熱紅外顯微鏡是半導(dǎo)體失效分析與缺陷定位的三大主流手段之一（EMMI、THERMAL、OBIRCH），通過(guò)捕捉故障點(diǎn)產(chǎn)生的異常熱輻射，實(shí)現(xiàn)精細(xì)定位。存在缺陷或性能退化的器件通常表現(xiàn)為局部功耗異常，導(dǎo)致微區(qū)溫度升高。顯微熱分布測(cè)試系統(tǒng)結(jié)合熱點(diǎn)鎖定技術(shù)，能夠高效識(shí)別這些區(qū)域。熱點(diǎn)鎖定是一種動(dòng)態(tài)紅外熱成像方法，通過(guò)調(diào)節(jié)電壓提升分辨率與靈敏度，并借助算法優(yōu)化信噪比。在集成電路（IC）分析中，該技術(shù)廣泛應(yīng)用于定位短路、ESD損傷、缺陷晶體管、二極管失效及閂鎖問(wèn)題等關(guān)鍵故障?？焖俣ㄎ幌啾绕渌麢z測(cè)技術(shù)，鎖相熱成像技術(shù)能夠在短時(shí)間內(nèi)快速定位熱點(diǎn)，縮短失效分析時(shí)間。高精度鎖相紅外熱成像系統(tǒng)對(duì)比通過(guò)大量海量熱圖像數(shù)...

鎖相熱成像系統(tǒng)在發(fā)展過(guò)程中也面臨著一些技術(shù)難點(diǎn)，其中如何優(yōu)化熱激勵(lì)方式與信號(hào)處理算法是問(wèn)題。熱激勵(lì)方式的合理性直接影響檢測(cè)的靈敏度和準(zhǔn)確性，不同的被測(cè)物體需要不同的激勵(lì)參數(shù)；而信號(hào)處理算法則決定了能否從復(fù)雜的信號(hào)中有效提取出有用信息。為此，研究人員不斷進(jìn)行探索和創(chuàng)新，通過(guò)改進(jìn)光源調(diào)制頻率，使其更適應(yīng)不同檢測(cè)場(chǎng)景，開(kāi)發(fā)多頻融合算法，提高信號(hào)處理的效率和精度等方式，持續(xù)提升系統(tǒng)的檢測(cè)速度與缺陷識(shí)別精度。未來(lái)，隨著新型材料的研發(fā)和傳感器技術(shù)的不斷進(jìn)步，鎖相熱成像系統(tǒng)的性能將進(jìn)一步提升，其應(yīng)用領(lǐng)域也將得到的拓展，為更多行業(yè)帶來(lái)技術(shù)革新。在無(wú)損檢測(cè)領(lǐng)域，電激勵(lì)與鎖相熱成像系統(tǒng)的結(jié)合，為金屬構(gòu)件疲勞裂紋的...

在當(dāng)今科技飛速發(fā)展的時(shí)代，電子設(shè)備的性能與可靠性至關(guān)重要。從微小的芯片到復(fù)雜的電路板，任何一個(gè)環(huán)節(jié)出現(xiàn)故障都可能導(dǎo)致整個(gè)系統(tǒng)的崩潰。在這樣的背景下，蘇州致晟光電科技有限公司自主研發(fā)的實(shí)時(shí)瞬態(tài)鎖相熱分析系統(tǒng)（RTTLIT）應(yīng)運(yùn)而生，猶如一顆璀璨的明星，為電子行業(yè)的失效分析領(lǐng)域帶來(lái)了全新的解決方案。 致晟光電成立于 2024 年，總部位于江蘇蘇州，公司秉持著 “需求為本、科技創(chuàng)新” 的理念，專(zhuān)注于電子產(chǎn)品失效分析儀器設(shè)備的研發(fā)與制造。 鎖相熱成像系統(tǒng)優(yōu)化電激勵(lì)檢測(cè)的圖像處理。自銷(xiāo)鎖相紅外熱成像系統(tǒng)訂制價(jià)格性能參數(shù)的突破更凸顯技術(shù)實(shí)力。RTTLIT P20 的測(cè)溫靈敏度達(dá) 0.1mK，意味...

電激勵(lì)下的鎖相熱成像系統(tǒng)為電子產(chǎn)業(yè)的 PCB 板檢測(cè)提供了強(qiáng)有力的技術(shù)支持，尤其適用于高密度、高精度 PCB 板的質(zhì)量檢測(cè)。PCB 板作為電子設(shè)備的 “血管”，其線(xiàn)路密集且復(fù)雜，在生產(chǎn)過(guò)程中容易出現(xiàn)線(xiàn)路斷路、過(guò)孔堵塞、銅箔起皮等缺陷。這些缺陷若未被及時(shí)發(fā)現(xiàn)，會(huì)導(dǎo)致電子設(shè)備工作異常甚至故障。 通過(guò)對(duì) PCB 板施加周期性的電激勵(lì)，電流會(huì)沿著線(xiàn)路流動(dòng)，缺陷區(qū)域由于導(dǎo)電性能下降，會(huì)產(chǎn)生異常的焦耳熱，導(dǎo)致局部溫度升高。鎖相熱成像系統(tǒng)可通過(guò)快速掃描整板，捕捉到這些溫度異常區(qū)域，并通過(guò)圖像處理技術(shù)，定位缺陷的位置和范圍。與傳統(tǒng)的人工目檢或測(cè)試相比，該系統(tǒng)的檢測(cè)效率提升了數(shù)倍，而且能夠檢測(cè)出人工難...

