第二時間點讀點、第三時間點讀點至第n時間點讀點。在每個時間點讀點過程為：將閃存參考單元的輸出電流iref與閃存陣列單元的輸出電流i的差值經(jīng)由讀出放大器進行比對判斷，若iref＜i，則閃存讀出“1”；若iref＞i，則閃存讀出“0”。具體的，在閃存(例如norflash)產(chǎn)品htol可靠性驗證的階段的測試流程例如依次為：初始(***時間點)讀點、48小時(第二時間點)讀點、168小時(第三時間點)讀點、500小時(第四時間點)讀點、1000小時(第n時間點)讀點。本發(fā)明實施例的閃存參考單元未經(jīng)過編譯和擦除循環(huán)而直接進行htol測試時，發(fā)現(xiàn)閃存htol可靠性驗證在48小時(hrs)讀點失效。上海頂策科技TH801智能老化系統(tǒng)，實時監(jiān)測并記錄環(huán)境溫度，具體到每顆芯片的狀態(tài)數(shù)據(jù)。普陀區(qū)HTOL測試機供應商
導致偏移量發(fā)生的原因是在htol可靠性驗證過程中閃存參考單元會有空穴丟失，而丟失的空穴是在制作閃存的生產(chǎn)工藝過程中捕獲(引入)的，短期內(nèi)無法消除。而閃存產(chǎn)品從工程樣品(es，engineeringsample)到客戶樣品(cs，customersample)的時間不容延期。從測試端找出解決方案非常迫在眉睫。本發(fā)明實施例的閃存htol測試方法對所述閃存參考單元循環(huán)進行編譯和擦除，以在所述閃存參考單元中引入電子；對所述閃存進行htol測試，所述引入電子在所述htol測試過程中存在丟失，以對htol測試過程中所述空穴的丟失形成補償。嘉定區(qū)什么是HTOL測試機TH801智能老化系統(tǒng)，方便靈活配置芯片狀態(tài)、施加信號，提高HTOLdebug及Setup效率。
集成電路可靠性測試方案制定，自主研發(fā)的可靠性測試設(shè)備，可以滿足各類芯片可靠性測試需求。上海頂策科技有限公司TH801智能一體化老化測試機，自主研發(fā)在線實時單顆監(jiān)測技術(shù)，通過監(jiān)測數(shù)據(jù)，可以實時發(fā)現(xiàn)問題并介入分析，大幅提高HTOL效率。上海頂策科技有限公司，擁有20年以上的豐富測試技術(shù)積累及運營經(jīng)驗，以及多項發(fā)明專利及軟件著作權(quán)，自成立以來已經(jīng)為超過500家半導體公司提供高質(zhì)量，高效率，低成本，一條龍測試解決方案！
在每個時間點讀點過程為：將閃存參考單元的輸出電流iref與閃存陣列單元的輸出電流i的差值經(jīng)由讀出放大器進行比對判斷，若iref＜i，則閃存讀出“1”；若iref＞i，則閃存讀出“0”。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有如下有益效果：本發(fā)明所提供的閃存htol測試方法，對所述閃存參考單元循環(huán)進行編譯和擦除，以在所述閃存參考單元中引入電子；對所述閃存進行htol測試，所述引入電子在所述htol測試過程中存在丟失，以對htol測試過程中所述空穴的丟失形成補償。降低了閃存參考單元的輸出電流iref的偏移量，從而使閃存htol讀“0”通過，解決了閃存htol測試中讀點失效的問題，提高閃存質(zhì)量。附圖說明圖1為本發(fā)明實施例的閃存htol測試方法流程圖；圖2為本發(fā)明實施例的閃存參考單元的結(jié)構(gòu)示意圖；圖3為本發(fā)明實施例的對閃存參考單元進行編譯示意圖；圖4為本發(fā)明實施例的對閃存參考單元進行擦除示意圖；圖5為本發(fā)明實施例的閃存參考單元未經(jīng)過編譯和擦除直接進行htol測試的輸出電流iref分布圖；上海頂策科技有限公司提供芯片可靠性測試一條龍解決方案。
20年以上的豐富測試技術(shù)積累及運營經(jīng)驗，擁有多項發(fā)明專利及軟件著作權(quán)，上海頂策科技有限公司自成立以來，已經(jīng)為超過500家半導體公司提供高質(zhì)量，高效率，低成本，一條龍測試解決方案！可靠性測試事業(yè)部提供可靠性測試整體解決方案，包括HTOL、LTOL、雙85、HAST等可靠性設(shè)備，以及測試方案制定，PCB設(shè)計制作，測試試驗，滿足各類芯片可靠性測試需求。自主研發(fā)在線實時單顆監(jiān)測技術(shù)，通過監(jiān)測數(shù)據(jù)，可實時發(fā)現(xiàn)問題并介入分析，大幅提高HTOL效率，節(jié)省更多時間、FA成本，讓HTOL問題更容易分析，更有追溯性，讓報告更有說服力，下游客戶更放心。上海頂策科技TH801智能老化系統(tǒng)，芯片狀態(tài)實時參數(shù)正態(tài)分布圖，散點圖等顯示，多維度分析芯片狀態(tài)。靜安區(qū)HTOL測試機現(xiàn)貨
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一種閃存htol測試方法，包括：提供待測閃存，所述閃存包括閃存參考單元和閃存陣列單元；所述閃存參考單元中捕獲有空穴；對所述閃存參考單元循環(huán)進行編譯和擦除，以在所述閃存參考單元中引入電子；對所述閃存進行htol測試，所述引入電子在所述htol測試過程中部分丟失，以對htol測試過程中所述空穴的丟失形成補償。具體的，待測閃存在同一閃存芯片(die)中的不同區(qū)域分布有閃存參考單元和閃存陣列單元，閃存陣列單元用于存儲數(shù)據(jù)，閃存參考單元用于提供參考閾值電壓以區(qū)分閃存陣列單元的狀態(tài)。提供的待測閃存在其生產(chǎn)工藝過程中易在閃存參考單元中捕獲。引入)空穴，所述空穴在htol測試過程中存在丟失。圖2為本發(fā)明實施例的閃存參考單元的結(jié)構(gòu)示意圖，普陀區(qū)HTOL測試機供應商