本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種靶材拋光裝置。背景技術(shù)：濺射鍍膜屬于物相沉積方法制備薄膜的工藝之一，具體是指利用高能粒子轟擊靶材表面，使得靶材原子或分子獲得足夠的能量逸出，并沉積在基材或工件表面，從而形成薄膜。由于背板具有良好的導(dǎo)電導(dǎo)熱性能，且還可以起到固定支撐作用，因此，靶材在鍍膜前需與背板焊接在一起，然后共同裝配至濺射基臺。一般活性金屬靶材，例如鋁靶材，由于長期暴露在空氣中，靶材表面材料容易氧化形成一層氧化皮。在直流脈沖、中頻濺射過程中，離子撞擊的能量不足以破壞該氧化皮，導(dǎo)致靶材原子或分子難以逸出，因此在將靶材安裝至濺射基臺之前，需要對靶材表面進行拋光。此外，對于活性金屬靶材及非活性金屬靶材，拋光操作有利于改善靶材的濺射速率的穩(wěn)定性，有助于提高濺射鍍膜質(zhì)量。目前業(yè)內(nèi)通常采用人工手動對靶材表面進行拋光，即操作人員手持砂紙對靶材的各個表面進行拋光，作業(yè)效率低。對于所有的金屬來說，純度是靶材的主要性能指標(biāo)之一，靶材的純度對后期產(chǎn)品薄膜的性能影響很大。AlLiCoO2靶材貼合
中頻雙靶反應(yīng)磁控濺射與直流反應(yīng)磁控濺射相比具有以下幾個顯巨優(yōu)點： (1)消除了靶面打弧放電現(xiàn)象，中頻反應(yīng)磁控濺射鍍制的絕緣薄膜與直流反應(yīng)磁控濺射鍍制的同種膜相比，膜面缺 陷要少幾個數(shù)量級; (2)可以得到比直流反應(yīng)磁控濺射高出數(shù)倍的濺射沉積速率; (3)中頻雙靶反應(yīng)磁控濺射的整個濺射沉積過程，可以始終穩(wěn)定在所設(shè)定的工作點上，為大規(guī)模工業(yè)化穩(wěn)定生產(chǎn)提供了條件。 選用非對稱雙極脈沖靶電源與選用“雙靶-中頻靶電源”不同，使用單個磁控靶進行反應(yīng)磁控濺射，調(diào)節(jié)相應(yīng)的鍍膜工藝參數(shù)，可以消除磁控靶面打弧放電現(xiàn)象和實現(xiàn)長時間穩(wěn)定的薄膜沉積，可以達到上述“中頻-雙靶反應(yīng)磁控濺射”的同樣效果。
揚州碳化鉬靶材真空鍍膜中靶材中毒會出現(xiàn)哪些想象，如何解決？
熔融鑄造法：熔融鑄造法是制作濺射靶材的基本方法之一。為保證鑄錠中雜質(zhì)元素含量盡可能低，通常其冶煉和澆注在真空或保護性氣氛下進行。但鑄造過程中，材料組織內(nèi)部難免存在一定的孔隙率，這些孔隙會導(dǎo)致濺射過程中的微粒飛濺，從而影響濺射薄膜的質(zhì)量。為此，需要后續(xù)熱加工和熱處理工藝降低其孔隙率。八．購買靶材的注意事項有哪些許多用戶在采購靶材時沒有從專業(yè)的角度去考慮，下面為大家指出購買靶材時需要注意的事項。對于所有的金屬來說，純度是靶材的主要性能指標(biāo)之一，靶材的純度對后期產(chǎn)品薄膜的性能影響很大。但是每一個產(chǎn)品對靶材的純度要求也有不相同的地方。
靶材拋光裝置100還包括：防護層400，所述防護層400位于所述固定板200與所述拋光片300之間。防護層400為彈性材料，能夠在所述固定板200及靶材間提供緩沖，避免所述固定板200觸撞靶材導(dǎo)致靶材受損。防護層400的厚度為30mm～35mm。若所述防護層400的厚度過小，所述防護層400起到的緩沖效果差，難以有效的保護靶材。若所述防護層400的厚度過大，使得所述防護層400的體積過大，進而造成所述靶材拋光裝置100的體積過大，對操作者使用所述靶材拋光裝置100帶來不必要的困難。防護層400的材料。在其他實施例中，所述防護層的材料還可以為橡膠或棉花。防護層400與所述固定板200間通過粘結(jié)劑相粘接。所述防護層400與所述拋光片300間也通過粘結(jié)劑相粘接。在其他實施例中，所述拋光片朝向所述防護層的表面上具有勾刺結(jié)構(gòu)，所述防護層與所述拋光片間通過所述勾刺結(jié)構(gòu)相固定。不拋光去除表面變質(zhì)部分，沉積到基材上的膜層性質(zhì)就是表面變質(zhì)的雜質(zhì)。
