋電場推動導體中載流子（鍋里的是電子而絕非鐵原子）運動所致；渦旋電流的焦耳熱效應使導體升溫，從而實現(xiàn)加熱。2020-03-30美的...

盡量不要用手觸摸驅(qū)動端子部分，當必須要觸摸模塊端子時，要先將人體或衣服上的靜電用大電阻接地進行放電后，再觸摸；在用導電材料連接模塊驅(qū)動端子時，在配線未接好之前請先不要接上模塊；盡量在底板良好接地的情況下操作。在應用中有時雖然保證了柵極驅(qū)動電壓沒有超過柵極比較大額定電壓，但柵極連線的寄生電感和柵極與集電極間的電容耦合，也會產(chǎn)生使氧化層損壞的振蕩電壓。為此，通常采用雙絞線來傳送驅(qū)動信號，以減少寄生電感。在柵極連線中串聯(lián)小電阻也可以抑制振蕩電壓。此外，在柵極—發(fā)射極間開路時，若在集電極與發(fā)射極間加上電壓，則隨著集電極電位的變化，由于集電極有漏電流流過，柵極電位升高，集電極則有電流流過。這時，如果集電...

IGBT與MOSFET的開關(guān)速度比較因功率MOSFET具有開關(guān)速度快，峰值電流大，容易驅(qū)動，安全工作區(qū)寬，dV/dt耐量高等優(yōu)點，在小功率電子設(shè)備中得到了廣泛應用。但是由于導通特性受和額定電壓的影響很大，而且工作電壓較高時，MOSFET固有的反向二極管導致通態(tài)電阻增加，因此在大功率電子設(shè)備中的應用受至限制。IGBT是少子器件，它不但具有非常好的導通特性，而且也具有功率MOSFET的許多特性，如容易驅(qū)動，安全工作區(qū)寬，峰值電流大，堅固耐用等，一般來講，IGBT的開關(guān)速度低于功率MOSET，但是IR公司新系列IGBT的開關(guān)特性非常接近功率MOSFET，而且導通特性也不受工作電壓的影響。由于IGBT...

IGBT模塊的結(jié)溫控制對于延長模塊的壽命具有重要意義。4.溫度對模塊的安全性的影響IGBT模塊的結(jié)溫升高會導致模塊的安全性下降。當結(jié)溫超過一定溫度時，模塊內(nèi)部元器件會出現(xiàn)失效現(xiàn)象，從而導致模塊的短路或開路，總之，IGBT模塊結(jié)溫的變化對模塊的電性能、可靠性、壽命和安全性等多個方面都會產(chǎn)生影響。因此，在實際應用中，需要對IGBT模塊的結(jié)溫進行控制，以保證模塊的正常工作和長期穩(wěn)定性。對設(shè)備和人員的安全造成威脅。IGBT的額定電壓要求高于直流母線電壓的兩倍英飛凌IGBT模塊選型主要是根據(jù)工作電壓，工作電流，封裝形式和開關(guān)頻率來進行選擇。廣西Mitsubishi 三菱IGBT模塊廠家直供IGBT模塊大...

igbt中頻電爐是什么意思?一、中頻電爐是一種將工頻50HZ交流電轉(zhuǎn)變?yōu)橹蓄l（300HZ以上至10000HZ）的電源裝置，由變頻裝置、爐體、爐前控制等幾部份組成。二、優(yōu)勢：1．控制電路板由計算機優(yōu)化設(shè)計，大規(guī)模集成電路優(yōu)化組合，裝置性能穩(wěn)定，質(zhì)量可靠、抗干擾性強；2．元件布局協(xié)調(diào)合理、維修方便；3．在零壓啟動的基礎(chǔ)上又增加了自動掃頻重復啟動功能，電壓及電流環(huán)電路緊密跟蹤，設(shè)備啟動及停止平滑穩(wěn)定，無電流沖擊。4．逆變啟動信號采用單信號高靈敏觸發(fā)電路，進一步加大了設(shè)備的啟動性能，使設(shè)備的啟動成功率達到100%；5．恒功率電路控制系統(tǒng)，在生產(chǎn)中隨著爐料的變化快速的將電壓和電流自動調(diào)控在設(shè)定上...

