功率MOSFET屬于電壓型控制器件。它依靠多數(shù)載流子工作,因而具有許多優(yōu)點:能與集成電路直接相連；開關(guān)頻率可在數(shù)兆赫以上（可達(dá)100MHz），比雙極型功率晶體管(GTR)至少高10倍；導(dǎo)通電阻具有正溫度系數(shù),器件不易發(fā)生二次擊穿,易于并聯(lián)工作。與GTR相比，功率MOSFET的導(dǎo)通電阻較大，電流密度不易提高，在100kHz以下頻率工作時,其功率損耗高于GTR。此外，由于導(dǎo)電溝道很窄（微米級）,單元尺寸精細(xì)，其制作也較GTR困難。在80年代中期,功率MOSFET的容量還不大（有100A/60V，75A/100V，5A/1000V等幾種）。作功率MOSFET，其優(yōu)點表現(xiàn)在 具有較高的開關(guān)速度。廣州代...

無錫商甲半導(dǎo)體MOS 管封裝形式及散熱性能分析 DPAK 封裝 DPAK 封裝也稱為 TO-252 封裝，屬于表面貼裝封裝形式，兼具一定的散熱能力和較小的體積。它的底部有一個較大的金屬焊盤，可直接焊接在電路板上，增加了與電路板的接觸面積，有利于熱量傳導(dǎo)。DPAK 封裝的熱阻一般在 50 - 80℃/W，適用于功率在 10 - 30W 的電路，在汽車電子、電源適配器等領(lǐng)域應(yīng)用***。例如，在汽車的車燈控制電路中，DPAK 封裝的 MOS 管既能滿足功率需求，又能適應(yīng)汽車電路板緊湊的布局要求。 D2PAK 封裝 D2PAK 封裝是 DPAK 封裝的升級版，也被...

無錫商甲半導(dǎo)體提供專業(yè)選型服務(wù) 封裝選擇關(guān)鍵因素 功率需求高功率（>100W）：TO-247、TO-220、D2PAK。 中低功率（<100W）：DPAK、SO-8、QFN。 **功率（信號級）：SOT-23、SC-70。 散熱條件 需要強(qiáng)制散熱或大面積PCB銅箔散熱時，優(yōu)先選帶散熱片的封裝（如TO-247、D2PAK）。 自然散熱場景可選SO-8或QFN（需優(yōu)化PCB散熱設(shè)計）。 空間限制 緊湊型設(shè)備（如手機(jī)、穿戴設(shè)備）：QFN、SOT-23。 工業(yè)設(shè)備或電源模塊：TO系列或D2PAK。 高頻性能 高頻應(yīng)用（>1MH...

選擇mos管的重要參數(shù) 選擇MOS時至關(guān)重要的2個參數(shù)是導(dǎo)通電阻Rds(on) 和柵極電荷 Qg。決定 MOSFET 性能的其他一些重要參數(shù)是擊穿電壓、BVDSS 和體漏極二極管，當(dāng)器件用作功率二極管時必須考慮這些參數(shù)，例如在同步續(xù)流操作模式下，以及可能影響開關(guān)時間和電壓尖峰的固有電容。 1、導(dǎo)通電阻，RDS(on)表示 MOS管 處于導(dǎo)通狀態(tài)時漏極和源極端子之間的電阻。傳導(dǎo)損耗取決于它，RDS(on) 的值越低，傳導(dǎo)損耗越低。 2、總柵極電荷，QG表示柵極驅(qū)動器打開/關(guān)閉器件所需的電荷。 3、品質(zhì)因數(shù)，F(xiàn)oM是 RDS(on) 和 QG 的乘積，說明了 MOSFE...

功率MOSFET的基本特性 動態(tài)特性MOSFET其測試電路和開關(guān)過程。開通過程；開通延遲時間td(on)—Up前沿時刻到UGS=UT并開始出現(xiàn)iD的時刻間的時間段；上升時間tr—UGS從UT上升到MOSFET進(jìn)入非飽和區(qū)的柵壓UGSP的時間段；iD穩(wěn)態(tài)值由漏極電源電壓UE和漏極負(fù)載電阻決定。UGSP的大小和iD的穩(wěn)態(tài)值有關(guān)，UGS達(dá)到UGSP后，在up作用下繼續(xù)升高直至達(dá)到穩(wěn)態(tài)，但iD已不變。開通時間ton—開通延遲時間與上升時間之和。 關(guān)斷延遲時間td(off)—Up下降到零起，Cin通過RS和RG放電，UGS按指數(shù)曲線下降到UGSP時，iD開始減小為零的時間段。下降時間tf...

