參數(shù)①最大反向漏電流ID和額定反向關(guān)斷電壓VWM。VWM是TVS比較大連續(xù)工作的直流或脈沖電壓，當(dāng)這個反向電壓加入TVS的兩極間時，它處于反向關(guān)斷狀態(tài)，流過它的電流應(yīng)小于或等于其最大反向漏電流ID。②**小擊穿電壓VBR和擊穿電流IRVBR是TVS**小的雪崩電壓。25℃時，在這個電壓之前，TVS是不導(dǎo)通的。當(dāng)TVS流過規(guī)定的1mA電流（IR）時，加入TVS兩極間的電壓為其**小擊穿電壓VBR。按TVS的VBR與標(biāo)準(zhǔn)值的離散程度，可把TVS分為±5%VBR和±10%VBR兩種。對于±5%VBR來說，VWM=0.85VBR；對于±10%VBR來說，VWM=0.81VBR。來明電子可根據(jù)客戶要求，為客戶定制各類TVS產(chǎn)品。湖北SMCJTVSSMAF
反向擊穿性PN結(jié)加反向電壓時，空間電荷區(qū)變寬，區(qū)中電場增強(qiáng)。反向電壓增大到一定程度時，反向電流將突然增大。如果外電路不能限制電流，則電流會大到將PN結(jié)燒毀。反向電流突然增大時的電壓稱擊穿電壓。基本的擊穿機(jī)構(gòu)有兩種，即隧道擊穿（也叫齊納擊穿）和雪崩擊穿，前者擊穿電壓小于6V，有負(fù)的溫度系數(shù)，后者擊穿電壓大于6V，有正的溫度系數(shù)。雪崩擊穿：阻擋層中的載流子漂移速度隨內(nèi)部電場的增強(qiáng)而相應(yīng)加快到一定程度時，其動能足以把束縛在共價鍵中的價電子碰撞出來，產(chǎn)生自由電子—空穴對，新產(chǎn)生的載流子在強(qiáng)電場作用下，再去碰撞其它中性原子，又產(chǎn)生新的自由電子—空穴對，如此連鎖反應(yīng)，使阻擋層中的載流子數(shù)量急劇增加，像雪崩一樣。雪崩擊穿發(fā)生在摻雜濃度較低的PN結(jié)中，阻擋層寬，碰撞電離的機(jī)會較多，雪崩擊穿的擊穿電壓高。浙江P6KETVSSMAFTVS是一種鉗位型的過壓保護(hù)器件。
PN 結(jié)構(gòu)成了幾乎所有半導(dǎo)體功率器件的基礎(chǔ)，常用的半導(dǎo)體功率器件如DMOS，IGBT，SCR 等的反向阻斷能力都直接取決于 PN 結(jié)的擊穿電壓，因此，PN 結(jié)反向阻斷特性的優(yōu)劣直接決定了半導(dǎo)體功率器件的可靠性及適用范圍。在 PN結(jié)兩邊摻雜濃度為固定值的條件下，一般認(rèn)為除 super junction 之外平行平面結(jié)的擊穿電壓在所有平面結(jié)中具有比較高的擊穿電壓。實(shí)際的功率半導(dǎo)體器件的制造過程一般會在 PN 結(jié)的邊緣引入球面或柱面邊界，該邊界位置的擊穿電壓低于平行平面結(jié)的擊穿電壓，使功率半導(dǎo)體器件的擊穿電壓降低。由此產(chǎn)生了一系列的結(jié)終端技術(shù)來消除或減弱球面結(jié)或柱面結(jié)的曲率效應(yīng)，使實(shí)際制造出的 PN 結(jié)的擊穿電壓接近或等于理想的平行平面結(jié)擊穿電壓。
這里說的TVS管包括防ESD用的小功率TVS管（本文簡稱ESD管）和防浪涌用的大功率TVS管（本文簡稱浪涌管）。這里說的浪涌測試標(biāo)準(zhǔn)指TVS器件規(guī)格書上標(biāo)明的測試標(biāo)準(zhǔn)：IEC61000-4-2Level4ESDProtection——靜電測試標(biāo)準(zhǔn)，必須通過，提供測試數(shù)據(jù)IEC61000-4-4Level4EFTprotection——部分廠家才會提供數(shù)據(jù)IEC61000-4-5（8/20us）——浪涌測試標(biāo)準(zhǔn)，必須通過，提供測試數(shù)據(jù)下面是安森美ESD5481MUT5G，用在一般信號線上的ESD管規(guī)格書提供的信息，人家一個小管子，完成了三個標(biāo)準(zhǔn)的測試。來明電子具有大量常用TVS現(xiàn)貨產(chǎn)品。