晶閘管等元件通過整流來實現(xiàn)。除此之外整流器件還有很多，如：可關(guān)斷晶閘管GTO，逆導晶閘管，雙向晶閘管，整流模塊，功率模塊IGBT，SIT，MOSFET等等，這里只探討晶閘管。晶閘管又名可控硅，通常人們都叫可控硅。是一種功率半導體器件，由于它效率高，控制特性好，壽命長，體積小等優(yōu)點，自上個世紀六十長代以來，獲得了迅猛發(fā)展，并已形成了一門的學科?！熬чl管交流技術(shù)”。晶閘管發(fā)展到，在工藝上已經(jīng)非常成熟，品質(zhì)更好，成品率大幅提高，并向高壓大電流發(fā)展。目前國內(nèi)晶閘管大額定電流可達5000A，國外更大。我國的韶山電力機車上裝載的都是我國自行研制的大功率晶閘管。晶閘管的應用：一、可控整流如同二極管整流一樣，...

IGBT在關(guān)斷時不需要負柵壓來減少關(guān)斷時間，但關(guān)斷時間隨柵極和發(fā)射極并聯(lián)電阻的增加而增加。IGBT的開啟電壓約3～4V，和MOSFET相當。IGBT導通時的飽和壓降比MOSFET低而和GTR接近，飽和壓降隨柵極電壓的增加而降低。查看詳情igbt應用作為電力電子重要大功率主流器件之一，IGBT已經(jīng)廣泛應用于家用電器、交通運輸、電力工程、可再生能源和智能電網(wǎng)等領(lǐng)域。在工業(yè)應用方面，如交通控制、功率變換、工業(yè)電機、不間斷電源、風電與太陽能設(shè)備，以及用于自動控制的變頻器。在消費電子方面，IGBT用于家用電器、相機和手機。查看詳情igbt相關(guān)內(nèi)容全部技術(shù)資訊資料帖子電子說選型新|熱igbt技術(shù)查看更多>...

3、任何指針式萬用表皆可用于檢測IGBT注意判斷IGBT好壞時，一定要將萬用表撥在R&TImes;10KΩ擋，因R&TImes;1KΩ擋以下各檔萬用表內(nèi)部電池電壓太低，檢測好壞時不能使IGBT導通，而無法判斷IGBT的好壞。此方法同樣也可以用于檢測功率場效應晶體管（P-MOSFET）的好壞。逆變器IGBT模塊檢測：將數(shù)字萬用表撥到二極管測試檔，測試IGBT模塊c1e1、c2e2之間以及柵極G與e1、e2之間正反向二極管特性，來判斷IGBT模塊是否完好。以六相模塊為例。將負載側(cè)U、V、W相的導線拆除，使用二極管測試檔，紅表筆接P（集電極c1），黑表筆依次測U、V、W，萬用表顯示數(shù)值為比較大；將表...

IGBT模塊上有一個“續(xù)流二極管”。它有什么作用呢？答：當PWM波輸出的時候，它是維持電機內(nèi)的電流不斷用的。我在說明變頻器逆變原理的時候，用的一個電阻做負載。電阻做負載，它上面的電流隨著電壓有通斷而通斷，上圖所示的原理沒有問題。但變頻器實際是要驅(qū)動電機的，接在電機的定子上面，定子是一組線圈繞成的，就是“電感”。電感有一個特點：它的內(nèi)部的電流不能進行突變。所以當采用PWM波輸出電壓波形時，加在電機上的電壓就是“斷斷續(xù)續(xù)”的，這樣電機內(nèi)的電流就會“斷斷續(xù)續(xù)”的，這就給電機帶來嚴重的后果：由于電感斷流時，會產(chǎn)生反電動勢，這個電動勢加在IGBT上面，對IGBT會有損害。解決的辦法：在IGBT的CE極上...

富士IGBT智能模塊的應用電路設(shè)計富士的IGBT-IPM模塊有很多不同的系列每一系列的主電源電壓范圍各有不同，在設(shè)計時一定要考慮其應用的電壓范圍。600V系列主電源電壓和制動動作電壓都應該在400V以下，1200v系列則要在800V以下。開關(guān)時的大浪涌電壓為：600V系列應在500V以下，1200V系列應該在1000V以下。根據(jù)上述各值的范圍，使用時應使浪涌電壓限定在規(guī)定值以內(nèi)，且應在靠近P、N端子處安裝緩沖器（如果一個整流電路上接有多個IGBT模塊，還需要在P、N主端子間加浪涌吸收器）。雖然在模塊內(nèi)部已對外部的電壓噪聲采取了相應的措施，但是由于噪聲的種類和強度不同，加之也不可能完全避免誤動作...