直流磁控濺射制備鋅-銻熱電薄膜的技術(shù)探討 熱電材料是一種能夠?qū)崿F(xiàn)熱能和電能直接相互轉(zhuǎn)換的綠色環(huán)保型功能材料。近年來研究發(fā)現(xiàn)，熱電薄膜化有助于熱電材料減低熱導(dǎo)率，從而能夠有效的提高材料的熱電轉(zhuǎn)換效率，因此具有十分重要的科學(xué)研究價值。Zn-Sb合金是采用的P 型熱電半導(dǎo)體材料之一，但由于其較低的熱電優(yōu)值，所以沒有得到普遍的應(yīng)用。 但近幾年研究發(fā)現(xiàn)，在263 K~767K 溫度區(qū)間穩(wěn)定存在的β-Zn4Sb3 具有非常優(yōu)異的熱電性能，材料少含稀土材料以及可適用于中溫，被國內(nèi)外認為是具有前景的中溫?zé)犭姴牧现弧Ｒ虼?，本文選取純度為99.99%的Zn 和Sb 金屬靶作為靶材，采用直流磁控共濺射技術(shù)，制備Zn-Sb 合金熱電薄膜，研究不同熱處理條件下合成的Zn-Sb 化合物熱電薄膜的結(jié)構(gòu)與熱電特性變化規(guī)律。 結(jié)果表明，選取適當(dāng)?shù)臑R射Zn和Sb的功率條件，濺射完成合金薄膜后在Ar 氣氛下進行623 K 退火熱處理，可形成具有單一β-Zn4Sb3相結(jié)構(gòu)的Zn-Sb 熱電薄膜，且薄膜顆粒大，較致密，所制備的熱電薄膜具有優(yōu)良的熱電性能。濺射靶材的制備按工藝可分為熔融鑄造和粉末冶金兩大類。武漢CrAl靶材調(diào)試
為確保足夠的導(dǎo)熱性，可以在陰極冷卻壁與靶材之間加墊一層石墨紙。AlLiCoO2靶材貼合
磁控靶濺射沉積率的影響因素 濺射沉積率是表征成膜速度的參數(shù)，其沉積率高低除了與工作氣體的種類與壓力、靶材種類與“濺射刻蝕區(qū)“的面積大小、靶面溫度與靶面磁場強度、靶源與基片的間距等影響因素外，還受靶面的功率密度，亦即靶電源輸出的“濺射電壓與電流”兩個重要因素的直接影響。 1、濺射電壓與沉積率 在影響濺射系數(shù)的諸因數(shù)中，當(dāng)靶材、濺射氣體等業(yè)已選定之后，比較起作用的就是磁控靶的放電電壓。一般來說，在磁控濺射正常工藝范圍內(nèi)，放電電壓越高，磁控靶的濺射系數(shù)就越大。 2、濺射電流與沉積率 磁控靶的濺射電流與靶面離子流成正比，因此對沉積率的影響比電壓要大得多。增加濺射電流的辦法有兩個：一個是提高工作電壓;另一個是適當(dāng)提高工作氣體壓力。 3、濺射功率與沉積率 一般來說，磁控靶的濺射功率增高時，薄膜的沉積率速率也會變大;這里有一個先決條件，就是：加在磁控靶的濺射電壓足夠高，使工作氣體離子在陰-陽極間電場中獲得的能量，足以大過靶材的“濺射能量閥值”。
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江陰典譽新材料科技有限公司地處江蘇省江陰市，是一家專業(yè)生產(chǎn)濺射靶材和蒸發(fā)材料的公司，濺射靶材充分借鑒國外的先進技術(shù)，并通過與國內(nèi)外**研發(fā)機構(gòu)合作，整合各行業(yè)資源優(yōu)勢，生產(chǎn)出多系列***濺射靶材產(chǎn)品。 公司目前主要生產(chǎn)金屬，合金，陶瓷三大類靶材產(chǎn)品。經(jīng)過幾年的發(fā)展和技術(shù)積累，已經(jīng)擁有：真空熱壓，冷壓燒結(jié)，真空熔煉，熱等靜壓，等離子噴涂等技術(shù)。另外也可根據(jù)客戶要求研發(fā)新型靶材并提供靶材金屬化、綁定和背板服務(wù)。 江陰典譽新材料科技有限公司已為以下行業(yè)提供***的靶材：平面顯示、裝飾與工具、太陽能光伏和光熱、電子和半導(dǎo)體、建筑與汽車玻璃大面積鍍膜等工業(yè)領(lǐng)域。同時也為國內(nèi)外各大院校和研究所提供了很多常規(guī)和新型的試驗用靶材。 江陰典譽目前擁有真空熱壓爐兩臺，冷壓燒結(jié)爐一臺，真空熔煉設(shè)備兩臺，等靜壓設(shè)備一臺，等離子噴涂兩套，綁定平臺兩套，各類機加工設(shè)備七臺，檢驗設(shè)備若干，確保出廠的每件產(chǎn)品都能達到甚至超過客戶的預(yù)期。 江陰典譽秉承：“一切以客戶的需求為導(dǎo)向，客戶的所有需求一次做好。”的發(fā)展理念。