PECVD制備氫化非晶硅薄膜本實驗采用單晶硅片為襯底，按石英玻璃基片的清洗步驟清洗后烘干，然后置于PECVD系統(tǒng)中。樣品制備條件為襯底溫度250℃，工作氣壓120Pa，射頻功率100W，氣體流量SiH4/H2=15/5sccm，沉積時間30min，制備得到a-Si：H薄膜樣品。(1)非晶硅薄膜的表面粗糙度會隨著濺射功率的增大而增大，膜的均勻性將會變差;(2)非晶硅薄膜的表面粗糙度隨著襯底加熱溫度的增大而減小，非晶硅薄膜均勻性變好;(3)在0.5Pa至2.0Pa范圍內，隨著氬氣氣壓的增加非晶硅薄膜的表面粗糙度稍微變大;(4)隨著濺射時間的增加,膜的厚度成非線性增加，沉積速率開始較快，之后逐漸減慢，膜的表面粗糙度逐漸變大;(5)隨著濺射氣壓的增大，沉積速率有所降低?；瘜W反應必須在一個固體表面進行。反應濺射生成物在靶表面、基片表面、和其他結構表面進行。南通氧化鎳靶
而射頻濺射的使用范圍更為***，除可濺射導電材料外，也可濺射非導電的材料，同時還司進行反應濺射制備氧化物、氮化物和碳化物等化合物材料。濺射靶材射頻的頻率提高后就成為微波等離子體濺射，目前常用的有電子回旋共振(ECR)型微波等離子體濺射。
三．真空鍍膜中靶材中毒會出現(xiàn)哪些想象，如何解決？
1、靶面金屬化合物的形成。
由金屬靶面通過反應濺射工藝形成化合物的過程中，化合物是在哪里形成的呢？由于活性反應氣體粒子與靶面原子相碰撞產生化學反應生成化合物原子，通常是放熱反應，反應生成熱必須有傳導出去的途徑，否則，該化學反應無法繼續(xù)進行。在真空條件下氣體之間不可能進行熱傳導，所以，化學反應必須在一個固體表面進行。反應濺射生成物在靶表面、基片表面、和其他結構表面進行。 揚州碳化鈮靶靶材固體中的雜質和氣孔中的氧氣和水氣是沉積薄膜的主要污染源。
磁控濺射鍍膜生產ZnO∶Al（AZO）薄膜的工藝探討目前主要的薄膜太陽能電池有：碲化鎘（CdTe）系薄膜太陽能電池、硒銦銅（CIS）系薄膜太陽能電池、非晶硅系薄膜太陽能電池、晶硅系薄膜太陽能電池。研究人員研制出了價格低廉、原材料豐富且性能穩(wěn)定的絨面ZnO∶Al陷光結構來作為薄膜太陽能電池的前電極。具有彈坑狀絨面結構的AZO透明導電薄膜可以增強太陽光的散射作用，改善陷光效果，增加電池對太陽能的吸收量，提高薄膜太陽能電池的轉換效率。磁控濺射鍍膜工藝在玻璃襯底上制作AZO透明導電薄膜具有成膜速度快、膜層均勻、成膜面積大等優(yōu)點，是較為合適的生產AZO薄膜的工藝方法。目前由磁控濺射工藝生產透明導電薄膜AZO時所用靶材有兩種類型：①陶瓷AZO靶材；②合金鋅鋁靶材。應根據實際情況，選擇適合本企業(yè)的靶材產品。作為一種新的TCO材料，AZO相對于ITO和FTO有很大優(yōu)勢，要大規(guī)模產業(yè)化還必須在如何降低設備及工藝成本上進一步研發(fā)。從根本上說，AZO薄膜的結構性能的好壞決定了其光電性能的優(yōu)劣，必須在工藝參數(shù)上多做研究，實現(xiàn)高質量和低成本的雙贏。
真空鍍膜設備維修保養(yǎng)技巧 1、真空鍍膜設備每完成200個鍍膜程序以上，應清潔工作室一次。 方法：用燒堿(NaOH)飽和溶液反復擦洗真空室內壁，( 注意人體皮膚不可以直接接觸燒堿溶液，以免灼傷)目的是使鍍上去的膜料鋁(AL)與NaOH發(fā)生反應，反應后膜層脫落，并釋放出氫氣。再用清水清洗真空室和用布沾汽油清洗精抽閥內的污垢。 2、當粗抽泵(滑閥泵，旋片泵)連續(xù)工作一個月(雨季減半)，需更換新油。 方法：擰開放油螺栓，放掉舊油，再將泵啟動數(shù)秒，使泵內的舊油完全排放出來。擰回放油螺栓，加入新油至額定量(油視鏡觀察)。連續(xù)使用半年以上，換油時應將油蓋打開，用布擦干凈箱內污垢。 3、擴散泵連續(xù)使用6個月以上，抽速明顯變慢。 擴散泵連續(xù)使用6個月以上，抽速明顯變慢，或操作失當，充入大氣，拆去聯(lián)結水管，卸下電爐盤，將一級噴嘴擰出，先用汽油將泵腔及泵膽清洗一遍，再用洗衣粉兌水清洗一遍，然后用清水徹底清洗干凈，待水份揮發(fā)干以后，裝好泵膽，加入新擴散泵油，并裝回機體，接好水管，裝好電爐盤，便可以重新開機。在重新開機前，要注意檢漏工作。此外，提高靶材的密度和強度使靶材能更好地承受濺射過程中的熱應力。密度也是靶材的關鍵性能指標之一。