供電質(zhì)量好，傳輸損耗小，效率高，節(jié)約能源，可靠性高，容易組成N＋1冗余供電系統(tǒng)，擴展功率也相對比較容易。所以采用分布式供電系統(tǒng)可以滿足高可靠性設(shè)備的要求。、單端反激式、雙管正激式、雙單端正激式、雙正激式、推挽式、半橋、全橋等八種拓撲。單端正激式、單端反激式、雙單端正激式、推挽式的開關(guān)管的承壓在兩倍輸入電壓以上，如果按60％降額使用，則使開關(guān)管不易選型。在推挽和全橋拓撲中可能出現(xiàn)單向偏磁飽和，2020-03-30led燈帶與墻之間的距離,在線等,速度是做沿邊吊頂嗎？吊頂寬300_400毫米。燈帶是藏在里面的！離墻大概有100毫米！2020-03-30接電燈的開關(guān)怎么接,大師速度來解答,兩個L連接...

晶閘管的正向漏電流比一般硅二極管反向漏電流大，且隨著管子正向陽極電壓升高而增大。當陽極電壓升到足夠大時，會使晶閘管導通，稱為正向轉(zhuǎn)折或“硬開通”。多次硬開通會損壞管子。2．晶閘管加上正向陽極電壓后，還必須加上觸發(fā)電壓，并產(chǎn)生足夠的觸發(fā)電流，才能使晶閘管從阻斷轉(zhuǎn)為導通。觸發(fā)電流不夠時，管子不會導通，但此時正向漏電流隨著增大而增大。晶閘管只能穩(wěn)定工作在關(guān)斷和導通兩個狀態(tài)，沒有中間狀態(tài)，具有雙穩(wěn)開關(guān)特性。是一種理想的無觸點功率開關(guān)元件。3．晶閘管一旦觸發(fā)導通，門極完全失去控制作用。要關(guān)斷晶閘管，必須使陽極電流《維持電流，對于電阻負載，只要使管子陽極電壓降為零即可。為了保證晶閘管可靠迅速關(guān)斷，通常在管...

上）特斯拉IGBT市場商機三大廠商旗艦產(chǎn)品逐個看深圳比亞迪微電子近期更名并設(shè)立新公司，要發(fā)威了？簡介特性應用相關(guān)內(nèi)容igbt簡介IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅(qū)動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動電流較大；MOSFET驅(qū)動功率很小，開關(guān)速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點，驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交...

這個反電動勢可以對電容進行充電。這樣，正極的電壓也不會上升。如下圖：坦白說，上面的這個解釋節(jié)我寫得不是很有信心，我希望有高人出來指點一下。歡迎朋友在評論中留言。我會在后面寫《變頻器的輸出電流》一節(jié)中，通過實際的電流照片，驗證這個二極管的作用?，F(xiàn)在來解釋在《變頻器整流部分元件》中說，在《電流整流的方式分類》中講的“也可以用IGBT進行整流”有問題的。IGBT,通常就是一個元件，它不帶續(xù)流二極管。即是這個符號：商用IGBT模塊，都是將“IGBT+續(xù)流二極管”集成在一個整體部件中，即下面的這個符號。在工廠中，我們稱這個整體部件叫IGBT，不會說“IGBT模塊”。我們可以用“IGBT模塊”搭接一個橋式...

有無緩沖區(qū)決定了IGBT具有不同特性。有N*緩沖區(qū)的IGBT稱為非對稱型IGBT，也稱穿通型IGBT。它具有正向壓降小、犬斷時間短、關(guān)斷時尾部電流小等優(yōu)點，但其反向阻斷能力相對較弱。無N-緩沖區(qū)的IGBT稱為對稱型IGBT，也稱非穿通型IGBT。它具有較強的正反向阻斷能力，但它的其他特性卻不及非對稱型IGBT。如圖2-42(b)所示的簡化等效電路表明，IGBT是由GTR與MOSFET組成的達林頓結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)中的部分是MOSFET驅(qū)動，另一部分是厚基區(qū)PNP型晶體管。五、IBGT的工作原理簡單來說，IGBT相當于一個由MOSFET驅(qū)動的厚基區(qū)PNP型晶體管，它的簡化等效電路如圖2-42(b)所示...