電激勵(lì)的鎖相熱成像系統(tǒng)在電子產(chǎn)業(yè)的電子漿料檢測(cè)中有用武之地，為電子漿料的質(zhì)量控制提供了重要手段，確保印刷線(xiàn)路的性能。電子漿料是用于印刷電子線(xiàn)路、電極等的關(guān)鍵材料，其導(dǎo)電性、均勻性和附著力直接影響印刷線(xiàn)路的性能和可靠性。電子漿料若存在顆粒團(tuán)聚、成分不均、氣泡等缺陷，會(huì)導(dǎo)致印刷線(xiàn)路的電阻增大、導(dǎo)電性能下降，甚至出現(xiàn)線(xiàn)路斷路。通過(guò)對(duì)印刷有電子漿料的基板施加電激勵(lì)，電流會(huì)沿著漿料線(xiàn)路流動(dòng)，缺陷處由于電阻異常，會(huì)產(chǎn)生局部溫度升高。鎖相熱成像系統(tǒng)能夠檢測(cè)到這些溫度差異，并通過(guò)分析溫度場(chǎng)的分布，評(píng)估電子漿料的質(zhì)量。例如，在檢測(cè)太陽(yáng)能電池板的銀漿電極時(shí)，系統(tǒng)可以發(fā)現(xiàn)因銀漿成分不均導(dǎo)致的電阻異常區(qū)域，這些區(qū)域會(huì)...

鎖相熱成像系統(tǒng)是一種將光學(xué)成像技術(shù)與鎖相技術(shù)深度融合的先進(jìn)無(wú)損檢測(cè)設(shè)備，其工作原理頗具科學(xué)性。它首先通過(guò)特定的周期性熱源對(duì)被測(cè)物體進(jìn)行激勵(lì)，這種激勵(lì)可以是光、電、聲等多種形式，隨后利用高靈敏度的紅外相機(jī)持續(xù)捕捉物體表面因熱激勵(lì)產(chǎn)生的溫度場(chǎng)變化。關(guān)鍵在于，系統(tǒng)能夠借助鎖相技術(shù)從繁雜的背景噪聲中提取出與熱源頻率相同的信號(hào)，這一過(guò)程如同在嘈雜的環(huán)境中捕捉到特定頻率的聲音，極大地提升了檢測(cè)的靈敏度。即便是物體內(nèi)部微小的缺陷，如材料中的細(xì)微裂紋、分層等，也能被清晰識(shí)別。憑借這一特性，它在材料科學(xué)領(lǐng)域可用于研究材料的熱性能和結(jié)構(gòu)完整性，在電子工業(yè)中能檢測(cè)電子元件的潛在故障，應(yīng)用場(chǎng)景十分重要。電激勵(lì)的波形選...

在光伏行業(yè)，鎖相熱成像系統(tǒng)成為了太陽(yáng)能電池板質(zhì)量檢測(cè)的得力助手。太陽(yáng)能電池板的質(zhì)量直接影響其發(fā)電效率和使用壽命，而電池片隱裂、焊接不良等問(wèn)題是影響質(zhì)量的常見(jiàn)隱患。鎖相熱成像系統(tǒng)通過(guò)對(duì)電池板施加特定的熱激勵(lì)，能夠敏銳地捕捉到因這些缺陷產(chǎn)生的溫度響應(yīng)差異，尤其是通過(guò)分析溫度響應(yīng)的相位差異，能夠定位到細(xì)微的缺陷。這一技術(shù)的應(yīng)用，幫助制造商及時(shí)發(fā)現(xiàn)生產(chǎn)過(guò)程中的問(wèn)題，有效提高了產(chǎn)品的合格率，為提升太陽(yáng)能組件的發(fā)電效率提供了堅(jiān)實(shí)保障，推動(dòng)了光伏產(chǎn)業(yè)的健康發(fā)展。檢測(cè)速度快，但鎖相熱紅外電激勵(lì)成像所得的位相圖不受物體表面情況影響，對(duì)深層缺陷檢測(cè)效果更好。半導(dǎo)體失效分析鎖相紅外熱成像系統(tǒng)故障維修在電子產(chǎn)業(yè)中，電...

RTTLIT 系統(tǒng)采用了先進(jìn)的鎖相熱成像（Lock-In Thermography）技術(shù)，這是一種通過(guò)調(diào)制電信號(hào)來(lái)大幅提升特征分辨率與檢測(cè)靈敏度的創(chuàng)新方法。在傳統(tǒng)的熱成像檢測(cè)中，由于背景噪聲和熱擴(kuò)散等因素的影響，往往難以精確檢測(cè)到微小的熱異常。而鎖相熱成像技術(shù)通過(guò)對(duì)目標(biāo)物體施加特定頻率的電激勵(lì)，使目標(biāo)物體產(chǎn)生與激勵(lì)頻率相同的熱響應(yīng)，然后通過(guò)鎖相放大器對(duì)熱響應(yīng)信號(hào)進(jìn)行解調(diào)，只提取與激勵(lì)頻率相關(guān)的熱信號(hào)，從而有效地抑制了背景噪聲，極大地提高了檢測(cè)的靈敏度和分辨率。 鎖相熱成像系統(tǒng)的同步控制模塊需與電激勵(lì)源保持高度協(xié)同，極小的同步誤差都可能導(dǎo)致檢測(cè)圖像出現(xiàn)相位偏移。什么是鎖相紅外熱成像系統(tǒng)聯(lián)系人...

