磁控濺射制備非晶硅薄膜 本實驗采用石英玻璃為襯底，實驗前先將玻璃襯底浸泡在溶液中，放到JHN- 4F(200 W)超聲波清洗機清洗30 min;然后用分析乙醇同樣在超聲波清洗機中清洗30 min; 放入裝有去離子水的燒杯中在超聲波清洗器中清洗約30 min 后晾干。然后以高純硅為靶材在JGP500型超高真空磁控濺射設(shè)備上，分別采用直流和射頻方式制備了兩塊樣品。在濺射前，預(yù)濺射5 min以除去靶材表面氧化物。1# 樣品采用直流磁控濺射方式， 濺射功率為100 W， 本底真空度6×10- 4 Pa ， 濺射時間20 min，濺射氣壓0.5 Pa，襯底溫度為室溫。2#樣品采用射頻磁控濺射方式，濺射功率150 W，本底真空度6×10- 4 Pa，濺射時間120 min，濺射氣壓2.0 Pa，襯底溫度為室溫。樣品1# 和2# 均切為3 小塊，其中各保留一小塊不做退火處理，其他的小塊樣品處理情況為1#750℃、1#850℃，2#750℃、2#850℃在馬弗爐中退火1h。將1# 和2#未處理樣品用拉曼激光誘導(dǎo)方法，研究非晶硅薄膜的晶化過程。
金屬靶表面氧化或有不清潔物質(zhì)，打磨清理干凈后即可。銅鋁靶材貼合
高純金屬的純度分析原則： 高純金屬材料的純度一般用減量法衡量。減量計算的雜質(zhì)元素主要是金屬雜質(zhì)，不包括C ,O ,N ,H等間隙元素，但是間隙元素的含量也是重要的衡量指標(biāo)，一般單獨提出。依應(yīng)用背景的不同，要求進(jìn)行分析的雜質(zhì)元素種類少則十幾種, 多則70多種。簡單的說高純金屬是幾個N(九) 并不能真正的表達(dá)其純度, 只有提供雜質(zhì)元素和間隙元素的種類及其含量才能明確表達(dá)高純金屬的純度水平。 高純金屬的純度檢測應(yīng)以實際應(yīng)用需要作為主要標(biāo)準(zhǔn)，例如目前工業(yè)電解鈷的純度一般接99.99 % ,而且檢測的雜質(zhì)元素種類較少。我國電解鈷的有色金屬行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)(YS/ T25522000)要求分析C ,S ,Mn , Fe, Ni , Cu , As , Pb , Zn , Si , Cd , Mg , P , Al , Sn ,Sb , Bi等17 個雜質(zhì)元素, Co9998電解鈷的雜質(zhì)總量不超過0.02，但這仍然不能滿足功能薄膜材料材料的要求[2]。
湖北SrMnO3靶材通常是放熱反應(yīng)，反應(yīng)生成熱必須有傳導(dǎo)出去的途徑，否則，該化學(xué)反應(yīng)無法繼續(xù)進(jìn)行。
磁控濺射鍍膜中出現(xiàn)膜層不良的表現(xiàn)有哪些，如何改善？ 1.脫膜主要表現(xiàn)：點狀/片狀膜層脫落 原因分析：雜質(zhì)附著，清洗殘留，真空室臟，臟污、油斑、灰點、口水點， 膜層局部附著不良等。 改善：加強清洗，加強烘烤，環(huán)境管控（清潔干燥），對于多層膜系，底層須與基材匹配（吸附力、硬度、熱膨脹）。 2.裂紋/暴膜主要表現(xiàn)： 網(wǎng)狀裂痕/龜裂/起泡脫膜，出爐外觀OK，放置一段時間后爆裂/起泡脫膜。 原因分析：鍍膜過程基材加熱不充分，成膜后及出爐后降溫過快，膜層應(yīng)力累積， 膜層與基材不匹配，多層膜之間參數(shù)不匹配。 改善： 基材充分預(yù)熱加熱；增加離子輔助，減小應(yīng)力；鍍膜緩慢降溫；底層須與基材匹配；多層膜之間參數(shù)不突變。 3，色差主要表現(xiàn)：同爐產(chǎn)品顏色不一致 原因分析及改善：靶材分布；布?xì)?；磁場；遮擋?
