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導(dǎo)致偏移量發(fā)生的原因是在htol可靠性驗(yàn)證過程中閃存參考單元會(huì)有空穴丟失，而丟失的空穴是在制作閃存的生產(chǎn)工藝過程中捕獲(引入)的，短期內(nèi)無法消除。而閃存產(chǎn)品從工程樣品(es，engineeringsample)到客戶樣品(cs，customersample)的時(shí)間不容延期。從測(cè)試端找出解決方案非常迫在眉睫。本發(fā)明實(shí)施例的閃存htol測(cè)試方法對(duì)所述閃存參考單元循環(huán)進(jìn)行編譯和擦除，以在所述閃存參考單元中引入電子；對(duì)所述閃存進(jìn)行htol測(cè)試，所述引入電子在所述htol測(cè)試過程中存在丟失，以對(duì)htol測(cè)試過程中所述空穴的丟失形成補(bǔ)償。TH801智能老化系統(tǒng)，全程HTOL數(shù)據(jù)記錄，讓質(zhì)量報(bào)告更有說服力，下游客戶更放心。
可靠性測(cè)試整體解決方案：可靠性設(shè)備，HTOL/LTOL、雙85、HAST等幾十項(xiàng)可靠性測(cè)試方案制定，PCB設(shè)計(jì)制作，測(cè)試試驗(yàn)，滿足各類芯片可靠性測(cè)試需求。涵蓋模擬，數(shù)字，混合信號(hào)，SOC，RF等各類芯片的可靠性方案設(shè)計(jì)，原理圖設(shè)計(jì)，PCBlayout加工制作，老化程序開發(fā)調(diào)試，可靠性測(cè)試試驗(yàn)，出具可靠性報(bào)告等全方面服務(wù)。上海頂策科技有限公司，擁有20年以上的豐富測(cè)試技術(shù)積累及運(yùn)營(yíng)經(jīng)驗(yàn)，以及多項(xiàng)發(fā)明專利及軟件著作權(quán)，自成立以來已經(jīng)為超過500家半導(dǎo)體公司提供高質(zhì)量，高效率，低成本，一條龍測(cè)試解決方案！上海頂策科技TH801智能老化系統(tǒng)，芯片狀態(tài)實(shí)時(shí)參數(shù)正態(tài)分布圖，散點(diǎn)圖等顯示，多維度分析芯片狀態(tài)。有哪些HTOL測(cè)試機(jī)推薦
TH801智能老化系統(tǒng)，監(jiān)測(cè)數(shù)據(jù)異常自動(dòng)報(bào)警，實(shí)時(shí)發(fā)現(xiàn)問題并介入分析，可以整體降低30~50%的成本。普陀區(qū)一體化HTOL測(cè)試機(jī)
芯片可靠性測(cè)試（HTOL）HTOL(HighTemperatureOperatingLife)是芯片可靠性的一項(xiàng)關(guān)鍵性的基礎(chǔ)測(cè)試，用應(yīng)力（電壓、溫度等拉偏）加速的方式模擬芯片的長(zhǎng)期運(yùn)行，評(píng)估芯片壽命和長(zhǎng)期上電運(yùn)行的可靠性。廣電計(jì)量服務(wù)內(nèi)容：老化方案開發(fā)測(cè)試硬件設(shè)計(jì)ATE開發(fā)調(diào)試可靠性試驗(yàn)HTOL試驗(yàn)方案：在要求點(diǎn)(如0、168、500、1000hr)進(jìn)行ATE測(cè)試，確定芯片是否OK,記錄每顆芯片的關(guān)鍵參數(shù)，并分析老化過程中的變化。對(duì)芯片覆蓋率要求如：CPU/DSP/MCU/logic：ATPG的stuck-atfaultcoverage＞70％。MemoryBIST:覆蓋所有memory。3、模擬電路：覆蓋PLL/AD/DA/SERDES等關(guān)鍵IP。 普陀區(qū)一體化HTOL測(cè)試機(jī)