鎖相熱成像系統(tǒng)的組件各司其職，共同保障了系統(tǒng)的高效運(yùn)行?？烧{(diào)諧激光器作為重要的熱源，能夠提供穩(wěn)定且可調(diào)節(jié)頻率的周期性熱激勵(lì)，以適應(yīng)不同被測(cè)物體的特性；紅外熱像儀則如同 “眼睛”，負(fù)責(zé)采集物體表面的溫度場(chǎng)分布，其高分辨率確保了溫度信息的細(xì)致捕捉；鎖相放大器是系統(tǒng)的 “中樞處理器” 之一，專(zhuān)門(mén)用于從復(fù)雜的信號(hào)中提取與激勵(lì)同頻的相位信息，過(guò)濾掉無(wú)關(guān)噪聲；數(shù)據(jù)處理單元?jiǎng)t對(duì)收集到的信息進(jìn)行綜合處理和分析，**終生成清晰、直觀的缺陷圖像。這些組件相互配合、協(xié)同工作，每個(gè)環(huán)節(jié)的運(yùn)作都不可或缺，共同確保了系統(tǒng)能夠?qū)崿F(xiàn)高分辨率、高對(duì)比度的檢測(cè)效果，滿(mǎn)足各種高精度檢測(cè)需求。電激勵(lì)強(qiáng)度可控，保護(hù)鎖相熱成像系統(tǒng)檢測(cè)元...

鎖相熱成像系統(tǒng)的組件各司其職，共同保障了系統(tǒng)的高效運(yùn)行?？烧{(diào)諧激光器作為重要的熱源，能夠提供穩(wěn)定且可調(diào)節(jié)頻率的周期性熱激勵(lì)，以適應(yīng)不同被測(cè)物體的特性；紅外熱像儀則如同 “眼睛”，負(fù)責(zé)采集物體表面的溫度場(chǎng)分布，其高分辨率確保了溫度信息的細(xì)致捕捉；鎖相放大器是系統(tǒng)的 “中樞處理器” 之一，專(zhuān)門(mén)用于從復(fù)雜的信號(hào)中提取與激勵(lì)同頻的相位信息，過(guò)濾掉無(wú)關(guān)噪聲；數(shù)據(jù)處理單元?jiǎng)t對(duì)收集到的信息進(jìn)行綜合處理和分析，**終生成清晰、直觀的缺陷圖像。這些組件相互配合、協(xié)同工作，每個(gè)環(huán)節(jié)的運(yùn)作都不可或缺，共同確保了系統(tǒng)能夠?qū)崿F(xiàn)高分辨率、高對(duì)比度的檢測(cè)效果，滿(mǎn)足各種高精度檢測(cè)需求。鎖相熱成像系統(tǒng)讓電激勵(lì)檢測(cè)更具實(shí)用價(jià)值。...

光束誘導(dǎo)電阻變化（OBIRCH）功能與微光顯微鏡（EMMI）技術(shù)常被集成于同一檢測(cè)系統(tǒng)，合稱(chēng)為光發(fā)射顯微鏡（PEM，PhotoEmissionMicroscope）。二者在原理與應(yīng)用上形成巧妙互補(bǔ)，能夠協(xié)同應(yīng)對(duì)集成電路中絕大多數(shù)失效模式，大幅提升失效分析的全面性與效率。OBIRCH技術(shù)的獨(dú)特優(yōu)勢(shì)在于，即便失效點(diǎn)被金屬層覆蓋形成“熱點(diǎn)”，其仍能通過(guò)光束照射引發(fā)的電阻變化特性實(shí)現(xiàn)精細(xì)檢測(cè)——這恰好彌補(bǔ)了EMMI在金屬遮擋區(qū)域光信號(hào)捕捉受限的不足。檢測(cè)速度快，但鎖相熱紅外電激勵(lì)成像所得的位相圖不受物體表面情況影響，對(duì)深層缺陷檢測(cè)效果更好。高分辨率鎖相紅外熱成像系統(tǒng)技術(shù)參數(shù)電激勵(lì)參數(shù)的實(shí)時(shí)監(jiān)控對(duì)于鎖相...