功率器件的分類定義 一、主要分類?按器件的結(jié)構(gòu)劃分??二極管?：如整流二極管、快恢復(fù)二極管，用于單向?qū)щ娕c電壓鉗位；? 晶體管?：含雙極結(jié)型晶體管（BJT）、MOSFET、IGBT等，兼具開關(guān)與控制功能；? 晶閘管?：包含可控硅（SCR）、雙向晶閘管（TRIAC），適用于大功率交流控制。? 按功率等級劃分??低壓小功率?：如消費電子中的驅(qū)動器件；?中高功率?：工業(yè)變頻器、電機(jī)控制器；?高壓大功率?：新能源發(fā)電、特高壓輸電系統(tǒng)。 功率半導(dǎo)體器件主要包括三大類：功率模組、功率集成電路（即PowerIC，簡稱PIC，也稱功率IC）以及分立器件。中國臺灣PD 快充功率器件M...

SGT MOS結(jié)構(gòu)優(yōu)勢電場優(yōu)化與高耐壓： 屏蔽柵的電場屏蔽作用：屏蔽柵將漏極的高電場從控制柵下方轉(zhuǎn)移至溝槽側(cè)壁，避免柵氧化層因電場集中而擊穿。橫向電場均勻化：通過電荷平衡技術(shù)（類似超結(jié)原理），漂移區(qū)的電場分布從傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)的“三角形”變?yōu)椤熬匦巍保?**提升擊穿電壓（BV）。 BV提升實例：在相同外延層參數(shù)下，SGT的BV比傳統(tǒng)溝槽MOS提高15%-25%（例如原設(shè)計100V的器件可達(dá)120V）。低導(dǎo)通電阻（Rds(on)）：垂直電流路徑：消除平面MOS中的JFET效應(yīng)，漂移區(qū)電阻（Rdrift）降低40%-60%。短溝道設(shè)計：分柵結(jié)構(gòu)允許更短的溝道長度（可至0.1μm以下），溝道...

即是在大功率范圍應(yīng)用的場效應(yīng)晶體管，它也稱作功率MOSFET，其優(yōu)點表現(xiàn)在以下幾個方面：1. 具有較高的開關(guān)速度。2. 具有較寬的安全工作區(qū)而不會產(chǎn)生熱點，并且具有正的電阻溫度系數(shù)，因此適合進(jìn)行并聯(lián)使用。3. 具有較高的可靠性。4. 具有較強(qiáng)的過載能力。短時過載能力通常額定值的4倍。5. 具有較高的開啟電壓，即是閾值電壓，可達(dá)2~6V（一般在1.5V~5V之間）。當(dāng)環(huán)境噪聲較高時，可以選 用閾值電壓較高的管子，以提高抗干擾能力；反之，當(dāng)噪聲較低時，選用閾值電壓較低的管子，以降低所需的輸入驅(qū)動信號電壓。給電路設(shè)計帶來了極大地方便。6. 由于它是電壓控制器件，具有很高的輸入阻抗，因此其驅(qū)動功率很小...

SGT MOSFET，即屏蔽柵溝槽MOSFET（Shielded Gate Trench MOSFET），是一種半新型的功率半導(dǎo)體器件。它基于傳統(tǒng)溝槽MOSFET技術(shù)，并通過結(jié)構(gòu)上的改進(jìn)來提升性能，特別是在降低導(dǎo)通電阻和開關(guān)損耗方面表現(xiàn)出色。接下來，我們將詳細(xì)介紹SGT MOSFET的特點、優(yōu)勢以及應(yīng)用領(lǐng)域。 SGT MOS的關(guān)鍵結(jié)構(gòu)創(chuàng)新是將傳統(tǒng)MOSFET的單柵極拆分為兩個柵極： 控制柵（Control Gate）：位于溝槽頂部，直接控制溝道的開啟與關(guān)閉，與傳統(tǒng)MOSFET柵極功能類似。 屏蔽柵（Shield Gate）：位于溝槽側(cè)壁或底部，通常與源極連接（而非漏極），...

