所謂光刻技術(shù)，指的是利用光化學(xué)反應(yīng)原理把事先準(zhǔn)備在掩模版上的圖形轉(zhuǎn)印到一個(gè)襯底（晶圓）上，使選擇性的刻蝕和離子注入成為可能的過(guò)程，是半導(dǎo)體制造業(yè)的基礎(chǔ)之一。隨著半導(dǎo)體制造業(yè)的發(fā)展，光刻技術(shù)從曝光波長(zhǎng)上來(lái)區(qū)分，先后經(jīng)歷了g線（436nm）、i線（365nm）、KrF（248nm）、ArF（193nm，包括干式和浸沒(méi)式）和極紫外（EUV，13.5nm）光刻。對(duì)應(yīng)于不同的曝光波長(zhǎng)，所使用的光刻膠也得到了不斷的發(fā)展。目前7nm和5nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)已經(jīng)到來(lái)，根據(jù)各個(gè)技術(shù)的芯片制造企業(yè)公告，EUV光刻技術(shù)已正式導(dǎo)入集成電路制造工藝。在每一代的光刻技術(shù)中，光刻膠都是實(shí)現(xiàn)光刻過(guò)程的關(guān)鍵材料之一。碳酸甲酯型光刻膠：這種類型的光刻膠在制造高分辨率電路元件方面非常有用。江浙滬LCD觸摸屏用光刻膠單體
20世紀(jì)七八十年代，我國(guó)光刻膠研發(fā)水平一直與國(guó)外持平。1977年，化學(xué)研究所曾出版了我國(guó)一部有關(guān)光刻膠的專著《光致抗蝕劑：光刻膠》。但隨后的1990~2010年，由于缺乏芯片產(chǎn)業(yè)的牽引，我國(guó)光刻膠研發(fā)處于停滯狀態(tài)。直到2010年后，我國(guó)才又開始重新組建光刻膠研發(fā)隊(duì)伍。目前我國(guó)的EUV光刻膠主要集中在單分子樹脂型和有機(jī)-無(wú)機(jī)雜化型，暫無(wú)傳統(tǒng)高分子EUV光刻膠的相關(guān)工作見(jiàn)諸報(bào)道。我國(guó)開展EUV光刻膠研究的主要有化學(xué)研究所楊國(guó)強(qiáng)課題組和理化技術(shù)研究所李嫕課題組。江浙滬顯示面板光刻膠光致抗蝕劑光刻膠又稱光致抗蝕劑，是一種對(duì)光敏感的混合液體。
根據(jù)不同原子對(duì) EUV 光的吸收截面可知，硅原子和硼原子對(duì)EUV光的吸收較弱，有助于提高光刻膠薄膜的透明度，從而提高光刻膠的對(duì)比度，同時(shí)還可增加光刻膠的抗刻蝕性。HSQ在吸收光子（或電子）后，硅-氫鍵斷裂，與水分子反應(yīng)生成硅醇，兩個(gè)硅醇之間又生成硅-氧-硅鍵，交聯(lián)形成無(wú)法溶解在TMAH顯影液中的網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)。HSQ廣泛應(yīng)用于電子束光刻中，也可用于EUV光刻。2005年，美國(guó)威斯康星大學(xué)的Nealey等率先將HSQ用于EUV光刻，得到了線寬為26.4nm、LER為5.1nm的光刻線條。隨后，瑞士光源的Solak課題組利用HSQ制備出了20nm的L/S密集線條，并通過(guò)工藝調(diào)整獲得了優(yōu)于PMMA光刻膠的靈敏度。
由于早期制約EUV光刻發(fā)展的技術(shù)瓶頸之一是光源功率太小，因此，在不降低其他光刻性能的前提下提高EUV光刻膠的靈敏度一直是科研人員的工作重點(diǎn)。為了解決這一問(wèn)題，2013年，大阪大學(xué)的Tagawa等提出了光敏化化學(xué)放大光刻膠（PSCAR?）。與其他EUV化學(xué)放大光刻膠不同的是，PSCAR體系除了需在掩模下進(jìn)行產(chǎn)生圖案的EUV曝光，還要在EUV曝光之后進(jìn)行UV整片曝光。PSCAR體系中除了有主體材料、光致產(chǎn)酸劑，還包括光敏劑前體。這是一種模型光敏劑前體的結(jié)構(gòu)，它本身對(duì)UV光沒(méi)有吸收，但在酸性條件下可以轉(zhuǎn)化為光敏劑，對(duì)UV光有吸收。光刻膠發(fā)展至今已有百年歷史，現(xiàn)已用于集成電路、顯示、PCB 等領(lǐng)域，是光刻工藝的重要材料。
三苯基硫鎓鹽是常用的EUV光刻膠光致產(chǎn)酸劑，也具有枝狀結(jié)構(gòu)。佐治亞理工的Henderson課題組借鑒主體材料鍵合光敏材料的思路，制備了一種枝狀單分子樹脂光刻膠TAS-tBoc-Ts。雖然他們?cè)臼窍胍铣梢环N化學(xué)放大型光刻膠，但根據(jù)是否后烘，TAS-tBoc-Ts既可呈現(xiàn)負(fù)膠也可呈現(xiàn)正膠性質(zhì)。曝光后若不后烘，硫鎓鹽光解形成硫醚結(jié)構(gòu)，生成的光酸不擴(kuò)散，不會(huì)引發(fā)t-Boc的離去；曝光區(qū)域不溶于水性顯影液，未曝光區(qū)域?yàn)殡x子結(jié)構(gòu)，微溶于水性顯影液，因而可作為非化學(xué)放大型負(fù)性光刻膠。曝光后若后烘，硫鎓鹽光解產(chǎn)生的酸引發(fā)鏈?zhǔn)椒磻?yīng)，t-Boc基團(tuán)離去露出酚羥基；使用堿性顯影液，曝光區(qū)域的溶解速率遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于未曝光區(qū)域，因此又可作為化學(xué)放大型正性光刻膠。這個(gè)工作雖然用DUV光刻和電子束光刻測(cè)試了此類光刻膠的光刻性能，但由于EUV光刻機(jī)理與電子束光刻的類似性，本工作也為新型EUV光刻膠的設(shè)計(jì)開辟了新思路。光刻膠下游為印刷電路板、顯示面板和電子芯片，廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子、航空航天等領(lǐng)域。嘉定光交聯(lián)型光刻膠集成電路材料
光刻膠必須在存儲(chǔ)和處理中受到保護(hù)。江浙滬LCD觸摸屏用光刻膠單體
利用基團(tuán)變化導(dǎo)致光刻膠溶解性變差構(gòu)建負(fù)性光刻膠的，還有日本日立公司的Kojima等，他們與日本東京應(yīng)化工業(yè)的研發(fā)人員開發(fā)了一種枝狀單分子樹脂分子3M6C-MBSA-BL。3M6C-MBSA-BL內(nèi)含有γ-羥基羧酸基團(tuán)，在強(qiáng)酸的作用下，可以發(fā)生分子內(nèi)脫水，由易溶于堿性顯影液的羧酸變?yōu)殡y溶于羧酸顯影液的內(nèi)酯，因而可作為負(fù)膠使用。Kojima等只檢測(cè)了其作為電子束光刻膠的性能，獲得了40nm線寬的線條，呈現(xiàn)出較好的抗刻蝕性，但它作為EUV光刻膠的能力還有待驗(yàn)證。江浙滬LCD觸摸屏用光刻膠單體