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晶體二極管分類如下：1、臺面型二極管，PN結的制作方法雖然與擴散型相同，但是，只保留PN結及其必要的部分，把不必要的部分用藥品腐蝕掉。其剩余的部分便呈現(xiàn)出臺面形，因而得名。初期生產(chǎn)的臺面型，是對半導體材料使用擴散法而制成的。因此，又把這種臺面型稱為擴散臺面型。對于這一類型來說，似乎大電流整流用的產(chǎn)品型號很少，而小電流開關用的產(chǎn)品型號卻很多。2、合金擴散型二極管，它是合金型的一種。合金材料是容易被擴散的材料。把難以制作的材料通過巧妙地摻配雜質，就能與合金一起過擴散，以便在已經(jīng)形成的PN結中獲得雜質的恰當?shù)臐舛确植肌４朔ㄟm用于制造高靈敏度的變?nèi)荻O管。二極管工作在導通和截止狀態(tài)時呈現(xiàn)不同的電阻特性。珠?？旎謴投O管價格

值得注意的是，隨著電子技術的不斷發(fā)展，穩(wěn)壓二極管和普通二極管也在不斷升級和優(yōu)化。新型的穩(wěn)壓二極管具有更高的精度和更低的功耗，能夠滿足更高要求的電路應用；而新型普通二極管則具有更快的響應速度和更高的可靠性，能夠更好地適應復雜的電路環(huán)境?？傊?，穩(wěn)壓二極管和普通二極管作為電子工程中常用的元件，它們在功能、結構、電性能和應用場景等方面都存在著明顯的差異。了解這些差異有助于我們更好地選擇和使用這兩種元件，從而構建出穩(wěn)定、可靠的電路系統(tǒng)。同時，隨著技術的不斷進步，我們可以期待這兩種元件在未來能夠發(fā)揮更加出色的性能，為電子工程領域的發(fā)展做出更大的貢獻?；葜菁す舛O管加工使用時應注意極性，接法錯誤會導致器件損壞。

二極管概述，二極管，（英語：Diode），電子元件當中，一種具有兩個電極的裝置，只允許電流由單一方向流過，許多的使用是應用其整流的功能。晶體二極管的主要是PN結，關于PN結首先要了解三個概念。本征半導體：指不含任何摻雜元素的半導體，如純硅晶片或純鍺晶片。P型半導體：摻雜了產(chǎn)生空穴的含較低電價雜質的半導體，如在本征半導體中Si(4+)中摻入Al(3+)的半導體。N型半導體：摻雜了產(chǎn)生空穴的含較低電價雜質的半導體，如在本征半導體中硅Si(4+)中摻入磷P(5+)的半導體。由P型半導體和N型半導體相接觸時，就產(chǎn)生一個獨特的PN結界面，在界面的兩側形成空間電荷層，構成自建電場。

穩(wěn)壓二極管，穩(wěn)壓二極管英文名稱為Zener diode，又叫齊納二極管。利用PN結反向擊穿狀態(tài)，其電流可在很大范圍內(nèi)變化而電壓基本不變的現(xiàn)象，制成的起穩(wěn)壓作用的二極管。穩(wěn)壓二極管的特點就是擊穿后，其兩端的電壓基本保持不變。這樣，當把穩(wěn)壓管接入電路以后，若由于電源電壓發(fā)生波動，或其它原因造成電路中各點電壓變動時，負載兩端的電壓將基本保持不變。在電源電路中經(jīng)常用到穩(wěn)壓二極管，它與普通二極管在電路中的連接方法不同，負極接電路的高電勢，正極接地或低電勢點。穩(wěn)壓二極管的種類很多，THT和SMT形式的封裝都有，常用到的型號是1N4728、1N4729等,它的原理圖和PCB庫如下圖所示。二極管具有快速開關速度的優(yōu)勢，適用于高頻應用。

普通二極管是由一個PN結構成的半導體器件，即將一個PN結加一兩條電極引線做成管芯，并用管殼封裝而成。P型區(qū)的引出線稱為正極或陽極，N型區(qū)的引出線稱為負極或陰極，如圖1所示。普通二極管有硅管或鍺管兩種，它們的正向導通電壓（PN結電壓）差別較大，鍺管為0.2～0.3V，硅管為0.6～0.7V。點接觸型二極管，點接觸型二極管是由一根很細的金屬觸絲(如三價元素鋁)和一塊半導體(如鍺)的表面接觸，然后在正方向通過很大的瞬時電流，使觸絲和半導體牢固地熔接在一起，三價金屬與鍺結合構成PN結，并做出相應的電極引線，外加管殼密封而成。金屬絲為正極，半導體薄片為負極。二極管的可靠性高，壽命長，適用于長時間運行的應用。珠?？旎謴投O管價格

使用二極管時，需要注意正向電壓不超過其額定值，以避免損壞。珠?？旎謴投O管價格

發(fā)光二極管，施加正向偏置，可以發(fā)光的二極管。由發(fā)光種類與特性又有紅外線二極管、各種顏色的可見光二極管、紫外線二極管等。激光二極管，當LED產(chǎn)生的光是帶寬極窄的同調(diào)光（Coherent Light）時，則稱為激光二極管。光電二極管，光線射入PN結，P區(qū)空穴、N區(qū)電子大量發(fā)生，產(chǎn)生電壓（光電效應）。借由測量此電壓或電流，可作為光感應器使用。有PN、PIN、肖特基、APD等類型。太陽電池也是利用此種效應。隧道二極管（Tunnel Diode）、江崎二極管（Esaki Diode）、透納二極管，由日本人江崎玲于奈于1957年發(fā)明。是利用量子穿隧效應的作用，會出現(xiàn)在一定偏置范圍內(nèi)正向電壓增加時流通的電流量反而減少的“負電阻”的現(xiàn)象。這是較能耐受核輻射的半導體二極管。珠?？旎謴投O管價格