河北有什么鋁碳化硅產(chǎn)品介紹

來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2021-12-02

鋁基碳化硅(AlSiC)的全稱(chēng)是鋁基碳化硅顆粒增強(qiáng)復(fù)合材料,采用鋁合金作為基體,按設(shè)計(jì)要求,以一定形式、比例和分布狀態(tài),用SiC顆粒作為增強(qiáng)體,構(gòu)成有明顯界面的多組相復(fù)合材料,兼具單一金屬不具備的綜合優(yōu)越性能。它充分結(jié)合了碳化硅陶瓷和金屬鋁的不同優(yōu)勢(shì),具有高導(dǎo)熱性、與芯片相匹配的熱膨脹系數(shù)、密度小、重量輕,以及高硬度和高抗彎強(qiáng)度。其特性主要取決于碳化硅的體積分?jǐn)?shù)(含量)及分布和粒度大小,以及鋁合金成份等因素。鋁碳化硅已經(jīng)應(yīng)用于F16-腹鰭及蒙皮。河北有什么鋁碳化硅產(chǎn)品介紹

封裝金屬基復(fù)合材料的增強(qiáng)體有數(shù)種,SiC是其中應(yīng)用**為***的一種,這是因?yàn)樗哂袃?yōu)良的熱性能,用作顆粒磨料技術(shù)成熟,價(jià)格相對(duì)較低;另一方面,顆粒增強(qiáng)體材料具有各向同性,**有利于實(shí)現(xiàn)凈成形。AlSiC特性主要取決于SiC的體積分?jǐn)?shù)(含量)及分布和粒度大小,以及Al合金成分等。依據(jù)兩相比例或復(fù)合材料的熱處理狀態(tài),可對(duì)材料熱物理與力學(xué)性能進(jìn)行設(shè)計(jì),從而滿(mǎn)足芯片封裝多方面的性能要求。其中,SiC體積分?jǐn)?shù)尤為重要,實(shí)際應(yīng)用時(shí),AlSiC與 芯片或陶瓷基體直接接觸,要求CTE盡可能匹配。浙江質(zhì)量鋁碳化硅結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)杭州陶飛侖致力于新型特種陶瓷、金屬陶瓷復(fù)合材料的研發(fā)、生產(chǎn)、銷(xiāo)售和技術(shù)服務(wù)為一體的高科技企業(yè)。

2、鋁碳化硅材料成型的關(guān)鍵技術(shù):由于金屬所固有的物理和化學(xué)特性,其加工性能不如樹(shù)脂好,在制造鋁基碳化硅材料中還需解決一些關(guān)鍵技術(shù),其中主要表現(xiàn)于:加工溫度高,在高溫下易發(fā)生不利的化學(xué)反應(yīng);增強(qiáng)材料與基體浸潤(rùn)性差;增強(qiáng)材料在基體中的分布。

(1)、高溫下的不利化學(xué)反應(yīng)問(wèn)題:在加工過(guò)程中,為了確?;w的浸潤(rùn)性和流動(dòng)性,需要采用很高的加工溫度(往往接近或高于基體的熔點(diǎn))。在高溫下,基體與增強(qiáng)材料易發(fā)生界面反應(yīng),生成有害的反應(yīng)產(chǎn)物Al4C3,呈脆性,會(huì)成為鋁碳化硅材料整體破壞的裂紋源。因此控制復(fù)合材料的加工溫度是一項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)。該問(wèn)題主要解決方法:①、盡量縮短高溫加工時(shí)間,使增強(qiáng)材料與基體界面反應(yīng)時(shí)間降低至比較低程度;②、通過(guò)提高工作壓力使增強(qiáng)材料與基體浸潤(rùn)速度加快;③、采用擴(kuò)散粘接法可有效地控制溫度并縮短時(shí)間。

a、T/R模塊封裝:機(jī)載雷達(dá)天線安裝在飛機(jī)萬(wàn)向支架上,采用機(jī)電方式掃描,其發(fā)展的重要轉(zhuǎn)折點(diǎn)是從美國(guó)F-22開(kāi)始應(yīng)用有源電子掃描相控陣天線AESA體制,其探測(cè)距離下表所示:圖三機(jī)載雷達(dá)探測(cè)距離