場效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor縮寫(FET)）簡稱場效應(yīng)管。主要有兩種類型：結(jié)型場效應(yīng)管（junction FET—JFET)和金屬 - 氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管（metal-oxide semiconductor FET，簡稱MOS-FET）。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電，也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件。具有輸入電阻高（107～1015Ω）、噪聲小、功耗低、動態(tài)范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點，現(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強(qiáng)大競爭者。場效應(yīng)管（FET）是利用控制輸入回路的電場效應(yīng)來控制輸出回路電流的一種半導(dǎo)體器件，并以此命名。由...

SGT MOS結(jié)構(gòu)優(yōu)勢電場優(yōu)化與高耐壓： 屏蔽柵的電場屏蔽作用：屏蔽柵將漏極的高電場從控制柵下方轉(zhuǎn)移至溝槽側(cè)壁，避免柵氧化層因電場集中而擊穿。橫向電場均勻化：通過電荷平衡技術(shù)（類似超結(jié)原理），漂移區(qū)的電場分布從傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)的“三角形”變?yōu)椤熬匦巍保?**提升擊穿電壓（BV）。 BV提升實例：在相同外延層參數(shù)下，SGT的BV比傳統(tǒng)溝槽MOS提高15%-25%（例如原設(shè)計100V的器件可達(dá)120V）。低導(dǎo)通電阻（Rds(on)）：垂直電流路徑：消除平面MOS中的JFET效應(yīng)，漂移區(qū)電阻（Rdrift）降低40%-60%。短溝道設(shè)計：分柵結(jié)構(gòu)允許更短的溝道長度（可至0.1μm以下），溝道...

晶體管外形封裝（TO） TO封裝作為早期的封裝規(guī)格，涵蓋諸如TO-3P、TO-247等多種設(shè)計。這種封裝形式以其高耐壓和強(qiáng)抗擊穿能力著稱，適用于中高壓、大電流的MOS管。在現(xiàn)代應(yīng)用中，TO封裝逐漸向表面貼裝式發(fā)展。 雙列直插式封裝（DIP） DIP封裝以其兩排引腳設(shè)計而聞名，被設(shè)計為插入到具有相應(yīng)DIP結(jié)構(gòu)的芯片插座中。DIP封裝還有其緊縮版——SDIP（Shrink DIP）。DIP封裝類型多樣，包括多層陶瓷雙列直插式DIP等，其優(yōu)勢在于與主板的兼容性較好。然而，DIP封裝由于其較大的封裝面積和厚度，可靠性相對較低。 外形晶體管封裝（SOT） SOT是一種貼...

功率器件是專門用來處理和控制高電壓、大電流電能的半導(dǎo)體器件，是電力電子電路的重要執(zhí)行元件。 它的主要作用和特點包括： 高功率處理能力：能夠在高電壓（可達(dá)數(shù)千伏甚至更高）和大電流（可達(dá)數(shù)百甚至數(shù)千安培）的條件下工作。主要作用是轉(zhuǎn)換、分配和管理電能，而非處理微弱信號。 開關(guān)作用：最常見的功能是作為開關(guān)。它需要能快速地開啟（導(dǎo)通）或關(guān)閉（關(guān)斷）高功率的電能流，控制電能輸送到負(fù)載的時間或大小。效率是關(guān)鍵：理想狀態(tài)下導(dǎo)通時電阻極小（壓降低、損耗?。?，關(guān)斷時電阻極大（漏電流極小、損耗小）。 承受大功耗，需要高效散熱：由于工作在高壓大電流下，即使效率很高，器件本身也會產(chǎn)生較大的熱...