過電應(yīng)力當(dāng)瞬態(tài)脈沖能量超過TVS所能承受能量時會引起TVS器件過電應(yīng)力損傷，特別是當(dāng)瞬態(tài)脈沖能量達(dá)到TVS所能承受能量的數(shù)倍時會直接導(dǎo)致TVS器件過電應(yīng)力燒毀，失效模式表現(xiàn)為短路。過電應(yīng)力短路失效的TVS芯片在掃描電鏡下觀察?？砂l(fā)現(xiàn)pn結(jié)表面邊緣的熔融區(qū)域或體內(nèi)硅片的上表面和下表面的黑斑。試驗(yàn)表明，發(fā)生在結(jié)表面邊緣過電應(yīng)力短路失效通常是由持續(xù)時間極短(ns級)的高能量瞬態(tài)脈沖所致，例如:EMP、ESD產(chǎn)生的脈沖:體內(nèi)過電應(yīng)力失效通常是由持續(xù)時間稍長(us級以上)高能量脈沖所致，例如:電快速瞬變，雷電產(chǎn)生的脈沖。如果高能量瞬態(tài)脈沖持續(xù)時間介于ns級和μs級之間，則短路可能發(fā)生在結(jié)邊緣表面，也可能發(fā)生在體內(nèi)。來明電子可提供多個品牌的TVS產(chǎn)品。北京P4KETVS定制
車規(guī)級TVS的制作工藝更加嚴(yán)格，一般要用車規(guī)級的硅片。湖北SMCJTVSSMAF
PN結(jié)加反向電壓時截止如果電源的正極接N區(qū)，負(fù)極接P區(qū)，外加的反向電壓有一部分降落在PN結(jié)區(qū)，PN結(jié)處于反向偏置。則空穴和電子都向遠(yuǎn)離界面的方向運(yùn)動，使空間電荷區(qū)變寬，電流不能流過，方向與PN結(jié)內(nèi)電場方向相同，加強(qiáng)了內(nèi)電場。內(nèi)電場對多子擴(kuò)散運(yùn)動的阻礙增強(qiáng)，擴(kuò)散電流大大減小。此時PN結(jié)區(qū)的少子在內(nèi)電場作用下形成的漂移電流大于擴(kuò)散電流，可忽略擴(kuò)散電流，PN結(jié)呈現(xiàn)高阻性。在一定的溫度條件下，由本征激發(fā)決定的少子濃度是一定的，故少子形成的漂移電流是恒定的，基本上與所加反向電壓的大小無關(guān)，這個電流也稱為反向飽和電流。PN結(jié)加正向電壓時，呈現(xiàn)低電阻，具有較大的正向擴(kuò)散電流；PN結(jié)加反向電壓時，呈現(xiàn)高電阻，具有很小的反向漂移電流。由此可以得出結(jié)論：PN結(jié)具有單向?qū)щ娦?。湖北SMCJTVSSMAF
上海來明電子有限公司致力于電子元器件，是一家貿(mào)易型的公司。公司業(yè)務(wù)涵蓋TVS、ESD、MOV，放電管、保險絲、繼電器，二三極管MOS管、晶振，NTC，PPTC，電容等，價格合理，品質(zhì)有保證。公司秉持誠信為本的經(jīng)營理念，在電子元器件深耕多年，以技術(shù)為先導(dǎo)，以自主產(chǎn)品為重點(diǎn)，發(fā)揮人才優(yōu)勢，打造電子元器件良好品牌。來明電子立足于全國市場，依托強(qiáng)大的研發(fā)實(shí)力，融合前沿的技術(shù)理念，及時響應(yīng)客戶的需求。