真空技術(shù)中的清潔處理 (一)概述 真空技術(shù)清潔處理一般指的是真空裝置的結(jié)構(gòu)材料、填裝材料和真空零(部)件的清潔處理。去除或減少污染物將有利于獲得良好真空，增加連接強度和氣密性，提高產(chǎn)品的壽命 和可靠性。 (二)污染物的幾種類型 ①油脂:加工、安裝和操作時沾染的潤滑劑、真空油脂等; ②水滴:操作時的手汗，吹玻璃時的唾液等; ③表面氧化物:易氧化材料長期基露或放置在潮濕大氣中所形成的表面氧化物; ④酸、堿、鹽類物質(zhì):清洗后的殘余物質(zhì)、手汗、自來水中的礦物質(zhì)等; ⑤空氣中的塵埃及其它有機物。 (三)污染的形成及其影響 真空裝置由許多不同的零件組成，它們都是經(jīng)過各種機械加工完成的，如車、銑、刨、磨、銼、焊接等。這樣，零件表面不可避免地會沾上許多加工油脂、汗痕、拋光膏、焊劑、金屬屑、油垢等污染物。這些污染物在真空中易揮發(fā)，影響真空設(shè)備的極限真空。此外，污染物在大氣壓下吸附了大量的氣體，在真空環(huán)境中，這些氣體也要被釋放出來。構(gòu)成了限制真空設(shè)備極限真空的因素。為此，零件組裝前必須掉污染物。對于同一種靶材，晶粒細(xì)小的靶的濺射速率比晶粒粗大的靶的濺射速率快。常州Al靶材調(diào)試
磁控靶濺射沉積率的影響因素 濺射沉積率是表征成膜速度的參數(shù)，其沉積率高低除了與工作氣體的種類與壓力、靶材種類與“濺射刻蝕區(qū)“的面積大小、靶面溫度與靶面磁場強度、靶源與基片的間距等影響因素外，還受靶面的功率密度，亦即靶電源輸出的“濺射電壓與電流”兩個重要因素的直接影響。 1、濺射電壓與沉積率 在影響濺射系數(shù)的諸因數(shù)中，當(dāng)靶材、濺射氣體等業(yè)已選定之后，比較起作用的就是磁控靶的放電電壓。一般來說，在磁控濺射正常工藝范圍內(nèi)，放電電壓越高，磁控靶的濺射系數(shù)就越大。 2、濺射電流與沉積率 磁控靶的濺射電流與靶面離子流成正比，因此對沉積率的影響比電壓要大得多。增加濺射電流的辦法有兩個：一個是提高工作電壓;另一個是適當(dāng)提高工作氣體壓力。 3、濺射功率與沉積率 一般來說，磁控靶的濺射功率增高時，薄膜的沉積率速率也會變大;這里有一個先決條件，就是：加在磁控靶的濺射電壓足夠高，使工作氣體離子在陰-陽極間電場中獲得的能量，足以大過靶材的“濺射能量閥值”。常州Al靶材調(diào)試磁控濺射一定要求靶材表面要拋光嗎？
高純金屬的概念： 任何金屬都不能達(dá)到純。“高純”和“超純”具有相對的含義，是指技術(shù)上達(dá)到的標(biāo)準(zhǔn)。由于技術(shù)的發(fā)展，也常使“超純”的標(biāo)準(zhǔn)升級。例如過去高純金屬的雜質(zhì)為 ppm級（即百萬分之幾）,而超純半導(dǎo)體材料的雜質(zhì)達(dá)ppb級（十億分之幾）,并將逐步發(fā)展到以ppt級（一萬億分之幾）表示。實際上純度以幾個“9”(N)來表示（如雜質(zhì)總含量為百萬分之一，即稱為6個“9”或6N），是不完整概念，如電子器件用的超純硅以金屬雜質(zhì)計算，其純度相當(dāng)于9 個“9”。 但如計入碳，則可能不到6個“9”?！俺儭钡南鄬γ~是指“雜質(zhì)”，廣義的雜質(zhì)是指化學(xué)雜質(zhì)（元素）及“物理雜質(zhì)”，后者是指位錯及空位等，而化學(xué)雜質(zhì)是指基體以外的原子以代位或填隙等形式摻入。但只當(dāng)金屬純度達(dá)到很高的標(biāo)準(zhǔn)時(如純度 9N 以上的金屬)，物理雜質(zhì)的概念才是有意義的， 因此目前工業(yè)生產(chǎn)的金屬仍是以化學(xué)雜質(zhì)的含量作為標(biāo)準(zhǔn)，即以金屬中雜質(zhì)總含量為百萬分之幾表示。
陶瓷靶材：
