合肥鋯鈦靶

來源: 發(fā)布時間:2021-09-12

等離子預(yù)處理工藝在真空鍍鋁膜中的應(yīng)用。 等離子體是電離了的氣體。它由電子、離子和中性粒子3種成分組成,其中電子和離子的電荷總數(shù)基本相等,故整體是電中性的。在基材薄膜鍍鋁前,通過等離子處理裝置將電離的等離子體中的電子或離子打到基材薄膜表面,一方面,可以打開材料的長分子鏈,出現(xiàn)高能基團;另一方面,經(jīng)打擊使薄膜表面出現(xiàn)細(xì)小的凹陷,同時還可使表面雜質(zhì)離解、重解。電離時放出的臭氧有強氧化性,附著的雜質(zhì)被氧化而除去,使鍍鋁基材薄膜的表面自由能提高,達(dá)到提高鍍鋁層附著牢度的目的。 等離子預(yù)處理技術(shù)在不同公司其稱呼不同,如英國Bobst公司、德國Leybold Optic萊寶光電等稱之為等離子預(yù)處理,美國Applied Material公司稱之為輝光放電,英國Rexam公司為其注冊商標(biāo)為Camplus技術(shù)。另外,不同公司其使用的工藝氣體的組分也有所不同,多數(shù)公司使用氧氣和氬氣的組合,也有少數(shù)公司使用氮氣或氧氣與氮氣的組合。實踐證明經(jīng)過等離子處理后的薄膜其鍍鋁層附著牢度可以提高30-50%,且表現(xiàn)為非極性材料提高幅度高于極性材料。靶材的密度不僅影響濺射速率,還影響著薄膜的電學(xué)和光學(xué)性能。合肥鋯鈦靶

影響磁控靶濺射電壓的主要因素有:靶面磁場、靶材材質(zhì)、氣體壓強、陰-陽極間距等。本文詳細(xì)分析這些因素距對靶濺射電壓的影響。   一、 靶面磁場對靶濺射電壓的影響 1. 磁控靶的陰極工作電壓,隨著靶面磁場的增加而降低,也隨著靶面的濺射刻蝕槽加深而降低。濺射電流也隨著靶面的濺射刻蝕槽加深而加大。這是因為靶的濺射刻蝕槽面會越來越接近靶材后面的磁鋼的強磁場。因此,靶材的厚度是有限制的。較厚的非磁性靶材能夠在較強的磁場中使用。   2. 鐵磁性靶材會對磁控靶的濺射造成影響,由于大部分磁力線從鐵磁性材料內(nèi)部通過,使靶材表面磁場減少,需要很高電壓才能讓靶面點火起輝。除非磁場非常的強,否則磁性材靶材必須比非磁性材料要薄,才能起輝和正常運行(永磁結(jié)構(gòu)的Ni靶的典型值<0.16cm,磁控靶非特殊設(shè)計最大值一般不宜超過3mm,F(xiàn)e,co靶的最大值不超過2mm;電磁結(jié)構(gòu)的靶可以濺射厚一些的靶材,甚至可達(dá)6mm厚)才能起輝和正常運行。正常工作時,磁控靶靶材表面的磁場強度為0.025T~0.05T左右;靶材濺射刻蝕即將穿孔時,其靶材表面的磁場強度大為提高,接近或大于0.1T左右。南通鋅靶收費濺射靶材射頻的頻率提高后就成為微波等離子體濺射,目前常用的有電子回旋共振(ECR)型微波等離子體濺射。

一.靶材磁控濺射的原理是什么?磁控濺射原理:在被濺射的靶極(陰極)與陽極之間加一個正交磁場和電場,濺射靶材在高真空室中充入所需要的惰性氣體(通常為Ar氣),永久磁鐵在靶材料表面形成250~350高斯的磁場,同高壓電場組成正交電磁場。

在電場的作用下,Ar氣電離成正離子和電子,靶上加有一定的負(fù)高壓,從靶極發(fā)出的電子受磁場的作用與工作氣體的電離幾率增大,在陰極附近形成高密度的等離子體,Ar離子在洛侖茲力的作用下加速飛向靶面,以很高的速度轟擊靶面,使靶上被濺射出來的原子遵循動量轉(zhuǎn)換原理以較高的動能脫離靶面飛向基片淀積成膜。 磁控濺射一般分為二種:直流濺射和射頻濺射,其中直流濺射設(shè)備原理簡單,在濺射金屬時,其速率也快。

