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RPS遠程等離子源技術的優(yōu)勢與應用
一、RPS遠程等離子源工作原理
RPS遠程等離子源是一款基于電感耦合等離子體技術的自成一體的原子發(fā)生器，它的功能是用于半導體設備工藝腔體原子級別的清潔，使用工藝氣體三氟化氮（NF3）/O2，在交變電場和磁場作用下，原材料氣體會被解離，從而釋放出自由基，活性離子進入工藝室與工藝室上沉積的污染材料（SIO/SIN）或者殘余氣體（H2O、O2、H2、N2）等物質產生化學反應，聚合為高活性氣態(tài)分子經過真空泵組抽出處理腔室，提高處理腔室內部潔凈度；
利用原子的高活性強氧化特性，達到清洗CVD或其他腔室后生產工藝的目的，為了避免不必要的污染和工作人員的高風險的濕式清洗工作，提高生產效率。
二、RPS遠程等離子源應用原理
1.遠程等離子的處理作用，是非常輕微的刻蝕，有一定的活性作用，主要與腔室內部的殘余氣體發(fā)生作用。但是對腔室內部的固體物質，例如：腔室內壁的金屬材料與腔室內部的零配件，在工作時間較短（幾十分鐘）的情況下，一般只會發(fā)生淺表層的反應，幾十納米至幾微米，因為腔室內部的材質一般是鋁合金、不銹鋼等，不容易被氧離子所刻蝕。
2.遠程等離子工作時，用戶本身的鍍膜工藝是不工作的，所有沒有直接接觸到有機發(fā)光材料，就不會對有機發(fā)光材質造成損傷。即使是直接接觸，其發(fā)生的輕微的表面作用，也不會造成損傷。
三、晟鼎RPS的九大優(yōu)勢
四、應用領域與典型案例
1.CVD腔室清潔
①清潔HDP-CVD腔（使用F原子）
②清潔PECVD腔（使用F原子）
③清潔Low-k CVD腔（使用O原子、F原子）
④清潔WCVD腔（使用F原子）
2.表面處理、反應性刻蝕和等離子體輔助沉積
①通過反應替代 （表 面氧化）進行表面改性
②輔助PECVD
③使用預活化氧氣和氮氣輔助低壓反應性濺射沉積
④使用預活化氧氣和氮氣進行反應性蒸發(fā)沉積
⑤等離子體增強原子層沉積（PEALD）
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