真空離子鍍耐高溫性能： 航空零件，特別是許多發(fā)動機零件往往需要在高溫下工作。例如渦輪葉片及導(dǎo)向葉片工作溫度通常在攝氏一千度左右，有的甚至達攝氏一千四百度。神話小說《西游記》里孫悟空被太上老君放在爐內(nèi)燒煉時，恐怕也達不到這么高的溫度吧?，F(xiàn)代航空發(fā)動機零件在這樣高的溫度下工作，依賴零件基體材料本身的性能是很難滿足要求的。那么，發(fā)動機零件怎樣才能不怕高溫燒蝕呢?目前除在零件結(jié)構(gòu)上采取措施(如采用空心冷卻葉片、發(fā)散冷卻葉片等)以外，大都需用耐熱鍍層進行保護。離子鍍對于沉積耐熱膜有相當多的優(yōu)點，能鍍各種高熔點材料，如氧化鋁、氧化硅、氧化鈹、鉿合金等。合金鍍層的成份也比較容易控制，適合于鍍成分較復(fù)雜的耐熱合金，如鐵鉻鋁釔，鈷鉻鋁釔或鎳鉻鋁釔合金等。 目前渦輪葉片是試圖采用離子鍍耐熱鍍層的主要對象。據(jù)悉，有一種葉片用此法鍍復(fù)一種鎳鉻鋁釔合金后，其高溫工作壽命比鍍鋁提高了三倍。適于采用離子鍍耐熱鍍層的發(fā)動機零件還有渦輪盤、氣缸活塞零件等。有些零件經(jīng)過這種先進工藝處理后，可在高溫下工作上千小時。換靶材后需要重新調(diào)功率匹配器的，只有功率匹配調(diào)好了才能正常起輝。揚州鈮靶材工廠
靶材材質(zhì)對靶濺射電壓的影響：1.在真空條件不變的條件下,不同材質(zhì)與種類靶材對磁控靶的正常濺射電壓會產(chǎn)生一定的影響。2.常用的靶材(如銅Cu、鋁Al、鈦Ti?)的正常濺射電壓一般在400~600V的范圍內(nèi)。3.有的難濺射的靶材(如錳Mn、鉻Cr等)的濺射電壓比較高,一般需>700V以上才能完成正常磁控濺射過程;而有的靶材(如氧化銦錫ITO)的濺射電壓比較低，可以在200多伏電壓時實現(xiàn)正常的磁控濺射沉積鍍膜。4.實際鍍膜過程中，由于工作氣體壓力變化，或陰極與陽極間距偏小(使真空腔體內(nèi)阻抗特性發(fā)生變化)，或真空腔體與磁控靶的機械尺寸不匹配，同時選用了輸出特性較軟的靶電源等原因，導(dǎo)致磁控靶的濺射電壓(即靶電源輸出電壓)遠低于正常濺射示值，則可能會出現(xiàn)靶前存雖然呈現(xiàn)出很亮的光圈，就是不能見到靶材離子相應(yīng)顏色的泛光，以至不能濺射成膜的狀況。
杭州銦錫靶材靶面金屬化合物的形成。
由于操作人員同時對靶材側(cè)壁表面及經(jīng)圓角處理的側(cè)棱進行拋光，因此操作人員施加在靶材側(cè)壁表面及側(cè)棱上的力度差異小，拋光工藝結(jié)束后，靶材側(cè)壁表面及經(jīng)圓角處理的側(cè)棱表面具有相近似甚至完全相同的平整度，使得拋光表面具有良好的均一性，有助于改善濺射鍍膜質(zhì)量。若分步驟對靶材側(cè)壁表面及經(jīng)圓角處理的側(cè)棱表面進行拋光，操作人員在兩個步驟中施加的力度容易差別較大，造成拋光處理后，靶材側(cè)壁表面與側(cè)棱表面粗糙度差異大，使得靶材側(cè)壁表面與側(cè)棱表面交接處具有臺階。在濺射鍍膜過程中，所述臺階容易導(dǎo)致前列放電，影響濺射鍍膜的均一性，造成鍍膜質(zhì)量差。拋光片部分310的厚度均勻。所述拋光片第三部分330的厚度均勻。位于所述固定板200彎折處的所述拋光片300的厚度不均，即所述拋光片第二部分320的厚度不均。拋光片部分310的厚度與所述拋光片第三部分330的厚度相等，均為2mm～3mm。拋光片部分310、拋光片第二部分320及拋光片第三部分330為分體的。在其他實施例中，所述拋光片部分、拋光片第二部分及拋光片第三部分還可以為一體成型。
