鈀，是銀白色過渡金屬，較軟，有良好的延展性和可塑性，能鍛造、壓延和拉絲。塊狀金屬鈀能吸收大量氫氣，使體積***脹大，變脆乃至破裂成碎片。 原 子 量：106.4 密 度（20℃）/g?cm-3：12.02 熔 點/℃：1552 蒸發(fā)溫度/℃：1460 沸 點/℃：3140 汽化溫度/℃：1317 比 熱 容（25℃）J?（g?K）-1：0.2443 電 阻 率（0℃）/uΩ?cm：10.6 熔 化 熱/kJ?mol-1：16.7 汽 化 熱/ kJ?mol-1：361.7 熱 導 率（0～100℃）/J?（cm?s?℃）-1：0.753 電阻溫度系數（0～100℃）/℃-1：0.0038 外 觀：銀白色 蒸 發(fā) 源（絲、片）：W（鍍Al2O3） 坩 堝：Al2O3 性 質：與難溶金屬形成合金，閃爍蒸發(fā)，在EB***內激烈飛濺，鈀是銀白色過渡金屬，較軟，有良好的延展性和可塑性，能鍛造、壓延和拉絲。塊狀金屬鈀能吸收大量氫氣，使體積***脹大，變脆乃至破裂成碎片?；瘜W性質不活潑，常溫下在空氣和潮濕環(huán)境中穩(wěn)定，加熱至 800℃，鈀表面形成一氧化鈀薄膜。 二、主要產品： 1、鈀 顆粒 99.99%（點擊查看詳情） 常規(guī)尺寸：φ3*6mm；量大可定做。
由于所使用冷卻水的潔凈程度和設備運行過程中可能會產生的污垢會沉積在陰極冷卻水槽內。杭州硫化鎘靶型號
濺射靶材的分類有哪些？金屬濺射鍍膜靶材，合金濺射鍍膜靶材，陶瓷濺射鍍膜靶材，硼化物陶瓷濺射靶材，碳化物陶瓷濺射靶材，氟化物陶瓷濺射靶材，氮化物陶瓷濺射靶材，氧化物陶瓷靶材，硒化物陶瓷濺射靶材，硅化物陶瓷濺射靶材，硫化物陶瓷濺射靶材，碲化物陶瓷濺射靶材，其他陶瓷靶材，摻鉻一氧化硅陶瓷靶材(Cr-SiO)，磷化銦靶材(InP)，砷化鉛靶材(Pb
As)，砷化銦靶材(InAs)。1.金屬靶材：鎳靶、Ni、鈦靶、T濺射靶材i、鋅靶、Zn、鉻靶、Cr、鎂靶、Mg、鈮靶、Nb、錫靶、Sn、鋁靶、Al、銦靶、In、鐵靶、Fe、鋯鋁靶、ZrAl、鈦鋁靶、TiAl、鋯靶、Zr、鋁硅靶、AlSi、硅靶、Si、銅靶Cu、鉭靶T、a、鍺靶、Ge、銀靶、Ag、鈷靶、Co、金靶、Au、釓靶、Gd、鑭靶、La、釔靶、Y、鈰靶、Ce、鎢靶、w、濺射靶材不銹鋼靶、鎳鉻靶、NiCr、鉿靶、Hf、鉬靶、Mo、鐵鎳靶、FeNi、鎢靶、W等。
硒化銻靶靶中毒的解決辦法：采用閉環(huán)控制反應氣體的通入量。
有些陰極設計是與陽極的空隙較小，所以在安裝靶材時需要確保陰極與陽極之間沒有接觸也不能存在導體，否則會產生短路。請參考設備商操作手冊中關于如何正確安裝靶材的相關信息。在收緊靶材夾具時，請先用手轉緊一顆鏍栓，再用手轉緊對角線上的另外一顆鏍栓，如此重復直到安裝上所有鏍栓后，再用工具收緊。七．濺射靶材的制備方法有哪些？濺射靶材是指通過磁控濺射、多弧離子鍍或其他類型的鍍膜設備在適當工藝條件下濺射沉積在基板上形成各種功能薄膜的濺射源。濺射靶材廣泛應用于裝飾、工模具、玻璃、電子器件、半導體、磁記錄、平面顯示、太陽能電池等眾多領域，不同領域需要的靶材各不相同。
磁控靶材面積與承載功率范圍 1、靶材面積與承載功率范圍 (1) 圓形平面磁控靶功率密度范圍一般為1~25瓦/cm2。 (2)矩形平面磁控靶功率密度范圍一般為1~36瓦/cm2。 (3)柱狀磁控靶、錐形平面磁控靶功率密度范圍一般為40~50瓦/cm2。 2、磁控靶實際承載功率 磁控靶的實際的承載功率除了與濺射工藝、薄膜的質量要求等因數有關外，主要與靶的冷卻狀況和散熱條件密切相關。磁控靶按其冷卻散熱方式的不同，分為“靶材直接水冷卻”和“靶材間接水冷卻”兩種。 