性能參數(shù)的突破更凸顯技術(shù)實(shí)力。RTTLIT P20 的測(cè)溫靈敏度達(dá) 0.1mK，意味著能捕捉到 0.0001℃的溫度波動(dòng)，相當(dāng)于能檢測(cè)到低至 1μW 的功率變化 —— 這一水平足以識(shí)別芯片內(nèi)部柵極漏電等隱性缺陷；2μm 的顯微分辨率則讓成像精度達(dá)到微米級(jí)，可清晰呈現(xiàn)芯片引線(xiàn)鍵合處的微小熱異常。而 RTTLIT P10 雖采用非制冷型探測(cè)器，卻通過(guò)算法優(yōu)化將鎖相靈敏度提升至 0.001℃，在 PCB 板短路、IGBT 模塊局部過(guò)熱等檢測(cè)場(chǎng)景中，既能滿(mǎn)足精度需求，又具備更高的性?xún)r(jià)比。此外，設(shè)備的一體化設(shè)計(jì)將可見(jiàn)光、熱紅外、微光三大成像模塊集成，配合自動(dòng)化工作臺(tái)的精細(xì)控制，實(shí)現(xiàn)了 “一鍵切換檢測(cè)模式...

電激勵(lì)的鎖相熱成像系統(tǒng)在電子產(chǎn)業(yè)的電子漿料檢測(cè)中有用武之地，為電子漿料的質(zhì)量控制提供了重要手段，確保印刷線(xiàn)路的性能。電子漿料是用于印刷電子線(xiàn)路、電極等的關(guān)鍵材料，其導(dǎo)電性、均勻性和附著力直接影響印刷線(xiàn)路的性能和可靠性。電子漿料若存在顆粒團(tuán)聚、成分不均、氣泡等缺陷，會(huì)導(dǎo)致印刷線(xiàn)路的電阻增大、導(dǎo)電性能下降，甚至出現(xiàn)線(xiàn)路斷路。通過(guò)對(duì)印刷有電子漿料的基板施加電激勵(lì)，電流會(huì)沿著漿料線(xiàn)路流動(dòng)，缺陷處由于電阻異常，會(huì)產(chǎn)生局部溫度升高。鎖相熱成像系統(tǒng)能夠檢測(cè)到這些溫度差異，并通過(guò)分析溫度場(chǎng)的分布，評(píng)估電子漿料的質(zhì)量。例如，在檢測(cè)太陽(yáng)能電池板的銀漿電極時(shí)，系統(tǒng)可以發(fā)現(xiàn)因銀漿成分不均導(dǎo)致的電阻異常區(qū)域，這些區(qū)域會(huì)...

在電子領(lǐng)域，所有器件都會(huì)在不同程度上產(chǎn)生熱量。器件散發(fā)一定熱量屬于正?，F(xiàn)象，但某些類(lèi)型的缺陷會(huì)增加功耗，進(jìn)而導(dǎo)致發(fā)熱量上升。在失效分析中，這種額外的熱量能夠?yàn)槎ㄎ蝗毕荼旧硖峁┯杏镁€(xiàn)索。熱紅外顯微鏡可以借助內(nèi)置攝像系統(tǒng)來(lái)測(cè)量可見(jiàn)光或近紅外光的實(shí)用技術(shù)。該相機(jī)對(duì)波長(zhǎng)在3至10微米范圍內(nèi)的光子十分敏感，而這些波長(zhǎng)與熱量相對(duì)應(yīng)，因此相機(jī)獲取的圖像可轉(zhuǎn)化為被測(cè)器件的熱分布圖。通常，會(huì)先對(duì)斷電狀態(tài)下的樣品器件進(jìn)行熱成像，以此建立基準(zhǔn)線(xiàn)；隨后通電再次成像。得到的圖像直觀呈現(xiàn)了器件的功耗情況，可用于隔離失效問(wèn)題。許多不同的缺陷在通電時(shí)會(huì)因消耗額外電流而產(chǎn)生過(guò)多熱量。例如短路、性能不良的晶體管、損壞的靜電放電保...

鎖相熱成像系統(tǒng)借助電激勵(lì)在電子產(chǎn)業(yè)的微型電子元件檢測(cè)中展現(xiàn)出極高的靈敏度，滿(mǎn)足了電子產(chǎn)業(yè)向微型化、高精度發(fā)展的需求。隨著電子技術(shù)的不斷進(jìn)步，電子元件正朝著微型化方向快速發(fā)展，如微型傳感器、微型繼電器等，其尺寸通常在毫米甚至微米級(jí)別，缺陷也更加細(xì)微，傳統(tǒng)的檢測(cè)方法難以應(yīng)對(duì)。電激勵(lì)能夠在微型元件內(nèi)部產(chǎn)生微小但可探測(cè)的溫度變化，即使是納米級(jí)的缺陷也能引起局部溫度的細(xì)微波動(dòng)。鎖相熱成像系統(tǒng)結(jié)合先進(jìn)的鎖相技術(shù)，能夠從強(qiáng)大的背景噪聲中提取出與電激勵(lì)同頻的溫度信號(hào)，將微小的溫度變化放大并清晰顯示出來(lái)，從而檢測(cè)出微米級(jí)的缺陷。例如，在檢測(cè)微型加速度傳感器的敏感元件時(shí)，系統(tǒng)能夠發(fā)現(xiàn)因制造誤差導(dǎo)致的微小結(jié)構(gòu)變形，...

