PECVD 制備氫化非晶硅薄膜 本實驗采用單晶硅片為襯底，按石英玻璃基片的清洗步驟清洗后烘干，然后置于PECVD系統(tǒng)中。樣品制備條件為襯底溫度250℃，工作氣壓120 Pa， 射頻功率100 W， 氣體流量SiH4/H2=15/5 sccm， 沉積時間30min， 制備得到a- Si：H 薄膜樣品。 (1) 非晶硅薄膜的表面粗糙度會隨著濺射功率的增大而增大，膜的均勻性將會變差; (2) 非晶硅薄膜的表面粗糙度隨著襯底加熱溫度的增大而減小，非晶硅薄膜均勻性變好; (3) 在0.5 Pa 至2.0 Pa范圍內(nèi)，隨著氬氣氣壓的增加非晶硅薄膜的表面粗糙度稍微變大; (4) 隨著濺射時間的增加, 膜的厚度成非線性增加，沉積速率開始較快，之后逐漸減慢，膜的表面粗糙度逐漸變大; (5)隨著濺射氣壓的增大，沉積速率有所降低。對于所有的金屬來說，純度是靶材的主要性能指標(biāo)之一，靶材的純度對后期產(chǎn)品薄膜的性能影響很大。安徽Sb2Se3靶材
什么是真空鍍鋁膜，應(yīng)用在哪些領(lǐng)域？ 真空鍍鋁薄膜是在薄膜基材的表面附著而形成復(fù)合薄膜的一種工藝，我國鍍鋁膜產(chǎn)能已達(dá)到40萬噸。主要用于風(fēng)味食品、日用品、農(nóng)產(chǎn)品、藥品、化妝品的包裝。 真空鍍鋁薄膜是在高真空條件下，以電阻、高頻或電子束等加熱方式使鋁熔化蒸發(fā)，在薄膜基材的表面附著而形成復(fù)合薄膜的一種工藝。在塑料薄膜或紙張表面鍍上一層極薄的金屬鋁即成為鍍鋁薄膜或鍍鋁紙。 用于包裝上的真空鍍鋁薄膜具有鋁材用量少、耐折疊性高、阻隔性能高、抗靜電等特點，使鍍鋁薄膜成為一種性能優(yōu)良、經(jīng)濟(jì)美觀的新型復(fù)合薄膜，在許多方面已取代了鋁箔復(fù)合材料。主要用于風(fēng)味食品、日用品、農(nóng)產(chǎn)品、藥品、化妝品等的包裝。山東碳化鎳靶材通常是放熱反應(yīng)，反應(yīng)生成熱必須有傳導(dǎo)出去的途徑，否則，該化學(xué)反應(yīng)無法繼續(xù)進(jìn)行。
靶中毒的解決辦法（1）采用中頻電源或射頻電源。（2）采用閉環(huán)控制反應(yīng)氣體的通入量。（3）采用孿生靶（4）控制鍍膜模式的變換：在鍍膜前，采集靶中毒的遲滯效應(yīng)曲線，使進(jìn)氣流量控制在產(chǎn)生靶中毒的前沿，確保工藝過程始終處于沉積速率陡降前的模式。磁控濺射不起輝的常見原因有哪些，怎么應(yīng)對？磁控濺射金屬靶時，無法起輝的原因有很多，常見主要原因有：1.靶材安裝準(zhǔn)確否?2.靶材表面是否干凈------------金屬靶表面氧化或有不清潔物質(zhì)，打磨清理干凈后即可。3.起輝電源是否正常------------檢查靶電源。4.靶與地線之間短路----------關(guān)掉機(jī)器，把設(shè)備的濺射靶卸下來，靶附近的零件仔細(xì)清洗一下；----------壓靶蓋旋的過緊，沒有和靶材之間留下適當(dāng)?shù)木嚯x，調(diào)整距離即可。5.永磁靶表面場強(qiáng)是否下降太多？---------如果下降太多，需要更換磁鋼。6.起輝濺射真空度與前次的差別？---------更換不同的靶材，起輝壓強(qiáng)不盡相同。換靶材后需要重新調(diào)功率匹配器的，只有功率匹配調(diào)好了才能正常起輝。
靶材磁控濺射的原理是什么？磁控濺射原理：在被濺射的靶極(陰極)與陽極之間加一個正交磁場和電場，濺射靶材在高真空室中充入所需要的惰性氣體(通常為Ar氣)，磁鐵在靶材料表面形成250～350高斯的磁場，同高壓電場組成正交電磁場。在電場的作用下，Ar氣電離成正離子和電子，靶上加有一定的負(fù)高壓，從靶極發(fā)出的電子受磁場的作用與工作氣體的電離幾率增大，在陰極附近形成高密度的等離子體，Ar離子在洛侖茲力的作用下加速飛向靶面，以很高的速度轟擊靶面，使靶上被濺射出來的原子遵循動量轉(zhuǎn)換原理以較高的動能脫離靶面飛向基片淀積成膜。磁控濺射一般分為二種：直流濺射和射頻濺射，其中直流濺射設(shè)備原理簡單，在濺射金屬時，其速率也快。而射頻濺射的使用范圍更大，除可濺射導(dǎo)電材料外，也可濺射非導(dǎo)電的材料，同時還司進(jìn)行反應(yīng)濺射制備氧化物、氮化物和碳化物等化合物材料。濺射靶材射頻的頻率提高后就成為微波等離子體濺射，目前常用的有電子回旋共振(ECR)型微波等離子體濺射。靶材太薄、靶材太貴的情況等。 但下列情況綁定有弊端。
