馬達控制應用馬達控制應用是功率MOSFET大有用武之地的另一個應用領域。典型的半橋式控制電路采用2個MOSFET (全橋式則采用4個),但這兩個MOSFET的關斷時間(死區(qū)時間)相等。對于這類應用,反向恢復時間(trr) 非常重要。在控制電感式負載(比如馬達繞組)時,控制電路把橋式電路中的MOSFET切換到關斷狀態(tài),此時橋式電路中的另一個開關經(jīng)過MOSFET中的體二極管臨時反向傳導電流。于是,電流重新循環(huán),繼續(xù)為馬達供電。當頭一個MOSFET再次導通時,另一個MOSFET二極管中存儲的電荷必須被移除,通過頭一個MOSFET放電,而這是一種能量的損耗,故trr 越短,這種損耗越小。場效應管在電子設備中普遍應用,如音頻放大器、電源管理等。中山增強型場效應管價位
MOSFET管基本結構與工作原理:mos管學名是場效應管,是金屬-氧化物-半導體型場效應管,屬于絕緣柵型。本文就結構構造、特點、實用電路等幾個方面用工程師的話簡單描述。MOS場效應三極管分為:增強型(又有N溝道、P溝道之分)及耗盡型(分有N溝道、P溝道)。N溝道增強型MOSFET的結構示意圖和符號見上圖。其中:電極 D(Drain) 稱為漏極,相當雙極型三極管的集電極;電極 G(Gate) 稱為柵極,相當于的基極;電極 S(Source)稱為源極,相當于發(fā)射極?;葜萁饘侔雽w場效應管行價JFET有三個電極:柵極、漏極和源極,工作原理類似MOSFET。
MOS管發(fā)熱情況有:1.電路設計的問題,就是讓MOS管工作在線性的工作狀態(tài),而不是在開關狀態(tài)。這也是導致MOS管發(fā)熱的一個原因。如果N-MOS做開關,G級電壓要比電源高幾V,才能完全導通,P-MOS則相反。沒有完全打開而壓降過大造成功率消耗,等效直流阻抗比較大,壓降增大,所以U*I也增大,損耗就意味著發(fā)熱。這是設計電路的較忌諱的錯誤。2.頻率太高,主要是有時過分追求體積,導致頻率提高,MOS管上的損耗增大了,所以發(fā)熱也加大了。3.沒有做好足夠的散熱設計,電流太高,MOS管標稱的電流值,一般需要良好的散熱才能達到。所以ID小于較大電流,也可能發(fā)熱嚴重,需要足夠的輔助散熱片。4.MOS管的選型有誤,對功率判斷有誤,MOS管內(nèi)阻沒有充分考慮,導致開關阻抗增大。
測試步驟:MOS管的檢測主要是判斷MOS管漏電、短路、斷路、放大。其步驟如下:假如有阻值沒被測MOS管有漏電現(xiàn)象。1、把連接柵極和源極的電阻移開,萬用表紅黑筆不變,假如移開電阻后表針慢慢逐步退回到高阻或無限大,則MOS管漏電,不變則完好。2、然后一根導線把MOS管的柵極和源極連接起來,假如指針立刻返回無限大,則MOS完好。3、把紅筆接到MOS的源極S上,黑筆接到MOS管的漏極上,好的表針指示應該是無限大。4、用一只100KΩ-200KΩ的電阻連在柵極和漏極上,然后把紅筆接到MOS的源極S上,黑筆接到MOS管的漏極上,這時表針指示的值一般是0,這時是下電荷通過這個電阻對MOS管的柵極充電,產(chǎn)生柵極電場,因為電場產(chǎn)生導致導電溝道致使漏極和源極導通,故萬用表指針偏轉(zhuǎn),偏轉(zhuǎn)的角度大,放電性越好。場效應管具有較高的耐熱性能,適用于高溫環(huán)境。
場效應管主要參數(shù):1、漏源擊穿電壓。漏源擊穿電壓BUDS是指柵源電壓UGS一定時,場效應管正常工作所能接受的較大漏源電壓。這是一項極限參數(shù),加在場效應管上的工作電壓必須小于BUDS。2、較大耗散功率。較大耗散功率PDSM也是—項極限參數(shù),是指場效應管性能不變壞時所允許的較大漏源耗散功率。運用時場效應管實踐功耗應小于PDSM并留有—定余量。3、較大漏源電流。較大漏源電流IDSM是另一項極限參數(shù),是指場效應管正常工作時,漏源間所允許經(jīng)過的較大電流。場效應管的工作電流不應超越IDSM。場效應管的工作原理是通過控制柵極電壓來調(diào)節(jié)源極和漏極之間的電流。馬鞍山場效應管廠商
場效應管是一種半導體器件,用于放大或開關電路中的信號。中山增強型場效應管價位
場效應管由于它只靠半導體中的多數(shù)載流子導電,又稱單極型晶體管。FET 英文為Field Effect Transistor,簡寫成FET。場效應管分為結型場效應管(JFET)和絕緣柵場效應管(MOS管)兩大類。按溝道材料型和絕緣柵型各分N溝道和P溝道兩種;按導電方式:耗盡型與增強型,結型場效應管均為耗盡型,絕緣柵型場效應管既有耗盡型的,也有增強型的。場效應晶體管可分為結場效應晶體管和MOS場效應晶體管,而MOS場效應晶體管又分為N溝耗盡型和增強型;P溝耗盡型和增強型四大類。中山增強型場效應管價位