氣體壓強對靶濺射電壓的影響 在磁控濺射或反應磁控濺射鍍膜的工藝過程中，工作氣體或反應氣體壓強對磁控靶濺射電壓能夠造成一定的影響。 1.工作氣體壓強對靶濺射電壓的影響 一般的規(guī)律是：在真空設備環(huán)境條件確定和靶電源的控制面板設置參數(shù)不變時，隨著工作氣體(如氬氣)壓強(0.1~10Pa)的逐步增加，氣體放電等離子體的密度也會同步增加，致使等離子體等效阻抗減小，磁控靶的濺射電流會逐步上升，濺射工作電壓亦會同步下降。 2. 反應氣體壓強對靶濺射電壓的影響 在反應磁控濺射鍍膜的工藝過程中，在真空設備環(huán)境條件確定和靶電源的控制面板設置參數(shù)不變時，隨著反應氣體(如氮氣、氧氣)壓強(或流量)的逐步增加(一般應注意不要超過工藝設定值的上限值)，隨著磁控靶面和基片(工件)表面逐步被絕緣膜層覆蓋，陰-陽極間放電的等效阻抗也會同步增高，磁控靶的濺射電流會逐步下降(直至“陰極中毒”和“陽極消失”為止)，濺射工作電壓亦會同步上升。所以在安裝靶材時需要確保陰極與陽極之間沒有接觸也不能存在導體，否則會產生短路。南通氧化鎳靶
七．濺射靶材的制備方法有哪些？南通氧化鎳靶
陰-陽極間距對靶濺射電壓的影響：真空氣體放電陰-陽極間距能夠對靶濺射電壓造成一定的影響。在陰-陽極間距偏大時，等效氣體放電的內阻主要由等離子體等效內阻決定，反之，在陰-陽極間距偏小時，將會導致等離子體放電的內阻呈現(xiàn)較小數(shù)值。由于在磁控靶點火起輝后進入正常濺射時，如果陰-陽極間距過小，由于靶電源輸出的濺射電壓具有一定的軟負載特性，就有可能出現(xiàn)在濺射電流已達工藝設定值時，靶濺射電壓始終很低又調不起來的狀況?！肮に囆汀卑须娫纯梢愿纳坪蛷浹a這種狀況;而“經濟型”靶電源對這種狀況無能為力。 1. 孿生靶(或雙磁控靶)陰-陽極間距 對稱雙極脈沖中頻靶電源和正弦波中頻靶電源帶孿生靶或雙磁控靶運行時，建議其兩交變陰-陽極的小極間距不應小于2英2口寸; 2. 單磁控靶陰-陽極間距 靶電源帶單磁控靶運行時，一般都不存在這方面問題;但是，在小真空室?guī)чL矩形平面磁控單靶時容易忽略這個問題，磁控靶面與真空室金屬殼體內壁的小極間距一般亦建議不小于2英2口寸。南通氧化鎳靶
江陰典譽新材料科技有限公司地處江蘇省江陰市，是一家專業(yè)生產濺射靶材和蒸發(fā)材料的公司，濺射靶材充分借鑒國外的先進技術，并通過與國內外**研發(fā)機構合作，整合各行業(yè)資源優(yōu)勢，生產出多系列***濺射靶材產品。 公司目前主要生產金屬，合金，陶瓷三大類靶材產品。經過幾年的發(fā)展和技術積累，已經擁有：真空熱壓，冷壓燒結，真空熔煉，熱等靜壓，等離子噴涂等技術。另外也可根據客戶要求研發(fā)新型靶材并提供靶材金屬化、綁定和背板服務。 江陰典譽新材料科技有限公司已為以下行業(yè)提供***的靶材：平面顯示、裝飾與工具、太陽能光伏和光熱、電子和半導體、建筑與汽車玻璃大面積鍍膜等工業(yè)領域。同時也為國內外各大院校和研究所提供了很多常規(guī)和新型的試驗用靶材。 江陰典譽目前擁有真空熱壓爐兩臺，冷壓燒結爐一臺，真空熔煉設備兩臺，等靜壓設備一臺，等離子噴涂兩套，綁定平臺兩套，各類機加工設備七臺，檢驗設備若干，確保出廠的每件產品都能達到甚至超過客戶的預期。 江陰典譽秉承：“一切以客戶的需求為導向，客戶的所有需求一次做好?！钡陌l(fā)展理念。