功率MOSFET的基本特性 靜態(tài)特性MOSFET的轉(zhuǎn)移特性和輸出特性。 漏極電流ID和柵源間電壓UGS的關(guān)系稱為MOSFET的轉(zhuǎn)移特性，ID較大時，ID與UGS的關(guān)系近似線性，曲線的斜率定義為跨導(dǎo)Gfs MOSFET的漏極伏安特性（輸出特性）：截止區(qū)（對應(yīng)于GTR的截止區(qū)）；飽和區(qū)（對應(yīng)于GTR的放大區(qū)）；非飽和區(qū)（對應(yīng)于GTR的飽和區(qū)）。電力MOSFET工作在開關(guān)狀態(tài)，即在截止區(qū)和非飽和區(qū)之間來回轉(zhuǎn)換。電力MOSFET漏源極之間有寄生二極管，漏源極間加反向電壓時器件導(dǎo)通。電力MOSFET的通態(tài)電阻具有正溫度系數(shù)，對器件并聯(lián)時的均流有利。 晶體管?：含雙極結(jié)型晶體...

功率MOSFET的基本特性 動態(tài)特性MOSFET其測試電路和開關(guān)過程。開通過程；開通延遲時間td(on)—Up前沿時刻到UGS=UT并開始出現(xiàn)iD的時刻間的時間段；上升時間tr—UGS從UT上升到MOSFET進(jìn)入非飽和區(qū)的柵壓UGSP的時間段；iD穩(wěn)態(tài)值由漏極電源電壓UE和漏極負(fù)載電阻決定。UGSP的大小和iD的穩(wěn)態(tài)值有關(guān)，UGS達(dá)到UGSP后，在up作用下繼續(xù)升高直至達(dá)到穩(wěn)態(tài)，但iD已不變。開通時間ton—開通延遲時間與上升時間之和。 關(guān)斷延遲時間td(off)—Up下降到零起，Cin通過RS和RG放電，UGS按指數(shù)曲線下降到UGSP時，iD開始減小為零的時間段。下降時間tf...

單個電力電子器件能承受的正、反向電壓是一定的，能通過的電流大小也是一定的。因此，由單個電力電子器件組成的電力電子裝置容量受到限制。所以，在實用中多用幾個電力電子器件串聯(lián)或并聯(lián)形成組件，其耐壓和通流的能力可以成倍地提高，從而可極大地增加電力電子裝置的容量。器件串聯(lián)時，希望各元件能承受同樣的正、反向電壓；并聯(lián)時則希望各元件能分擔(dān)同樣的電流。但由于器件的個異性，串、并聯(lián)時，各器件并不能完全均勻地分擔(dān)電壓和電流。所以，在電力電子器件串聯(lián)時，要采取均壓措施；在并聯(lián)時，要采取均流措施。電力電子器件又稱為功率半導(dǎo)體器件，主要用于電力設(shè)備的電能變換和控制電路方面大功率的電子器件.廣州無刷直流電機(jī)功率器件MOS...

無錫商家半導(dǎo)體 TO-3P/247TO247是一種常見的小外形封裝，屬于表面貼封裝類型，其中的“247”是封裝標(biāo)準(zhǔn)的編號。值得注意的是，TO-247封裝與TO-3P封裝都采用3引腳輸出，且內(nèi)部的裸芯片（即電路圖）可以完全相同，因此它們的功能和性能也基本一致，只是在散熱和穩(wěn)定性方面可能略有差異。 TO247通常是非絕緣封裝，這種封裝的管子常用于大功率的POWFR中。作為開關(guān)管使用時，它能夠承受較大的耐壓和電流，因此是中高壓大電流MOS管常用的封裝形式。該產(chǎn)品特點包括耐壓高、抗擊穿能力強(qiáng)等，特別適用于中壓大電流場合（電流10A以上，耐壓值在100V以下），以及120A以上、耐壓值2...

無錫商甲半導(dǎo)體有限公司有下列封裝產(chǎn)品 TO-220與TO-220FTO-220與TO-220F這兩種封裝的MOS管在外觀上相似，可以相互替代。然而，TO-220背部配備了散熱片，因此其散熱效果相較于TO-220F更為出色。同時，由于成本因素，TO-220的價格也相對較高。這兩種封裝的產(chǎn)品都適用于中壓大電流場合，其電流范圍在120A以下，同時也可用于高壓大電流場合，但電流需控制在20A以內(nèi)。 TO-251封裝TO-251封裝的產(chǎn)品旨在降低生產(chǎn)成本并減小產(chǎn)品尺寸，特別適用于中壓大電流環(huán)境，電流范圍控制在60A以下，同時也可用于高壓環(huán)境，但需確保電流在7N以下。 MOSFET具有較高...

