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什么是MOSFET,mos管是金屬(metal)、氧化物(oxide)、半導(dǎo)體(semiconductor)場效應(yīng)晶體管,或者稱是金屬—絕緣體(insulator)、半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對調(diào)的,他們都是在P型back gate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下,這個兩個區(qū)是一樣的,即使兩端對調(diào)也不會影響器件的性能。這樣的器件被認為是對稱的。場效應(yīng)管(FET),把輸入電壓的變化轉(zhuǎn)化為輸出電流的變化。FET的增益等于它的跨導(dǎo), 定義為輸出電流的變化和輸入電壓變化之比。市面上常有的一般為N溝道和P溝道,詳情參考右側(cè)圖片(P溝道耗盡型MOS管)。而P溝道常見的為低壓mos管。場效應(yīng)管的使用壽命與工作溫度、電壓應(yīng)力等因素有關(guān)。上海強抗輻場效應(yīng)管廠家直銷
場效應(yīng)管的作用:1、場效應(yīng)管可應(yīng)用于放大,由于場效應(yīng)管放大器的輸入阻抗很高,因此耦合電容可以容量較小,不必使用電解電容器。2、場效應(yīng)管很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換,常用于多級放大器的輸入級作阻抗變換。3、場效應(yīng)管可以用作可變電阻。4、場效應(yīng)管可以方便地用作恒流源。5、場效應(yīng)管可以用作電子開關(guān)。場效應(yīng)管的分類:場效應(yīng)管分為結(jié)型場效應(yīng)管(JFET)和絕緣柵場效應(yīng)管(MOS管)兩大類。按溝道材料型和絕緣柵型各分N溝道和P溝道兩種;按導(dǎo)電方式:耗盡型與增強型,結(jié)型場效應(yīng)管均為耗盡型,絕緣柵型場效應(yīng)管既有耗盡型的,也有增強型的。場效應(yīng)晶體管可分為結(jié)場效應(yīng)晶體管和MOS場效應(yīng)晶體管,而MOS場效應(yīng)晶體管又分為N溝耗盡型和增強型;P溝耗盡型和增強型四大類。上海多晶硅金場效應(yīng)管規(guī)格場效應(yīng)管的響應(yīng)速度快,可以實現(xiàn)高頻率的信號處理。
場效應(yīng)管是一種電壓控制器件,其工作原理是通過改變柵極(Gate)與源極(Source)之間的電壓來控制漏極(Drain)與源極之間的電流。與傳統(tǒng)的雙極型晶體管(BJT)相比,F(xiàn)ET只利用單一類型的載流子(電子或空穴)進行導(dǎo)電,因此也被稱為單極型晶體管。分類:結(jié)型場效應(yīng)管(JFET):基于PN結(jié)形成的通道,分為N溝道JFET和P溝道JFET。絕緣柵型場效應(yīng)管(MOS管):分為增強型MOS管和耗盡型MOS管,每種類型又分為N溝道和P溝道。耗盡型MOS管:在柵極電壓(VGS)為零時,耗盡型MOS管已經(jīng)形成了導(dǎo)電溝道,即使沒有外加電壓,也會有漏極電流(ID)。這是因為在制造過程中,通過摻雜在絕緣層中引入正離子,使得在半導(dǎo)體表面感應(yīng)出負電荷,形成導(dǎo)電溝道。增強型MOS管:在VGS為零時是關(guān)閉狀態(tài),不導(dǎo)電。只有當(dāng)施加適當(dāng)?shù)恼驏艠O電壓時,才會在半導(dǎo)體表面感應(yīng)出足夠的多數(shù)載流子,形成導(dǎo)電溝道。
場效應(yīng)管(FET)是利用控制輸入回路的電場效應(yīng)來控制輸出回路電流的一種半導(dǎo)體器件,并以此命名,場效應(yīng)管[2]是常見的電子元件,屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件。具有輸入電阻高(10^8~10^9Ω)、噪聲小、功耗低、動態(tài)范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點。場效應(yīng)晶體管于1925年由Julius Edgar Lilienfeld和于1934年由Oskar Heil分別發(fā)明,但是實用的器件一直到1952年才被制造出來(結(jié)型場效應(yīng)管),1960年Dawan Kahng發(fā)明了金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管,從而大部分代替了JFET,對電子行業(yè)的發(fā)展有著深遠的意義。場效應(yīng)管是一種半導(dǎo)體器件,通過外部電場調(diào)節(jié)電導(dǎo)。
單極型場效應(yīng)管以其簡單而獨特的結(jié)構(gòu)區(qū)別于雙極型晶體管,它依靠一種載流子(電子或空穴)來導(dǎo)電。這種結(jié)構(gòu)使得它的輸入電阻極高,幾乎沒有柵極電流,就像一個幾乎不消耗能量的信號接收站。在高阻抗信號放大與處理領(lǐng)域,它大顯身手。在傳感器信號調(diào)理電路中,以光電傳感器為例,當(dāng)光線照射到光電傳感器上時,會產(chǎn)生極其微弱的電流信號。單極型場效應(yīng)管憑借其高輸入阻抗的特性,能夠?qū)⑦@微弱的信號高效放大,且不會因為自身的輸入特性對原始信號造成絲毫干擾。在工業(yè)檢測中,可精細檢測設(shè)備的運行狀態(tài);在環(huán)境監(jiān)測里,能準確感知空氣質(zhì)量、溫濕度等變化。其出色的表現(xiàn)保證了傳感器檢測精度,廣泛應(yīng)用于對信號準確性要求極高的各種場景,為工業(yè)生產(chǎn)和環(huán)境保護提供可靠的數(shù)據(jù)支持。場效應(yīng)管在電子設(shè)備中扮演著關(guān)鍵角色。上海多晶硅金場效應(yīng)管規(guī)格
場效應(yīng)管利用輸入電場控制輸出電流,因此具有高輸入電阻和低輸出阻礙的特點。上海強抗輻場效應(yīng)管廠家直銷
這些電極的名稱和它們的功能有關(guān)。柵極可以被認為是控制一個物理柵的開關(guān)。這個柵極可以通過制造或者消除源極和漏極之間的溝道,從而允許或者阻礙電子流過。如果受一個加上的電壓影響,電子流將從源極流向漏極。體很簡單的就是指柵、漏、源極所在的半導(dǎo)體的塊體。通常體端和一個電路中較高或較低的電壓相連,根據(jù)類型不同而不同。體端和源極有時連在一起,因為有時源也連在電路中較高或較低的電壓上。當(dāng)然有時一些電路中FET并沒有這樣的結(jié)構(gòu),比如級聯(lián)傳輸電路和串疊式電路。上海強抗輻場效應(yīng)管廠家直銷