APG-80捷變波束雷達(dá)、多功能機(jī)頭相控陣一體化航電系統(tǒng)、多功能綜合射頻系統(tǒng)、綜合式射頻傳感器系統(tǒng)、JSF傳感器系統(tǒng)等,所用T/R (發(fā)/收)模塊封裝技術(shù)日趨成熟,每個(gè)T/R模塊成本由研發(fā)初期的10萬(wàn)美元降至600-800美元,數(shù)年內(nèi)可降至約200美元,成為機(jī)載雷達(dá)的**部分。幾乎所有的美國(guó)參戰(zhàn)飛機(jī)都有安裝新的或更新AESA計(jì)劃,使其作戰(zhàn)效能進(jìn)一步發(fā)揮,在多目標(biāo)威脅環(huán)境中先敵發(fā)現(xiàn)、發(fā)射、殺傷,F(xiàn)-22機(jī)載AESA雷達(dá)可同時(shí)探測(cè)**目標(biāo)數(shù)分別為空中30 個(gè)、地面16個(gè)、探測(cè)范圍為360°全周向。 鋁碳化硅已經(jīng)應(yīng)用于機(jī)床-主軸、導(dǎo)軌。

低體分鋁碳化硅的**應(yīng)用領(lǐng)域——輕量化結(jié)構(gòu)件方向、耐磨方向:

早在20世紀(jì)80年代,低體分鋁碳化硅就作為非主承載結(jié)構(gòu)件成功地應(yīng)用于飛機(jī)上,典型案例為洛克希德馬丁公司生產(chǎn)的電子設(shè)備支架。本世紀(jì)開(kāi)始,該材料作為主承載結(jié)構(gòu)件在飛機(jī)上正式應(yīng)用。F-18“大黃蜂”戰(zhàn)斗機(jī)上采用鋁碳化硅作為液壓制動(dòng)器缸體,與替代材料鋁青銅相比,不僅重量減輕、膨脹系數(shù)降低,而且疲勞極限還提高一倍以上。在直升機(jī)上的應(yīng)用方面,歐盟也取得了突破性進(jìn)展。 高體分鋁碳化硅生產(chǎn)工藝流程多采用真空壓力浸滲法。河北標(biāo)準(zhǔn)鋁碳化硅檢測(cè)技術(shù)

我司主要研制、生產(chǎn)低體分和高體分的金屬陶瓷復(fù)合材料。河北有什么鋁碳化硅產(chǎn)品介紹

在國(guó)內(nèi),隨著AESA產(chǎn)品的定型,T/R模塊出現(xiàn)批量生產(chǎn)需求,其基板、殼體的生產(chǎn)極為關(guān)鍵,采用近凈成形技術(shù),研制出小批量T/R模塊封裝外殼樣品。用無(wú)壓溶滲AlSiC制作基座替代W-Cu基座,封裝微波功率器件,按GJB33A-97和GJB128A-97軍標(biāo)嚴(yán)格考核,器件的微波性能、熱性能無(wú)變化,可完全滿(mǎn)足應(yīng)用要求,前者的重量只及W-Cu基座的 20%,且成本*為后者的1/3左右,有望在封裝領(lǐng)域大量替代W-Cu、Mo-Cu等材料。國(guó)產(chǎn)L波段功率器件月批量生產(chǎn)累計(jì)上千只,實(shí)現(xiàn)某型號(hào)雷達(dá)***國(guó)產(chǎn)化、固態(tài)化,今后幾年會(huì)持續(xù)批量生產(chǎn),S、C波段功率模塊怎樣低成本生產(chǎn),將涉及AlSiC封裝材料的研發(fā)應(yīng)用。河北有什么鋁碳化硅產(chǎn)品介紹

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