在電子產(chǎn)業(yè)的半導(dǎo)體材料檢測(cè)中，電激勵(lì)的鎖相熱成像系統(tǒng)用途，為半導(dǎo)體材料的質(zhì)量提升提供了重要保障。半導(dǎo)體材料的質(zhì)量直接影響半導(dǎo)體器件的性能，材料中存在的摻雜不均、位錯(cuò)、微裂紋等缺陷，會(huì)導(dǎo)致器件的電學(xué)性能和熱學(xué)性能下降。通過(guò)對(duì)半導(dǎo)體材料施加電激勵(lì)，使材料內(nèi)部產(chǎn)生電流，缺陷處由于導(dǎo)電性能和導(dǎo)熱性能的異常，會(huì)產(chǎn)生局部的溫度差異。鎖相熱成像系統(tǒng)能夠敏銳地檢測(cè)到這些溫度差異，并通過(guò)分析溫度場(chǎng)的分布特征，評(píng)估材料的質(zhì)量狀況。例如，在檢測(cè)硅晶圓時(shí)，系統(tǒng)可以發(fā)現(xiàn)晶圓表面的摻雜不均區(qū)域，這些區(qū)域會(huì)影響后續(xù)芯片制造的光刻和刻蝕工藝；在檢測(cè)碳化硅材料時(shí)，能夠識(shí)別出材料內(nèi)部的微裂紋，這些裂紋會(huì)導(dǎo)致器件在高壓工作時(shí)發(fā)生擊...

在當(dāng)今高科技蓬勃發(fā)展的時(shí)代，鎖相紅外熱成像系統(tǒng)也成其為“RTTLIT"以其獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)，正逐漸成為紅外檢測(cè)領(lǐng)域的新寵。該系統(tǒng)采用先進(jìn)的鎖相技術(shù)，能夠捕捉目標(biāo)物體的微小溫度變化，為各行業(yè)提供前所未有的熱成像解決方案。鎖相紅外熱成像系統(tǒng)優(yōu)勢(shì)在于其高靈敏度和高分辨率的熱成像能力。無(wú)論是在復(fù)雜的工業(yè)環(huán)境中，還是在精密的科研實(shí)驗(yàn)中，該系統(tǒng)都能以超凡的性能，準(zhǔn)確快速地識(shí)別出熱異常，從而幫助用戶(hù)及時(shí)發(fā)現(xiàn)問(wèn)題，有效預(yù)防潛在風(fēng)險(xiǎn)。電激勵(lì)激發(fā)缺陷熱特征，鎖相熱成像系統(tǒng)識(shí)別。非制冷鎖相紅外熱成像系統(tǒng)分析在實(shí)際應(yīng)用中，這款設(shè)備已成為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的 “故障診斷利器”。在晶圓制造環(huán)節(jié)，它能通過(guò)熱分布成像識(shí)別光刻缺陷導(dǎo)致的局...

鎖相熱成像系統(tǒng)在發(fā)展過(guò)程中也面臨著一些技術(shù)難點(diǎn)，其中如何優(yōu)化熱激勵(lì)方式與信號(hào)處理算法是問(wèn)題。熱激勵(lì)方式的合理性直接影響檢測(cè)的靈敏度和準(zhǔn)確性，不同的被測(cè)物體需要不同的激勵(lì)參數(shù)；而信號(hào)處理算法則決定了能否從復(fù)雜的信號(hào)中有效提取出有用信息。為此，研究人員不斷進(jìn)行探索和創(chuàng)新，通過(guò)改進(jìn)光源調(diào)制頻率，使其更適應(yīng)不同檢測(cè)場(chǎng)景，開(kāi)發(fā)多頻融合算法，提高信號(hào)處理的效率和精度等方式，持續(xù)提升系統(tǒng)的檢測(cè)速度與缺陷識(shí)別精度。未來(lái)，隨著新型材料的研發(fā)和傳感器技術(shù)的不斷進(jìn)步，鎖相熱成像系統(tǒng)的性能將進(jìn)一步提升，其應(yīng)用領(lǐng)域也將得到的拓展，為更多行業(yè)帶來(lái)技術(shù)革新。紅外熱像儀捕獲這些溫度變化，通過(guò)鎖相技術(shù)提取微弱的有用信號(hào)，提高檢...

鎖相熱成像系統(tǒng)憑借電激勵(lì)在電子產(chǎn)業(yè)的芯片封裝檢測(cè)中表現(xiàn)出的性能，成為芯片制造過(guò)程中不可或缺的質(zhì)量控制手段。芯片封裝是保護(hù)芯片、實(shí)現(xiàn)電氣連接的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，在封裝過(guò)程中，可能會(huì)出現(xiàn)焊球空洞、引線(xiàn)鍵合不良、封裝體開(kāi)裂等多種缺陷。這些缺陷會(huì)嚴(yán)重影響芯片的散熱性能和電氣連接可靠性，導(dǎo)致芯片在工作過(guò)程中因過(guò)熱而失效。通過(guò)對(duì)芯片施加特定的電激勵(lì)，使芯片內(nèi)部產(chǎn)生熱量，缺陷處由于熱傳導(dǎo)受阻，會(huì)形成局部高溫區(qū)域。鎖相熱成像系統(tǒng)能夠?qū)崟r(shí)捕捉芯片表面的溫度場(chǎng)分布，并通過(guò)分析溫度場(chǎng)的相位和振幅變化，生成清晰的缺陷圖像，精確顯示出缺陷的位置、大小和形態(tài)。例如，在檢測(cè) BGA 封裝芯片時(shí)，系統(tǒng)能準(zhǔn)確識(shí)別出焊球中的空洞，即使空...

