徐匯區(qū)本地HTOL測(cè)試機(jī)

來源: 發(fā)布時(shí)間:2024-03-24

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導(dǎo)致偏移量發(fā)生的原因是在htol可靠性驗(yàn)證過程中閃存參考單元會(huì)有空穴丟失,而丟失的空穴是在制作閃存的生產(chǎn)工藝過程中捕獲(引入)的,短期內(nèi)無法消除。而閃存產(chǎn)品從工程樣品(es,engineeringsample)到客戶樣品(cs,customersample)的時(shí)間不容延期。從測(cè)試端找出解決方案非常迫在眉睫。本發(fā)明實(shí)施例的閃存htol測(cè)試方法對(duì)所述閃存參考單元循環(huán)進(jìn)行編譯和擦除,以在所述閃存參考單元中引入電子;對(duì)所述閃存進(jìn)行htol測(cè)試,所述引入電子在所述htol測(cè)試過程中存在丟失,以對(duì)htol測(cè)試過程中所述空穴的丟失形成補(bǔ)償。

可靠性方案設(shè)計(jì),HTOL測(cè)試服務(wù)。涵蓋模擬,數(shù)字,混合信號(hào),SOC,RF等各類芯片的可靠性方案設(shè)計(jì),原理圖設(shè)計(jì),PCBlayout加工制作,老化程序開發(fā)調(diào)試,可靠性測(cè)試試驗(yàn),出具可靠性報(bào)告,上海頂策科技有限公司提供高質(zhì)量、高效率、低成本HTOL測(cè)試方案。自主研發(fā)在線實(shí)時(shí)單顆監(jiān)測(cè)技術(shù),大幅度提高HTOL效率,節(jié)省更多時(shí)間、FA成本,全程數(shù)據(jù)記錄,讓HTOL問題更容易分析,更有追溯性,有全程HTOL數(shù)據(jù)記錄,讓報(bào)告更有說服力,下游客戶更放心。上海頂策科技智能HTOL系統(tǒng),實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)并記錄環(huán)境溫度,以及每顆芯片電壓,電流,頻率,寄存器狀態(tài)等數(shù)據(jù)。

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閃存HTOL測(cè)試方法與流程本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域,尤其涉及一種閃存htol測(cè)試方法。背景技術(shù):閃存(flashmemory)是一種非易失性的存儲(chǔ)器,其具有即使斷電存儲(chǔ)數(shù)據(jù)也不會(huì)丟失而能夠長(zhǎng)期保存的特點(diǎn)。故近年來閃存的發(fā)展十分迅速,并且具有高集成度、高存儲(chǔ)速度和高可靠性的閃存存儲(chǔ)器被廣泛應(yīng)用于包括電腦、手機(jī)、服務(wù)器等電子產(chǎn)品及設(shè)備中。在半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域中,htol(hightemperatureoperatinglifetest,高溫操作生命期試驗(yàn))用于評(píng)估半導(dǎo)體器件在超熱和超電壓情況下一段時(shí)間的耐久力。對(duì)于閃存的可靠性而言,在數(shù)萬次的循環(huán)之后的htol是一個(gè)主要指數(shù)。通常而言,閃存產(chǎn)品需要在10000次的循環(huán)之后,通過1000小時(shí)的htol測(cè)試。閃存htol實(shí)際測(cè)試中存在若干小時(shí)后閃存測(cè)試讀點(diǎn)(例如讀“0”)失效,亟需解決閃存htol測(cè)試中讀點(diǎn)失效的問題。徐匯區(qū)本地HTOL測(cè)試機(jī)