尾流）的降低，完全取決于關(guān)斷時電荷的密度，而密度又與幾種因素有關(guān)，如摻雜質(zhì)的數(shù)量和拓撲，層次厚度和溫度。少子的衰減使集電極電流具有特征尾流波形，集電極電流引起以下問題：功耗升高；交叉導通問題，特別是在使用續(xù)流二極管的設(shè)備上，問題更加明顯。鑒于尾流與少子的重組有關(guān)，尾流的電流值應與芯片的溫度、IC和VCE密切相關(guān)的空穴移動性有密切的關(guān)系。因此，根據(jù)所達到的溫度，降低這種作用在終端設(shè)備設(shè)計上的電流的不理想效應是可行的。阻斷與閂鎖當集電極被施加一個反向電壓時，J1就會受到反向偏壓控制，耗盡層則會向N-區(qū)擴展。因過多地降低這個層面的厚度，將無法取得一個有效的阻斷能力，所以，這個機制十分重要。另一方面，...

在現(xiàn)代電力電子技術(shù)中得到了越來越的應用，在較高頻率的大、率應用中占據(jù)了主導地位。IGBT的等效電路如圖1所示。由圖1可知，若在IGBT的柵極和發(fā)射極之間加上驅(qū)動正電壓，則MOSFET導通，這樣PNP晶體管的集電極與基極之間成低阻狀態(tài)而使得晶體管導通；若IGBT的柵極和發(fā)射極之間電壓為0V，則MOS截止，切斷PNP晶體管基極電流的供給，使得晶體管截止。IGBT與MOSFET一樣也是電壓控制型器件，在它的柵極—發(fā)射極間施加十幾V的直流電壓，只有在uA級的漏電流流過，基本上不消耗功率。1、IGBT模塊的選擇IGBT模塊的電壓規(guī)格與所使用裝置的輸入電源即試電電源電壓緊密相關(guān)。其相互關(guān)系見下表。使用中當...

供電質(zhì)量好，傳輸損耗小，效率高，節(jié)約能源，可靠性高，容易組成N＋1冗余供電系統(tǒng)，擴展功率也相對比較容易。所以采用分布式供電系統(tǒng)可以滿足高可靠性設(shè)備的要求。、單端反激式、雙管正激式、雙單端正激式、雙正激式、推挽式、半橋、全橋等八種拓撲。單端正激式、單端反激式、雙單端正激式、推挽式的開關(guān)管的承壓在兩倍輸入電壓以上，如果按60％降額使用，則使開關(guān)管不易選型。在推挽和全橋拓撲中可能出現(xiàn)單向偏磁飽和，2020-03-30led燈帶與墻之間的距離,在線等,速度是做沿邊吊頂嗎？吊頂寬300_400毫米。燈帶是藏在里面的！離墻大概有100毫米！2020-03-30接電燈的開關(guān)怎么接,大師速度來解答,兩個L連接...

大部分時間是作為MOSFET來運行的，只是在漏源電壓Uds下降過程后期，PNP晶體管由放大區(qū)至飽和，又增加了一段延遲時間。td(on)為開通延遲時間，tri為電流上升時間。實際應用中常給出的漏極電流開通時間ton即為td(on)tri之和，漏源電壓的下降時間由tfe1和tfe2組成。IGBT的觸發(fā)和關(guān)斷要求給其柵極和基極之間加上正向電壓和負向電壓，柵極電壓可由不同的驅(qū)動電路產(chǎn)生。當選擇這些驅(qū)動電路時，必須基于以下的參數(shù)來進行：器件關(guān)斷偏置的要求、柵極電荷的要求、耐固性要求和電源的情況。因為IGBT柵極-發(fā)射極阻抗大，故可使用MOSFET驅(qū)動技術(shù)進行觸發(fā)，不過由于IGBT的輸入電容較MOSFET...