考慮到濺射靶長期使用老化后，其散熱條件變差;兼顧各種不同靶材材質的散熱系數的不同，磁控靶的使用時的承載功率，直接水冷卻靶實際的承載大功率可按略小于功率密度范圍的上限選取;間接水冷卻靶的實際承載大功率可按功率密度范圍上限值的二分之一左右選取。 磁控靶材(主要是Cu，Ag，黃銅(Brass)和Al青銅(Al bronze) “自濺射”時，一般是選用經過專門設計“靶材直接水冷卻”的磁控濺射靶。其使用時的承載功率，均需大于靶功率密度范圍的上限值(即>100W/cm2以上)。濺射靶材安裝過程中**重要的注意事項是一定要確保在靶材和濺射冷卻壁之間建立很好的導熱連接。
磁控濺射鍍膜中出現膜層不良的表現有哪些，如何改善？ 1.脫膜主要表現：點狀/片狀膜層脫落 原因分析：雜質附著，清洗殘留，真空室臟，臟污、油斑、灰點、口水點， 膜層局部附著不良等。 改善：加強清洗，加強烘烤，環(huán)境管控（清潔干燥），對于多層膜系，底層須與基材匹配（吸附力、硬度、熱膨脹）。 2.裂紋/暴膜主要表現： 網狀裂痕/龜裂/起泡脫膜，出爐外觀OK，放置一段時間后爆裂/起泡脫膜。 原因分析：鍍膜過程基材加熱不充分，成膜后及出爐后降溫過快，膜層應力累積， 膜層與基材不匹配，多層膜之間參數不匹配。 改善： 基材充分預熱加熱；增加離子輔助，減小應力；鍍膜緩慢降溫；底層須與基材匹配；多層膜之間參數不突變。 3，色差主要表現：同爐產品顏色不一致 原因分析及改善：靶材分布；布氣；磁場；遮擋。使進氣流量控制在產生靶中毒的前沿，確保工藝過程始終處于沉積速率陡降前的模式。南通釕酸鍶靶
不同用途的靶材對不同雜質含量的要求也不同。杭州硫化鎘靶型號
PVD技術常用的方法PVD基本方法：真空蒸發(fā)、濺射、離子鍍（空心陰極離子鍍、熱陰極離子鍍、電弧離子鍍、活性反應離子鍍、射頻離子鍍、直流放電離子鍍），以下介紹幾種常用的方法。電子束蒸發(fā)電子束蒸發(fā)是利用聚焦成束的電子束來加熱蒸發(fā)源，使其蒸發(fā)并沉積在基片表面而形成薄膜。濺射沉積濺射是與氣體輝光放電相聯(lián)系的一種薄膜沉積技術。濺射的方法很多，有直流濺射、RF濺射和反應濺射等，而用得較多的是磁控濺射、中頻濺射、直流濺射、RF濺射和離子束濺射。RF(射頻)濺射RF濺射使用的頻率約為13.56MHz，它不需要熱陰極，能在較低的氣壓和較低的電壓下進行濺射。RF濺射不可以沉積金屬膜，而且可以沉積多種材料的絕緣介質膜，因而使用范圍較廣。電弧離子鍍陰極弧技術是在真空條件下，通過低電壓和高電流將靶材離化成離子狀態(tài)，從而完成薄膜材料的沉積，該技術材料的離化率更高，薄膜性能更加優(yōu)異。杭州硫化鎘靶型號
江陰典譽新材料科技有限公司地處江蘇省江陰市，是一家專業(yè)生產濺射靶材和蒸發(fā)材料的公司，濺射靶材充分借鑒國外的先進技術，并通過與國內外**研發(fā)機構合作，整合各行業(yè)資源優(yōu)勢，生產出多系列***濺射靶材產品。 公司目前主要生產金屬，合金，陶瓷三大類靶材產品。經過幾年的發(fā)展和技術積累，已經擁有：真空熱壓，冷壓燒結，真空熔煉，熱等靜壓，等離子噴涂等技術。另外也可根據客戶要求研發(fā)新型靶材并提供靶材金屬化、綁定和背板服務。 江陰典譽新材料科技有限公司已為以下行業(yè)提供***的靶材：平面顯示、裝飾與工具、太陽能光伏和光熱、電子和半導體、建筑與汽車玻璃大面積鍍膜等工業(yè)領域。同時也為國內外各大院校和研究所提供了很多常規(guī)和新型的試驗用靶材。 江陰典譽目前擁有真空熱壓爐兩臺，冷壓燒結爐一臺，真空熔煉設備兩臺，等靜壓設備一臺，等離子噴涂兩套，綁定平臺兩套，各類機加工設備七臺，檢驗設備若干，確保出廠的每件產品都能達到甚至超過客戶的預期。 江陰典譽秉承：“一切以客戶的需求為導向，客戶的所有需求一次做好。”的發(fā)展理念。