作為本發(fā)明 的技術(shù)方案，所述靶材組件還包括用于固定靶材的背板。作為本發(fā)明 的技術(shù)方案，所述靶材呈凹形結(jié)構(gòu)。作為本發(fā)明 的技術(shù)方案，所述靶材包括用于濺射的濺射面。 地，所述濺射面包括***平、第二平面和斜面。作為本發(fā)明 的技術(shù)方案，所述斜面與水平面的夾角≤10°，例如可以是10°、9°、8°、7°、6°、5°、4°、3°、2°或1°等，但不限于所列舉的數(shù)值，該范圍內(nèi)其他未列舉的數(shù)值同樣適用。作為本發(fā)明 的技術(shù)方案，所述斜面位于所述***平面和第二平面之間。 地，所述***平面為圓形。 地，所述第二平面為環(huán)形。作為本發(fā)明 的技術(shù)方案，所述靶材的材質(zhì)包括鋁、鉭、鈦或銅中的一種。作為本發(fā)明 的技術(shù)方案，所述背板的材質(zhì)包括銅和/或鋁。作為本發(fā)明 的技術(shù)方案，所述靶材表面的比較高點和比較低點的垂直距離為；所述靶材表面的硬度為20-30hv。在真空條件下氣體之間不可能進(jìn)行熱傳導(dǎo)，所以，化學(xué)反應(yīng)必須在一個固體表面進(jìn)行。
為什么需在真空中鍍膜？ 在常壓下蒸鍍膜料無法形成理想的薄膜，事實上，如在壓力不夠低 ( 或者說真空度不夠高 ) 的情況下同樣得不到好的結(jié)果， 比如在10 2托數(shù)量級下蒸鍍鋁，得到的膜層不但不光亮，甚至發(fā)灰、發(fā)黑，而且機械強度極差，用松鼠毛刷輕輕一刷即可將鋁層破壞。 蒸鍍必須在一定的真空條件下進(jìn)行，這是因為： （1）較高的真空度可以保證汽化分子的平均自由程大于蒸發(fā)源到基底的距離。 由于氣體分子的熱運動，分子之間的碰撞也是極其頻繁的，所以盡管氣體分子運動的速度相當(dāng)?shù)母?( 可達(dá)每秒幾百米 ) 。 （2）在較高的真空度下可以減少殘余氣體的污染在真空度不太高的情況下， 真空室內(nèi)含有眾多的殘余氣體分子( 氧、氮、水及碳?xì)浠衔锏?) ，它們能給薄膜的鍍制帶來極大的危害。它們與汽化的膜料分子碰撞使平均自由程變短；它們與正在成膜的表面碰撞并與之反應(yīng)； 它們隱藏在已形成的薄膜中逐漸侵蝕薄膜；它們與蒸發(fā)源高溫化合減少其使用壽命；它們在已蒸發(fā)的膜料表面上形成氧化層使蒸鍍過程不能順利進(jìn)行……。靶材密度越高，薄膜的性能越好。南通ZrCu靶材型號
所以如果是表面容易變質(zhì)的靶材，如果不拋光去除表面變質(zhì)部分，沉積到基材上的膜層性質(zhì)就是表面變質(zhì)的雜質(zhì)。銅鋁靶材貼合
在上述具體實施方式中所描述的各個具體技術(shù)特征，在不矛盾的情況下，可以通過任何合適的方式進(jìn)行組合，為了避免不必要的重復(fù)，本發(fā)明對各種可能的組合方式不再另行說明。此外，本發(fā)明的各種不同的實施方式之間也可以進(jìn)行任意組合，只要其不違背本發(fā)明的思想，其同樣應(yīng)當(dāng)視為本發(fā)明所公開的內(nèi)容。本發(fā)明涉及靶材領(lǐng)域，具體涉及一種長壽命靶材組件。目前，現(xiàn)有的半導(dǎo)體濺射用ilc1013系列靶材的濺射壽命已經(jīng)到了一個極限，為提高靶材的使用壽命，節(jié)省多次更換靶材的重復(fù)性?，F(xiàn)有的技術(shù)都是通過磁場強度，把靶材表面設(shè)計成曲面來延長壽命，包括靶材本體及基體，所述基體的至少一面設(shè)有所述靶材本體，所述靶材本體是由高純度靶材合金粉末通過等離子弧噴涂機噴涂熔焊在所述基體上。所述基體與所述靶材本體的結(jié)合面為呈內(nèi)凹的圓弧面。所述基體為矩形體或圓形。所述靶材的制造方法步驟如下：(1)準(zhǔn)備合金粉體；(2)準(zhǔn)備基體；(3)等離子轉(zhuǎn)移弧噴涂成型；(4)、清理被噴涂層表面，按照步驟(3)的要求再次噴涂處理，直至獲得要求厚度的靶材。本發(fā)明有益效果在于：一是生產(chǎn)的靶材無氣孔殘留；二是生產(chǎn)設(shè)備簡單、投資??；三是靶材可以修復(fù)再利用。銅鋁靶材貼合
江陰典譽新材料科技有限公司地處江蘇省江陰市，是一家專業(yè)生產(chǎn)濺射靶材和蒸發(fā)材料的公司，濺射靶材充分借鑒國外的先進(jìn)技術(shù)，并通過與國內(nèi)外**研發(fā)機構(gòu)合作，整合各行業(yè)資源優(yōu)勢，生產(chǎn)出多系列***濺射靶材產(chǎn)品。 公司目前主要生產(chǎn)金屬，合金，陶瓷三大類靶材產(chǎn)品。經(jīng)過幾年的發(fā)展和技術(shù)積累，已經(jīng)擁有：真空熱壓，冷壓燒結(jié)，真空熔煉，熱等靜壓，等離子噴涂等技術(shù)。另外也可根據(jù)客戶要求研發(fā)新型靶材并提供靶材金屬化、綁定和背板服務(wù)。 江陰典譽新材料科技有限公司已為以下行業(yè)提供***的靶材：平面顯示、裝飾與工具、太陽能光伏和光熱、電子和半導(dǎo)體、建筑與汽車玻璃大面積鍍膜等工業(yè)領(lǐng)域。同時也為國內(nèi)外各大院校和研究所提供了很多常規(guī)和新型的試驗用靶材。 江陰典譽目前擁有真空熱壓爐兩臺，冷壓燒結(jié)爐一臺，真空熔煉設(shè)備兩臺，等靜壓設(shè)備一臺，等離子噴涂兩套，綁定平臺兩套，各類機加工設(shè)備七臺，檢驗設(shè)備若干，確保出廠的每件產(chǎn)品都能達(dá)到甚至超過客戶的預(yù)期。 江陰典譽秉承：“一切以客戶的需求為導(dǎo)向，客戶的所有需求一次做好?！钡陌l(fā)展理念。