山西芯片封裝工藝

sip封裝的優(yōu)缺點(diǎn)，SIP封裝的優(yōu)缺點(diǎn)如下：優(yōu)點(diǎn)：結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單：SIP封裝的結(jié)構(gòu)相對(duì)簡(jiǎn)單，制造和組裝過(guò)程相對(duì)容易。成本低：SIP封裝的制造成本較低，適合大規(guī)模生產(chǎn)?？煽啃愿撸篠IP封裝具有較好的密封性能，可以免受環(huán)境影響，提高產(chǎn)品的可靠性。適應(yīng)性強(qiáng)：SIP封裝適用于對(duì)性能要求不高且需要大批量生產(chǎn)的低成本電子產(chǎn)品。缺點(diǎn)：引腳間距限制：SIP封裝的引腳中心距通常為2.54mm，引腳數(shù)從2至23不等，這限制了其在一些高密度、高性能應(yīng)用中的使用。不適用于高速傳輸：由于SIP封裝的引腳間距較大，不適合用于高速數(shù)據(jù)傳輸。散熱性能差：SIP封裝的散熱性能較差，可能不適用于高功耗的芯片。SiP是使用成熟的組裝和互連技術(shù)，把各種集成電路器件集成到一個(gè)封裝體內(nèi)，實(shí)現(xiàn)整機(jī)系統(tǒng)的功能。山西芯片封裝工藝

SiP封裝工藝介紹，SiP封裝技術(shù)采取多種裸芯片或模塊進(jìn)行排列組裝，若就排列方式進(jìn)行區(qū)分可大體分為平面式2D封裝和3D封裝的結(jié)構(gòu)。相對(duì)于2D封裝，采用堆疊的3D封裝技術(shù)又可以增加使用晶圓或模塊的數(shù)量，從而在垂直方向上增加了可放置晶圓的層數(shù)，進(jìn)一步增強(qiáng)SiP技術(shù)的功能整合能力。而內(nèi)部接合技術(shù)可以是單純的線鍵合（Wire Bonding），也可使用覆晶接合（Flip Chip），也可二者混用。目前世界上先進(jìn)的3D SiP 采用 Interposer（硅基中介層）將裸晶通過(guò)TSV（硅穿孔工藝）與基板結(jié)合。江西MEMS封裝方案SiP 封裝技術(shù)采取多種裸芯片或模塊進(jìn)行排列組裝。

系統(tǒng)級(jí)封裝（SiP）是將多個(gè)集成電路（IC）和無(wú)源元件捆綁到單個(gè)封裝中，在單個(gè)封裝下它們協(xié)同工作的方法。這與片上系統(tǒng)（SoC）形成鮮明對(duì)比，功能則集成到同一個(gè)芯片中。將基于各種工藝節(jié)點(diǎn)（CMOS，SiGe，BiCMOS）的不同電路的硅芯片可以垂直或并排堆疊在襯底上。該封裝由內(nèi)部接線進(jìn)行連接，將所有芯片連接在一起形成一個(gè)功能系統(tǒng)。系統(tǒng)級(jí)封裝類(lèi)似于片上系統(tǒng)(SOC)，但它的集成度較低，并且使用的不是單一半導(dǎo)體制造工藝。常見(jiàn)的SiP解決方案可以利用多種封裝技術(shù)，例如倒裝芯片、引線鍵合、晶圓級(jí)封裝等。封裝在系統(tǒng)中的集成電路和其他組件的數(shù)量可變，理論上是無(wú)限的，因此，工程師基本上可以將整個(gè)系統(tǒng)集成到單個(gè)封裝中。

幾種類(lèi)型的先進(jìn)封裝技術(shù)：首先就是 SiP，隨著 5G 的部署加快，這類(lèi)封裝技術(shù)的應(yīng)用范圍將越來(lái)越普遍。其次是應(yīng)用于 Chiplet SiP 的 2.5D/3D 封裝，以及晶圓級(jí)封裝，并且利用晶圓級(jí)技術(shù)在射頻特性上的優(yōu)勢(shì)推進(jìn)扇出型（Fan-Out）封裝。很多半導(dǎo)體廠商都有自己的 SiP 技術(shù)，命名方式各有不同。比如，英特爾叫 EMIB、臺(tái)積電叫 SoIC。這些都是 SiP 技術(shù)，差別就在于制程工藝。在智能手機(jī)領(lǐng)域，除射頻模塊外，通用單元電路小型化需求正推升 SiP 技術(shù)的采用率；可穿戴領(lǐng)域，已經(jīng)有在耳機(jī)和智能手表上應(yīng)用 SiP 技術(shù)。不同的芯片排列方式，與不同的內(nèi)部接合技術(shù)搭配，使 SiP 的封裝形態(tài)產(chǎn)生多樣化的組合。

SiP 封裝優(yōu)勢(shì)：1）封裝面積增大，SiP在同一個(gè)封裝種疊加兩個(gè)或者多個(gè)芯片。把垂直方向的空間利用起來(lái)，同時(shí)不必增加引出管腳，芯片疊裝在同一個(gè)殼體內(nèi)，整體封裝面積較大程度上減少。2）采用超薄的芯片堆疊與TSV技術(shù)使得多層芯片的堆疊封裝體積減小，先進(jìn)的封裝技術(shù)可以實(shí)現(xiàn)多層芯片堆疊厚度。3）所有元件在一個(gè)封裝殼體內(nèi)，縮短了電路連接，見(jiàn)笑了阻抗、射頻、熱等損耗影響。提高了光，電等信號(hào)的性能。4）SiP 可將不同的材料，兼容不同的GaAs，Si，InP，SiC，陶瓷，PCB等多種材料進(jìn)行組合進(jìn)行一體化封裝。封裝基板的分類(lèi)有很多種，目前業(yè)界比較認(rèn)可的是從增強(qiáng)材料和結(jié)構(gòu)兩方面進(jìn)行分類(lèi)。江西MEMS封裝方案

SIP發(fā)展趨勢(shì)，多樣化，復(fù)雜化，密集化。山西芯片封裝工藝

SiP還具有以下更多優(yōu)勢(shì)：降低成本 – 通常伴隨著小型化，降低成本是一個(gè)受歡迎的副作用，盡管在某些情況下SiP是有限的。當(dāng)對(duì)大批量組件應(yīng)用規(guī)模經(jīng)濟(jì)時(shí)，成本節(jié)約開(kāi)始顯現(xiàn)，但只限于此。其他可能影響成本的因素包括裝配成本、PCB設(shè)計(jì)成本和離散 BOM（物料清單）開(kāi)銷(xiāo)，這些因素都會(huì)受到很大影響，具體取決于系統(tǒng)。良率和可制造性 – 作為一個(gè)不斷發(fā)展的概念，如果有效地利用SiP專(zhuān)業(yè)知識(shí)，從模塑料選擇，基板選擇和熱機(jī)械建模，可制造性和產(chǎn)量可以較大程度上提高。山西芯片封裝工藝