北京專業(yè)特種封裝測(cè)試

IGBT被稱成為“功率半導(dǎo)體皇冠上的明珠”，普遍應(yīng)用于光伏電力發(fā)電、新能源汽車、軌道交通、配網(wǎng)建設(shè)、直流輸電、工業(yè)控制等行業(yè)，下游需求市場(chǎng)巨大。IGBT的主要應(yīng)用產(chǎn)品類型為IGBT模塊。IGBT模塊的市占率能夠達(dá)到50%以上，而IPM模塊和IGBT單管分別只有28%左右和20%左右。從產(chǎn)品的投資價(jià)值來(lái)看，由于IGBT模塊的價(jià)值量較大，有利于企業(yè)快速提升產(chǎn)品規(guī)模，其投資價(jià)值較大。實(shí)現(xiàn)IGBT國(guó)產(chǎn)化，不只需要研發(fā)出一套集芯片設(shè)計(jì)、晶圓制造、封裝測(cè)試、可靠性試驗(yàn)、系統(tǒng)應(yīng)用等于一體的成熟工藝技術(shù)，更需要先進(jìn)的工藝設(shè)備。SOT封裝的優(yōu)點(diǎn)是體積小、重量輕、安裝方便，缺點(diǎn)是散熱性能較差。北京專業(yè)特種封裝測(cè)試

特種材質(zhì)的超高頻RFID標(biāo)簽封裝技術(shù)常用兩種：貼片技術(shù)（SMT）和綁線技術(shù)（Wire Bonding）。這些封裝技術(shù)主要服務(wù)的對(duì)象是特種材質(zhì)標(biāo)簽，如PCB抗金屬標(biāo)簽等。這些封裝技術(shù)對(duì)比普通材質(zhì)特種標(biāo)簽封裝技術(shù)穩(wěn)定性高，生產(chǎn)設(shè)備價(jià)格便宜，但生產(chǎn)速度慢很多。標(biāo)簽芯片較常見(jiàn)的形式是Wafer晶圓，其次是封裝片，還有少數(shù)的條帶Strap。其中封裝片的形式有多種，如DFN封裝、SOT封裝、QFN封裝。如圖4-79（a）所示為H3芯片的SOT323封裝照片，圖4-79（b）為封裝片的管腳說(shuō)明。（a）封裝照片 （b）管腳示意圖。甘肅防潮特種封裝定制價(jià)格金屬封裝應(yīng)用于各類集成電路、微波器件、光通器件等產(chǎn)品，應(yīng)用領(lǐng)域較為普遍。

功率器件模塊封裝結(jié)構(gòu)演進(jìn)趨勢(shì)，IGBT作為重要的電力電子的主要器件，其可靠性是決定整個(gè)裝置安全運(yùn)行的較重要因素。由于IGBT采取了疊層封裝技術(shù)，該技術(shù)不但提高了封裝密度，同時(shí)也縮短了芯片之間導(dǎo)線的互連長(zhǎng)度，從而提高了器件的運(yùn)行速率。按照封裝形式和復(fù)雜程度，IGBT產(chǎn)品可以分為裸片DIE、IGBT單管、IGBT模塊和IPM模塊。1、裸片DIE：由一片晶圓切割而成的多顆裸片DIE；2、IGBT單管：由單顆DIE封裝而成的IGBT分立器件，電流能力小，適用于家電等領(lǐng)域；3、IGBT模塊：由多顆DIE并聯(lián)封裝而成，功率更大、散熱能力更強(qiáng)，適用于新能源汽車、高鐵、光伏發(fā)電等大功率領(lǐng)域；4、IPM模塊：在IGBT模塊外部增加其他功能的智能功率模塊（IPM）。

目前，在常規(guī)PCB板的主流產(chǎn)品中，線寬/線距50μm/50μm的產(chǎn)品屬于檔次高PCB產(chǎn)品了，但該技術(shù)仍然無(wú)法達(dá)到目前主流芯片封裝的技術(shù)要求。在封裝基板制造領(lǐng)域，線寬/線距在25μm/25μm的產(chǎn)品已經(jīng)成為常規(guī)產(chǎn)品，這從側(cè)面反映出封裝基板制造與常規(guī)PCB制造比，其在技術(shù)更為先進(jìn)。封裝基板從常規(guī)印制電路板中分離的根本原因有兩方面：一方面，由于PCB板的精細(xì)化發(fā)展速度低于芯片的精細(xì)化發(fā)展速度，導(dǎo)致芯片與PCB板之間的直接連接比較困難。另一方面，PCB板整體精細(xì)化提高的成本遠(yuǎn)高于通過(guò)封裝基板來(lái)互連PCB和芯片的成本。模塊封裝是將封裝芯片、器件和電路封裝在一起，形成一個(gè)新的電器模塊。

無(wú)源晶振封裝，常見(jiàn)的無(wú)源晶振封裝有HC-49U（簡(jiǎn)稱49U）、HC-49S（簡(jiǎn)稱49S）、UM系列等，如圖8所示。49U、49S、UM系列是現(xiàn)在石英晶振使用較普遍的幾個(gè)產(chǎn)品，因其成本較低、精度、穩(wěn)定度等符合民用電子設(shè)備，所以受到工廠的青睞。以HC-49S為例進(jìn)行介紹，49S又稱為HC-49US封裝。HC-49S屬于直插式石英晶振封裝，直插2腳，高殼體積為10.5×4.5×3.5MM，矮殼體積10.5×5.0×2.5MM，屬國(guó)際通用標(biāo)準(zhǔn)，普通參數(shù)標(biāo)準(zhǔn)負(fù)載電容為20PF（12PF 16PF 30PF等） 精度為±20PPM ±50ppm等，電阻120Ω，參數(shù)標(biāo)準(zhǔn)方面跟HC-49U、HC-49SMD無(wú)差別。49S相對(duì)49U體積較小，不會(huì)因體積大造成電路板空間的浪費(fèi)，進(jìn)而不會(huì)增加電路板的造價(jià)成本，已逐步替代49U。QFP封裝常見(jiàn)的有QFP44、QFP64、QFP100等規(guī)格。甘肅防潮特種封裝定制價(jià)格

金屬封裝的種類有光電器件封裝包括帶光窗型、帶透鏡型和帶光纖型。北京專業(yè)特種封裝測(cè)試

芯片在許多方面都是現(xiàn)代經(jīng)濟(jì)的命脈。它們?yōu)殡娔X、智能手機(jī)、汽車、電器和其他許多電子產(chǎn)品提供動(dòng)力。但自口罩以來(lái)，世界對(duì)它們的需求激增，這也導(dǎo)致供應(yīng)鏈中斷，導(dǎo)致全球短缺。隨著5G、高性能運(yùn)算、人工智能（AI）和物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)的迅速發(fā)展，數(shù)字化進(jìn)程加快，芯片市場(chǎng)需求提高明顯。另一方面，口罩爆發(fā)催生出了“宅經(jīng)濟(jì)”效應(yīng)，遠(yuǎn)程辦公及學(xué)習(xí)人數(shù)劇增，數(shù)碼設(shè)備需求加大也推動(dòng)著芯片需求上升。電子系統(tǒng)的集成主要分為三個(gè)層次（Level）：芯片上的集成，封裝內(nèi)的集成，PCB板級(jí)集成，如下圖所示：北京專業(yè)特種封裝測(cè)試