半導體燒結銀膠產品介紹

來源: 發(fā)布時間:2025-07-23

高導熱銀膠導熱率在 10W - 80W/mK,滿足一般電子設備散熱需求,其導電性和可靠性也能滿足常規(guī)電子元件的電氣連接和穩(wěn)定工作要求 。半燒結銀膠導熱率處于 80W - 200W/mK 之間,在具備較高導熱性能的同時,對 EBO 進行了優(yōu)化,如 TS - 9853G 半燒結銀膠符合歐盟 PFAS 要求,為其在環(huán)保要求較高的市場應用提供了優(yōu)勢 。燒結銀膠導熱率可達 200W/mK 以上,具有高可靠性和在高溫下的穩(wěn)定性,像 TS - 985A - G6DG 高導熱燒結銀膠在航空航天等極端環(huán)境應用中表現(xiàn)優(yōu)異 。燒結銀膠,極端條件散熱保障。半導體燒結銀膠產品介紹

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燒結銀膠是指通過高溫燒結工藝,使銀粉之間發(fā)生原子擴散和融合,形成致密的銀連接層的材料。根據(jù)燒結工藝的不同,可分為無壓燒結銀膠和有壓燒結銀膠。無壓燒結銀膠在燒結過程中無需施加外部壓力,工藝簡單,成本較低,適用于大面積的電子封裝,如 LED 照明燈具的基板與芯片連接。有壓燒結銀膠在燒結時需要施加一定的壓力,能夠使銀粉之間的結合更加緊密,提高燒結體的致密度和性能,常用于對連接強度和性能要求極高的航空航天電子設備封裝,如衛(wèi)星通信模塊的芯片封裝 。節(jié)約成本燒結銀膠價格查詢TS - 9853G 優(yōu)化,連接更持久。

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與傳統(tǒng)散熱材料相比,高導熱銀膠的優(yōu)勢明顯。傳統(tǒng)的散熱材料如普通硅膠,其導熱率較低,一般在 1 - 3W/mK 之間,無法滿足現(xiàn)代電子設備對高效散熱的需求。而高導熱銀膠的導熱率可達到 10W - 80W/mK,是普通硅膠的數(shù)倍甚至數(shù)十倍,能夠在短時間內將大量熱量傳導出去,很大提高了散熱效率 。在一些對散熱要求極高的應用場景中,高導熱銀膠的高導熱性能優(yōu)勢更加突出。在數(shù)據(jù)中心的服務器中,大量的芯片同時工作會產生巨大的熱量,如果不能及時散熱,服務器的性能將受到嚴重影響。高導熱銀膠能夠將芯片熱量快速傳導至散熱系統(tǒng),確保服務器在長時間高負載運行下的穩(wěn)定性,提高數(shù)據(jù)處理效率 。

TS - 9853G 半燒結銀膠的一大有效特性是符合歐盟 PFAS 要求。PFAS(全氟和多氟烷基物質)由于其持久性和生物累積性,對環(huán)境和人體健康存在潛在風險。隨著環(huán)保法規(guī)的日益嚴格,電子材料符合 PFAS 要求變得至關重要。TS - 9853G 滿足這一要求,使其在歐洲市場以及對環(huán)保要求較高的應用場景中具有明顯優(yōu)勢 。在電子設備出口到歐盟地區(qū)時,使用 TS - 9853G 半燒結銀膠能夠確保產品順利通過環(huán)保檢測,避免因環(huán)保問題導致的貿易壁壘和市場準入障礙。TS - 9853G 還對 EBO(Early Bond Open,早期鍵合開路)進行了優(yōu)化。在電子封裝過程中,EBO 問題可能會導致電子元件之間的連接失效,影響產品的可靠性。TS - 1855 銀膠,高導熱性能出眾。

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功率器件如絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)、金屬 - 氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)等在電力電子、新能源汽車、工業(yè)自動化等領域有著廣泛的應用。這些功率器件在工作時會消耗大量的電能,并產生大量的熱量,因此對散熱性能要求極高。高導熱銀膠能夠滿足功率器件的散熱需求,將器件產生的熱量快速傳遞出去,保證其在高功率、高頻率的工作條件下穩(wěn)定運行。在新能源汽車的逆變器中,IGBT 模塊是重要部件之一,高導熱銀膠用于 IGBT 芯片與基板之間的連接,能夠有效提高逆變器的效率和可靠性,降低能耗,延長使用壽命。高導熱銀膠,加速熱量傳導速度。典型燒結銀膠作用

高導熱銀膠,助力電子設備高效散熱。半導體燒結銀膠產品介紹

隨著5G通信、人工智能、物聯(lián)網等新興技術的迅猛發(fā)展,電子設備的功率密度不斷提升,對散熱性能提出了更高的要求。高導熱銀膠憑借其出色的熱導率,能夠快速將電子元件產生的熱量導出,有效降低芯片結溫,從而提高電子設備的性能和可靠性。在大功率LED封裝中,高導熱銀膠可以顯著提高散熱效率,延長LED的使用壽命,提升照明效果。在高性能計算領域,高導熱銀膠對于保障芯片的穩(wěn)定運行、提高計算速度也具有重要意義。它不僅能夠實現(xiàn)電子元件之間的電氣連接,還能有效地傳遞熱量,對提高電子設備的穩(wěn)定性和使用壽命起著關鍵作用。半導體燒結銀膠產品介紹