ITO靶、氧化鎂靶、氧化鐵靶、濺射靶材氮化硅靶、碳化硅靶、氮化鈦靶、氧化鉻靶、氧化鋅靶、硫化鋅靶、二氧化硅靶、一氧化硅靶、氧化鈰靶、二氧化鋯靶、五氧化二鈮靶、二氧化鈦靶、二氧化鋯靶，、二氧化鉿靶，二硼化鈦靶，二硼化鋯靶，三氧化鎢靶，三氧化二鋁靶五氧化二鉭，五氧化二鈮靶、氟化鎂靶、氟化釔靶、硒化鋅靶、氮化鋁靶，氮化硅靶，氮化硼靶，氮化鈦靶，碳化硅靶，鈮酸鋰靶、鈦酸鐠靶、鈦酸鋇靶、鈦酸鑭靶、氧化鎳靶、濺射靶材等。 通常是放熱反應(yīng)，反應(yīng)生成熱必須有傳導(dǎo)出去的途徑，否則，該化學(xué)反應(yīng)無法繼續(xù)進(jìn)行。
磁控濺射制備非晶硅薄膜 本實驗采用石英玻璃為襯底，實驗前先將玻璃襯底浸泡在溶液中，放到JHN- 4F(200 W)超聲波清洗機清洗30 min;然后用分析乙醇同樣在超聲波清洗機中清洗30 min; 放入裝有去離子水的燒杯中在超聲波清洗器中清洗約30 min 后晾干。然后以高純硅為靶材在JGP500型超高真空磁控濺射設(shè)備上，分別采用直流和射頻方式制備了兩塊樣品。在濺射前，預(yù)濺射5 min以除去靶材表面氧化物。1# 樣品采用直流磁控濺射方式， 濺射功率為100 W， 本底真空度6×10- 4 Pa ， 濺射時間20 min，濺射氣壓0.5 Pa，襯底溫度為室溫。2#樣品采用射頻磁控濺射方式，濺射功率150 W，本底真空度6×10- 4 Pa，濺射時間120 min，濺射氣壓2.0 Pa，襯底溫度為室溫。樣品1# 和2# 均切為3 小塊，其中各保留一小塊不做退火處理，其他的小塊樣品處理情況為1#750℃、1#850℃，2#750℃、2#850℃在馬弗爐中退火1h。將1# 和2#未處理樣品用拉曼激光誘導(dǎo)方法，研究非晶硅薄膜的晶化過程。靶材安裝及注意事項有哪些？武漢Yb靶材廠家
靶材的密度不僅影響濺射速率，還影響著薄膜的電學(xué)和光學(xué)性能。常州Al靶材調(diào)試
拋光片300包括拋光片部分310、拋光片第二部分320及拋光片第三部分330。所述拋光片部分310設(shè)置于所述頂板210的底部。所述拋光片第二部分320設(shè)置于所述頂板210與所述側(cè)板220的拐角處，且在所述拋光片部分310及拋光片第三部分330間平滑的過渡。所述拋光片第三部分330設(shè)置于所述側(cè)板220的內(nèi)側(cè)面上，所述拋光片第三部分330表面與拋光片部分310表面垂直。拋光片第二部分320呈弧狀，與經(jīng)圓角處理的靶材側(cè)棱相匹配，可對靶材側(cè)棱進(jìn)行拋光。所述拋光片第三部分330表面為平整的平面，能夠?qū)Π胁膫?cè)壁表面進(jìn)行拋光。因此所述靶材拋光裝置100能夠同時對靶材側(cè)壁表面及經(jīng)圓角處理的側(cè)棱進(jìn)行拋光，有助于提高拋光作業(yè)效率。 常州Al靶材調(diào)試
江陰典譽新材料科技有限公司地處江蘇省江陰市，是一家專業(yè)生產(chǎn)濺射靶材和蒸發(fā)材料的公司，濺射靶材充分借鑒國外的先進(jìn)技術(shù)，并通過與國內(nèi)外**研發(fā)機構(gòu)合作，整合各行業(yè)資源優(yōu)勢，生產(chǎn)出多系列***濺射靶材產(chǎn)品。 公司目前主要生產(chǎn)金屬，合金，陶瓷三大類靶材產(chǎn)品。經(jīng)過幾年的發(fā)展和技術(shù)積累，已經(jīng)擁有：真空熱壓，冷壓燒結(jié)，真空熔煉，熱等靜壓，等離子噴涂等技術(shù)。另外也可根據(jù)客戶要求研發(fā)新型靶材并提供靶材金屬化、綁定和背板服務(wù)。 江陰典譽新材料科技有限公司已為以下行業(yè)提供***的靶材：平面顯示、裝飾與工具、太陽能光伏和光熱、電子和半導(dǎo)體、建筑與汽車玻璃大面積鍍膜等工業(yè)領(lǐng)域。同時也為國內(nèi)外各大院校和研究所提供了很多常規(guī)和新型的試驗用靶材。 江陰典譽目前擁有真空熱壓爐兩臺，冷壓燒結(jié)爐一臺，真空熔煉設(shè)備兩臺，等靜壓設(shè)備一臺，等離子噴涂兩套，綁定平臺兩套，各類機加工設(shè)備七臺，檢驗設(shè)備若干，確保出廠的每件產(chǎn)品都能達(dá)到甚至超過客戶的預(yù)期。 江陰典譽秉承：“一切以客戶的需求為導(dǎo)向，客戶的所有需求一次做好?！钡陌l(fā)展理念。