鎖相熱成像系統(tǒng)的組件各司其職，共同保障了系統(tǒng)的高效運(yùn)行。可調(diào)諧激光器作為重要的熱源，能夠提供穩(wěn)定且可調(diào)節(jié)頻率的周期性熱激勵(lì)，以適應(yīng)不同被測(cè)物體的特性；紅外熱像儀則如同 “眼睛”，負(fù)責(zé)采集物體表面的溫度場(chǎng)分布，其高分辨率確保了溫度信息的細(xì)致捕捉；鎖相放大器是系統(tǒng)的 “中樞處理器” 之一，專(zhuān)門(mén)用于從復(fù)雜的信號(hào)中提取與激勵(lì)同頻的相位信息，過(guò)濾掉無(wú)關(guān)噪聲；數(shù)據(jù)處理單元?jiǎng)t對(duì)收集到的信息進(jìn)行綜合處理和分析，**終生成清晰、直觀的缺陷圖像。這些組件相互配合、協(xié)同工作，每個(gè)環(huán)節(jié)的運(yùn)作都不可或缺，共同確保了系統(tǒng)能夠?qū)崿F(xiàn)高分辨率、高對(duì)比度的檢測(cè)效果，滿(mǎn)足各種高精度檢測(cè)需求。鎖相熱成像系統(tǒng)解析電激勵(lì)產(chǎn)生的溫度場(chǎng)信息...

在電子領(lǐng)域，所有器件都會(huì)在不同程度上產(chǎn)生熱量。器件散發(fā)一定熱量屬于正?，F(xiàn)象，但某些類(lèi)型的缺陷會(huì)增加功耗，進(jìn)而導(dǎo)致發(fā)熱量上升。在失效分析中，這種額外的熱量能夠?yàn)槎ㄎ蝗毕荼旧硖峁┯杏镁€(xiàn)索。熱紅外顯微鏡可以借助內(nèi)置攝像系統(tǒng)來(lái)測(cè)量可見(jiàn)光或近紅外光的實(shí)用技術(shù)。該相機(jī)對(duì)波長(zhǎng)在3至10微米范圍內(nèi)的光子十分敏感，而這些波長(zhǎng)與熱量相對(duì)應(yīng)，因此相機(jī)獲取的圖像可轉(zhuǎn)化為被測(cè)器件的熱分布圖。通常，會(huì)先對(duì)斷電狀態(tài)下的樣品器件進(jìn)行熱成像，以此建立基準(zhǔn)線(xiàn)；隨后通電再次成像。得到的圖像直觀呈現(xiàn)了器件的功耗情況，可用于隔離失效問(wèn)題。許多不同的缺陷在通電時(shí)會(huì)因消耗額外電流而產(chǎn)生過(guò)多熱量。例如短路、性能不良的晶體管、損壞的靜電放電保...

從技術(shù)原理來(lái)看，該設(shè)備構(gòu)建了一套完整的 “熱信號(hào)捕捉 - 解析 - 成像” 體系。其搭載的高性能探測(cè)器（如 RTTLIT P20 采用的 100Hz 高頻深制冷型紅外探測(cè)器）能敏銳捕捉中波紅外波段的熱輻射，配合 InGaAs 微光顯微鏡模塊，可同時(shí)實(shí)現(xiàn)熱信號(hào)與光子發(fā)射的同步觀測(cè)。在檢測(cè)過(guò)程中，設(shè)備先通過(guò)熱紅外顯微鏡快速鎖定可疑區(qū)域，再啟動(dòng) RTTLIT 系統(tǒng)的鎖相功能：施加周期性電信號(hào)激勵(lì)后，缺陷會(huì)產(chǎn)生與激勵(lì)頻率同步的微弱熱響應(yīng)，鎖相模塊過(guò)濾掉環(huán)境噪聲，將原本被掩蓋的熱信號(hào)放大并成像。這種 “先定位、再聚焦” 的模式，既保證了檢測(cè)效率，又突破了傳統(tǒng)設(shè)備對(duì)微弱信號(hào)的檢測(cè)極限。鎖相熱成像系統(tǒng)讓電激...

先進(jìn)的封裝應(yīng)用、復(fù)雜的互連方案和更高性能的功率器件的快速增長(zhǎng)給故障定位和分析帶來(lái)了前所未有的挑戰(zhàn)。有缺陷或性能不佳的半導(dǎo)體器件通常表現(xiàn)出局部功率損耗的異常分布，導(dǎo)致局部溫度升高。RTTLIT系統(tǒng)利用鎖相紅外熱成像進(jìn)行半導(dǎo)體器件故障定位，可以準(zhǔn)確有效地定位這些目標(biāo)區(qū)域。LIT是一種動(dòng)態(tài)紅外熱成像形式，與穩(wěn)態(tài)熱成像相比，其可提供更好的信噪比、更高的靈敏度和更高的特征分辨率。LIT可在IC半導(dǎo)體失效分析中用于定位線(xiàn)路短路、ESD缺陷、氧化損壞、缺陷晶體管和二極管以及器件閂鎖。LIT可在自然環(huán)境中進(jìn)行，無(wú)需光屏蔽箱。電激勵(lì)的波形選擇（正弦波、方波等）會(huì)影響熱信號(hào)的特征，鎖相熱成像系統(tǒng)需針對(duì)不同波形優(yōu)化...