真空技術(shù)中的清潔處理(一)概述真空技術(shù)清潔處理一般指的是真空裝置的結(jié)構(gòu)材料、填裝材料和真空零(部)件的清潔處理。去除或減少污染物將有利于獲得良好真空,增加連接強度和氣密性,提高產(chǎn)品的壽命和可靠性。(二)污染物的幾種類型①油脂:加工、安裝和操作時沾染的潤滑劑、真空油脂等;②水滴:操作時的手汗,吹玻璃時的唾液等;③表面氧化物:易氧化材料長期基露或放置在潮濕大氣中所形成的表面氧化物;④酸、堿、鹽類物質(zhì):清洗后的殘余物質(zhì)、手汗、自來水中的礦物質(zhì)等;⑤空氣中的塵埃及其它有機物。(三)污染的形成及其影響真空裝置由許多不同的零件組成,它們都是經(jīng)過各種機械加工完成的,如車、銑、刨、磨、銼、焊接等。這樣,零件表面不可避免地會沾上許多加工油脂、汗痕、拋光膏、焊劑、金屬屑、油垢等污染物。這些污染物在真空中易揮發(fā),影響真空設(shè)備的極限真空。此外,污染物在大氣壓下吸附了大量的氣體,在真空環(huán)境中,這些氣體也要被釋放出來。構(gòu)成了限制真空設(shè)備極限真空的因素。為此,零件組裝前必須掉污染物。靶中毒的解決辦法:采用閉環(huán)控制反應(yīng)氣體的通入量。

靶材安裝及注意事項有哪些?

濺射靶材安裝過程中**重要的注意事項是一定要確保在靶材和濺射***冷卻壁之間建立很好的導(dǎo)熱連接。如果用冷卻壁的翹曲程度嚴(yán)重或背板翹曲嚴(yán)重會造成靶材安裝時發(fā)生開裂或彎曲,背靶到靶材的導(dǎo)熱性能就會受到很大的影響,導(dǎo)致在濺射過程中熱量無法散發(fā)**終會造成靶材開裂或脫靶。

為確保足夠的導(dǎo)熱性,可以在陰極冷卻壁與靶材之間加墊一層石墨紙。請注意一定要仔細(xì)檢查和明確所使用濺射***冷卻壁的平整度,同時確保O型密封圈始終在位置上。

由于所使用冷卻水的潔凈程度和設(shè)備運行過程中可能會產(chǎn)生的污垢會沉積在陰極冷卻水槽內(nèi),所以在安裝靶材時需要對陰極冷卻水槽進(jìn)行檢查和清理,確保冷卻水循環(huán)的順暢和進(jìn)出水口不會被堵塞。 通常靶材為多晶結(jié)構(gòu),晶粒大小可由微米到毫米量級。南通鋅靶收費

對于同一種靶材,晶粒細(xì)小的靶的濺射速率比晶粒粗大的靶的濺射速率快。合肥鋯鈦靶

利用原子力顯微鏡(AFM)和掃描電子顯微鏡(SEM),對所制備的非晶硅薄膜進(jìn)行了定性和定量的表征,研究了濺射功率、襯底溫度、濺射時間、氬氣氣壓等因素對非晶硅薄膜表面形貌和厚度的影響。實驗結(jié)果表明:非晶硅薄膜的表面粗糙度會隨濺射功率、濺射時間和濺射氣壓的增加而增大,而隨著襯底加熱溫度的增加而減小。   對制備的非晶硅薄膜在不同溫度和時間進(jìn)行了退火處理。再利用X- 射線衍射儀(XRD)和拉曼光譜儀,對不同退火溫度的樣品進(jìn)行晶化程度的表征。實驗結(jié)果表明:不同條件制備的非晶硅薄膜在750℃退火1 h 后就已發(fā)生不同程度的晶化,并且直流磁控濺射制備的非晶硅薄膜比射頻磁控濺射制備的非晶硅薄膜更容易發(fā)生晶化;退火溫度越高,非晶硅薄膜晶化速率越快。   此外,通過拉曼激光誘導(dǎo)晶化,結(jié)果表明:拉曼激光誘導(dǎo)非晶硅晶化為局域晶化,具有晶化速度快的特點;晶化過程中,需要控制激光強度,過強的激光會把非晶硅薄膜燒蝕掉。合肥鋯鈦靶

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