北京質(zhì)量鋁碳化硅設備

來源: 發(fā)布時間:2021-11-29

AlSiC封裝材料產(chǎn)業(yè)化引起國內(nèi)科研院所、大學等單位的***重視,積極著手研發(fā)其凈成形工藝,部分單位研制成功樣品,為AlSiC工業(yè)化生產(chǎn)積累經(jīng)驗, 離規(guī)?;a(chǎn)尚有一定距離,存在成本高、SiC體積含量不高、低粘度、55% ~ 75%高體積分材料的制備與漿粒原位固化技術等問題。我們公司采用創(chuàng)新型制備工藝,可制備50%-75%體分的鋁碳化硅產(chǎn)品,在碳化硅預制件制備過程中,區(qū)別于氧化燒結法,所制備的碳化硅預制件無二氧化硅,對復合材料的熱導率無抑制作用,極大的提高了復合材料的熱導率,且極大低降低了加工成本。杭州陶飛侖新材料有限公司生產(chǎn)的鋁碳化硅致密度超過99.7%。北京質(zhì)量鋁碳化硅設備

目前,常用金屬封裝材料與CaAs芯片的微波器件封裝需求存在性能上的差距,使得研發(fā)一種新型輕質(zhì)金屬封裝材料,滿足航空航天用器件封裝成為急需,引發(fā)相關部門調(diào)試重視。經(jīng)過近些年來研究所和企業(yè)的深入研究,AlSiC取得了較大的產(chǎn)業(yè)化進展,相繼推動高體分碳化硅與鋁合金的復合材料SiC/Al實用化進程。將SiC與Al合金按一定比例和工藝結合成AlSiC后,可克服目前金屬封裝材料的不足,獲得高K值、低 CTE、高比強度、低密度、導電性好的封裝材料。天津使用鋁碳化硅生產(chǎn)過程杭州陶飛侖可根據(jù)客戶產(chǎn)品技術要求定制化制備滿足客戶要求的鋁碳化硅產(chǎn)品。

目前,鋁碳化硅制備工藝中,在制備55vol%~ 75vol% SiC高含量的封裝用AlSiC產(chǎn)品時多采用熔滲法,其實質(zhì)是粉末冶金法的延伸。它通過先制備一定密度、強度的多孔碳化硅基體預制件,再滲以熔點比其低的金屬填充預制件,其理論基礎是在金屬液潤濕多孔基體時,在毛細管力作用下,金屬液會沿顆粒間隙流動填充多孔預制作孔隙,脫模無需機械加工,在其表面上覆蓋有一層0.13mm-0.25mm厚的完美鋁層,按用途電鍍上Ni、Au、Cd、Ag等,供封裝使用。

AlSiC可制作出光電模塊封裝要求光學對準非常關鍵的復雜幾何圖形,精確控制圖形尺寸,關鍵的光學對準部分無需額外的加工,保證光電器件的對接,降低成本。此外,AlSiC有優(yōu)良的散熱性能,能保持溫度均勻性,并優(yōu)化冷卻器性能,改善光電器件的熱管理。

AlSiC金屬基復合材料正成為電子封裝所需高K值以及可調(diào)的低CTE、低密度、**度與硬度的理想材料,為各種微波和微電子以及功率器件、光電器件的封裝與組裝提供所需的熱管理,可望替代分別以Kovar和W-Cu、Mo-Cu為**的***、第二代**電子封裝合金,尤其在航空航天、***及民用電子器件的封裝方面需求迫切。 低體分鋁碳化硅具有塑性高、耐磨性好、加工性能優(yōu)異等特點。

AESA由數(shù)以千計的T/R模塊(有的高達9 000 個左右)構成,在每個T/R模塊內(nèi)部都有用GaAs 技術制作的功率發(fā)射放大器、低噪聲接收放大器、T/ R開關、多功能增益/相位控制等電路芯片,**終生產(chǎn)關鍵在其封裝技術上,因機載對其體積與重量的限制極為苛刻。AlSiC集低熱脹、高導熱、輕質(zhì)于一體,采用AlSiC外殼封裝T/R模塊,包括S、C、X、Ku波段產(chǎn)品,可滿足實用需求。雷達APG-77是一部典型多功能、多工作方式雷達,其AESA直 徑約1m,用2 000個T/R模塊構成,每個T/R模塊 輸出功率10W,移相器6位,接收噪聲系數(shù)2.9dB,體積6.4cm3,重14.88g,平均故障間隔MTBF20萬h,其發(fā)射功率比初期產(chǎn)品增加16倍,接收噪聲系數(shù)降低1倍,體積重量減少83%,成本下降82%。以1000個T/R模塊構成機載AESA雷達為例,用 AlSiC替代Kovar,雷達重量可減輕34kg,而熱導率比Kovar提高10余倍,且提高整機可靠性MTBF達2000h以上。試驗表明,即使AESA中10%的T/R模塊產(chǎn)生故障,對系統(tǒng)無***影響,30%失效時,仍可維持基本工作性能,具有所謂的“完美降級” 能力。鋁碳化硅已經(jīng)應用于玉兔號行走裝置。陜西使用鋁碳化硅生產(chǎn)過程

我司主要研制、生產(chǎn)低體分和高體分的金屬陶瓷復合材料。北京質(zhì)量鋁碳化硅設備

鋁碳化硅在T/R組件中的應用:本世紀初,美國的AlSiC年產(chǎn)量超過100萬件,T/ R模塊已經(jīng)由“磚”式封裝向很薄、邊長5cm或更小方塊形的“瓦”式封裝發(fā)展,進一步降低T/R模塊的尺寸、厚度、重量以及所產(chǎn)生的熱量。歐洲防務公司、法、英、德聯(lián)合開發(fā)機載AESA及T/R模塊技術,研制具有1200個T/R模塊全尺寸樣機的試驗工作,俄羅斯積極著手研制第4代戰(zhàn)斗機用AESA雷達,以色列、瑞典研制出輕型機載AESA預警雷達,機載AESA及 T/R模塊市場持續(xù)升溫。北京質(zhì)量鋁碳化硅設備

杭州陶飛侖新材料有限公司位于塘棲鎮(zhèn)富塘路37-3號1幢201-1室。公司自成立以來,以質(zhì)量為發(fā)展,讓匠心彌散在每個細節(jié),公司旗下鋁碳化硅,鋁碳化硼,銅碳化硅,碳化硅陶瓷深受客戶的喜愛。公司秉持誠信為本的經(jīng)營理念,在電子元器件深耕多年,以技術為先導,以自主產(chǎn)品為重點,發(fā)揮人才優(yōu)勢,打造電子元器件良好品牌。陶飛侖新材料立足于全國市場,依托強大的研發(fā)實力,融合前沿的技術理念,飛快響應客戶的變化需求。