在光伏行業(yè)，鎖相熱成像系統(tǒng)成為了太陽(yáng)能電池板質(zhì)量檢測(cè)的得力助手。太陽(yáng)能電池板的質(zhì)量直接影響其發(fā)電效率和使用壽命，而電池片隱裂、焊接不良等問(wèn)題是影響質(zhì)量的常見(jiàn)隱患。鎖相熱成像系統(tǒng)通過(guò)對(duì)電池板施加特定的熱激勵(lì)，能夠敏銳地捕捉到因這些缺陷產(chǎn)生的溫度響應(yīng)差異，尤其是通過(guò)分析溫度響應(yīng)的相位差異，能夠定位到細(xì)微的缺陷。這一技術(shù)的應(yīng)用，幫助制造商及時(shí)發(fā)現(xiàn)生產(chǎn)過(guò)程中的問(wèn)題，有效提高了產(chǎn)品的合格率，為提升太陽(yáng)能組件的發(fā)電效率提供了堅(jiān)實(shí)保障，推動(dòng)了光伏產(chǎn)業(yè)的健康發(fā)展。電激勵(lì)模塊是通過(guò)源表向被測(cè)物體施加周期性方波電信號(hào)，通過(guò)焦耳效應(yīng)使物體產(chǎn)生周期性的溫度波動(dòng)。顯微鎖相紅外熱成像系統(tǒng)平臺(tái)光束誘導(dǎo)電阻變化（OBIRCH...

在實(shí)際應(yīng)用中，這款設(shè)備已成為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的 “故障診斷利器”。在晶圓制造環(huán)節(jié)，它能通過(guò)熱分布成像識(shí)別光刻缺陷導(dǎo)致的局部漏電；在芯片封裝階段，可定位引線(xiàn)鍵合不良引發(fā)的接觸電阻過(guò)熱；針對(duì) IGBT 等功率器件，能捕捉高頻開(kāi)關(guān)下的瞬態(tài)熱行為，提前預(yù)警潛在失效風(fēng)險(xiǎn)。某半導(dǎo)體企業(yè)在檢測(cè)一批失效芯片時(shí)，傳統(tǒng)熱成像設(shè)備能看到模糊的發(fā)熱區(qū)域，而使用致晟光電的一體化設(shè)備后，通過(guò)鎖相技術(shù)發(fā)現(xiàn)發(fā)熱區(qū)域內(nèi)存在一個(gè) 2μm 的微小熱點(diǎn)，終定位為芯片內(nèi)部的金屬離子遷移缺陷 —— 這類(lèi)缺陷若未及時(shí)發(fā)現(xiàn)，可能導(dǎo)致產(chǎn)品在長(zhǎng)期使用中突然失效。快速定位相比其他檢測(cè)技術(shù)，鎖相熱成像技術(shù)能夠在短時(shí)間內(nèi)快速定位熱點(diǎn)，縮短失效分析時(shí)間。T...

電子產(chǎn)業(yè)的存儲(chǔ)器芯片檢測(cè)中，電激勵(lì)的鎖相熱成像系統(tǒng)發(fā)揮著獨(dú)特作用，為保障數(shù)據(jù)存儲(chǔ)安全提供了有力支持。存儲(chǔ)器芯片如 DRAM、NAND Flash 等，是電子設(shè)備中用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的關(guān)鍵部件，其存儲(chǔ)單元的質(zhì)量直接決定了數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的可靠性。存儲(chǔ)單元若存在缺陷，如氧化層擊穿、接觸不良等，會(huì)導(dǎo)致數(shù)據(jù)丟失、讀寫(xiě)錯(cuò)誤等問(wèn)題。通過(guò)對(duì)存儲(chǔ)器芯片施加電激勵(lì)，進(jìn)行讀寫(xiě)操作，缺陷存儲(chǔ)單元會(huì)因電荷存儲(chǔ)異常而產(chǎn)生異常溫度。鎖相熱成像系統(tǒng)能夠定位這些缺陷單元的位置，幫助制造商在生產(chǎn)過(guò)程中篩選出合格的存儲(chǔ)器芯片，提高產(chǎn)品的合格率。例如，在檢測(cè)固態(tài)硬盤(pán)中的 NAND Flash 芯片時(shí)，系統(tǒng)可以發(fā)現(xiàn)存在壞塊的存儲(chǔ)單元區(qū)域，這些區(qū)域...