晶體管外形封裝（TO） TO封裝作為早期的封裝規(guī)格，涵蓋諸如TO-3P、TO-247等多種設(shè)計。這種封裝形式以其高耐壓和強(qiáng)抗擊穿能力著稱，適用于中高壓、大電流的MOS管。在現(xiàn)代應(yīng)用中，TO封裝逐漸向表面貼裝式發(fā)展。 雙列直插式封裝（DIP） DIP封裝以其兩排引腳設(shè)計而聞名，被設(shè)計為插入到具有相應(yīng)DIP結(jié)構(gòu)的芯片插座中。DIP封裝還有其緊縮版——SDIP（Shrink DIP）。DIP封裝類型多樣，包括多層陶瓷雙列直插式DIP等，其優(yōu)勢在于與主板的兼容性較好。然而，DIP封裝由于其較大的封裝面積和厚度，可靠性相對較低。 外形晶體管封裝（SOT） SOT是一種貼...

單個電力電子器件能承受的正、反向電壓是一定的，能通過的電流大小也是一定的。因此，由單個電力電子器件組成的電力電子裝置容量受到限制。所以，在實用中多用幾個電力電子器件串聯(lián)或并聯(lián)形成組件，其耐壓和通流的能力可以成倍地提高，從而可極大地增加電力電子裝置的容量。器件串聯(lián)時，希望各元件能承受同樣的正、反向電壓；并聯(lián)時則希望各元件能分擔(dān)同樣的電流。但由于器件的個異性，串、并聯(lián)時，各器件并不能完全均勻地分擔(dān)電壓和電流。所以，在電力電子器件串聯(lián)時，要采取均壓措施；在并聯(lián)時，要采取均流措施。TO封裝作為早期的封裝規(guī)格，這種封裝形式以其高耐壓和強(qiáng)抗擊穿能力著稱，適用于中高壓、大電流的MOS管。杭州常見功率器件MO...

超結(jié)MOS的特點: 1、低導(dǎo)通電阻通過在縱向結(jié)構(gòu)中引入多個P型和N型層的超結(jié)設(shè)計，極大地降低了功率器件的導(dǎo)通電阻，在高電壓應(yīng)用中尤為明顯。 2、高耐壓性傳統(tǒng)MOSFET在提高耐壓的同時會增加導(dǎo)通電阻，而超結(jié)結(jié)構(gòu)通過優(yōu)化電場分布，使其在保持高耐壓的同時仍能保持較低的導(dǎo)通電阻。 3、高效率超結(jié)MOS具有較快的開關(guān)速度和低損耗特性，適用于高頻率、高效率的電力轉(zhuǎn)換應(yīng)用。 4、較低的功耗由于導(dǎo)通電阻和開關(guān)損耗的降低，超結(jié)MOS在工作時的能量損耗也明顯減少，有助于提高系統(tǒng)的整體能效。 它屬于金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）的一種，具有驅(qū)動電路簡單、開關(guān)速度快、工作頻...

無錫商甲半導(dǎo)體提供專業(yè)選型服務(wù) 封裝選擇關(guān)鍵因素 功率需求高功率（>100W）：TO-247、TO-220、D2PAK。 中低功率（<100W）：DPAK、SO-8、QFN。 **功率（信號級）：SOT-23、SC-70。 散熱條件 需要強(qiáng)制散熱或大面積PCB銅箔散熱時，優(yōu)先選帶散熱片的封裝（如TO-247、D2PAK）。 自然散熱場景可選SO-8或QFN（需優(yōu)化PCB散熱設(shè)計）。 空間限制 緊湊型設(shè)備（如手機(jī)、穿戴設(shè)備）：QFN、SOT-23。 工業(yè)設(shè)備或電源模塊：TO系列或D2PAK。 高頻性能 高頻應(yīng)用（>1MH...