拋光片300包括拋光片部分310、拋光片第二部分320及拋光片第三部分330。所述拋光片部分310設(shè)置于所述頂板210的底部。所述拋光片第二部分320設(shè)置于所述頂板210與所述側(cè)板220的拐角處，且在所述拋光片部分310及拋光片第三部分330間平滑的過渡。所述拋光片第三部分330設(shè)置于所述側(cè)板220的內(nèi)側(cè)面上，所述拋光片第三部分330表面與拋光片部分310表面垂直。拋光片第二部分320呈弧狀，與經(jīng)圓角處理的靶材側(cè)棱相匹配，可對靶材側(cè)棱進行拋光。所述拋光片第三部分330表面為平整的平面，能夠?qū)Π胁膫?cè)壁表面進行拋光。因此所述靶材拋光裝置100能夠同時對靶材側(cè)壁表面及經(jīng)圓角處理的側(cè)棱進行拋光，有助于提高拋光作業(yè)效率。
壓靶蓋旋的過緊，沒有和靶材之間留下適當?shù)木嚯x，調(diào)整距離即可。
靶中毒現(xiàn)象：正離子堆積：靶中毒時，靶面形成一層絕緣膜，正離子到達陰極靶面時由于絕緣層的阻擋，不能直接進入陰極靶面，而是堆積在靶面上，容易產(chǎn)生冷場致弧光放電---打弧，使陰極濺射無法進行下去。（2）陽極消失：靶中毒時，接地的真空室壁上也沉積了絕緣膜，到達陽極的電子無法進入陽極，形成陽極消失現(xiàn)象。靶中毒的物理解釋：一般情況下，金屬化合物的二次電子發(fā)射系數(shù)比金屬的高，靶中毒后，靶材表面都是金屬化合物，在受到離子轟擊之后，釋放的二次電子數(shù)量增加，提高了空間的導(dǎo)通能力，降低了等離子體阻抗，導(dǎo)致濺射電壓降低。從而降低了濺射速率。一般情況下磁控濺射的濺射電壓在400V-600V之間，當發(fā)生靶中毒時，濺射電壓會明顯降低。金屬靶材與化合物靶材本來濺射速率就不一樣，一般情況下金屬的濺射系數(shù)要比化合物的濺射系數(shù)高，所以靶中毒后濺射速率低。（3）反應(yīng)濺射氣體的濺射效率本來就比惰性氣體的濺射效率低，所以反應(yīng)氣體比例增加后，綜合濺射速率降低。在真空條件下氣體之間不可能進行熱傳導(dǎo)，所以，化學(xué)反應(yīng)必須在一個固體表面進行。杭州銦錫靶材
陽極消失：靶中毒時，接地的真空室壁上也沉積了絕緣膜，到達陽極的電子無法進入陽極，形成陽極消失現(xiàn)象。揚州鈮靶材工廠
什么是DLC薄膜？ 類金剛石薄膜通常又被人們稱為DLC薄膜，是英文詞匯Diamond Like Carbon的簡稱，它是一類性質(zhì)近似于金剛石，具有高硬度，高電阻率。良好光學(xué)性能等，同時又具有自身獨特摩擦學(xué)特性的非晶碳薄膜。碳元素因碳原子和碳原子之間的不同結(jié)合方式，從而使其終產(chǎn)生不同的物質(zhì)：金剛石（diamond）—碳碳以 sp3鍵的形式結(jié)合；石墨（graphite）—碳碳以sp2鍵的形式結(jié)合。 而類金剛石（DLC）—碳碳則是以sp3和sp2鍵的形式結(jié)合，生成的無定形碳的一種亞穩(wěn)定形態(tài)，它沒有嚴格的定義，可以包括很寬性質(zhì)范圍的非晶碳，因此兼具了金剛石和石墨的優(yōu)良特性；所以由類金剛石而來的DLC膜同樣是一種亞穩(wěn)態(tài)長程無序的非晶材料，碳原子間的鍵合方式是共價鍵，主要包含sp2和sp3兩種雜化鍵，而在含氫的DLC膜中還存在一定數(shù)量的C-H鍵。
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