當(dāng)電子設(shè)備中的某個(gè)元件發(fā)生故障或異常時(shí)，常常伴隨局部溫度升高。熱紅外顯微鏡通過(guò)高靈敏度的紅外探測(cè)器，能夠捕捉到極其微弱的熱輻射信號(hào)。這些探測(cè)器通常采用量子級(jí)聯(lián)激光器等先進(jìn)技術(shù)，或其他高性能紅外傳感方案，具備寬溫區(qū)、高分辨率的成像能力。通過(guò)對(duì)熱輻射信號(hào)的精細(xì)探測(cè)與分析，熱紅外顯微鏡能夠?qū)㈦娮釉O(shè)備表面的溫度分布以高對(duì)比度的熱圖像形式呈現(xiàn)，直觀展現(xiàn)熱點(diǎn)區(qū)域的位置、尺寸及溫度變化趨勢(shì)，從而幫助工程師快速鎖定潛在的故障點(diǎn)，實(shí)現(xiàn)高效可靠的故障排查。鎖相熱紅外電激勵(lì)成像主動(dòng)加熱，適用于定量和深層缺陷檢測(cè)，被動(dòng)式檢測(cè)物體自身溫度變化，用于定性檢測(cè)。致晟光電鎖相紅外熱成像系統(tǒng)售價(jià) 電激勵(lì)的參數(shù)設(shè)置對(duì)鎖相熱成像...

電子產(chǎn)業(yè)的存儲(chǔ)器芯片檢測(cè)中，電激勵(lì)的鎖相熱成像系統(tǒng)發(fā)揮著獨(dú)特作用，為保障數(shù)據(jù)存儲(chǔ)安全提供了有力支持。存儲(chǔ)器芯片如 DRAM、NAND Flash 等，是電子設(shè)備中用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的關(guān)鍵部件，其存儲(chǔ)單元的質(zhì)量直接決定了數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的可靠性。存儲(chǔ)單元若存在缺陷，如氧化層擊穿、接觸不良等，會(huì)導(dǎo)致數(shù)據(jù)丟失、讀寫(xiě)錯(cuò)誤等問(wèn)題。通過(guò)對(duì)存儲(chǔ)器芯片施加電激勵(lì)，進(jìn)行讀寫(xiě)操作，缺陷存儲(chǔ)單元會(huì)因電荷存儲(chǔ)異常而產(chǎn)生異常溫度。鎖相熱成像系統(tǒng)能夠定位這些缺陷單元的位置，幫助制造商在生產(chǎn)過(guò)程中篩選出合格的存儲(chǔ)器芯片，提高產(chǎn)品的合格率。例如，在檢測(cè)固態(tài)硬盤(pán)中的 NAND Flash 芯片時(shí)，系統(tǒng)可以發(fā)現(xiàn)存在壞塊的存儲(chǔ)單元區(qū)域，這些區(qū)域...

在電子產(chǎn)業(yè)的半導(dǎo)體材料檢測(cè)中，電激勵(lì)的鎖相熱成像系統(tǒng)用途，為半導(dǎo)體材料的質(zhì)量提升提供了重要保障。半導(dǎo)體材料的質(zhì)量直接影響半導(dǎo)體器件的性能，材料中存在的摻雜不均、位錯(cuò)、微裂紋等缺陷，會(huì)導(dǎo)致器件的電學(xué)性能和熱學(xué)性能下降。通過(guò)對(duì)半導(dǎo)體材料施加電激勵(lì)，使材料內(nèi)部產(chǎn)生電流，缺陷處由于導(dǎo)電性能和導(dǎo)熱性能的異常，會(huì)產(chǎn)生局部的溫度差異。鎖相熱成像系統(tǒng)能夠敏銳地檢測(cè)到這些溫度差異，并通過(guò)分析溫度場(chǎng)的分布特征，評(píng)估材料的質(zhì)量狀況。例如，在檢測(cè)硅晶圓時(shí)，系統(tǒng)可以發(fā)現(xiàn)晶圓表面的摻雜不均區(qū)域，這些區(qū)域會(huì)影響后續(xù)芯片制造的光刻和刻蝕工藝；在檢測(cè)碳化硅材料時(shí)，能夠識(shí)別出材料內(nèi)部的微裂紋，這些裂紋會(huì)導(dǎo)致器件在高壓工作時(shí)發(fā)生擊...

先進(jìn)的封裝應(yīng)用、復(fù)雜的互連方案和更高性能的功率器件的快速增長(zhǎng)給故障定位和分析帶來(lái)了前所未有的挑戰(zhàn)。有缺陷或性能不佳的半導(dǎo)體器件通常表現(xiàn)出局部功率損耗的異常分布，導(dǎo)致局部溫度升高。RTTLIT系統(tǒng)利用鎖相紅外熱成像進(jìn)行半導(dǎo)體器件故障定位，可以準(zhǔn)確有效地定位這些目標(biāo)區(qū)域。LIT是一種動(dòng)態(tài)紅外熱成像形式，與穩(wěn)態(tài)熱成像相比，其可提供更好的信噪比、更高的靈敏度和更高的特征分辨率。LIT可在IC半導(dǎo)體失效分析中用于定位線(xiàn)路短路、ESD缺陷、氧化損壞、缺陷晶體管和二極管以及器件閂鎖。LIT可在自然環(huán)境中進(jìn)行，無(wú)需光屏蔽箱。本系統(tǒng)對(duì)鎖相處理后的振幅和相位數(shù)據(jù)進(jìn)行分析，生成振幅熱圖和相位熱圖，并通過(guò)算法定位異常...