功率MOSFET屬于電壓型控制器件。它依靠多數(shù)載流子工作,因而具有許多優(yōu)點:能與集成電路直接相連；開關(guān)頻率可在數(shù)兆赫以上（可達(dá)100MHz），比雙極型功率晶體管(GTR)至少高10倍；導(dǎo)通電阻具有正溫度系數(shù),器件不易發(fā)生二次擊穿,易于并聯(lián)工作。與GTR相比，功率MOSFET的導(dǎo)通電阻較大，電流密度不易提高，在100kHz以下頻率工作時,其功率損耗高于GTR。此外，由于導(dǎo)電溝道很窄（微米級）,單元尺寸精細(xì)，其制作也較GTR困難。在80年代中期,功率MOSFET的容量還不大（有100A/60V，75A/100V，5A/1000V等幾種）。TO-247 大功率表面貼裝封裝，3/4引腳設(shè)計，適配高功率...

功率MOSFET的基本特性 靜態(tài)特性MOSFET的轉(zhuǎn)移特性和輸出特性。 漏極電流ID和柵源間電壓UGS的關(guān)系稱為MOSFET的轉(zhuǎn)移特性，ID較大時，ID與UGS的關(guān)系近似線性，曲線的斜率定義為跨導(dǎo)Gfs MOSFET的漏極伏安特性（輸出特性）：截止區(qū)（對應(yīng)于GTR的截止區(qū)）；飽和區(qū)（對應(yīng)于GTR的放大區(qū)）；非飽和區(qū)（對應(yīng)于GTR的飽和區(qū)）。電力MOSFET工作在開關(guān)狀態(tài)，即在截止區(qū)和非飽和區(qū)之間來回轉(zhuǎn)換。電力MOSFET漏源極之間有寄生二極管，漏源極間加反向電壓時器件導(dǎo)通。電力MOSFET的通態(tài)電阻具有正溫度系數(shù)，對器件并聯(lián)時的均流有利。 功率器件廣泛應(yīng)用于需高效...

無錫商甲半導(dǎo)體有限公司有下列封裝產(chǎn)品 TO-220與TO-220FTO-220與TO-220F這兩種封裝的MOS管在外觀上相似，可以相互替代。然而，TO-220背部配備了散熱片，因此其散熱效果相較于TO-220F更為出色。同時，由于成本因素，TO-220的價格也相對較高。這兩種封裝的產(chǎn)品都適用于中壓大電流場合，其電流范圍在120A以下，同時也可用于高壓大電流場合，但電流需控制在20A以內(nèi)。 TO-251封裝TO-251封裝的產(chǎn)品旨在降低生產(chǎn)成本并減小產(chǎn)品尺寸，特別適用于中壓大電流環(huán)境，電流范圍控制在60A以下，同時也可用于高壓環(huán)境，但需確保電流在7N以下。 TO-247 大功率...

1、超級結(jié)的性能提升方法使溝槽和溝槽間距盡可能小和深。SJ-MOS可以設(shè)計為具有較低電阻的N層，從而實現(xiàn)低導(dǎo)通電阻產(chǎn)品。2、超級結(jié)存在的問題本質(zhì)上超級結(jié)MOSFET比平面MOSFET具有更大的pn結(jié)面積，因此trr比平面MOSFET快，但更大的irr流動。內(nèi)部二極管的反向電流irr和反向恢復(fù)時間trr會影響晶體管關(guān)斷開關(guān)特性。 二、超結(jié)MOS的結(jié)構(gòu)超結(jié)MOSFET的創(chuàng)新在于其“超結(jié)”結(jié)構(gòu)。這個結(jié)構(gòu)通過在垂直方向上交替排列的P型和N型區(qū)域來實現(xiàn)。每個P型區(qū)域和其旁邊的N型區(qū)域共同構(gòu)成一個“超結(jié)單元”，這些單元在整個器件中交替排列。這種結(jié)構(gòu)設(shè)計使得在導(dǎo)通狀態(tài)下，電流可以通過較低的電阻路徑...