真空鍍膜中靶材中毒會出現(xiàn)哪些想象，如何解決？靶面金屬化合物的形成。由金屬靶面通過反應(yīng)濺射工藝形成化合物的過程中，化合物是在哪里形成的呢？由于活性反應(yīng)氣體粒子與靶面原子相碰撞產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng)生成化合物原子，通常是放熱反應(yīng)，反應(yīng)生成熱必須有傳導(dǎo)出去的途徑，否則，該化學(xué)反應(yīng)無法繼續(xù)進(jìn)行。在真空條件下氣體之間不可能進(jìn)行熱傳導(dǎo)，所以，化學(xué)反應(yīng)必須在一個固體表面進(jìn)行。反應(yīng)濺射生成物在靶表面、基片表面、和其他結(jié)構(gòu)表面進(jìn)行。靶中毒的影響因素：影響靶中毒的因素主要是反應(yīng)氣體和濺射氣體的比例，反應(yīng)氣體過量就會導(dǎo)致靶中毒。反應(yīng)濺射工藝進(jìn)行過程中靶表面濺射溝道區(qū)域內(nèi)出現(xiàn)被反應(yīng)生成物覆蓋或反應(yīng)生成物被剝離而重新暴露金屬表面此消彼長的過程。如果化合物的生成速率大于化合物被剝離的速率，化合物覆蓋面積增加。在一定功率的情況下，參與化合物生成的反應(yīng)氣體量增加，化合物生成率增加。如果反應(yīng)氣體量增加過度，化合物覆蓋面積增加，如果不能及時調(diào)整反應(yīng)氣體流量，化合物覆蓋面積增加的速率得不到控制，濺射溝道將進(jìn)一步被化合物覆蓋，當(dāng)濺射靶被化合物全部覆蓋的時候，靶完全中毒，在靶面上沉積一層化合金屬膜。使其很難被再次反應(yīng)。因為用處不一樣，所以不同用途的靶材對不同雜質(zhì)含量的要求也不同。山東碳化鎳靶材
在一定功率的情況下，參與化合物生成的反應(yīng)氣體量增加，化合物生成率增加。安徽Sb2Se3靶材
固定板200的厚度為10mm～15mm。若所述固定板200的厚度過大，使得所述固定板200的重量過大，不便于使用，影響操作的靈活性。若所述固定板200的厚度過小，導(dǎo)致所述固定板200的強(qiáng)度和韌性較差，影響所述靶材拋光裝置100的使用壽命。所述拋光片300表面與靶材側(cè)壁表面及經(jīng)圓角處理的側(cè)棱相匹配。所述拋光片300表面具有磨砂顆粒，用于增加所述拋光片300與靶材表面間的摩擦力，以提高拋光效率。拋光片300包括拋光片部分310、拋光片第二部分320及拋光片第三部分330。所述拋光片部分310設(shè)置于所述頂板210的底部。所述拋光片第二部分320設(shè)置于所述頂板210與所述側(cè)板220的拐角處，且在所述拋光片部分310及拋光片第三部分330間平滑的過渡。所述拋光片第三部分330設(shè)置于所述側(cè)板220的內(nèi)側(cè)面上，所述拋光片第三部分330表面與拋光片部分310表面垂直。安徽Sb2Se3靶材
江陰典譽(yù)新材料科技有限公司地處江蘇省江陰市，是一家專業(yè)生產(chǎn)濺射靶材和蒸發(fā)材料的公司，濺射靶材充分借鑒國外的先進(jìn)技術(shù)，并通過與國內(nèi)外**研發(fā)機(jī)構(gòu)合作，整合各行業(yè)資源優(yōu)勢，生產(chǎn)出多系列***濺射靶材產(chǎn)品。 公司目前主要生產(chǎn)金屬，合金，陶瓷三大類靶材產(chǎn)品。經(jīng)過幾年的發(fā)展和技術(shù)積累，已經(jīng)擁有：真空熱壓，冷壓燒結(jié)，真空熔煉，熱等靜壓，等離子噴涂等技術(shù)。另外也可根據(jù)客戶要求研發(fā)新型靶材并提供靶材金屬化、綁定和背板服務(wù)。 江陰典譽(yù)新材料科技有限公司已為以下行業(yè)提供***的靶材：平面顯示、裝飾與工具、太陽能光伏和光熱、電子和半導(dǎo)體、建筑與汽車玻璃大面積鍍膜等工業(yè)領(lǐng)域。同時也為國內(nèi)外各大院校和研究所提供了很多常規(guī)和新型的試驗用靶材。 江陰典譽(yù)目前擁有真空熱壓爐兩臺，冷壓燒結(jié)爐一臺，真空熔煉設(shè)備兩臺，等靜壓設(shè)備一臺，等離子噴涂兩套，綁定平臺兩套，各類機(jī)加工設(shè)備七臺，檢驗設(shè)備若干，確保出廠的每件產(chǎn)品都能達(dá)到甚至超過客戶的預(yù)期。 江陰典譽(yù)秉承：“一切以客戶的需求為導(dǎo)向，客戶的所有需求一次做好?！钡陌l(fā)展理念。