超結(jié)MOS的工藝原理在傳統(tǒng)的高壓MOSFET中，導(dǎo)通電阻隨著器件耐壓的增加呈現(xiàn)出立方關(guān)系增長，這意味著在高壓下，器件的導(dǎo)通電阻非常高，影響效率。而超結(jié)MOS通過在漂移區(qū)內(nèi)構(gòu)建縱向的P型和N型層，使得電場在縱向方向上得到優(yōu)化。這種結(jié)構(gòu)可以在保持高耐壓的同時，大幅降低導(dǎo)通電阻。具體的工藝流程可分為以下幾個步驟： 1、摻雜與離子注入在超結(jié)MOS的漂移區(qū)，**重要的部分是形成交替的P型和N型摻雜區(qū)。這個過程需要精細(xì)的摻雜控制： （1）離子注入通過離子注入工藝，分別在器件的漂移區(qū)進(jìn)行P型和N型雜質(zhì)的注入。離子注入的深度和濃度需要非常精確的控制，確保后續(xù)的超結(jié)結(jié)構(gòu)能夠均勻分布。 （2...

事實表明，無論是電力、機(jī)械、礦冶、交通、石油、能源、化工、輕紡等傳統(tǒng)產(chǎn)業(yè)，還是通信、激光、機(jī)器人、環(huán)保、原子能、航天等高技術(shù)產(chǎn)業(yè)，都迫切需要高質(zhì)量、高效率的電能。而電力電子正是將各種一次能源高效率地變?yōu)槿藗兯璧碾娔?，實現(xiàn)節(jié)能環(huán)保和提高人民生活質(zhì)量的重要手段，它已經(jīng)成為弱電控制與強(qiáng)電運行之間、信息技術(shù)與先進(jìn)制造技術(shù)之間、傳統(tǒng)產(chǎn)業(yè)實現(xiàn)自動化、智能化改造和興建高科技產(chǎn)業(yè)之間不可缺少的重要橋梁。而新型電力電子器件的出現(xiàn)，總是帶來一場電力電子技術(shù)的**。電力電子器件就好像現(xiàn)代電力電子裝置的心臟，它對裝置的總價值，尺寸、重量、動態(tài)性能，過載能力，耐用性及可靠性等，起著十分重要的作用 [3]。功率MOSF...

功率場效應(yīng)晶體管也分為結(jié)型和絕緣柵型,但通常主要指絕緣柵型中的MOS型（MetalOxideSemiconductorFET）,簡稱功率MOSFET。 功率MOSFET的結(jié)構(gòu)和工作原理 功率MOSFET的種類：按導(dǎo)電溝道可分為P溝道和N溝道。按柵極電壓幅值可分為；耗盡型；當(dāng)柵極電壓為零時漏源極之間就存在導(dǎo)電溝道，增強(qiáng)型；對于N（P）溝道器件，柵極電壓大于（小于）零時才存在導(dǎo)電溝道，功率MOSFET主要是N溝道增強(qiáng)型。 功率MOSFET的結(jié)構(gòu) 功率MOSFET的內(nèi)部結(jié)構(gòu)和電氣符號；其導(dǎo)通時只有一種極性的載流子（多子）參與導(dǎo)電，是單極型晶體管。導(dǎo)電機(jī)理與小功率MOS管相...

選擇mos管的重要參數(shù) 選擇MOS時至關(guān)重要的2個參數(shù)是導(dǎo)通電阻Rds(on) 和柵極電荷 Qg。決定 MOSFET 性能的其他一些重要參數(shù)是擊穿電壓、BVDSS 和體漏極二極管，當(dāng)器件用作功率二極管時必須考慮這些參數(shù)，例如在同步續(xù)流操作模式下，以及可能影響開關(guān)時間和電壓尖峰的固有電容。 1、導(dǎo)通電阻，RDS(on)表示 MOS管 處于導(dǎo)通狀態(tài)時漏極和源極端子之間的電阻。傳導(dǎo)損耗取決于它，RDS(on) 的值越低，傳導(dǎo)損耗越低。 2、總柵極電荷，QG表示柵極驅(qū)動器打開/關(guān)閉器件所需的電荷。 3、品質(zhì)因數(shù)，F(xiàn)oM是 RDS(on) 和 QG 的乘積，說明了 MOSFE...